JP2011086674A5 - 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム - Google Patents

Description

本発明の光電変換装置は、光に応じた信号を出力するための有効画素領域と、黒基準信号を出力するためのオプティカルブラック画素領域とを有する光電変換装置において、前記オプティカルブラック画素領域には、絶縁膜に配されたプラグと、前記プラグの上部に配され前記プラグに接続する遮光膜とが配され、前記プラグの上面と前記絶縁膜の上面とは同一面を形成し、前記遮光膜の上部もしくは下部に５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有するチタン膜が配される。本発明の光電変換装置の製造方法は、光に応じた信号を出力するための有効画素領域と、遮光膜を有し黒基準信号を出力するためのオプティカルブラック画素領域とを有する光電変換装置の製造方法において、前記オプティカルブラック画素領域において、絶縁膜に配され、前記絶縁膜の上面と同一面を形成する上面を有するプラグを形成する工程と、前記オプティカルブラック画素領域において、前記プラグの上に、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有し、前記遮光膜を構成するチタン層を形成する工程と、前記オプティカルブラック画素領域において、前記プラグの上に、前記遮光膜を構成するコア層を形成する工程を有する。

Claims (12)

1. 光に応じた信号を出力するための有効画素領域と、黒基準信号を出力するためのオプティカルブラック画素領域とを有する光電変換装置において、
   前記オプティカルブラック画素領域には、絶縁膜に配されたプラグと、コア層を含み、前記プラグの上に配され前記プラグに接続する遮光膜とが配され、
   前記プラグの上面と前記絶縁膜の上面とは同一面を形成し、
   前記遮光膜は、前記コア層の上、前記コア層の下、あるいは前記コア層の上及び前記コア層の下に５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有するチタン層を含む光電変換装置。
2. 前記チタン層は、前記コア層と前記プラグとの間に配されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
3. 前記コア層は、前記チタン層と前記プラグとの間に配されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
4. 前記チタン層は、前記コア層の上の第１のチタン層と、前記コア層の下の第２のチタン層を含み、前記第１のチタン層の膜厚と前記第２のチタン層の膜厚の合計が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
5. 前記チタン層は、前記遮光膜と同一のパターンを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
6. 前記プラグと前記絶縁膜はＣＭＰ処理がなされたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
7. 前記プラグは、バリアメタル層を有し、前記プラグのコア層とバリアメタル層と前記絶縁膜とは同一面を形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
   前記光電変換装置から出力された撮像信号を処理する信号処理部とを有した撮像システム。
9. 光に応じた信号を出力するための有効画素領域と、遮光膜を有し黒基準信号を出力するためのオプティカルブラック画素領域とを有する光電変換装置の製造方法において、
   前記オプティカルブラック画素領域において、絶縁膜に配され、前記絶縁膜の上面と同一面を形成する上面を有するプラグを形成する工程と、
   前記オプティカルブラック画素領域において、前記プラグの上に、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有し、前記遮光膜を構成するチタン層を形成する工程と、
   前記オプティカルブラック画素領域において、前記プラグの上に、前記遮光膜を構成するコア層を形成する工程を有することを特徴する光電変換装置の製造方法。
10. 前記チタン層を形成する工程の後に、前記有効画素領域と前記オプティカルブラック画素領域に対してプラズマプロセスを行う工程を有することを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置の製造方法。
11. 前記チタン層を形成する工程の後に、前記有効画素領域と前記オプティカルブラック画素領域に対して水素終端化処理を行う工程を有することを特徴とする請求項９または１０に記載の光電変換装置の製造方法。
12. 前記プラグを形成する工程は、前記プラグと前記絶縁膜に対してＣＭＰ処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。