JP2011077497A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011077497A5 JP2011077497A5 JP2010109490A JP2010109490A JP2011077497A5 JP 2011077497 A5 JP2011077497 A5 JP 2011077497A5 JP 2010109490 A JP2010109490 A JP 2010109490A JP 2010109490 A JP2010109490 A JP 2010109490A JP 2011077497 A5 JP2011077497 A5 JP 2011077497A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type gan
- gan substrate
- substrate according
- pieces
- surface layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (13)
- 半導体デバイスに用いられるｎ型ＧａＮ基板であって、
前記ｎ型ＧａＮ基板の表面に表面層を有し、
前記表面層が、Ｓ換算で３０×１０１０個／ｃｍ２〜２０００×１０１０個／ｃｍ２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物を含み、
ｃ軸に対する前記表面の法線軸の傾斜角度が６３°〜７９°である、ｎ型ＧａＮ基板。 - 前記表面層がＳ換算で４０×１０１０個／ｃｍ２〜１５００×１０１０個／ｃｍ２の前記硫化物を含む、請求項１に記載のｎ型ＧａＮ基板。
- 前記表面層がＯ換算で３ａｔ％〜１６ａｔ％の前記酸化物を含む、請求項１又は２に記載のｎ型ＧａＮ基板。
- 前記表面層がＣｌ換算で１２０×１０１０個／ｃｍ２〜１５０００×１０１０個／ｃｍ２の塩化物を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
- 前記表面層がＳｉ換算で１００×１０１０個／ｃｍ２〜１２０００×１０１０個／ｃｍ２のシリコン化合物を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
- 前記表面層における炭素化合物の含有量がＣ換算で２２ａｔ％以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
- 前記表面層における銅化合物の含有量がＣｕ換算で１５０×１０１０個／ｃｍ２以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
- 前記表面層の表面粗さがＲＭＳ基準で５ｎｍ以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
- 前記表面層の転位密度が１×１０６個／ｃｍ２以下である、請求項１〜８のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
- 前記表面の面方位が、｛２０−２１｝面、｛２０−２−１｝面、｛２２−４３｝面、｛２２−４−３｝面、｛１１−２１｝面、｛１１−２−１｝面のいずれかである、請求項１〜９のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
- 請求項１〜１０のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板と、前記ｎ型ＧａＮ基板の前記表面層上に形成されたエピタキシャル層とを有し、前記エピタキシャル層がＩＩＩ族窒化物半導体を含む、エピタキシャル基板。
- 前記エピタキシャル層が量子井戸構造を有する活性層を有し、
前記活性層が波長４３０ｎｍ〜５５０ｎｍの光を発生するように設けられている、請求項１１に記載のエピタキシャル基板。 - 請求項１１又は１２に記載のエピタキシャル基板を備える、半導体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010109490A JP5833297B2 (ja) | 2010-05-11 | 2010-05-11 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010109490A JP5833297B2 (ja) | 2010-05-11 | 2010-05-11 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009228605A Division JP4513927B1 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014178036A Division JP2015053482A (ja) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011077497A JP2011077497A (ja) | 2011-04-14 |
| JP2011077497A5 true JP2011077497A5 (ja) | 2012-10-25 |
| JP5833297B2 JP5833297B2 (ja) | 2015-12-16 |
Family
ID=44021104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010109490A Active JP5833297B2 (ja) | 2010-05-11 | 2010-05-11 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5833297B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112012003035B4 (de) * | 2011-07-20 | 2024-01-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Siliziumkarbidsubstrat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| JP2013084951A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP5803786B2 (ja) | 2012-04-02 | 2015-11-04 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法 |
| JP6778579B2 (ja) * | 2016-10-18 | 2020-11-04 | 古河機械金属株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、及び、ｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3888374B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2007-02-28 | 住友電気工業株式会社 | ＧａＮ単結晶基板の製造方法 |
| JP5194334B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2013-05-08 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体デバイスの製造方法 |
| JP4337953B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2009-09-30 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板および半導体デバイス |
-
2010
- 2010-05-11 JP JP2010109490A patent/JP5833297B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012253293A5 (ja) | ||
| JP2011129891A5 (ja) | ||
| JP2014057055A5 (ja) | 半導体装置 | |
| WO2017019632A8 (en) | LIGHT ABSORPTION APPARATUS BASED ON MULTIPLE SLICES AND APPLICATIONS THEREOF | |
| JP2011077497A5 (ja) | ||
| JP2014078706A5 (ja) | ||
| JP2012151455A5 (ja) | ||
| TW201143135A (en) | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof | |
| Bai et al. | Efficiency enhancement of InGaN/GaN solar cells with nanostructures | |
| WO2011087609A3 (en) | Techniques and configurations to impart strain to integrated circuit devices | |
| JP2013219342A5 (ja) | ||
| WO2015031833A3 (en) | Semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond with improved near-substrate thermal conductivity | |
| JP2012129234A5 (ja) | ||
| Ho et al. | Enhanced light-extraction from hierarchical surfaces consisting of p-GaN microdomes and SiO2 nanorods for GaN-based light-emitting diodes | |
| Seo et al. | Enhanced light output power of GaN light-emitting diodes with graphene film as a transparent conducting electrode | |
| JP2013055319A5 (ja) | ||
| Hong et al. | GaN nanowire/thin film vertical structure p–n junction light-emitting diodes | |
| Hoon Seo et al. | Improved photovoltaic effects in InGaN-based multiple quantum well solar cell with graphene on indium tin oxide nanodot nodes for transparent and current spreading electrode | |
| JP2011146636A5 (ja) | ||
| JP2010212651A5 (ja) | ||
| JP2015214448A5 (ja) | ||
| Kuo et al. | Nitride-based near-ultraviolet light emitting diodes with meshed p‐GaN | |
| JP2011523219A5 (ja) | ||
| Sheu et al. | Gallium nitride-based light-emitting diodes with embedded air voids grown on Ar-implanted AlN/sapphire substrate | |
| JP2012028476A5 (ja) |