JP2011077470A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】先ず第1の工程では、基板1上に有機半導体膜9を成膜する。次の第2工程では、有機半導体膜9上に保護パターン11を形成する。その後第3工程では、保護パターン11をマスクにして、有機半導体層9を有機溶媒に溶解させるかまたは昇華させることにより、パターニング表面を変質させることなく有機半導体層9をパターニングする。
【選択図】図1
Description
1.第1実施形態(ボトムコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造例)
2.第2実施形態(トップコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造例)
3.第3実施形態(有機半導体層を相分離させたボトムコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造例)
4.第4実施形態(有機半導体層を相分離させたトップコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造例)
5.第5実施形態(保護膜を2層設けたボトムコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造例)
尚、各実施形態においては共通する構成要素に同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図1および図2は本発明に係る第1実施形態の製造方法を示す断面工程図である。以下、これらの図面に基づいて、本発明をボトムコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造に適用した第1実施形態を説明する。
次に、先の図1に基づいて第1実施形態の変形例を説明する。
図3は本発明に係る第2実施形態の製造方法を示す断面工程図である。以下、この図面に基づいて、本発明をトップコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造に適用した第2実施形態を説明する。
以上の第2実施形態に対しても第1実施形態の変形例を適用することができる。この場合、図3(1)を用いて説明した工程において成膜する有機半導体層9’は、有機溶媒Aに対する溶解性が問われることはない。しかしながら、次に行う保護パターンの形成プロセスに対する耐性を有するとともに、保護パターンよりも昇華温度が低い材料を用いて構成することは、第1実施形態の変形例と同様である。
図4は本発明に係る第3実施形態の製造方法を示す断面工程図である。この第3実施形態が第1実施形態と異なるところは、相分離によって有機半導体層を形成する手順にある。以下、この図面に基づいて、本発明をボトムコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造に適用した第3実施形態を説明する。
以上説明した第3実施形態に対しても第1実施形態の変形例を適用することができる。この場合、図4(3)を用いて説明した工程で形成する保護パターン33’は、先に成膜した絶縁層31iおよび有機半導体層31sよりも昇華温度が高い材料を用いて形成することが重要である。
図5は本発明に係る第4実施形態の製造方法を示す断面工程図である。以下、この図面に基づいて、本発明をトップコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造に適用した第4実施形態を説明する。
以上説明した第4実施形態に対しても第1実施形態の変形例を適用することができる。この場合、図5(3)を用いて説明した工程で形成する保護パターン11’は、先に成膜した絶縁層31i’および有機半導体層31s’よりも昇華温度が高い材料を用いて形成することが重要である。
図6は本発明に係る第5実施形態の製造方法を示す断面工程図である。この第5実施形態が第1実施形態と異なるところは、保護パターンの下層に保護膜を設けて2層構造としたところにある。以下、この図面に基づいて、本発明をボトムコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造に適用した第5実施形態を説明する。
以上説明した第5実施形態に対しても第1実施形態の変形例を適用することができる。この場合、図6(3)を用いて説明した工程で形成する保護パターン43’は、先に成膜した保護膜41および有機半導体層9よりも昇華温度が高い材料を用いて形成することが重要である。
Claims (7)
- 基板上に有機半導体層を成膜する第1工程と、
前記有機半導体層上に保護パターンを形成する第2工程と、
前記保護パターンをマスクにして前記有機半導体層を有機溶媒に溶解させるかまたは昇華させることにより、当該有機半導体層をパターニングする第3工程とを行う
半導体装置の製造方法。 - 前記第2工程では、前記保護パターンを印刷法によってパターン形成する
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護パターンは、フッ素系樹脂または水溶性ポリマーからなる
請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2工程では、前記有機半導体層よりも昇華温度が高い材料を用いて前記保護パターンを形成し、
前記第3工程では、前記保護パターンの昇華温度よりも低い温度で前記有機半導体層を昇華させる
請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3工程の後、
前記有機半導体層に対して前記保護パターンを選択的に除去する第4工程を行う
請求項1〜4の何れかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3工程では、前記有機半導体層を有機溶媒に溶解させ、
前記第3工程の後に、前記有機半導体層を溶解させた有機溶媒中から有機半導体材料を回収する
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3工程では、前記有機半導体層を昇華させると共に昇華させた当該有機半導体層の構成材料を回収する
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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