JP2011097434A - 電流制御用半導体素子およびそれを用いた制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電流制御用半導体素子100は、同一半導体チップ上に、MOSFET100Hと、2つの定電流源Ic1,Ic2と、MOSFETの電流および定電流源の電流を検出する電流検出回路120とを備える。さらに、定電流源は、その電流値を計測するための外部接続端子T5を備える。補正用測定値保持レジスタ145は、外部から測定した定電流源の電流値を保持する。
【選択図】図1
Description
Ioutd=a・Voutd+b …(1)
式(1)に従い電流値を測定する場合、ゲインaおよびオフセットbを、実際の電流検出回路の特性といかに精度良く一致させるかが、電流測定精度を向上させる上で重要となる。
かかる構成により、電流検出回路におけるゲインaおよびオフセットbの変動を補正して、1チップのIC内で高精度な電流検出が可能となる。
かかる構成により、電流検出回路におけるゲインaおよびオフセットbの変動を補正して、1チップのIC内で高精度な電流検出が可能となる。
最初に、図1を用いて、本実施形態による電流制御用半導体素子を用いた電動アクチュエータの全体構成について説明する。
図1は、本発明の一実施形態による電流制御用半導体素子を用いた電動アクチュエータの全体構成を示すブロック図である。
ハイサイドMOSFET100Hのソース端子とローサイドMOSFET100Lのドレイン端子の接続部は、外部接続端子T3に接続される。外部接続端子T3には、電流制御の対象であるソレノイドSOが接続され、電流Ioutが供給される。ハイサイドMOSFET100Hのゲート端子には、フィードバック制御部180からゲート信号Vg1が入力する。ローサイドMOSFET100Lのゲート端子には、フィードバック制御部180からゲート信号Vg3が入力する。フィードバック制御部180は、ゲート信号Vg1,ゲート信号Vg2及び後述するゲート信号Vg2を、並列に出力する。
図2は、本発明の一実施形態による電流制御用半導体素子に用いる電流−電圧変換回路の構成を示す回路図である。
図3は、本発明の一実施形態による電流制御用半導体素子に用いる参照電流生成回路の構成を示す回路図である。
Ioutd=a・Voutd+b …(1)
IF(インターフェース)回路160は、電力制御用半導体素子100の外部から、補正用測定値保持レジスタ145が保持する値をリード/ライトするインターフェース機能を有している。
Ioutd=((R2/R1)・(Vref/Rsns))・Voutd+(Voff/R1) …(2)
ここで、ソレノイドSOの電流を測定する場合の電流検出系のゲインをa、オフセットをbとすると、それぞれ、式(3),式(4)のように、
a=(R1/R1)・(Vref/Rsns) …(3)
b=(Voff/R1) …(4)
となる。
Ic=((R2/R3)・(Vref/Rsns))・Voutd+(Voff/R3) …(5)
ここで、参照電流生成回路130の電流を測定する場合の電流検出系のゲインをa1、オフセットをb1とすると、それぞれ、式(6),式(7)のように、
a1=(R2/R3)・(Vref/Rsns) …(6)
b=(Voff/R3) …(7)
となる。
a=(R3/R1)・a1 …(8)
b=(R3/R1)・b1 …(9)
となる。
a1=(Ic1−Ic2)/(Voutdc1−Voutdc2) …(10)
b1=((Ic2・Voutdc1)−(Ic1・Voutdc2)/(Voutddc1−Voutdc2) …(11)
と解くことができる。
Ioutd=a・Voutd+b …(1)
以上のようにして、本実施形態により、高精度でゲインaおよびオフセットbを補正し、高精度な電流測定が可能となる。
図4は、本発明の一実施形態による電流制御用半導体素子における補正値算出回路の補正開始判定及び測定処理の内容を示すフローチャートである。図5及び図6は、本発明の一実施形態による電流制御用半導体素子における補正値算出回路の補正開始判定及び測定処理の内容を示すタイミングチャートである。
以上説明したように、ステップS20による判定に従い、参照電流のデジタル値Voutdc1およびVoutdc2の測定タイミングを制御することにより、PWM全区間に渡る電流測定精度の低下を最小限に抑えたまま、補正値算出回路150によるゲインaおよびオフセットbの補正を行うことができる。
図7は、本発明の他の実施形態による電流制御用半導体素子を用いた電動アクチュエータの全体構成を示すブロック図である。なお、図7において、図1と同一符号は同一部分を示している。
図8は、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いた自動変速機制御装置の構成を示すブロック図である。なお、図8において、図1や図7と同一符号は同一部分を示している。
図9は、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いたブレーキ制御装置の構成を示すブロック図である。なお、図9において、図1や図7と同一符号は同一部分を示している。
図10は、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いたブラシレスモータ制御装置の構成を示すブロック図である。なお、図9において、図1や図7と同一符号は同一部分を示している。
110H…ハイサイドMOSFET
110L…ローサイドMOSFET
120…電流検出回路
122…電流−電圧変換回路
124…ADコンバータ
130…参照電流生成回路
140…マルチプレクサ
145…補正用測定値保持レジスタ
150…補正値算出回路
160…IF回路
165…温度センサ
170…テストモード制御部
180…フィードバック制御部
200…マイクロコントローラ
B…バッテリー
SO…ソレノイド
Claims (8)
- 同一半導体チップ上に、MOSFETと、少なくとも2つの定電流源と、前記MOSFETの電流および前記定電流源の電流を検出する電流検出回路とを備え、 さらに、前記定電流源は、その電流値を計測するための外部接続端子を備えることを特徴とする電流制御用半導体素子。
- 請求項1記載の電流制御用半導体素子において、
前記外部接続端子を用いて、外部から測定した前記定電流源の電流値,若しくは前記電流検出回路が前記定電流源の電流を測定した時の検出値を保持する記憶素子を備えることを特徴とする電流制御用半導体素子。 - 請求項2記載の電流制御用半導体素子において、
前記記憶素子に保持された値を用いて、前記電流検出回路のゲイン及びオフセットの補正値を算出する補正値算出手段と、
該補正値算出手段により算出された前記ゲイン及びオフセットの補正値を用いて、前記電流検出回路により検出された値を補正して、補正された電流値を算出する電流値算出手段を備えることを特徴とする電流制御用半導体素子。 - 請求項3記載の電流制御用半導体素子において、
前記補正値算出手段は、前記電流制御用半導体素子の温度測定値を用いて、前回補正を行ったときの温度との差が所定値以上のとき、前記補正値算出回路の開始判定を行うことを特徴とする電流制御用半導体素子。 - 請求項4記載の電流制御用半導体素子において、
前記電流制御用半導体素子は、PWMにより、負荷に流れる電圧をオン・オフするものであり、
前記補正値算出手段は、前記PWMのオフ期間が、前記2つの定電流源の電流測定に要する期間よりも長いときは、前記PWMのオフ期間に前記2つの定電流源の電流を測定し、前記PWMのオフ期間が、前記2つの定電流源の電流測定に要する期間よりも短いときは、前記PWMのオン期間の内PWMオン直後以外の期間において前記2つの定電流源の電流を測定することを特徴とする電流制御用半導体素子。 - 電流制御用半導体素子と、該電流制御用半導体素子を制御するマイクロコントローラとを有する制御装置であって、
前記電流制御用半導体素子は、同一半導体チップ上に、
MOSFETと、
少なくとも2つの定電流源と、
前記MOSFETの電流および前記定電流源の電流を検出する電流検出回路と、
前記電流検出回路が前記定電流源の電流を測定した時の検出値を保持する記憶素子とを備え、
前記マイクロコントローラは、
前記記憶素子に保持された値を用いて、前記電流検出回路のゲイン及びオフセットの補正値を算出する補正値算出手段と、
該補正値算出手段により算出された前記ゲイン及びオフセットの補正値を用いて、前記電流検出回路により検出された値を補正して、補正された電流値を算出する電流値算出手段を備えることを特徴とする制御装置。 - 請求項6記載の制御装置において、
前記補正値算出手段は、前記電流制御用半導体素子の温度測定値を用いて、前回補正を行ったときの温度との差が所定値以上のとき、前記補正値算出回路の開始判定を行うことを特徴とする制御装置。 - 請求項7記載の制御装置において、
前記電流制御用半導体素子は、PWMにより、負荷に流れる電圧をオン・オフするものであり、
前記補正値算出手段は、前記PWMのオフ期間が、前記2つの定電流源の電流測定に要する期間よりも長いときは、前記PWMのオフ期間に前記2つの定電流源の電流を測定し、前記PWMのオフ期間が、前記2つの定電流源の電流測定に要する期間よりも短いときは、前記PWMのオン期間の内PWMオン直後以外の期間において前記2つの定電流源の電流を測定することを特徴とする制御装置。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012029485A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電流制御用半導体素子、およびそれを用いた制御装置 |
WO2013008683A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電流制御用半導体素子およびそれを用いた制御装置 |
JP2014045503A (ja) * | 2013-10-24 | 2014-03-13 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電流制御用半導体素子およびそれを用いた制御装置 |
EP3079161A1 (en) | 2015-04-09 | 2016-10-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, in-vehicle valve system and solenoid driver |
JP2017129526A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 株式会社デンソー | 電流補正回路 |
JP2017129528A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電流検出回路及びそれを備えた半導体装置 |
EP3503342A1 (en) | 2017-12-21 | 2019-06-26 | Renesas Electronics Corporation | Power supply voltage stabilizing method, semiconductor device, and power supply system |
JP2019129614A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、負荷駆動システムおよびインダクタ電流の検出方法 |
CN110095647A (zh) * | 2018-01-29 | 2019-08-06 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件、负载驱动系统和电感器电流的电流感测的方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103558894A (zh) * | 2013-11-18 | 2014-02-05 | 铜陵科达车辆装备有限责任公司 | 一种电流信号转换器电路 |
JP6337789B2 (ja) * | 2015-02-04 | 2018-06-06 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電流検出回路、電流検出装置及び切替え装置 |
KR102570609B1 (ko) * | 2020-09-08 | 2023-08-25 | 성균관대학교산학협력단 | 오프셋 전압이 자동 조절되는 전류센서 및 이의 오프셋 자동 조절 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0552880A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-02 | Nippon Motoroola Kk | 電流検出回路 |
US5784245A (en) * | 1996-11-27 | 1998-07-21 | Motorola Inc. | Solenoid driver and method for determining solenoid operational status |
JP2000235424A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-29 | Yazaki Corp | カレントミラー回路、電流センサ及びこれを具備したスイッチング回路並びにスイッチングデバイス |
WO2009020535A1 (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | Cascode current sensor for discrete power semiconductor devices |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5543632A (en) * | 1991-10-24 | 1996-08-06 | International Business Machines Corporation | Temperature monitoring pilot transistor |
US5675268A (en) * | 1995-10-03 | 1997-10-07 | Motorola, Inc. | Overcurrent detection circuit for a power MOSFET and method therefor |
JP2003031415A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Denso Corp | 誘導性負荷制御装置,誘導性負荷制御装置の出荷検査方法,及びa/d変換器選別方法 |
JP4127641B2 (ja) | 2001-10-23 | 2008-07-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4144591B2 (ja) | 2004-12-03 | 2008-09-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US7466601B2 (en) * | 2006-12-01 | 2008-12-16 | Qimonda Ag | Output driver |
US7911808B2 (en) * | 2007-02-10 | 2011-03-22 | Active-Semi, Inc. | Primary side constant output current controller with highly improved accuracy |
JP2011069809A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-04-07 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 制御システム及びそれに用いる半導体素子 |
US8700324B2 (en) * | 2010-08-25 | 2014-04-15 | Caterpillar Inc. | Machine navigation system having integrity checking |
-
2009
- 2009-10-30 JP JP2009250701A patent/JP5280332B2/ja active Active
-
2010
- 2010-08-24 EP EP10008804.6A patent/EP2320547B1/en active Active
- 2010-08-25 US US12/868,236 patent/US8421441B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0552880A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-02 | Nippon Motoroola Kk | 電流検出回路 |
US5784245A (en) * | 1996-11-27 | 1998-07-21 | Motorola Inc. | Solenoid driver and method for determining solenoid operational status |
JP2000235424A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-29 | Yazaki Corp | カレントミラー回路、電流センサ及びこれを具備したスイッチング回路並びにスイッチングデバイス |
WO2009020535A1 (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | Cascode current sensor for discrete power semiconductor devices |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012029485A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電流制御用半導体素子、およびそれを用いた制御装置 |
JP2012053514A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電流制御用半導体素子、およびそれを用いた制御装置 |
US9170587B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-10-27 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Current control semiconductor element and control device using the same |
WO2013008683A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電流制御用半導体素子およびそれを用いた制御装置 |
JP2013026634A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-02-04 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電流制御用半導体素子およびそれを用いた制御装置 |
US9154033B2 (en) | 2011-07-14 | 2015-10-06 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Current control semiconductor device and control device using the same |
JP2014045503A (ja) * | 2013-10-24 | 2014-03-13 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電流制御用半導体素子およびそれを用いた制御装置 |
US10176913B2 (en) | 2015-04-09 | 2019-01-08 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, in-vehicle valve system and solenoid driver |
EP3079161A1 (en) | 2015-04-09 | 2016-10-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, in-vehicle valve system and solenoid driver |
US10910136B2 (en) | 2015-04-09 | 2021-02-02 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, in-vehicle valve system and solenoid driver |
JP2017129526A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 株式会社デンソー | 電流補正回路 |
JP2017129528A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電流検出回路及びそれを備えた半導体装置 |
US10302681B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-05-28 | Renesas Electronics Corporation | Current detection circuit and semiconductor device including the same |
US10447164B2 (en) | 2017-12-21 | 2019-10-15 | Renesas Electronics Corporation | Power supply voltage stabilizing method, semiconductor device, and power supply system |
KR20190075817A (ko) | 2017-12-21 | 2019-07-01 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 전원 전압 안정화 방법, 반도체 장치 및 전원 시스템 |
US10749438B2 (en) | 2017-12-21 | 2020-08-18 | Renesas Electronics Corporation | Power supply voltage stabilizing method, semiconductor device, and power supply system |
EP3503342A1 (en) | 2017-12-21 | 2019-06-26 | Renesas Electronics Corporation | Power supply voltage stabilizing method, semiconductor device, and power supply system |
JP2019129614A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、負荷駆動システムおよびインダクタ電流の検出方法 |
US10855266B2 (en) | 2018-01-25 | 2020-12-01 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, load drive system and method of detecting inductor current |
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