JP2013084951A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013084951A JP2013084951A JP2012217210A JP2012217210A JP2013084951A JP 2013084951 A JP2013084951 A JP 2013084951A JP 2012217210 A JP2012217210 A JP 2012217210A JP 2012217210 A JP2012217210 A JP 2012217210A JP 2013084951 A JP2013084951 A JP 2013084951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- insulating film
- semiconductor device
- crystal aln
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
【解決手段】単結晶AlNからなる基板を準備するステップと、前記単結晶AlNからなる基板の表面を酸素プラズマによって酸化し、単結晶AlNからなる基板上に酸化アルミニウムまたはアルミニウムオキシナイトライドからなる絶縁膜を形成するステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】図3
Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置および半導体装置の製造方法について、図1〜3を参照しながら説明する。
以下、本発明の第2の実施形態について、図4〜7を参照しながら説明する。図4は、本発明の第2の実施の形態を示す電界効果トランジスタの断面図である。
2 ゲート絶縁膜
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5 金属拡散領域
6 反転層
7 ゲート電極
Claims (9)
- 絶縁膜を備える半導体装置の製造方法であって、
単結晶AlNからなる基板の表面を酸素プラズマによって酸化し、前記単結晶AlNからなる基板上に酸化アルミニウムまたはアルミニウムオキシナイトライドからなる絶縁膜を形成するステップを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜の膜厚は、0.5nm以上10nm未満であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜の一部を除去するステップと、
前記絶縁膜の一部が除去されることにより露出した、前記単結晶AlNからなる基板の一部の領域上に、ソース電極およびドレイン電極を形成するステップと、
前記単結晶AlNからなる基板上の絶縁膜上にゲート電極を形成するステップと
をさらに備え、
前記半導体装置は、電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記単結晶AlNからなる基板は、ドーズ量1×1016cm−3乃至1×1020cm−3のN型またはP型不純物がドープされた領域を有することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 単結晶AlNからなる基板と、
前記単結晶AlNからなる基板の表面に形成された酸化アルミニウムまたはアルミニウムオキシナイトライドからなる絶縁膜と
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁膜の膜厚は、0.5nm以上10nm未満であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、前記単結晶AlNからなる基板を酸素プラズマにより酸化することによって得られた膜であることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置。
- 前記単結晶AlNからなる基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と
をさらに備えたことを特徴とする請求項5乃至7の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記単結晶AlNからなる基板は、ドーズ量1×1016cm−3乃至1×1020cm−3のN型またはP型不純物がドープされた領域を有することを特徴とする請求項5乃至8の何れか一項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012217210A JP2013084951A (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-28 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011216905 | 2011-09-30 | ||
JP2011216905 | 2011-09-30 | ||
JP2012217210A JP2013084951A (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-28 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013084951A true JP2013084951A (ja) | 2013-05-09 |
Family
ID=48529764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012217210A Pending JP2013084951A (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-28 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013084951A (ja) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101588A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-04-14 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007173744A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | n型窒化アルミニウムの製造方法及び半導体素子 |
JP2008072029A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体エピタキシャル結晶基板の製造方法 |
JP2008283202A (ja) * | 2008-06-09 | 2008-11-20 | Kobe Steel Ltd | 絶縁膜及びその製造方法、並びに絶縁膜を備えた電子デバイス |
JP2009059946A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
JP2009246034A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2010087192A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイスおよび半導体電子デバイスの製造方法 |
WO2011008531A2 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Enhancement mode hemt for digital and analog applications |
JP2011026161A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Fujikura Ltd | 窒化物単結晶とその製造装置 |
JP2011077497A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス |
-
2012
- 2012-09-28 JP JP2012217210A patent/JP2013084951A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101588A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-04-14 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007173744A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | n型窒化アルミニウムの製造方法及び半導体素子 |
JP2008072029A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体エピタキシャル結晶基板の製造方法 |
JP2009059946A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
JP2009246034A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2008283202A (ja) * | 2008-06-09 | 2008-11-20 | Kobe Steel Ltd | 絶縁膜及びその製造方法、並びに絶縁膜を備えた電子デバイス |
JP2010087192A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイスおよび半導体電子デバイスの製造方法 |
WO2011008531A2 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Enhancement mode hemt for digital and analog applications |
JP2011026161A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Fujikura Ltd | 窒化物単結晶とその製造装置 |
JP2011077497A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5634681B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP2016139781A (ja) | エンハンスメント型高電子移動度トランジスタおよびその製作方法 | |
CN108305834B (zh) | 一种增强型氮化镓场效应器件的制备方法 | |
WO2016141762A1 (zh) | Iii族氮化物增强型hemt及其制备方法 | |
JP2008010803A (ja) | 窒化物半導体電界効果トランジスタ | |
JP2009231395A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
CN108365008B (zh) | 具有p型二维材料栅极增强型氮化镓场效应器件的制备方法 | |
US20190019873A1 (en) | Gate switching device and method manufacturing the same | |
WO2019037116A1 (zh) | p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法 | |
JP2018060847A (ja) | 半導体装置 | |
JP2016143843A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4517077B2 (ja) | 窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ | |
US10134908B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
TW201822305A (zh) | 半導體元件、半導體基底及其形成方法 | |
JP4908856B2 (ja) | 半導体装置とその製造法 | |
US11430875B2 (en) | Method for manufacturing transistor | |
JP2008171842A (ja) | 半導体電子デバイス | |
US8283700B2 (en) | Field effect transistor and manufacturing method thereof | |
JP2017085058A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007123824A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体を用いた電子装置 | |
JP2007250727A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP5921089B2 (ja) | エピタキシャルウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2010165783A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2009246307A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN114496788A (zh) | 一种p型沟道氮化镓晶体管及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170418 |