JP2010212651A5 - - Google Patents
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- III族窒化物半導体からなり、該III族窒化物半導体のc軸方向に延びる基準軸に直交する基準平面に対して有限の角度をなす主面を有するIII族窒化物半導体支持体と、
前記III族窒化物半導体支持体の前記主面上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域と
を備え、
前記主面は半極性及び無極性のいずれか一方を示し、
前記窒化ガリウム系半導体領域は、第1導電型窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層は第1ドナー、及び該第1ドナーと異なる第2ドナーを含み、
前記第2ドナーは酸素を含む、ことを特徴とするIII族窒化物半導体素子。 - 前記窒化ガリウム系半導体領域上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられた第2導電型窒化ガリウム系半導体層と
を更に備え、
前記活性層は、前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層と前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられる、ことを特徴とする請求項1に記載されたIII族窒化物半導体素子。 - 前記活性層における酸素濃度は5×1016cm−3以上であり、前記活性層における酸素濃度は5×1018cm−3以下である、ことを特徴とする請求項2に記載されたIII族窒化物半導体素子。
- 前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は5×1016cm−3以上であり、前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は5×1018cm−3以下である、ことを特徴とする請求項2または請求項3に記載されたIII族窒化物半導体素子。
- 前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層の炭素濃度は5×1018cm−3以下であり、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層の炭素濃度は5×1018cm−3以下であり、
前記活性層の炭素濃度は5×1018cm−3以下である、ことを特徴とする請求項2〜請求項4のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。 - 前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層の酸素濃度は5×1016cm−3以上であり、
前記活性層の酸素濃度は5×1016cm−3以上である、ことを特徴とする請求項2〜請求項5のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。 - 前記活性層は、交互に配列された井戸層及び障壁層を含み、
前記井戸層の酸素濃度は6×1017cm−3以下である、ことを特徴とする請求項2〜請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。 - 別の第2導電型窒化ガリウム系半導体層を更に備え、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層のバンドギャップは前記別の第2導電型窒化ガリウム系半導体層のバンドギャップよりも大きく、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層の酸素濃度は、前記活性層の酸素濃度よりも大きく、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層は前記別の第2導電型窒化ガリウム系半導体層と前記活性層との間に設けられており、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層は前記別の第2導電型窒化ガリウム系半導体層と接合を形成する、ことを特徴とする請求項2〜請求項7のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。 - 前記活性層と前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ窒化ガリウム系半導体からなる光ガイド層を更に備え、
前記活性層は、前記基準平面に対して傾斜する平面に沿って延在しており、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層は電子ブロック層である、ことを特徴とする請求項2〜請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。 - 前記主面の法線と前記基準軸との成す角度は10度以上170度以下である、ことを特徴とする請求項2〜請求項9のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。
- 前記主面の法線と前記基準軸との成す角度は10度以上80度以下及び100度以上170度以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項2〜請求項10のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。
- 前記主面の法線と前記基準軸との成す角度は63度以上80度以下及び100度以上117度以下の範囲にある、請求項2〜請求項11のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。
- III族窒化物半導体素子のためのエピタキシャルウエハであって、
III族窒化物半導体からなり、該III族窒化物半導体のc軸方向に延びる基準軸に直交する基準平面に対して有限の角度をなす主面を有するIII族窒化物半導体基板と、
前記III族窒化物半導体基板の前記主面上に設けられた第1導電型窒化ガリウム系半導体層と、
前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第2導電型窒化ガリウム系半導体層と
を備え、
前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層は第1ドナー、及び該第1ドナーと異なる第2ドナーを含み、
前記第2ドナーは酸素を含み、
前記主面は半極性及び無極性のいずれか一方を示す、ことを特徴とするエピタキシャルウエハ。 - 別の第2導電型窒化ガリウム系半導体層を更に備え、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層のバンドギャップは前記別の第2導電型窒化ガリウム系半導体層のバンドギャップよりも大きく、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層の酸素濃度は、前記発光層の酸素濃度よりも大きく、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層は前記別の第2導電型窒化ガリウム系半導体層と前記発光層との間に設けられており、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層は前記別の第2導電型窒化ガリウム系半導体層と接合を形成する、ことを特徴とする請求項13に記載されたエピタキシャルウエハ。 - 前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層の酸素濃度は5×1016cm−3以上であり、前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層の酸素濃度は5×1018cm−3以下であり、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層は電子ブロック層であり、
前記発光層は、交互に配列された井戸層及び障壁層を有する活性層を含み、
前記発光層は、窒化ガリウム系半導体からなる光ガイド層を更に備え、該光ガイド層は、前記活性層と前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ、
前記発光層の前記光ガイド層は、前記基準平面に対して傾斜する平面に沿って延在している、ことを特徴とする請求項13または請求項14に記載されたエピタキシャルウエハ。 - 前記主面の法線と前記基準軸との成す角度は10度以上170度以下である、ことを特徴とする請求項13〜請求項15のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
- 前記主面の法線と前記基準軸との成す角度は10度以上80度以下及び100度以上170度以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項13〜請求項16のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
- 前記主面の法線と前記基準軸との成す角度は63度以上80度以下及び100度以上117度以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項13〜請求項17のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
- III族窒化物半導体素子を作製する方法であって、
III族窒化物半導体からなり、主面を有するIII族窒化物半導体基板を準備する工程と、
第1ドナー、III族原料及び窒素原料を成長炉に供給して、前記第1ドナー、及び該第1ドナーと異なる第2ドナーを含む第1導電型窒化ガリウム系半導体層を前記III族窒化物半導体基板の前記主面上に成長する工程と、
III族原料及び窒素原料を前記成長炉に供給して、前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層上に発光層を成長する工程と、
III族原料及び窒素原料を前記成長炉に供給して、第2導電型窒化ガリウム系半導体層を前記発光層上に成長する工程と
を備え、
前記第2ドナーは酸素を含み、
前記主面は半極性及び無極性のいずれか一方を示し、
前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層の酸素は、前記III族原料及び前記窒素原料の少なくともいずれか一つに含まれる不純物として提供され、
前記III族窒化物半導体基板の前記主面は、該III族窒化物半導体のc軸方向に延びる基準軸に直交する基準平面に対して有限の角度をなす、ことを特徴とする方法。 - 前記窒素原料はアンモニアを含み、
前記窒素原料は不純物として水を含み、
前記発光層における平均酸素濃度は5×1016cm−3以上であり、前記発光層における酸素濃度は5×1018cm−3以下であり、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は5×1016cm−3以上であり、前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は5×1018cm−3以下であり、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層の酸素濃度は、前記発光層の酸素濃度よりも大きい、ことを特徴とする請求項19に記載された方法。 - 前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層の成長温度は前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層の成長温度よりも低い、ことを特徴とする請求項19または請求項20に記載された方法。
- 前記発光層はInGaN層を含む、ことを特徴とする請求項19〜請求項21のいずれか一項に記載された方法。
- 前記主面の法線と前記基準軸との成す角度は10度以上170度以下である、ことを特徴とする請求項19〜請求項22のいずれか一項に記載された方法。
- 前記主面の法線と前記基準軸との成す角度は63度以上80度以下及び100度以上117度以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項19〜請求項23のいずれか一項に記載された方法。
- 前記窒素原料の原料源と前記成長炉との間に設けられた精製装置を用いて前記窒素原料の水分濃度を調整した後に、前記成長炉に前記窒素原料を供給し、
前記窒素原料はアンモニアからなる、ことを特徴とする請求項19〜請求項24のいずれか一項に記載された方法。 - 前記窒素原料として、水分含有量500ppb%以下のアンモニアを用いる、ことを特徴とする請求項19〜請求項25のいずれか一項に記載された方法。
- 前記窒素原料として、水分含有量50ppb%以下のアンモニアを用いる、ことを特徴とする請求項19〜請求項26のいずれか一項に記載された方法。
- 前記窒素原料として、水分含有量1ppb%以下のアンモニアを用いる、ことを特徴とする請求項19〜請求項27のいずれか一項に記載された方法。
- 前記窒素原料の前記水分濃度は1ppb%以下である、ことを特徴とする請求項25に記載された方法。
- 前記第1ドナーはシリコンである、ことを特徴とする請求項1〜請求項12のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。
- 前記主面は半極性を有する、ことを特徴とする請求項1〜請求項12、及び請求項30のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。
- 前記主面は無極性を有する、ことを特徴とする請求項1〜請求項12、及び請求項30のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子。
- 前記第1ドナーはシリコンである、ことを特徴とする請求項13〜請求項18のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
- 前記主面は半極性を有する、ことを特徴とする請求項13〜請求項18、及び請求項33のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
- 前記主面は無極性を有する、ことを特徴とする請求項13〜請求項18、及び請求項33のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
- 前記第1ドナーはシリコンである、ことを特徴とする請求項19〜請求項29のいずれか一項に記載された方法。
- 前記主面は半極性を有する、ことを特徴とする請求項19〜請求項29、及び請求項36のいずれか一項に記載された方法。
- 前記主面は無極性を有する、ことを特徴とする請求項19〜請求項29、及び請求項36のいずれか一項に記載された方法。
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