JP2011100793A5 - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された配線構造体とを有する半導体パッケージ及びその製造方法に関する。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、半導体チップと配線構造体との接続信頼性が高く、かつ、ボイドの発生を低減することが可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供することを課題とする。

本半導体パッケージの製造方法は、支持体上に、感光性材料から構成された半硬化状態の絶縁層を形成する第１工程と、フォトリソグラフィ法により、前記絶縁層に前記支持体を露出する開口部を形成する第２工程と、半導体チップの電極の位置が前記開口部と合うように前記半導体チップを前記絶縁層上に配置し、前記絶縁層を加熱して硬化させることにより、前記半導体チップを前記絶縁層表面に接着する第３工程と、前記絶縁層の前記半導体チップ側の面に、前記半導体チップを封止する封止樹脂を形成する第４工程と、前記支持体を除去する第５工程と、前記絶縁層の前記半導体チップ側の面とは反対側の面に、前記開口部内に露出する前記電極と電気的に接続する配線層を設け、前記絶縁層及び前記配線層を含む配線構造体を形成する第６工程と、を有することを要件とする。
本半導体パッケージは、能動面に電極が設けられた半導体チップ、及び該半導体チップ側面に設けられた封止樹脂を含む基体と、前記半導体チップの能動面側となる前記基体表面に設けられた、絶縁層及び該絶縁層上に設けられた配線層を含む配線構造体と、を有し、前記絶縁層が感光性材料からなり、前記配線層と前記電極とが直接接続されていることを要件とする。

開示の技術によれば、半導体チップと配線構造体との接続信頼性が高く、かつ、ボイドの発生を低減することが可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供することができる。

Claims (19)

1. 支持体上に、感光性材料から構成された半硬化状態の絶縁層を形成する第１工程と、
   フォトリソグラフィ法により、前記絶縁層に前記支持体を露出する開口部を形成する第２工程と、
   半導体チップの電極の位置が前記開口部と合うように前記半導体チップを前記絶縁層上に配置し、前記絶縁層を加熱して硬化させることにより、前記半導体チップを前記絶縁層表面に接着する第３工程と、
   前記絶縁層の前記半導体チップ側の面に、前記半導体チップを封止する封止樹脂を形成する第４工程と、
   前記支持体を除去する第５工程と、
   前記絶縁層の前記半導体チップ側の面とは反対側の面に、前記開口部内に露出する前記電極と電気的に接続する配線層を設け、前記絶縁層及び前記配線層を含む配線構造体を形成する第６工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
2. 前記電極は突起電極であり、
   前記第３工程において、前記突起電極が前記開口部内に挿入され、前記半導体チップの能動面が前記絶縁層表面に接着される請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
3. 前記電極は突起電極であり、
   前記第３工程において、前記突起電極の先端面が前記開口部周縁の前記絶縁層表面に接着され、
   前記第４工程において、前記半導体チップの能動面と前記絶縁層との間に封止樹脂が形成される請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
4. 前記第６工程において、前記絶縁層及び前記配線層上に他の絶縁層及び配線層を積層する工程を有し、
   前記他の絶縁層は、熱硬化性樹脂からなる請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
5. 前記第１工程では、フィルム状の前記感光性材料を真空雰囲気中でラミネートして前記絶縁層を形成する請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
6. 前記第１工程では、ペースト状又は液状の前記感光性材料を塗布して前記絶縁層を形成する請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
7. 前記感光性材料は、アクリル、エポキシ、ポリイミドの何れかを主成分とする請求項１乃至６の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
8. 前記第６工程において、前記配線層は、無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法、及び電解めっき法のうちの少なくとも１つを含む方法により形成する請求項１乃至７の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
9. 前記配線層の一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層を形成する第７工程を更に有する請求項１乃至８の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
10. 前記ソルダーレジスト層の前記開口部から露出する前記配線層上に外部接続端子を形成する第８工程を更に有する請求項９記載の半導体パッケージの製造方法。
11. 前記外部接続端子は、平面視において前記半導体チップよりも外側の領域に形成する請求項１０記載の半導体パッケージの製造方法。
12. 隣接する前記外部接続端子のピッチは、隣接する前記電極のピッチよりも広い請求項１１記載の半導体パッケージの製造方法。
13. 前記封止樹脂を研磨して前記半導体チップの裏面を露出する第９工程を更に有する請求項１乃至１２の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
14. 能動面に電極が設けられた半導体チップ、及び該半導体チップ側面に設けられた封止樹脂を含む基体と、
    前記半導体チップの能動面側となる前記基体表面に設けられた、絶縁層及び該絶縁層上に設けられた配線層を含む配線構造体と、を有し、
    前記絶縁層が感光性材料からなり、
    前記配線層と前記電極とが直接接続されている半導体パッケージ。
15. 前記電極は突起電極であり、
    前記絶縁層に前記絶縁層を貫通する開口部が設けられ、
    前記開口部内に前記突起電極が挿入され、前記半導体チップの能動面が前記絶縁層表面に接しており、
    前記突起電極の先端面に前記配線層が直接接続されている請求項１４記載の半導体パッケージ。
16. 前記電極は突起電極であり、
    前記絶縁層に前記絶縁層を貫通する開口部が設けられ、
    前記開口部周縁の前記絶縁層表面に前記突起電極の先端面が接しており、
    前記半導体チップの能動面と前記絶縁層との間に封止樹脂が設けられており、
    前記突起電極の先端面に前記開口部内に充填された前記配線層の構成材料が直接接続されている請求項１４記載の半導体パッケージ。
17. 前記絶縁層及び前記配線層上に他の絶縁層及び配線層が積層されており、
    前記他の絶縁層は、熱硬化性樹脂からなる請求項１４乃至１６の何れか一項記載の半導体パッケージ。
18. 最上層の配線層上に、前記配線層の一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層が設けられ、
    前記開口部から露出する前記配線層上に外部接続端子が設けられ、
    前記外部接続端子は、平面視において前記半導体チップよりも外側の領域にも形成され、
    隣接する前記外部接続端子のピッチは、隣接する前記電極のピッチよりも広い請求項１４乃至１７の何れか一項記載の半導体パッケージ。
19. 前記半導体チップの裏面が前記封止樹脂から露出している請求項１４乃至１８の何れか一項記載の半導体パッケージ。