JP2011063715A - 電子部品接合用接着剤 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品に対する接着力が高く、耐リフロークラック性及び絶縁信頼性に優れた半導体装置を製造することのできる電子部品接合用接着剤を提供する。
【解決手段】硬化性化合物及びトリアジンジチオール化合物を含有する電子部品接合用接着剤。
【選択図】なし

Description

本発明は、電子部品に対する接着力が高く、耐リフロークラック性及び絶縁信頼性に優れた半導体装置を製造することのできる電子部品接合用接着剤に関する。

近年、ますます半導体パッケージの小型化が要求されており、例えば、半導体チップの薄片化も進んでいる。更に、極めて薄い半導体チップを形成できることから、複数の半導体チップを積層して多層の半導体チップ積層体を作製し、このような半導体チップ積層体を搭載した半導体パッケージも急増している。

半導体パッケージを基板上に実装する際には、例えば、パッケージ全体を赤外線等で加熱するリフローソルダリングが用いられ、パッケージが２００℃以上の高温に加熱される。このため、パッケージ内部の封止材や、半導体チップ等の電子部品を接合する接着剤の密着性や接着力が不充分であると、パッケージクラックが発生して半導体装置の信頼性が低下するというリフロークラックの問題が生じる。また、封止材や接着剤に含まれる水分の急激な気化及び膨張もパッケージクラックを引き起こす原因となる。

このようなリフロークラックの問題に対し、例えば、特許文献１には、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）とエピスルフィド樹脂（Ｄ）を必須成分として配合してなるエポキシ系樹脂組成物が開示されている。特許文献１には、同文献に記載されたエポキシ系樹脂組成物は、流動性、難燃性、耐クラック性、銅に対する密着性、成形性に優れ、特に半導体封止用として好適であることが記載されている。

特許文献１に記載されたエポキシ系樹脂組成物においては、充填材の割合を上げることにより耐クラック性を向上させたり、信頼性を向上させる目的でシランカップリング剤を添加したりすることが行われている。しかしながら、このような従来のエポキシ系樹脂組成物は電子部品に対する接着力が充分ではなく、更なる接着力、及び、製造される半導体装置の耐リフロークラック性の改善が望まれている。また、従来のエポキシ系樹脂組成物においては、硬化剤等の他の添加成分とエポキシ樹脂との相溶性が悪いことがあり、他の添加成分の溶け残りが存在すると電子部品の剥離や導通部分のショートが発生し、半導体装置の絶縁信頼性の低下につながることも問題である。

特開２００３−２６８０７１号公報

本発明は、電子部品に対する接着力が高く、耐リフロークラック性及び絶縁信頼性に優れた半導体装置を製造することのできる電子部品接合用接着剤を提供することを目的とする。

本発明は、硬化性化合物及びトリアジンジチオール化合物を含有する電子部品接合用接着剤である。
以下、本発明を詳述する。

本発明者らは、硬化性化合物及びトリアジンジチオール化合物を含有する電子部品接合用接着剤は、電子部品に対する接着力が高く、耐リフロークラック性及び絶縁信頼性に優れた半導体装置を製造できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明の電子部品接合用接着剤は、硬化性化合物を含有する。
上記硬化性化合物は特に限定されないが、エポキシ化合物を含有することが好ましい。
上記エポキシ化合物は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。また、電子部品接合用接着剤を低粘度化できることから、上記エポキシ化合物として、レゾルシノール型エポキシ化合物も好ましい。これらのエポキシ化合物は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化性化合物は、上記エポキシ化合物等と反応可能な官能基を有する反応性高分子化合物（以下、単に、反応性高分子化合物ともいう）を含有してもよい。
上記反応性高分子化合物を含有することで、熱によるひずみが発生する際の電子部品接合用接着剤の接合信頼性が向上する。

上記反応性高分子化合物は特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有する高分子化合物等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子化合物が好ましい。
上記エポキシ基を有する高分子化合物を含有することで、電子部品接合用接着剤の硬化物は優れた可撓性を発現する。そのため、上記エポキシ化合物と上記エポキシ基を有する高分子化合物との両方を含有する場合、電子部品接合用接着剤の硬化物は、上記エポキシ化合物に由来する優れた機械的強度、耐熱性及び耐湿性と、上記エポキシ基を有する高分子化合物に由来する優れた可撓性とを兼備することができ、耐冷熱サイクル性、耐リフロークラック性及び寸法安定性等に優れ、高い接合信頼性及び接続信頼性を発現する。

上記エポキシ基を有する高分子化合物は特に限定されず、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子化合物であればよく、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を多く含有することができ、電子部品接合用接着剤の硬化物の機械的強度及び耐熱性がより優れたものとなることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好ましい。これらのエポキシ基を有する高分子化合物は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記反応性高分子化合物として、上記エポキシ基を有する高分子化合物、特にエポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、該エポキシ基を有する高分子化合物のエポキシ当量の好ましい下限は２００、好ましい上限は１０００である。上記エポキシ基を有する高分子化合物のエポキシ当量が２００未満であると、電子部品接合用接着剤の硬化物の可撓性が充分に向上しないことがある。上記エポキシ基を有する高分子化合物のエポキシ当量が１０００を超えると、電子部品接合用接着剤の硬化物の機械的強度及び耐熱性が低下することがある。

上記硬化性化合物が上記反応性高分子化合物を含有する場合、上記反応性高分子化合物の配合量は特に限定されないが、硬化性化合物の合計１００重量部に占める好ましい下限が０．５重量部、好ましい上限が２０重量部である。上記反応性高分子化合物の配合量が０．５重量部未満であると、熱によるひずみが発生する際の電子部品接合用接着剤の接合信頼性が低下することがある。上記反応性高分子化合物の配合量が２０重量部を超えると、電子部品接合用接着剤の硬化物は、機械的強度、耐熱性及び耐湿性が低下することがある。

また、上記硬化性化合物は、エピスルフィド化合物を含有することが好ましい。
上記エピスルフィド化合物を含有することで、電子部品接合用接着剤は速硬化性に優れ、硬化剤によって一旦硬化反応が開始すると極めて速く硬化する。

上記エピスルフィド化合物は、エピスルフィド基を有していれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂のエポキシ基の酸素原子を硫黄原子に置換した化合物が挙げられる。上記エピスルフィド化合物は、具体的には、例えば、ビスフェノール型エピスルフィド（ビスフェノール型エポキシ樹脂のエポキシ基の酸素原子を硫黄原子に置換した化合物）、水添ビスフェノール型エピスルフィド、ジシクロペンタジエン型エピスルフィド、ビフェニル型エピスルフィド、フェノールノボラック型エピスルフィド、フルオレン型エピスルフィド、ポリエーテル変性エピスルフィド、ブタジエン変性エピスルフィド、トリアジンエピスルフィド等が挙げられる。これらのエピスルフィド化合物は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
なお、上記エピスルフィド化合物は、エポキシ樹脂の少なくとも一部のエポキシ基の酸素原子が硫黄原子に置換されていてもよく、全てのエポキシ基の酸素原子が硫黄原子に置換されていてもよい。

上記エピスルフィド化合物のうち、市販品として、例えば、ジャパンエポキシレジン社製ＹＬ−７００７（水添ビスフェノールＡ型エピスルフィド）等が挙げられる。
また、上記エピスルフィド化合物は、例えば、チオシアン酸カリウム、チオ尿素等の硫化剤を使用して、エポキシ樹脂から容易に合成することができる。

上記硬化性化合物が上記エピスルフィド化合物を含有する場合、上記エピスルフィド化合物の配合量は特に限定されないが、硬化性化合物の合計１００重量部に占める好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記エピスルフィド化合物の配合量が５重量部未満であると、電子部品接合用接着剤の速硬化性が低下することがある。上記反応性高分子化合物の配合量が５０重量部を超えると、電子部品接合用接着剤の貯蔵安定性が低下することがある。上記エピスルフィド化合物の配合量は、硬化性化合物の合計１００重量部に占めるより好ましい下限が１０重量部、より好ましい上限が４０重量部である。

本発明の電子部品接合用接着剤は、トリアジンジチオール化合物を含有する。
上記トリアジンジチオール化合物を含有することで、本発明の電子部品接合用接着剤は電子部品に対する接着力が高く、本発明の電子部品接合用接着剤を用いることで、耐リフロークラック性に優れた半導体装置が得られる。また、上記トリアジンジチオール化合物は、上記エポキシ化合物等の上記硬化性化合物との相溶性が高く、本発明の電子部品接合用接着剤において、電子部品の剥離や導通部分のショートにつながる溶け残りが生じることもない。
なお、上記トリアジンジチオール化合物の代わりにトリアジンモノチオール化合物を含有する電子部品接合用接着剤は、電子部品に対する接着力が低下し、得られる半導体装置が充分な耐リフロークラック性を得ることができない。また、上記トリアジンジチオール化合物の代わりにトリアジントリチオール化合物を含有する電子部品接合用接着剤においては、上記硬化性化合物との相溶性が低いことによってトリアジントリチオール化合物の溶け残りが生じ、このような溶け残りは、電子部品の剥離や導通部分のショートを引き起こし、半導体装置の絶縁信頼性を低下させる。

上記トリアジンジチオール化合物は特に限定されず、例えば、下記式（１）で表される構造を有するトリアジンジチオール化合物、下記式（２）で表される構造を有するトリアジンジチオール化合物等が挙げられる。なかでも、下記式（１）で表される構造を有するトリアジンジチオール化合物が好ましい。

上記トリアジンジチオール化合物のうち、市販品として、例えば、ジスネットＤＢ（三協化成社製）、ジスネットＡＦ（三協化成社製）等が挙げられる。
なお、ジスネットＤＢ（三協化成社製）は、上記式（１）で表される構造を有するトリアジンジチオール化合物であり、ジスネットＡＦ（三協化成社製）は、上記式（２）で表される構造を有するトリアジンジチオール化合物である。

上記トリアジンジチオール化合物の配合量は特に限定されないが、上記硬化性化合物１００重量部に対する好ましい下限が０．１重量部、好ましい上限が１０重量部である。上記トリアジンジチオール化合物の配合量が０．１重量部未満であると、電子部品接合用接着剤の電子部品に対する接着力が低下して、このような電子部品接合用接着剤を用いて得られる半導体装置は耐リフロークラック性が低下することがある。上記トリアジンジチオール化合物の配合量が１０重量部を超えると、電子部品接合用接着剤において、加熱硬化中に上記トリアジンジチオール化合物の溶け残りが生じ、このような電子部品接合用接着剤を用いて得られる半導体装置は絶縁信頼性が低下することがある。上記トリアジンジチオール化合物の配合量は、上記硬化性化合物１００重量部に対するより好ましい下限が０．５重量部、より好ましい上限が５重量部である。

本発明の電子部品接合用接着剤は、本発明の効果を阻害しない範囲で、硬化剤を含有してもよい。
上記硬化剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール化合物、チオール化合物、酸無水物、フェノール等が挙げられる。

上記イミダゾール化合物は、本発明の効果を阻害しない範囲であれば特に限定されず、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、２−ｎ−プロピルイミダゾール、２−ウンデシル−１Ｈ−イミダゾール、２−ヘプタデシル−１Ｈ−イミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、４−メチル−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル−）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−イミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニル−４，５−ジ（２−シアノエトキシ）メチルイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール塩酸塩、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト等が挙げられる。

上記チオール化合物は、本発明の効果を阻害しない範囲であり、かつ、チオール基を有していれば特に限定されず、例えば、アルキルポリチオール化合物、末端チオール基含有ポリエーテル、末端チオール基含有ポリチオエーテル等が挙げられる。
上記アルキルポリチオール化合物は特に限定されず、例えば、１，４−ブタンジチオール、１，６−ヘキサンジチオール、１，１０−デカンジチオール等が挙げられる。

また、上記チオール化合物として、エポキシ化合物と硫化水素との反応によって得られるチオール化合物、ポリチオール化合物とエポキシ化合物との反応によって得られる末端チオール基を有するチオール化合物、ビス（ジシクロエチル）ホルマールと多硫化ソーダとの反応によって得られるチオール化合物等、その製造工程上、反応触媒として塩基性物質を使用するものであって、これを脱アルカリ処理し、アルカリ金属イオン濃度を５０ｐｐｍ以下としたチオール化合物等も用いることができる。

上記酸無水物は、本発明の効果を阻害しない範囲であれば特に限定されず、例えば、脂環式酸無水物、アルキル置換グルタル酸無水物、芳香族酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、コハク酸無水物等が挙げられる。
上記脂環式酸無水物は特に限定されず、例えば、ポリアゼライン酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物、ノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物、メチル−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物、メチル−ノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物、シクロヘキサン−１，２，３−トリカルボン酸−１，２無水物、シクロヘキサン−１，２，４−トリカルボン酸−１，２無水物等が挙げられる。

上記アルキル置換グルタル酸無水物は特に限定されず、例えば、３−メチルグルタル酸無水物等の分岐していてもよい炭素数１〜８のアルキル基を有する３−アルキルグルタル酸無水物、２−エチル−３−プロピルグルタル酸無水物等の分岐していてもよい炭素数１〜８のアルキル基を有する２，３−ジアルキルグルタル酸無水物、２，４−ジエチルグルタル酸無水物、２，４−ジメチルグルタル酸無水物等の分岐していてもよい炭素数１〜８のアルキル基を有する２，４−ジアルキルグルタル酸無水物等が挙げられる。

上記芳香族酸無水物は特に限定されず、例えば、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等が挙げられる。

本発明の電子部品接合用接着剤が上記硬化剤を含有する場合、上記硬化剤の配合量は、本発明の効果を阻害しない範囲であれば特に限定されないが、上記硬化剤と上記硬化性化合物との合計１００重量部に対する上記トリアジンジチオール化合物の配合量の好ましい下限が０．１重量部、好ましい上限が１０重量部である。上記トリアジンジチオール化合物の配合量が０．１重量部未満であると、電子部品接合用接着剤の電子部品に対する接着力が低下して、このような電子部品接合用接着剤を用いて得られる半導体装置は耐リフロークラック性が低下することがある。上記トリアジンジチオール化合物の配合量が１０重量部を超えると、電子部品接合用接着剤において、加熱硬化中に上記トリアジンジチオール化合物の溶け残りが生じ、このような電子部品接合用接着剤を用いて得られる半導体装置は絶縁信頼性が低下することがある。上記硬化剤と上記硬化性化合物との合計１００重量部に対する上記トリアジンジチオール化合物の配合量のより好ましい下限は０．５重量部、より好ましい上限は５重量部である。

本発明の電子部品接合用接着剤は、更に、チキソトロピー付与剤を含有することが好ましい。上記チキソトロピー付与剤を含有することで、電子部品接合用接着剤が電子部品の接合に最適な粘度挙動をとるように調整することができる。
上記チキソトロピー付与剤は特に限定されず、例えば、金属微粒子、炭酸カルシウム、ヒュームドシリカ、酸化アルミニウム、窒化硼素、窒化アルミニウム、硼酸アルミ等の無機微粒子等が挙げられる。なかでも、ヒュームドシリカが好ましい。

上記チキソトロピー付与剤は、必要に応じて、表面処理が施されていてもよい。上記表面処理が施されたチキソトロピー付与剤は特に限定されないが、表面に疎水基を有する粒子が好ましい。上記表面に疎水基を有する粒子として、例えば、表面を疎水化したヒュームドシリカ等が挙げられる。

上記チキソトロピー付与剤が粒子状である場合、該粒子状チキソトロピー付与剤の平均粒子径は特に限定されないが、好ましい上限は１μｍである。上記粒子状チキソトロピー付与剤の平均粒子径が１μｍを超えると、電子部品接合用接着剤が所望のチキソトロピー性を発現できないことがある。

本発明の電子部品接合用接着剤が上記チキソトロピー付与剤を含有する場合、上記チキソトロピー付与剤の配合量は特に限定されないが、本発明の電子部品接合用接着剤中の好ましい下限が０．５重量％、好ましい上限が２０重量％である。上記チキソトロピー付与剤の配合量が０．５重量％未満であると、電子部品接合用接着剤のチキソトロピー性が不充分となることがある。上記チキソトロピー付与剤の配合量が２０重量％を超えると、半導体チップ等の電子部品を接合する際に電子部品接合用接着剤の排除性が低下することがある。

本発明の電子部品接合用接着剤は、必要に応じて、溶媒を含有してもよい。
上記溶媒は特に限定されず、例えば、芳香族炭化水素類、塩化芳香族炭化水素類、塩化脂肪族炭化水素類、アルコール類、エステル類、エーテル類、ケトン類、グリコールエーテル（セロソルブ）類、脂環式炭化水素類、脂肪族炭化水素類等が挙げられる。

本発明の電子部品接合用接着剤は、必要に応じて、無機イオン交換体を含有してもよい。上記無機イオン交換体のうち、市販品として、例えば、ＩＸＥシリーズ（東亞合成社製）等が挙げられる。
本発明の電子部品接合用接着剤が上記無機イオン交換体を含有する場合、上記無機イオン交換体の配合量は特に限定されないが、本発明の電子部品接合用接着剤中の好ましい下限が１重量％、好ましい上限が１０重量％である。

本発明の電子部品接合用接着剤は、その他必要に応じて、ブリード防止剤、イミダゾールシランカップリング剤等の接着性付与剤等の添加剤を含有してもよい。

本発明の電子部品接合用接着剤を製造する方法は特に限定されず、例えば、上記硬化性化合物、上記トリアジンジチオール化合物及び必要に応じて添加される上記硬化剤、上記チキソトロピー付与剤、上記溶媒等を所定量配合し、混合する方法が挙げられる。
上記混合する方法は特に限定されず、例えば、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー等を用いる方法が挙げられる。

本発明の電子部品接合用接着剤は、電子部品に対する接着力が高く、耐リフロークラック性及び絶縁信頼性に優れた半導体装置を製造できることから、例えば、半導体装置の製造において、半導体チップを基板又は他の半導体チップに接合する等、電子部品を接合する際に好適に用いられる。

本発明によれば、電子部品に対する接着力が高く、耐リフロークラック性及び絶縁信頼性に優れた半導体装置を製造することのできる電子部品接合用接着剤を提供することができる。

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。

（実施例１〜７、比較例１〜３）
表１に示す組成に従って、ホモディスパーを用いて下記に示す各材料（重量部）を攪拌混合し、電子部品接合用接着剤を調製した。

（１）エポキシ化合物
ビスフェノールＡ型エポキシ（ＹＬ−９８０、ジャパンエポキシレジン社製）

（２）反応性高分子化合物
エポキシ基含有アクリルポリマー（ＣＰ−３０、日本油脂社製）

（３）エピスルフィド化合物
水添ビスフェノールＡ型エピスルフィド（ＹＬ−７００７、ジャパンエポキシレジン社製）

（４）トリアジンチオール化合物
トリアジンジチオール化合物（ジスネットＤＢ、三協化成社製）
トリアジンジチオール化合物（ジスネットＡＦ、三協化成社製）
トリアジントリチオール化合物（ジスネットＦ、三協化成社製）
トリアジンモノチオール化合物（４−アミノ−３メルカプト−６−メチル−１，２，４−トリアジン−５−オン、和光純薬工業社製）

（５）その他の添加剤
イミダゾール化合物（２ＭＺＡ、四国化成社製）
シランカップリング剤（ＫＢＭ−５７３、信越化学社製）
シリカフィラー（ＵＦ−３、トクヤマ社製）

（評価）
実施例及び比較例で得られた電子部品接合用接着剤について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。

（１）接着力
実施例及び比較例で得られた電子部品接合用接着剤を用いて、Ｓｉベアチップ（５ｍｍ×５ｍｍ）にＳｉベアチップ（３ｍｍ×３ｍｍ）を貼り合わせた。これを１７０℃１時間の条件で硬化した後、ダイシェア強度測定器（ＤＡＧＥ４０００、ＤＡＧＥ社製）で２６０℃のダイシェア強度を測定した。ダイシェア強度が４０Ｎ以上であった場合を「◎」、ダイシェア強度が２０Ｎ以上４０Ｎ未満であった場合を「○」、ダイシェア強度が１０Ｎ以上２０Ｎ未満であった場合を「△」、ダイシェア強度が１０Ｎ未満であった場合を「×」とした。
また、ダイシェア強度測定後の剥離モードについて、完全凝集剥離であった場合（被着体界面（Ｓｉベアチップ）が露出していない場合、即ち、接着剤層部分で破壊が生じた場合）を「◎」、一部凝集剥離であった場合（両方のＳｉベアチップに接着剤が残っていたが、部分的に被着体界面（Ｓｉベアチップ）が露出していた場合）を「○」、界面剥離であった場合（一方のＳｉベアチップにのみ接着剤が残っていた場合）を「×」とした。

（２）耐リフロークラック性
実施例及び比較例で得られた電子部品接合用接着剤を１０ｍＬシリンジ（岩下エンジニアリング社製）に充填し、シリンジ先端に精密ノズル（岩下エンジニアリング社製、ノズル先端径０．３ｍｍ）を取り付け、ディスペンサ装置（ＳＨＯＴ ＭＡＳＴＥＲ３００、武蔵エンジニアリング社製）を用いて、吐出圧０．４ＭＰａ、基板とニードルとのギャップ２００μｍ、塗布量５ｍｇにて基板上に塗布した。
塗布を行った後、ペリフェラル状に１１０μｍのパッド開口部を１７２個有する半導体チップ（チップ１）（厚さ８０μｍ、１０ｍｍ×１０ｍｍ角、メッシュ状パターン、アルミ配線（厚み０．７μｍ、Ｌ／Ｓ＝１５／１５）、表面の窒化シリコン膜の厚み１．０μｍ）をフリップチップボンダー（ＤＢ−１００、澁谷工業社製）を用いて常温で０．１ＭＰａの圧力で１秒間押圧することにより積層した。１２０℃で４０分間加熱後、１７０℃で１５分間加熱を行い、電子部品接合用接着剤を硬化させることにより、半導体チップ接合体を作製した。更に、この半導体チップの上に上記と同じ方法で、上記と同様の半導体チップを積層した。これを更に２回繰り返し、基板上に４つの半導体チップが積層されている半導体チップ接合体を作製した。

得られた半導体チップ接合体を、８５℃、８５％の恒温高湿オーブンに２４時間放置したのち、２３０℃以上が２０秒以上でかつ最高温度が２６０℃となるＩＲリフロー炉に３回投入した。
投入後、半導体装置のリフロークラックの発生の有無を超音波探傷装置（ＳＡＴ）により観察し、リフロークラック発生数が０／３０であった場合を「◎」、リフロークラック発生数が１／３０であった場合を「○」、リフロークラック発生数が２／３０であった場合を「△」、リフロークラック発生数が３／３０以上であった場合を「×」として評価した。

（３）絶縁信頼性
実施例及び比較例で得られた電子部品接合用接着剤を、線幅２５μｍ、間隔３５μｍの銅くし型電極に塗布し、その上から無アルカリガラスを２００℃で貼り合わせ、接着剤を硬化させた。このサンプルに対し、更に１７０度１時間アフターキュアを行った後、１２０℃湿度８５％のオーブンに入れ、両端に５Ｖの電圧をかけて３００時間経過させた。
３００時間の間にリーク電流が観測されなかった場合を「○」、リーク電流が観測された場合を「×」とした。

本発明によれば、電子部品に対する接着力が高く、耐リフロークラック性及び絶縁信頼性に優れた半導体装置を製造することのできる電子部品接合用接着剤を提供することができる。

Claims (3)

1. 硬化性化合物及びトリアジンジチオール化合物を含有することを特徴とする電子部品接合用接着剤。
2. トリアジンジチオール化合物は、下記式（１）で表される構造を有することを特徴とする請求項１記載の電子部品接合用接着剤。
   

   
3. 硬化性化合物は、エピスルフィド化合物を含有することを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品接合用接着剤。