JP2011066651A - 圧電デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】発振周波数が変動すること防ぐことができ、安定して気密封止することができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス100は、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111と、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲む封止用導体パターンHPと、封止用導体パターンHPの主面に設けられている前記2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲む段差部DBと、を有する素子搭載部材110と、圧電振動素子搭載パッド111に搭載され、励振用電極122が設けられている圧電振動素子120と、圧電振動素子120を気密封止する蓋部材130と、を備え、段差部DBの厚みが、15〜70μmである。
【選択図】図1
【解決手段】圧電デバイス100は、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111と、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲む封止用導体パターンHPと、封止用導体パターンHPの主面に設けられている前記2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲む段差部DBと、を有する素子搭載部材110と、圧電振動素子搭載パッド111に搭載され、励振用電極122が設けられている圧電振動素子120と、圧電振動素子120を気密封止する蓋部材130と、を備え、段差部DBの厚みが、15〜70μmである。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子機器等に用いられる圧電デバイスに関するものである。
図7は、従来の圧電デバイスを示す断面図である。以下、圧電デバイスの一例として圧電振動子について説明する。
図7に示すように、従来の圧電振動子300は、その例として素子搭載部材310、圧電振動素子320、蓋部材330とから主に構成されている。
素子搭載部材310の一方の主面には、2個一対の圧電振動素子搭載パッド311が設けられている。
また、素子搭載部材310は、シリコンからなる材料が用いられる。また、圧電振動素子搭載パッド311は、素子搭載部材310の他方の主面に設けられている外部接続用電極端子312とビア導体(図示せず)を介して接続している。
これら圧電振動素子搭載パッド311上には、導電性接着剤DSを介して電気的に接続される一対の励振用電極322を表裏主面に有した圧電振動素子320が搭載されている。
この圧電振動素子320を囲繞するように素子搭載部材310の主面には、封止用導体パターンHPが設けられている。
また、蓋部材330は、蓋部本体330aと壁部330bと鍔部330cとで構成され、凹部空間K1が形成されている。
前記封止用導体パターン313の主面には前記蓋部材330が被せられ、鍔部330cに設けられた封止部HBと、封止用導体パターンHPが接合されている。これにより、前記凹部空間K1が気密封止されている。
段差部DBは、前記素子搭載部材310の封止部HBの内側に接触するようにして設けられている。この段差部DBは、蓋部材330が位置ずれを起こしてしまうことで、蓋部材330が圧電振動素子320に接触し、圧電振動素子320が割れてしまうことを防ぐ役割を果たす(例えば、特許文献1参照)。
図7に示すように、従来の圧電振動子300は、その例として素子搭載部材310、圧電振動素子320、蓋部材330とから主に構成されている。
素子搭載部材310の一方の主面には、2個一対の圧電振動素子搭載パッド311が設けられている。
また、素子搭載部材310は、シリコンからなる材料が用いられる。また、圧電振動素子搭載パッド311は、素子搭載部材310の他方の主面に設けられている外部接続用電極端子312とビア導体(図示せず)を介して接続している。
これら圧電振動素子搭載パッド311上には、導電性接着剤DSを介して電気的に接続される一対の励振用電極322を表裏主面に有した圧電振動素子320が搭載されている。
この圧電振動素子320を囲繞するように素子搭載部材310の主面には、封止用導体パターンHPが設けられている。
また、蓋部材330は、蓋部本体330aと壁部330bと鍔部330cとで構成され、凹部空間K1が形成されている。
前記封止用導体パターン313の主面には前記蓋部材330が被せられ、鍔部330cに設けられた封止部HBと、封止用導体パターンHPが接合されている。これにより、前記凹部空間K1が気密封止されている。
段差部DBは、前記素子搭載部材310の封止部HBの内側に接触するようにして設けられている。この段差部DBは、蓋部材330が位置ずれを起こしてしまうことで、蓋部材330が圧電振動素子320に接触し、圧電振動素子320が割れてしまうことを防ぐ役割を果たす(例えば、特許文献1参照)。
また、このような圧電振動素子320は、圧電素板321の表裏主面にそれぞれ設けられた励振用電極322から一辺に延設された引き出し電極324を圧電振動素子搭載パッド311に導電性接着剤DSで固着することで片持ち固定されている。このときの引き出し電極324が設けられた一辺とは反対側の端辺を圧電振動素子320の自由端である先端部323とする(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、従来の圧電デバイス300においては、蓋部材330の位置ずれをなくすために、段差部DBが設けられている構造が示されているが、レーザで蓋部材330の鍔部330cに設けられている封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合する際に接合屑が飛散し、圧電振動素子320に被着するために発振周波数が変動してしまうといった課題があった。
また、従来の圧電デバイス300においては、蓋部材330の壁部330bが段差部DBに接触することで、蓋部材330が傾き、安定して気密封止することができないといった課題があった。
また、従来の圧電デバイス300においては、蓋部材330の壁部330bが段差部DBに接触することで、蓋部材330が傾き、安定して気密封止することができないといった課題があった。
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、発振周波数が変動すること防ぐことができ、安定して気密封止することができる圧電デバイスを提供することを課題とする。
本発明の圧電デバイスは、2個一対の圧電振動素子搭載パッドが一方の主面に設けられている素子搭載部材と、圧電振動素子搭載パッドに搭載され、励振用電極が設けられている圧電振動素子と、圧電振動素子を気密封止する蓋体と、素子搭載部材の主面の外周縁に囲繞するようにして設けられている封止用導体パターンと、封止用導体パターンの主面に囲繞するようにして設けられている段差部と、を備え、段差部の厚みが、15〜70μmであることを特徴とするものである。
本発明の圧電デバイスによれば、封止用導体パターンの主面に囲繞するようにして設けられている段差部と、を備え、段差部の厚みが、15〜70μmであることによって、レーザで蓋部材の鍔部に設けられている封止部と封止用導体パターンとを接合する際に発生する接合屑が圧電振動素子に被着しないために、発振周波数が変動することを防ぐことができる。
また、本発明の圧電デバイスによれば、封止用導体パターンの主面に囲繞するようにして設けられている段差部と、を備え、段差部の厚みが、15〜70μmであることによって、蓋部材の鍔部に設けられた封止部と封止用導体パターンとを接合させる際に、蓋部材の壁部が段差部に接触することがないため、蓋部材が傾くことがなくなる。よって、圧電デバイスは、安定して気密封止することができる。
また、本発明の圧電デバイスによれば、封止用導体パターンの主面に囲繞するようにして設けられている段差部と、を備え、段差部の厚みが、15〜70μmであることによって、蓋部材の鍔部に設けられた封止部と封止用導体パターンとを接合させる際に、蓋部材の壁部が段差部に接触することがないため、蓋部材が傾くことがなくなる。よって、圧電デバイスは、安定して気密封止することができる。
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。また、図示した寸法も一部誇張して示している。
(第1の実施形態)
本実施形態において、圧電デバイスの一例として、圧電振動子について説明する。
図1及び図2に示すように、本発明の第1の実施形態に係る圧電振動子100は、素子搭載部材110と圧電振動素子120と蓋部材130で主に構成されている。この圧電振動子100は、前記素子搭載部材110に圧電振動素子120が搭載され、凹部空間K1(図2参照)が設けられた蓋部材130により気密封止された構造となっている。
本実施形態において、圧電デバイスの一例として、圧電振動子について説明する。
図1及び図2に示すように、本発明の第1の実施形態に係る圧電振動子100は、素子搭載部材110と圧電振動素子120と蓋部材130で主に構成されている。この圧電振動子100は、前記素子搭載部材110に圧電振動素子120が搭載され、凹部空間K1(図2参照)が設けられた蓋部材130により気密封止された構造となっている。
圧電振動素子120は、図1及び図2に示すように、水晶素板121に励振用電極122を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
水晶素板121は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。
励振用電極122は、前記水晶素板121の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
このような圧電振動素子120は、その両主面に被着されている励振用電極122から延出する引き出し電極124と後述する素子搭載部材110の主面に形成されている後述する圧電振動素子搭載パッド111とを、導電性接着剤DS(図2参照)を介して電気的且つ機械的に接続することによって搭載される。このときの引き出し電極124が設けられた一辺とは反対側の端辺を圧電振動素子120の自由端である先端部123とする。
水晶素板121は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。
励振用電極122は、前記水晶素板121の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
このような圧電振動素子120は、その両主面に被着されている励振用電極122から延出する引き出し電極124と後述する素子搭載部材110の主面に形成されている後述する圧電振動素子搭載パッド111とを、導電性接着剤DS(図2参照)を介して電気的且つ機械的に接続することによって搭載される。このときの引き出し電極124が設けられた一辺とは反対側の端辺を圧電振動素子120の自由端である先端部123とする。
図1及び図2に示すように、素子搭載部材110は、例えばアルミナセラミックスからなり、平板状に形成されている。また、素子搭載部材110は、圧電振動素子搭載パッド111と、外部接続用電極端子112と、封止用導体パターンHPと、段差部DBとが設けられている。
2個一対の圧電振動素子搭載パッド111は、素子搭載部材110の一方の主面に設けられている。
封止用導体パターンHPは、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲むようにして、素子搭載部材110の一方の主面に設けられている。つまり、封止用導体パターンHPは、素子搭載部材110の一方の主面の外周縁を囲繞するように設けられている。
素子搭載部材110の一方の主面の外周縁を囲繞するように設けられた封止用導体パターンHPと後述する蓋部材130の鍔部130cとが封止部HBを介して接合される。
段差部DBは、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲むようにして、封止用導体パターンHPの主面に設けられている。つまり、段差部DBは、封止用導体パターンHPの主面の内側に環状で設けられている。
また、素子搭載部材110の他方の主面の4隅には、外部接続用電極端子112が設けられている。
2個一対の圧電振動素子搭載パッド111は、素子搭載部材110の他方の主面に設けられている外部接続用電極端子112とビア導体(図示せず)を介して接続している。
2個一対の圧電振動素子搭載パッド111は、素子搭載部材110の一方の主面に設けられている。
封止用導体パターンHPは、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲むようにして、素子搭載部材110の一方の主面に設けられている。つまり、封止用導体パターンHPは、素子搭載部材110の一方の主面の外周縁を囲繞するように設けられている。
素子搭載部材110の一方の主面の外周縁を囲繞するように設けられた封止用導体パターンHPと後述する蓋部材130の鍔部130cとが封止部HBを介して接合される。
段差部DBは、2個一対の圧電振動素子搭載パッド111を囲むようにして、封止用導体パターンHPの主面に設けられている。つまり、段差部DBは、封止用導体パターンHPの主面の内側に環状で設けられている。
また、素子搭載部材110の他方の主面の4隅には、外部接続用電極端子112が設けられている。
2個一対の圧電振動素子搭載パッド111は、素子搭載部材110の他方の主面に設けられている外部接続用電極端子112とビア導体(図示せず)を介して接続している。
図1及び図2に示すように、段差部DBは、例えばタングステン層、ニッケル層、金層の順に積層され、封止用導体パターンHPの主面に環状で設けられている。つまり、段差部DBは、圧電振動素子搭載パッド111よりも外側に設けられ、封止部HBよりも内側に囲むように、封止用導体パターンHPの主面に設けられている。
また、図4に示すように、段差部DBの厚みd2は、後述する封止部HBの厚みd3よりも厚くなっている。
また、図4に示すように、段差部DBの厚みd2は、後述する封止部HBの厚みd3よりも厚くなっている。
前記封止用導体パターンHPは、前記段差部DBと同様に、タングステン層、ニッケル層、金層の順に積層されており、封止用導体パターンHPの厚みd1は、20〜30μmである。
図3及び図4に示す前記段差部DBの幅方向の長さW1は、30〜100μmであり、前記段差部DBの厚みd2は、15〜70μmである。
段差部DBの厚みd2が15μm未満の場合、レーザで蓋部材130の鍔部130cに設けられている封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合する際に接合屑が飛散し、圧電振動素子120に被着するために発振周波数が変動してしまう。
段差部DBの厚みd2が70μmより大きい場合、蓋部材130を素子搭載部材110の封止用導体パターンHPに接合する際に、蓋部材130の壁部130bが段差部DBに接触することで、蓋部材130が傾くことがあり、圧電デバイス100は、安定して気密封止することができない。
つまり、段差部DBの厚みd2は、15〜70μmであることによって、レーザで接合する際に、蓋部材130の封止部HBの接合屑が飛散しても、段差部DBに被着する。よって、圧電振動素子120に接合屑が被着することがないため、発振周波数が変動することを防ぐことができる。また、蓋部材130の鍔部130cに設けられた封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合させる際に、蓋部材130の壁部130bが段差部DBに接触することがないため、蓋部材130が傾くことがなくなる。よって、圧電デバイス100は、安定して気密封止することができる。
段差部DBの厚みd2が15μm未満の場合、レーザで蓋部材130の鍔部130cに設けられている封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合する際に接合屑が飛散し、圧電振動素子120に被着するために発振周波数が変動してしまう。
段差部DBの厚みd2が70μmより大きい場合、蓋部材130を素子搭載部材110の封止用導体パターンHPに接合する際に、蓋部材130の壁部130bが段差部DBに接触することで、蓋部材130が傾くことがあり、圧電デバイス100は、安定して気密封止することができない。
つまり、段差部DBの厚みd2は、15〜70μmであることによって、レーザで接合する際に、蓋部材130の封止部HBの接合屑が飛散しても、段差部DBに被着する。よって、圧電振動素子120に接合屑が被着することがないため、発振周波数が変動することを防ぐことができる。また、蓋部材130の鍔部130cに設けられた封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合させる際に、蓋部材130の壁部130bが段差部DBに接触することがないため、蓋部材130が傾くことがなくなる。よって、圧電デバイス100は、安定して気密封止することができる。
蓋部材130は、図2に示すように、蓋本体部130aと壁部130bと鍔部130cから主に構成されており、前記圧電振動素子120を内包できるように、蓋本体部130aと壁部130bにより凹部空間K1が形成されている。
前記蓋部材130は、例えば、Fe−Ni合金(42アロイ)やFe−Ni−Co合金(コバール)または、シリコンなどからなる。
また、蓋部材130の鍔部130cには、環状の封止部HBが設けられている。
図4に示す封止部HBは、例えば銀ロウ及び金錫等により構成され、封止部HBの厚みd3は、例えば10μm〜25μmとなっている。
具体的には、蓋部材130は、素子搭載部材110の封止用導体パターンHP上に載置され、レーザを鍔部130cに照射し、封止部HBを溶融させることによって、鍔部130cに設けられた封止部HBを介して封止用導体パターンHPに接合される。
前記蓋部材130は、例えば、Fe−Ni合金(42アロイ)やFe−Ni−Co合金(コバール)または、シリコンなどからなる。
また、蓋部材130の鍔部130cには、環状の封止部HBが設けられている。
図4に示す封止部HBは、例えば銀ロウ及び金錫等により構成され、封止部HBの厚みd3は、例えば10μm〜25μmとなっている。
具体的には、蓋部材130は、素子搭載部材110の封止用導体パターンHP上に載置され、レーザを鍔部130cに照射し、封止部HBを溶融させることによって、鍔部130cに設けられた封止部HBを介して封止用導体パターンHPに接合される。
また、蓋部材130は、従来周知の打ち抜き加工により、凹部空間K1が形成されており、凹部空間K1の開口側に向かうにつれて、面積が大きくなっている。つまり、蓋部材130の凹部空間K1が、四角錐台形状になっている。
前記導電性接着剤DSは、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、例えばアルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ニッケル鉄(NiFe)、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。
本発明の圧電デバイス100によれば、封止用導体パターンHPの主面に囲繞するようにして設けられている段差部DBと、を備え、段差部DBの厚みd2が、15〜70μmであることによって、レーザで蓋部材130の鍔部130cに設けられている封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合する際に発生する接合屑が圧電振動素子120に被着しないために、発振周波数が変動することを防ぐことができる。
また、本発明の圧電デバイス100によれば、封止用導体パターンHPの主面に囲繞するようにして設けられている段差部DBと、を備え、段差部DBの厚みd2が、15〜70μmであることによって、蓋部材130の鍔部130cに設けられた封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合させる際に、蓋部材130の壁部130bが段差部DBに接触することがないため、蓋部材130が傾くことがなくなる。よって、圧電デバイス100は、安定して気密封止することができる。
また、本発明の圧電デバイス100によれば、封止用導体パターンHPの主面に囲繞するようにして設けられている段差部DBと、を備え、段差部DBの厚みd2が、15〜70μmであることによって、蓋部材130の鍔部130cに設けられた封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合させる際に、蓋部材130の壁部130bが段差部DBに接触することがないため、蓋部材130が傾くことがなくなる。よって、圧電デバイス100は、安定して気密封止することができる。
(第2の実施形態)
次に本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスについて説明する。本実施形態における圧電デバイスの一例として、圧電発振器について説明する。
図5は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法で形成された圧電デバイスの他の一例を示す分解斜視図である。図6は、図5のB−B断面図である。また、図示した寸法も一部誇張して示している。
本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイス200は、素子搭載部材210の基板部210aと第2の枠部210cによって設けられた第2の凹部空間K2内に集積回路素子240が搭載されている点で第1の実施形態と異なる。
次に本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスについて説明する。本実施形態における圧電デバイスの一例として、圧電発振器について説明する。
図5は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法で形成された圧電デバイスの他の一例を示す分解斜視図である。図6は、図5のB−B断面図である。また、図示した寸法も一部誇張して示している。
本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイス200は、素子搭載部材210の基板部210aと第2の枠部210cによって設けられた第2の凹部空間K2内に集積回路素子240が搭載されている点で第1の実施形態と異なる。
図5及び図6に示すように、本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器200は、素子搭載部材210と圧電振動素子120と蓋部材130と集積回路素子240で主に構成されている。この圧電発振器200は、前記素子搭載部材210に圧電振動素子120が搭載され、前記素子搭載部材210に形成されている第2の凹部空間K2内に集積回路素子240が搭載され、その圧電振動素子120が蓋部材130により気密封止された構造となっている。
集積回路素子240は、図5及び図6に示すように、回路形成面に前記圧電振動素子120からの発振出力を生成する発振回路等が設けられており、この発振回路で生成された出力信号は外部接続用電極端子214を介して圧電発振器200の外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。
また、集積回路素子240には、可変容量素子に周囲温度に応じた制御電圧を印加して温度変化による発振回路の発振周波数の変動を補償するため、3次関数発生回路及び記憶素子部により温度補償回路部が設けられており、3次関数発生回路には、温度センサが接続されている。
この温度センサは、検出した温度と、温度センサに印加させる電圧値とに基づいて生成される温度データ信号(電圧値)が3次関数発生回路に出力される構成となっている。
集積回路素子240は、素子搭載部材210の第2の凹部空間K2内に露出した基板部210aに形成された集積回路素子搭載パッド213に半田等の導電性接合材を介して搭載されている。
また、集積回路素子240には、可変容量素子に周囲温度に応じた制御電圧を印加して温度変化による発振回路の発振周波数の変動を補償するため、3次関数発生回路及び記憶素子部により温度補償回路部が設けられており、3次関数発生回路には、温度センサが接続されている。
この温度センサは、検出した温度と、温度センサに印加させる電圧値とに基づいて生成される温度データ信号(電圧値)が3次関数発生回路に出力される構成となっている。
集積回路素子240は、素子搭載部材210の第2の凹部空間K2内に露出した基板部210aに形成された集積回路素子搭載パッド213に半田等の導電性接合材を介して搭載されている。
図5及び図6示すように、素子搭載部材210は、基板部210aと、枠部210bと、圧電振動素子搭載パッド211と、外部接続用電極端子212と、集積回路素子搭載パッド213と、封止部HBと、段差部DBとで主に構成されている。また、素子搭載部材210は、例えばシリコンやアルミナセラミックス等から構成されている。
素子搭載部材210の基板部210aの他方の主面に枠部210bが設けられて、第2の凹部空間K2が形成されている。
2個一対の圧電振動素子搭載パッド211は、素子搭載部材210の一方の主面に設けられている。
封止用導体パターンHPは、2個一対の圧電振動素子搭載パッド211を囲むようにして、素子搭載部材210の一方の主面に設けられている。つまり、封止用導体パターンHPは、素子搭載部材210の一方の主面の外周縁を囲繞するように設けられている。
素子搭載部材210の一方の主面の外周縁を囲繞するように設けられた封止用導体パターンHPと後述する蓋部材130の鍔部130cとが封止部HBを介して接合される。
段差部DBは、2個一対の圧電振動素子搭載パッド211を囲むようにして、封止用導体パターンHPの主面に設けられている。つまり、段差部DBは、封止用導体パターンHPの主面の内側に環状で設けられている。
また、前記素子搭載部材210の枠部210bの他方の主面の4隅には、外部接続用電極端子212が設けられている。
図5及び図6に示すように、第2の凹部空間K2内で露出した基板部210aの他方の主面には、複数の集積回路素子搭載パッド213と2個一対の圧電振動素子測定用パッド(図示せず)が形成されている。
図5及び図6に示すように、段差部DBは、例えばタングステン層、ニッケル層、金層の順に積層され、封止用導体パターンHPの主面に環状で設けられている。つまり、段差部DBは、圧電振動素子搭載パッド111よりも外側に設けられ、封止部HBよりも内側に囲むように、封止用導体パターンHPの主面に設けられている。
また、段差部DBの厚みは、後述する封止部HBの厚みよりも厚くなっている。
素子搭載部材210の基板部210aの他方の主面に枠部210bが設けられて、第2の凹部空間K2が形成されている。
2個一対の圧電振動素子搭載パッド211は、素子搭載部材210の一方の主面に設けられている。
封止用導体パターンHPは、2個一対の圧電振動素子搭載パッド211を囲むようにして、素子搭載部材210の一方の主面に設けられている。つまり、封止用導体パターンHPは、素子搭載部材210の一方の主面の外周縁を囲繞するように設けられている。
素子搭載部材210の一方の主面の外周縁を囲繞するように設けられた封止用導体パターンHPと後述する蓋部材130の鍔部130cとが封止部HBを介して接合される。
段差部DBは、2個一対の圧電振動素子搭載パッド211を囲むようにして、封止用導体パターンHPの主面に設けられている。つまり、段差部DBは、封止用導体パターンHPの主面の内側に環状で設けられている。
また、前記素子搭載部材210の枠部210bの他方の主面の4隅には、外部接続用電極端子212が設けられている。
図5及び図6に示すように、第2の凹部空間K2内で露出した基板部210aの他方の主面には、複数の集積回路素子搭載パッド213と2個一対の圧電振動素子測定用パッド(図示せず)が形成されている。
図5及び図6に示すように、段差部DBは、例えばタングステン層、ニッケル層、金層の順に積層され、封止用導体パターンHPの主面に環状で設けられている。つまり、段差部DBは、圧電振動素子搭載パッド111よりも外側に設けられ、封止部HBよりも内側に囲むように、封止用導体パターンHPの主面に設けられている。
また、段差部DBの厚みは、後述する封止部HBの厚みよりも厚くなっている。
前記封止用導体パターンHPは、前記段差部DBと同様に、タングステン層、ニッケル層、金層の順に積層されており、封止用導体パターンHPの厚みは、20〜30μmである。
前記段差部DBの幅方向の長さは、30〜100μmであり、段差部DBの厚みは、15〜70μmである。
段差部DBの厚みが15μm未満の場合、レーザで蓋部材130の鍔部130cに設けられている封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合する際に接合屑が飛散し、圧電振動素子120に被着するために発振周波数が変動してしまう。
段差部DBの厚みが70μmより大きい場合、蓋部材130を素子搭載部材210の封止用導体パターンHPに接合する際に、蓋部材130の壁部130bが段差部DBに接触することで、蓋部材130が傾くことがあり、圧電デバイス200は、安定して気密封止することができない。
つまり、段差部DBの厚みは、15〜70μmであることによって、レーザで接合する際に、蓋部材130の封止部HBの接合屑が飛散しても、段差部DBに被着する。よって、圧電振動素子120に接合屑が被着することがないため、発振周波数が変動することを防ぐことができる。蓋部材130の鍔部130cに設けられた封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合させる際に、蓋部材130の壁部130bが段差部DBに接触することがないため、蓋部材130が傾くことがなくなる。よって、圧電デバイス200は、安定して気密封止することができる。
段差部DBの厚みが15μm未満の場合、レーザで蓋部材130の鍔部130cに設けられている封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合する際に接合屑が飛散し、圧電振動素子120に被着するために発振周波数が変動してしまう。
段差部DBの厚みが70μmより大きい場合、蓋部材130を素子搭載部材210の封止用導体パターンHPに接合する際に、蓋部材130の壁部130bが段差部DBに接触することで、蓋部材130が傾くことがあり、圧電デバイス200は、安定して気密封止することができない。
つまり、段差部DBの厚みは、15〜70μmであることによって、レーザで接合する際に、蓋部材130の封止部HBの接合屑が飛散しても、段差部DBに被着する。よって、圧電振動素子120に接合屑が被着することがないため、発振周波数が変動することを防ぐことができる。蓋部材130の鍔部130cに設けられた封止部HBと封止用導体パターンHPとを接合させる際に、蓋部材130の壁部130bが段差部DBに接触することがないため、蓋部材130が傾くことがなくなる。よって、圧電デバイス200は、安定して気密封止することができる。
このように本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイス200を構成しても、第1の実施形態と同様の効果を奏する。
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
例えば、前記した本実施形態では、圧電振動素子を構成する圧電素材として水晶を用いた場合を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。
例えば、前記した本実施形態では、圧電振動素子を構成する圧電素材として水晶を用いた場合を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。
110、210・・・素子搭載部材
210a・・・基板部
210b・・・枠部
K1・・・凹部空間(第1の凹部空間)
111、212・・・圧電振動素子搭載パッド
112、212・・・外部接続用電極端子
213・・・集積回路素子搭載パッド
K2・・・第2の凹部空間
120・・・圧電振動素子
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・先端部
124・・・引き出し電極
130・・・蓋部材
130a・・・蓋本体部
130b・・・壁部
130c・・・鍔部
240・・・集積回路素子
DS・・・導電性接着剤
100、200・・・圧電デバイス
HB・・・封止部
HP・・・封止用導体パターン
DB・・・段差部
210a・・・基板部
210b・・・枠部
K1・・・凹部空間(第1の凹部空間)
111、212・・・圧電振動素子搭載パッド
112、212・・・外部接続用電極端子
213・・・集積回路素子搭載パッド
K2・・・第2の凹部空間
120・・・圧電振動素子
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・先端部
124・・・引き出し電極
130・・・蓋部材
130a・・・蓋本体部
130b・・・壁部
130c・・・鍔部
240・・・集積回路素子
DS・・・導電性接着剤
100、200・・・圧電デバイス
HB・・・封止部
HP・・・封止用導体パターン
DB・・・段差部
Claims (1)
- 2個一対の圧電振動素子搭載パッドと、前記2個一対の圧電振動素子搭載パッドを囲む封止用導体パターンと、前記封止用導体パターンの主面に設けられている前記2個一対の圧電振動素子搭載パッドを囲む段差部と、を有する素子搭載部材と、
前記圧電振動素子搭載パッドに搭載され、励振用電極が設けられている圧電振動素子と、
前記圧電振動素子を気密封止する蓋体と、を備え、
前記段差部の厚みが、15〜70μmであることを特徴とする圧電デバイス。
Priority Applications (1)
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JP2009215112A JP2011066651A (ja) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | 圧電デバイス |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013140876A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Seiko Epson Corp | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、圧電発振器、及び電子機器 |
JP2013145964A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
WO2013172440A1 (ja) * | 2012-05-18 | 2013-11-21 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動子の製造方法及び水晶振動子 |
WO2015083433A1 (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動装置 |
WO2016194562A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子及びその製造方法 |
WO2018024451A1 (de) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | Continental Automotive Gmbh | Leiterplatte und sensor |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08203956A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
JP2002050710A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Kyocera Corp | 電子部品装置 |
JP2004006528A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Kinseki Ltd | 電子部品容器 |
JP2007173975A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス |
JP2007234834A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電デバイス |
-
2009
- 2009-09-17 JP JP2009215112A patent/JP2011066651A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08203956A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
JP2002050710A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Kyocera Corp | 電子部品装置 |
JP2004006528A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Kinseki Ltd | 電子部品容器 |
JP2007173975A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス |
JP2007234834A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電デバイス |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013140876A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Seiko Epson Corp | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、圧電発振器、及び電子機器 |
JP2013145964A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
WO2013172440A1 (ja) * | 2012-05-18 | 2013-11-21 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動子の製造方法及び水晶振動子 |
JP5790878B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2015-10-07 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動子 |
US9985599B2 (en) | 2012-05-18 | 2018-05-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Quartz vibrator manufacturing method and quartz vibrator |
WO2015083433A1 (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動装置 |
JPWO2016194562A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2018-03-29 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子及びその製造方法 |
JP6281734B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2018-02-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子及びその製造方法 |
WO2016194562A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子及びその製造方法 |
US10205434B2 (en) | 2015-05-29 | 2019-02-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator unit and method of manufacturing the same |
WO2018024451A1 (de) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | Continental Automotive Gmbh | Leiterplatte und sensor |
KR20190023107A (ko) * | 2016-08-02 | 2019-03-07 | 콘티넨탈 오토모티브 게엠베하 | 인쇄 회로 기판 및 센서 |
CN109644565A (zh) * | 2016-08-02 | 2019-04-16 | 大陆汽车有限公司 | 印刷电路板和传感器 |
US10791630B2 (en) | 2016-08-02 | 2020-09-29 | Vitesco Technologies GmbH | Printed circuit board and sensor |
KR102163147B1 (ko) * | 2016-08-02 | 2020-10-08 | 콘티넨탈 오토모티브 게엠베하 | 인쇄 회로 기판 및 센서 |
CN109644565B (zh) * | 2016-08-02 | 2021-11-23 | 大陆汽车有限公司 | 印刷电路板和传感器 |
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