JP2011066297A - 電極コンタクト構造、自己走査型発光素子アレイ - Google Patents
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Abstract
【課題】オーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。
【解決手段】電極コンタクト構造は、エピタキシャル層100と、エピタキシャル層100上に形成されたコンタクトメタル電極120と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜140と、コンタクトメタル電極120上に形成された第1のAl配線160と、第1のAl配線160上に形成された拡散障壁層180と、拡散障壁層180上に形成された第2のAl配線200を有する。電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。
【選択図】図1
【解決手段】電極コンタクト構造は、エピタキシャル層100と、エピタキシャル層100上に形成されたコンタクトメタル電極120と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜140と、コンタクトメタル電極120上に形成された第1のAl配線160と、第1のAl配線160上に形成された拡散障壁層180と、拡散障壁層180上に形成された第2のAl配線200を有する。電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。
【選択図】図1
Description
本発明は、電極コンタクト構造、自己走査型発光素子アレイに関する。
発光素子材料として用いられる化合物半導体用のオーミック電極としては、Auを主体とした合金が用いられることが多い。一方、配線材料としては、抵抗率が低く、ワイヤボンデイングが容易なAlが用いられることが多い。Alは、加工が容易で大きな段差でも安定した接続が可能であることから、1μmを超える段差の素子間を接続するためにも用いられる。
下記の特許文献1には、GaAs基板上に形成されたAu電極と、このAu電極上の絶縁膜に開けられたコンタクトホールと、このコンタクトホールを介してAu電極にオーミック接触するAl配線から構成される電極コンタクト構造が開示されている。
また、下記の特許文献2には、半導体発光素子のn側電極が、Al層とバリアメタル層とAu層を積層して構成されることが開示されており、バリアメタルとしてNi,Pt,V,Cr,Mo,Al,Tiが開示されている。
ところで、異種金属の接合部では合金化が生じ、例えばAu電極上にAl配線を積層すると、不均一ないくつかの結晶相が生じる。
図6に、この場合の模式図を示す。n型あるいはp型の化合物半導体エピタキシャル層100上にコンタクトメタル電極(Au電極)120を形成し、層間絶縁膜140に設けられたコンタクトホールを介してコンタクトメタル電極(Au電極)120上にAl配線160を形成する。すると、積層プロセス中の熱過程により、AlAu4,Al3Au8,Al2Au5,AlAu2,AlAu,Al11Au6,Al2Au等の合金180が生じ、これら不均一な結晶相によりオーミック接触を損なう。すなわち、特にAlAu4Al3Au8等の結晶相は格子パラメータが大きく、AuとAlの境界において亀裂を生じやすい。また、強度的にも脆く、実装工程等において破損する可能性もある。
なお、単にAu電極とAl配線層との間にバリアメタル層を介在させる場合には、バリアメタル層によりコンタクト抵抗が増大してしまう。
本発明の目的は、安定したオーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供することにある。
請求項1記載の発明は、エピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上に形成されたコンタクトメタル電極と、前記コンタクトメタル電極上に形成され前記コンタクトメタル電極と接合する第1の配線層と、前記第1の配線層上に形成された拡散障壁層と、前記拡散障壁層上に形成された第2の配線層とを有する電極コンタクト構造である。
また、請求項2記載の発明は、前記第1の配線層の厚さは、前記コンタクトメタル電極の厚さの0.9倍から2.5倍の範囲内であることを特徴とする請求項1記載の電極コンタクト構造である。
また、請求項3記載の発明は、前記第1の配線層の厚さは、前記コンタクトメタル電極の厚さ以下であることを特徴とする請求項1記載の電極コンタクト構造である。
また、請求項4記載の発明は、前記コンタクトメタル電極はAuであり、前記第1の配線層はAlであり、前記コンタクトメタル電極と前記第1の配線層との接合により、Al50〜70mol%、Au50〜30mol%からなるAuとAlの合金が形成されることを特徴とする請求項1記載の電極コンタクト構造である。
また、請求項5記載の発明は、複数の発光サイリスタからなる発光素子アレイを有し、
前記発光サイリスタのカソード電極またはゲート電極の少なくともいずれかの電極コンタクト構造が、請求項1〜4のいずれかに記載の電極コンタクト構造であることを特徴とする自己走査型発光素子アレイである。
前記発光サイリスタのカソード電極またはゲート電極の少なくともいずれかの電極コンタクト構造が、請求項1〜4のいずれかに記載の電極コンタクト構造であることを特徴とする自己走査型発光素子アレイである。
請求項1記載の発明によれば、コンタクトメタルと第1の配線の合金化領域が制限される。
請求項2記載の発明によれば、コンタクトメタルと第1の配線の合金化による強度低下が抑制される。
請求項3記載の発明によれば、コンタクトメタルと第1の配線の合金化によるカーケンダル空孔の発生が抑制される。
請求項4記載の発明によれば、コンタクトメタルと第1の配線の合金化が所望の結晶に制限される。
請求項5記載の発明によれば、自己走査型発光素子アレイの電極構造でコンタクトメタルと第1の配線の合金化領域が制限される。
以下、図面に基づいて本発明を実施するための形態について説明する。
図1に、本実施形態における電極コンタクト構造を模式的に示す。n型あるいはp型の化合物半導体エピタキシャル層(あるいは発光層)100上にコンタクトメタル電極120が形成され。層間絶縁膜140にはコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介してコンタクトメタル電極120上に第1のAl配線160が形成される。第1のAl配線160上には拡散障壁層180が形成され、拡散障壁層180上に第2のAl配線200が形成される。
n型あるいはp型エピタキシャル層100は、具体的にはAlxGa1−xAs,GaxIn1−xAs,GaAs1−xPx,GayIn1−yAs1−xPx,AlyGa1−yAs1−xSbx,AlxGa1−xN等であり、基板上にエピタキシャル成長して構成される。このエピタキシャル層は、例えばLEDにおいて発光層として機能する。
コンタクトメタル電極120は、オーミック接触電極であり、典型的にはAuであるが、Auの他にもPt,Pd,Ag,Ir,Ruを主成分とする合金または単体金属から構成される。
層間絶縁層140は、n型あるいはp型エピタキシャル層100とAl配線160との間を絶縁するための層で、SiO2等から構成される。
第1のAl配線160は、コンタクトメタル電極120と接合し、少なくともその一部がコンタクトメタルと合金化する。
拡散障壁層180は、第1のAl配線160と第2のAl配線200との間に介在し、コンタクトメタルとAlの合金化を制限する層である。拡散障壁層180は、具体的にはTi,TiC,Cr,Ni,Zr,Hf等から構成される。また、拡散障壁層180は、絶縁物や酸化物で構成してもよい。但し、この場合には、トンネル電流が通電するに十分な程度の厚さとし、例えば1nm〜10nm程度とするのが好適である。
本実施形態の電極コンタクト構造は、このようにAL配線の間に拡散障壁層180が介在する。コンタクトメタル電極120と第1のAl配線160との間に拡散障壁層180を設けると、コンタクトメタルとAlの合金化を阻害できるもののコンタクト抵抗が増大する。本実施形態では、コンタクトメタル電極120と第1のAl配線160はコンタクトホールを介して直接的に接合しているため、コンタクトメタル電極のコンタクトメタルとAlとの合金化は許容される。但し、第1のAl配線160と第2のAl配線200との間に拡散障壁層180が介在しているため、単一のAl配線が存在している場合に比べて、コンタクトメタルとAlの合金化領域は制限される。
拡散障壁層180は、コンタクトメタル電極120のコンタクトメタルとAlの合金化領域を制限する層として機能するとともに、第1のAl配線160の厚さを制限する層としても機能する。本実施形態における第1のAl配線160の厚さは、例えばコンタクトメタル電極120の厚さの0.9倍以上2.5倍以下であり、あるいはコンタクトメタル電極120の厚さよりも小さく設定する。第1のAl配線160の厚さをコンタクトメタル電極120の厚さの0.9倍以上2.5倍以下とすることで、合金化を制限して合金化の進みすぎによる強度低下が抑制される。また、第1のAl配線160の厚さをコンタクトメタル電極120の厚さよりも小さく設定数することで、コンタクトメタルとAlとの合金領域を制限し、強度の低下及びカーケンダル空孔の発生が抑制される。ここに、カーケンダル空孔は、コンタクトメタル電極120のコンタクトメタルがAl配線内に拡散していくため、コンタクトメタル電極120の両端に生じるコンタクトメタルが存在しない空孔をいう。
図2に、図1に示される電極コンタクト構造の製造方法を示す。GaAs等の基板50上にエピタキシャル層を積層して発光層110を形成する。次に、レジストパターンをマスクとしてコンタクトメタル電極120を蒸着法で形成する。
次に、層間絶縁膜140をCVD法により形成し、コンタクト部をフォトレジストで開口し、エッチングを用いてコンタクト部を開口してコンタクトホールを形成する(図2(a))。
次に、コンタクトホールが形成された層間絶縁膜140上に第1のAl配線160をスパッタリング法で形成する。Al配線160の厚さは、例えばコンタクトメタル電極120の厚さ以下とし、一例として250nmとする。
次に、第1のAl配線160上に拡散障壁層180をスパッタリング法で形成する。拡散障壁層180の厚さは、例えば50nmとする。
次に、拡散障壁層180上に第2のAl配線200をスパッタリング法で形成する。第2のAl配線層200の厚さは、例えば1.0μmとする(図2(b))。
最後に、フォトレジストパターンを形成し、リン酸を主成分とするエッチング液で第2のAl配線200をエッチングし、エチレンジアミン四酢酸を主成分とするエッチング液で拡散障壁層180をエッチングし、さらにリン酸を主成分とするエッチング液で第1のAl配線160をエッチングする(図2(c))。
図3に、電極コンタクト構造の他の製造方法を示す。GaAs等の基板50上にエピタキシャル層を積層して発光層110を形成する。次に、レジストパターンをマスクとしてコンタクトメタル電極120を蒸着法で形成する。
次に、層間絶縁膜140をCVD法により形成し、コンタクト部をフォトレジストで開口し、エッチングを用いてコンタクト部を開口してコンタクトホールを形成する(図3(a))。
次に、コンタクトホールが形成された層間絶縁膜140上に第1のAl配線160をスパッタリング法で形成する。Al配線160の厚さは、例えばコンタクトメタル電極120の厚さ以下とし、一例として250nmとする。
次に、第1のAl配線160上に拡散障壁層180をスパッタリング法で形成する。拡散障壁層180の厚さは、例えば50nmとする。
次に、フォトレジストパターンを形成し、エチレンジアミン四酢酸を主成分とするエッチング液で拡散障壁層180をエッチングする。ここでは、コンタクト部のみを覆うように拡散障壁層180を残す(図3(b))。コンタクト部のみに拡散障壁層180を形成することで、無駄な配線抵抗の増加が抑制される。
次に、拡散障壁層180上に第2のAl配線200をスパッタリング法で形成する。第2のAl配線層200の厚さは、例えば1.0μmとする。
最後に、フォトレジストパターンを形成し、リン酸を主成分とするエッチング液で第2のAl配線200をエッチングし、エチレンジアミン四酢酸を主成分とするエッチング液で拡散障壁層180をエッチングし、さらにリン酸を主成分とするエッチング液で第1のAl配線160をエッチングする(図3(c))。
図4に、電極コンタクト構造のさらに他の製造方法を示す。GaAs等の基板50上に、順次、発光層110、コンタクトメタル電極120、層間絶縁膜140、第1のAl配線160、拡散障壁層180を形成するのは図2と同様である。
次に、拡散障壁層180上であって発光層110の上に位置しない領域に第2のAl配線200を形成する。この第2のAl配線200は、図2の場合よりも厚く形成して電流供給部分のAl配線抵抗を下げる。第2のAl配線200の厚さは、例えば2.0μmとする。
図4の構成では、第2のAl配線200のエッチングは拡散障壁層180で停止するため、第1のAl配線160にダメージを与えることがない。
本実施形態では、第1のAl配線160と第2のAl配線200を同じAlとしているが、必ずしも同一である必要はなく、第1の配線と第2の配線を異なる材料で構成してもよい。
また、本実施形態では、第1のAl配線160と第2のAl配線200との間に介在する拡散障壁層180を一層としたが、必ずしもこれに限定されるものではなく、複数層でもよい。例えば、拡散障壁層180をTiとTiNの二層構造とする等である。
なお、本願出願人は、コンタクトメタル電極120上にAl配線160及び第2のAl配線200を形成し、拡散障壁層180を形成しない場合(拡散障壁層180を形成しないため、結果として第1のAl配線160と第2のAl配線200は単一のAl配線となる)、大きく不揃いの結晶粒が存在し、Al50〜70mol%、Au50〜30mol%であり、立方晶系の結晶相AlAu,Al11Au6,Al2Au等であることを確認しており、境界領域には相対的にAuリッチなAu65〜90mol%であり、AlAu4,Al3Au8,Al2Au5等の結晶相であって格子パラメータが大きいことをエネルギ分散X線分光により確認している。
そして、本実施形態のように、第1のAl配線160と第2のAl配線200との間に拡散障壁層180を介在させて合金化領域を制限した場合、大きな粒子は観察されず、Al50〜70mol%、Au50〜30mol%の範囲で穏やかにかつ連続的にAuとAlの組成が変化していることを確認している。したがって、本実施形態におけるコンタクトメタル電極120と第1のAl配線160の接合の結果生じる合金としては、Al50〜70mol%、Au50〜30mol%の範囲であり、AlAu,Al11Au6,Al2Au等である。
本実施形態では、上記のように第1の配線160、拡散障壁層180、第2のAl配線200をスパッタリング法で形成しているが、必ずしもこれに限定されず、コンタクトメタル電極120と同様な蒸着法で形成してもよい。また、第1のAl配線160を形成した後、あるいは第2のAl配線200を形成した後に、コンタクトメタル電極120のコンタクトメタルと第1のAl配線160のAlとの所望の合金化を図るべくアニール処理してもよい。
本実施形態の電極コンタクト構造は、任意の化合物半導体素子に適用し得るが、例えば発光素子に適用することが好適であり、光書き込みヘッドや光書き込みヘッドを用いた光プリンタ、ファクシミリ、複写機等に用いられる自己走査型発光素子アレイ(Self−scanning Light−Emitting Device:SLED)の電極構造として用いられ得る。
以下、本実施形態の電極コンタクト構造を有する自己走査型発光素子アレイについて説明する。
図5に、自己走査型発光素子アレイの一つの構成例を示す。図5(a)は平面図、図5(b)は図5(a)の平面図におけるA−A’断面図、図5(c)は等価回路である。自己走査型発光素子アレイは、p型基板10上に、p型エピタキシャル層11、n型エピタキシャル層(n型ゲート層)12、p型エピタキシャル層(p型ゲート層)13、n型エピタキシャル層(カソード層)14が順次積層され、メサエッチングされてシフト部/発光部の島24と、ゲート負荷抵抗の島25とに分離される。p型基板10の裏面には裏面電極31が形成される。
発光部サイリスタ部は、カソード層14と、カソード電極15を有する。シフト部サイリスタ部は、カソード層16とカソード電極17を有する。結合ダイオード(サイリスタ)は、カソード層18とカソード電極19を有する。
ゲート負荷抵抗部は、p型ゲート層13とゲート負荷抵抗21とゲート負荷電極22,23を有する。ゲート負荷抵抗21は、p型ゲート層13、すなわち半導体層で構成される。
発光部にはゲート電極20が形成され、ゲート電極20とp型ゲート層13との間、及びゲート負荷抵抗の電極22,23とp型ゲート層13との間には、寄生抵抗Rpが存在する。
電源端子は、各ゲート負荷抵抗に接続される。また、クロックパルス端子φ1は、アレイの奇数番目のシフト部サイリスタのカソードに接続され、クロックパルスφ2は、アレイの偶数番目のシフト部サイリスタのカソードに接続される。発光部サイリスタのゲートは対応するシフト部サイリスタのゲートに接続され、発光部サイリスタのカソードは信号ラインに接続される。
このような自己走査型発光素子アレイの構成において、カソード電極15,17,19及びゲート電極20が存在し、これらの電極のいずれか、あるいは全てにおいて上記の電極コンタクト構造が用いられる。例えば、カソード電極15はn型エピタキシャル層(カソード層)14上に形成されるが、ここにおいて、カソード層14上にAu電極を蒸着し、その後第1のAl配線160、拡散障壁層180、第2のAl配線200をスパッタリング法で形成する。Au電極の代わりにPt電極、Ir電極、Pd電極、Ag電極、Ru電極を用いてもよく、拡散障壁層180してTi,Zr,Hf,Ni等を用いてもよい。カソード電極15,17,19及びゲート電極20のいずれか、あるいは全てにおいて図1に示す電極コンタクト構造を用いることで、オーミック接触が維持され、もって発光特性の劣化や強度劣化が抑制される。
100 エピタキシャル層、110 発光層、120 コンタクトメタル電極、140 層間絶縁膜、160 第1のAl配線、180 拡散障壁層、200 第2のAl配線。
Claims (5)
- エピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層上に形成されたコンタクトメタル電極と、
前記コンタクトメタル電極上に形成され前記コンタクトメタル電極と接合する第1の配線層と、
前記第1の配線層上に形成された拡散障壁層と、
前記拡散障壁層上に形成された第2の配線層と、
を有する電極コンタクト構造。 - 前記第1の配線層の厚さは、前記コンタクトメタル電極の厚さの0.9倍から2.5倍の範囲内である
ことを特徴とする請求項1記載の電極コンタクト構造。 - 前記第1の配線層の厚さは、前記コンタクトメタル電極の厚さ以下である
ことを特徴とする請求項1記載の電極コンタクト構造。 - 前記コンタクトメタル電極はAuであり、
前記第1の配線層はAlであり、
前記コンタクトメタル電極と前記第1の配線層との接合により、Al50〜70mol%、Au50〜30mol%からなるAuとAlの合金が形成される
ことを特徴とする請求項1記載の電極コンタクト構造。 - 複数の発光サイリスタからなる発光素子アレイを有し、
前記発光サイリスタのカソード電極またはゲート電極の少なくともいずれかの電極コンタクト構造が、請求項1〜4のいずれかに記載の電極コンタクト構造であることを特徴とする自己走査型発光素子アレイ。
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Cited By (2)
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US9142725B1 (en) | 2014-03-11 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element |
KR20150144353A (ko) * | 2014-06-16 | 2015-12-28 | 주식회사 레이토피아 | 발광장치 및 이의 제조방법 |
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KR20150144353A (ko) * | 2014-06-16 | 2015-12-28 | 주식회사 레이토피아 | 발광장치 및 이의 제조방법 |
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