JP2011093724A - 単結晶の製造方法および製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】坩堝10は、側壁に肉薄部1aを有するグラファイト製の原料収納容器1と蓋3を有する。坩堝10内に種基板4および原料2を配置した後、蓋3は原料収納容器1に接着剤5を用いて固定される。坩堝10内の真空引きは、坩堝10の側壁の肉薄部1aが有する微細な空孔を通して行われる。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- 坩堝内に種基板および原料を配置し、接着剤を用いて当該坩堝の原料収納容器と蓋とを接着させる工程と、
前記坩堝内を、当該坩堝の側壁を介して排気する工程とを備える
ことを特徴とする単結晶の製造方法。 - 前記坩堝の原料収納容器は、グラファイト製であり、側壁に厚さ10mm以下の肉薄部を有する
請求項1記載の単結晶の製造方法。 - 前記接着剤は、カーボン接着剤である
請求項1または請求項2記載の単結晶の製造方法。 - 側壁に厚さ10mm以下の肉薄部を有するグラファイト製の原料収納容器、および前記原料収納容器の開口部に装着される蓋を有する坩堝と、
前記蓋を前記原料収納容器に固定する接着剤とを備える
ことを特徴とする単結晶の製造装置。 - 前記肉薄部は、前記側壁における前記開口部近傍に設けられている
請求項4記載の単結晶の製造装置。 - 前記接着剤は、カーボン接着剤である
請求項4または請求項5記載の単結晶の製造装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013166672A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 単結晶の製造方法および製造装置 |
JP2013189355A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003119098A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-23 | Denso Corp | 種結晶の固定方法および固定状態の評価方法 |
JP2005239464A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 坩堝を用いた単結晶製造装置 |
JP2008074665A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Nippon Steel Corp | 蓋付き黒鉛坩堝及び炭化珪素単結晶成長装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003119098A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-23 | Denso Corp | 種結晶の固定方法および固定状態の評価方法 |
JP2005239464A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 坩堝を用いた単結晶製造装置 |
JP2008074665A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Nippon Steel Corp | 蓋付き黒鉛坩堝及び炭化珪素単結晶成長装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013166672A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 単結晶の製造方法および製造装置 |
JP2013189355A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
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