JP5706502B2 - 電子制御装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 54
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 101100489717 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GND2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- Inverter Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
Ioutd=a・Voutd+b …(1)
式(1)に従い電流値を測定する場合、ゲインa、および、オフセットbを、実際の電流検出回路の特性といかに精度良く一致させるかが、電流測定精度を向上させる上で重要となる。
かかる構成により、ゲインa、およびオフセットbの変動を動的に補正することで、1チップのIC内で高精度な電流検出が可能となる。
最初に、図1を用いて、本実施形態による電流制御用半導体素子の構成について説明する。
図1は、本発明の一実施形態による電流制御用半導体素子の構成を示すブロック図である。
図2は、本発明の一実施形態による電流制御用半導体素子に用いる電流検出回路の構成を示すブロック図である。
図3は、本発明の一実施形態による電流制御用半導体素子に用いる参照電流生成回路の構成を示すブロック図である。
図4は、本発明の一実施形態による電流制御用半導体素子におけるゲインおよびオフセットの補正方法の説明図である。
a=Ic/ave(ΔV)、 a’=Ic’/ave(ΔV’) …(2)
として高精度に演算できる。
b=−a・Voutd_off,b’=−a’・Voutd’_off …(3)
として演算できる。
図5は、本発明の一実施形態による電流制御用半導体素子におけるゲインa,a’、およびオフセットb,b’の他の補正方法の説明図である。
a=Ic/ave(ΔVave),a’=Ic’/ave(ΔVave)’ …(4)
を用いて高精度に演算できる。
b=−a・Voutd_off、b’=−a’・Voutd’_off …(5)
として、オフセットb,b’を求めることができる。
図6は、本発明の他の実施形態による電流制御用半導体素子の構成を示すブロック図である。なお、図1と同一符号は同一部分を示している。図7は、本発明の他の実施形態による電流制御用半導体素子に用いる参照電流生成回路の構成を示すブロック図である。
図8は、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いた自動変速機制御装置の構成を示すブロック図である。なお、図8において、図1と同一符号は同一部分を示している。
図9は、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いたブレーキ制御装置の構成を示すブロック図である。なお、図9において、図1と同一符号は同一部分を示している。
図10は、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いたブラシレスモータ制御装置の構成を示すブロック図である。なお、図9において、図1と同一符号は同一部分を示している。
2…ソレノイド
3…バッテリー
4…ハイサイドMOSFET
5…ローサイドMOSFET
6,6’,6A…参照電流生成回路
7,7’…電流検出回路
8…ゲインオフセット補正部
9…補正用測定値保持レジスタ
10…IF回路
11…テストモード制御部
12…電流デジタル値演算部
Claims (2)
- 半導体チップ上に、
負荷を駆動するトランジスタと、
前記負荷の電流を電圧に変換する電流−電圧変換回路と、
前記電流−電圧変換回路の出力電圧をデジタル値に変換するADコンバータとを有する電子制御装置であって、
前記負荷の還流電流に電流パルスを重畳して、前記ADコンバータが出力する電圧デジタル値を変動させる参照電流生成部と、
前記参照電流生成部による前記電圧デジタル値の変動に基づいてオフセットを補正するオフセット補正部と、
を備えることを特徴とする電子制御装置。 - 請求項1に記載の電子制御装置において、
前記参照電流生成部は、前記負荷の還流電流に電流パルスを重畳して、前記ADコンバータが出力する電圧デジタル値を変動させる
ことを特徴とする電子制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013220785A JP5706502B2 (ja) | 2013-10-24 | 2013-10-24 | 電子制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013220785A JP5706502B2 (ja) | 2013-10-24 | 2013-10-24 | 電子制御装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011156013A Division JP5395127B2 (ja) | 2011-07-14 | 2011-07-14 | 電流制御用半導体素子およびそれを用いた制御装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014045503A JP2014045503A (ja) | 2014-03-13 |
JP2014045503A5 JP2014045503A5 (ja) | 2014-05-08 |
JP5706502B2 true JP5706502B2 (ja) | 2015-04-22 |
Family
ID=50396424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013220785A Active JP5706502B2 (ja) | 2013-10-24 | 2013-10-24 | 電子制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5706502B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6337789B2 (ja) * | 2015-02-04 | 2018-06-06 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電流検出回路、電流検出装置及び切替え装置 |
CN112787507B (zh) * | 2019-11-05 | 2024-03-01 | 三垦电气株式会社 | 电压转换的控制电路、电压转换器和开关电源装置 |
JP7283494B2 (ja) * | 2021-03-15 | 2023-05-30 | 横河電機株式会社 | 電流出力モジュール |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0758907B2 (ja) * | 1986-06-07 | 1995-06-21 | ソニー株式会社 | オフセツト自動補正a/d変換回路 |
JP2003031415A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Denso Corp | 誘導性負荷制御装置,誘導性負荷制御装置の出荷検査方法,及びa/d変換器選別方法 |
WO2006137387A1 (ja) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Nec Corporation | 信号処理装置及び方法 |
JP5280332B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2013-09-04 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電流制御用半導体素子およびそれを用いた制御装置 |
-
2013
- 2013-10-24 JP JP2013220785A patent/JP5706502B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014045503A (ja) | 2014-03-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140320 |
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A621 | Written request for application examination |
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