JP2006114581A - 有機電界効果トランジスタの製造方法及びその有機電界効果トランジスタ - Google Patents
有機電界効果トランジスタの製造方法及びその有機電界効果トランジスタ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板1上にゲート電極2を形成し、その上にゲート絶縁膜3を形成し、このゲート絶縁膜3上に形成された少なくともソース・ドレイン電極8,9間を含む部位に有機半導体層10を積層する有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記有機半導体層10に照射光を部分的に遮るマスクを介して直接光照射を行うことにより、二次元的な有機半導体層のパターン形成を行う。
【選択図】図1
Description
〔1〕ソース・ドレイン電極とゲート電極を有し、少なくとも前記ソース・ドレイン電極間を含む部位に有機半導体層を積層する有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記有機半導体層に照射光を部分的に遮るマスクを介して直接光照射を行うことにより、二次元的な有機半導体層のパターン形成を行うようにしたものである。
2 ゲート電極(Ta)
3 ゲート絶縁膜(Ta2 O5 )
4 ポジ形フォトレジスト(OFPR−800)
5 露光
6 フォトレジストパターン
7 オーミック電極(金属電極)
8,9 ソース・ドレイン電極(Cr/Auの二層構造)
10 有機半導体層(ペンタセン)
11 有機半導体層パターン
101,201,301,401 基板
102,206,302,406 ゲート電極
103,205,303,405 ゲート絶縁膜
104,105,202,203,305,306,403,404 ソース・ドレイン電極
106,204,304,402 有機半導体層
Claims (7)
- ソース・ドレイン電極とゲート電極を有し、少なくとも前記ソース・ドレイン電極間を含む部位に有機半導体層を積層する有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記有機半導体層に照射光を部分的に遮るマスクを介して直接光照射を行うことにより、二次元的な有機半導体層のパターン形成を行うことを特徴とする有機電界効果トランジスタの製造方法。
- 請求項1記載の有機電界効果トランジスタの製造方法において、基板上にゲート電極を形成し、その上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上に形成された少なくともソース・ドレイン電極間を含む部位に有機半導体層を積層することを特徴とする有機電界効果トランジスタの製造方法。
- 請求項1記載の有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記照射光がエキシマレーザからの照射光であることを特徴とする有機電界効果トランジスタの製造方法。
- 請求項1記載の有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記照射光が固体レーザからの照射光であることを特徴とする有機電界効果トランジスタの製造方法。
- 請求項1記載の有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記有機半導体層のパターン形成の工程で、周辺雰囲気に酸素を導入することを特徴とする有機電界効果トランジスタの製造方法。
- 請求項1記載の有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記有機半導体層のパターン形成の工程で、周辺雰囲気を減圧下または真空とすることを特徴とする有機電界効果トランジスタの製造方法。
- 請求項1から6の何れか1項記載の有機電界効果トランジスタの製造方法によって得られる有機電界効果トランジスタ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008084941A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子の製造方法 |
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JP2011077470A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2012111533A1 (ja) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 住友化学株式会社 | 有機トランジスタ用化合物 |
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2004
- 2004-10-13 JP JP2004298416A patent/JP2006114581A/ja active Pending
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