JP2007115804A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に半導体薄膜層を介してゲート絶縁膜とゲート電極とがこの順に設けられた半導体装置の製造方法であって、第1基板1の一主面上にゲート電極7を形成し、これを覆う状態でゲート絶縁膜9を形成する。第2基板11の一主面上にソース/ドレイン電極15を形成し、これらを覆う状態で有機材料からなる半導体薄膜層17を形成する。半導体薄膜層17の成膜表面を貼り合わせ面とし、かつゲート絶縁膜9と半導体薄膜層17とを狭持する状態で第1基板1と第2基板11とを貼り合わせる。その後、第1基板1をゲート絶縁膜9およびゲート電極7側から剥離除去する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態を説明するための断面図であり、以下この図に基づいて第1実施形態の製造方法を説明する。
図2は、本発明の第2実施形態を説明するための断面図である。この図に示す第2実施形態の製造方法は、図1を用いて説明した第1実施形態の製造方法の変形例であり、半導体薄膜層17を第1基板1側に形成することのみが第1実施形態と異なる点である。
図3は、本発明の第3実施形態を説明するための断面図であり、以下この図に基づいて第3実施形態の製造方法を説明する。
図4は、本発明の第4実施形態を説明するための断面図である。この図に示す第4実施形態の製造方法は、図3を用いて説明した第3実施形態の製造方法の変形例であり、半導体薄膜層17を第1基板1側に形成するところのみが第3実施形態と異なる点である。
Claims (6)
- 基板上に半導体薄膜層を介してゲート絶縁膜とゲート電極とがこの順に設けられた半導体装置の製造方法であって、
第1基板の一主面上にゲート電極を形成し、これを覆う状態でゲート絶縁膜を形成する第1工程と、
第2基板の一主面上または前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜層を形成する第2工程と、
前記半導体薄膜層の成膜表面を貼り合わせ面とし、かつ前記ゲート絶縁膜と半導体薄膜層とを狭持する状態で前記第1基板と第2基板とを貼り合わせる第3工程と
前記第3工程の後、前記ゲート絶縁膜およびゲート電極側から前記第1基板を剥離除去する第4工程を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2工程では、有機材料からなる前記半導体薄膜層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2工程では、前記第2基板の一主面上にソース/ドレイン電極を形成した後、これらを覆う状態で当該第2基板上に前記半導体薄膜層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2工程では、前記ゲート絶縁膜上に前記半導体薄膜層を形成し、
前記第3工程の前に、前記第2基板の一主面上にソース/ドレイン電極を形成する工程を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2工程では、前記第2基板の一主面上に前記半導体薄膜層を形成し、
前記第3工程の前に、前記ゲート絶縁膜上にソース/ドレイン電極を形成する工程を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2工程では、前記ゲート絶縁膜上にソース/ドレイン電極を形成した後、これを覆う状態で当該ゲート絶縁膜上に前記半導体薄膜層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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2005
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