JP2011100719A5 - - Google Patents
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Description
本発明者らは、特定の製造方法により、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの結晶粒の平均粒径を１５０〜４００μｍとすることにより、大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができることを見出した。具体的には、本発明は以下の構成を有することによって上記問題を解決した有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットおよびその製造方法に関する。
（１）Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金ターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が、１５０〜４００μｍであり、前記結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲット。
（２）ターゲット表面が、０．２５ｍ２以上の面積を有していることを特徴とする、上記（１）記載の有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲット。
（３）Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットを、熱間の据込鍛造を６〜２０回繰り返す工程、冷間圧延する工程、熱処理する工程、機械加工する工程を、この順で行い、前記熱間の据込鍛造の温度が、８５０℃以下であり、前記冷間圧延での総圧下率が、６０〜７５％であり、前記熱処理の温度が、５５０〜６５０℃であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの製造方法。
（４）熱間の据込鍛造の温度が、７５０〜８５０℃である、上記（３）記載の有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの製造方法。
（１）Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金ターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が、１５０〜４００μｍであり、前記結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲット。
（２）ターゲット表面が、０．２５ｍ２以上の面積を有していることを特徴とする、上記（１）記載の有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲット。
（３）Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットを、熱間の据込鍛造を６〜２０回繰り返す工程、冷間圧延する工程、熱処理する工程、機械加工する工程を、この順で行い、前記熱間の据込鍛造の温度が、８５０℃以下であり、前記冷間圧延での総圧下率が、６０〜７５％であり、前記熱処理の温度が、５５０〜６５０℃であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの製造方法。
（４）熱間の据込鍛造の温度が、７５０〜８５０℃である、上記（３）記載の有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの製造方法。
Claims (4)
- Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金ターゲットであって、
該合金の結晶粒の平均粒径が、１５０〜４００μｍであり、
前記結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲット。 - ターゲット表面が、０．２５ｍ２以上の面積を有していることを特徴とする、請求項１記載の有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲット。
- Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットを、熱間の据込鍛造を６〜２０回繰り返す工程、冷間圧延する工程、熱処理する工程、機械加工する工程を、この順で行い、
前記熱間の据込鍛造の温度が、８５０℃以下であり、
前記冷間圧延での総圧下率が、６０〜７５％であり、
前記熱処理の温度が、５５０〜６５０℃であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの製造方法。 - 前記熱間の据込鍛造の温度が、７５０〜８５０℃である、請求項３記載の有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの製造方法。
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