JP2011060967A - 照明装置 - Google Patents

照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011060967A
JP2011060967A JP2009208431A JP2009208431A JP2011060967A JP 2011060967 A JP2011060967 A JP 2011060967A JP 2009208431 A JP2009208431 A JP 2009208431A JP 2009208431 A JP2009208431 A JP 2009208431A JP 2011060967 A JP2011060967 A JP 2011060967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
phosphor
light emitting
led chip
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009208431A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5379615B2 (ja
Inventor
Hiroshi Imamura
博司 今村
Ryoji Yokoya
良二 横谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Electric Works Co Ltd filed Critical Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority to JP2009208431A priority Critical patent/JP5379615B2/ja
Priority to EP10175632.8A priority patent/EP2296179A3/en
Priority to EP15179493.0A priority patent/EP2955752A1/en
Priority to CN2010102760773A priority patent/CN102024805A/zh
Priority to US12/878,168 priority patent/US9099333B2/en
Publication of JP2011060967A publication Critical patent/JP2011060967A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5379615B2 publication Critical patent/JP5379615B2/ja
Priority to US14/795,439 priority patent/US9991236B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/508Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

【課題】色むらが少なく、発光効率の高い照明装置を提供する。
【解決手段】実装基板10上に、複数のLEDチップ20を互いに離隔して実装し、LEDチップ20の周囲及びLEDチップ20同士の間隙部分に、蛍光体部30を配設した。そして、この蛍光体部30のうちでLEDチップ20間の間隙を覆う部位に、溝部41を設けた。これにより、LEDチップ20から放射される光が蛍光体部30の外部に放射されるまでの光路長が、光の放射方向によらずに略等しくなる。従って、蛍光体部30によって異なる色に変換された光と変換されていない光の比率が、場所によらず略均一となるので、色むらを抑制することができる。また、LEDチップ20の周囲を蛍光体部30で隙間なく覆っているので、LEDチップ20の側面から放射される光も、蛍光体で異なる色に変換されるなどして発光に寄与する。よって、高い発光効率を得ることができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数の発光ダイオードチップを用いた照明装置に関するものである。
従来、図6に示すような、光度を高めるために複数の発光ダイオード(以下、LEDとも記す)チップ20を実装基板10上に実装し、このLEDチップ20を、蛍光体を含有した透光性材料からなる蛍光体部30で隙間なく覆った照明装置が提供されている。特に、LEDとして青色LEDを用い、蛍光体として、青色LEDから放射される青色の光を黄色の光に変換する蛍光体を用いたものは、白色光源として有用である。
しかし上記従来例では、LEDチップ20と蛍光体部30とからなる発光部50の厚さが場所によらず均一となるように蛍光体部30を形成しているため、色むらが発生していた。すなわち、青色LEDチップ20から放射される青色光B1〜B3(図6参照)が蛍光体部30の外部に放射されるまでの光路長を比較すると、LEDチップ20の側方へ放射されるB1やB3の光路長は長く、図中における上方へ放射されるB2の光路長は短くなっている。ここで、LEDチップ20から放射された青色光が蛍光体部30で黄色光に変換される割合は、この光が蛍光体部30の外部に放射されるまでの光路長に依存する。従って、LEDチップ20の直上から放射される光は、変換された光の割合が小さいため青色光の比率が高く、蛍光体部30の周縁部やLEDチップ20同士の間隙部分から放射される光は、変換された光の割合が大きいため黄色光の比率が高くなり、場所による色の違い(=色むら)が発生することになっていた。
この課題を解決する方法として、特許文献1には、互いに間隙を有して実装された複数のLEDチップ20の上面に、LEDチップ20間の間隙を覆う部位に溝部44が形成された、蛍光体シート31を配設した照明装置が記載されている(図7参照、21は接着剤)。本従来例では、LEDチップ20の上面から溝部44へ向けて放射される光(B1)が蛍光体シート31の外部に放射されるまでの光路長が、前述の従来例よりも短く、LEDチップ20の上面からLEDチップ20の上方へ向けて放射される光(B2)が蛍光体シート31の外部に放射されるまでの光路長と、略等しくなっている。よって、青色光と黄色光の比率が、蛍光体シート31の表面において場所によらず略均一となるので、色むらの発生を抑えることができる。
特開2008−294224号公報
ところで、特許文献1に記載されている従来例では、シート状の蛍光体シート31によってLEDチップ20の上面を覆っているため、LEDチップ20間に空気層22が生じる。このため、LEDチップ20の側面から放射された光の一部が、LEDチップ20の側面間で多重反射するなどして失われ、発光効率が低下してしまうおそれがあった。
本発明は、上記事情に鑑みて為されたものであり、色むらが少なく、発光効率の高い照明装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、請求項1の発明は、実装基板と、この実装基板上に互いに離隔して実装された複数の発光ダイオードチップと、この発光ダイオードチップから放射された光を、この光とは異なる色の光に変換する蛍光体を透光性材料に含有させてなる蛍光体部とを備え、前記蛍光体部は、前記発光ダイオードチップの面のうちで前記実装基板に実装される面以外のすべての面を、当該発光ダイオードチップとの間に隙間が生じないように覆うとともに、これら発光ダイオードチップ同士の間に形成された間隙を、前記実装基板との間に隙間が生じないように覆ってなり、さらに、この間隙を覆う当該蛍光体部の表面に、当該間隙を形成する前記発光ダイオードチップの端面に沿った溝部を設けたことを特徴とする。
請求項1の発明では、蛍光体部のうちで発光ダイオードチップ同士の間隙を覆う部位に溝部を設けているので、発光ダイオードチップから放射される光が蛍光体部の外部に放射されるまでの光路長が、光の放射方向によらずに略等しくなる。よって、蛍光体部で異なる色に変換された光と変換されていない光の比率が、場所によらずに略均一となるので、色むらの発生を抑制することができる。また、複数の発光ダイオードチップの周りを蛍光体部で隙間なく覆っているので、この発光ダイオードチップの側面から放射された光は、発光ダイオードチップ間の間隙部分にある蛍光体で異なる色の光に変換されるなどして外部へ放射され、発光に寄与する。よって、特許文献1に記載されている従来例よりも発光効率を向上させることができる。
請求項2の発明は、請求項1記載の照明装置において、前記溝部の最深部と前記実装基板との距離を、前記発光ダイオードチップの面のうちで前記実装基板から最も離れた面と当該実装基板との距離よりも、近くしたことを特徴とする。
請求項2の発明では、蛍光体部に形成する溝部の深さが、発光ダイオードチップを覆う部位での蛍光体部の厚みよりも深くなっているので、溝部の最深部は発光ダイオードチップの側方に位置することになる。よって、発光ダイオードチップの側面から側方へ放射される光についても、当該蛍光体部の外部に放射されるまでの光路長を制御することができるので、溝部の深さが浅い場合よりも大きな色むら抑制効果を得ることができる。
請求項3の発明は、請求項1又は2記載の照明装置において、前記蛍光体部の断面形状が、前記発光ダイオードチップからの出射光の配光分布と略等しくなるように、当該蛍光体部を形成したことを特徴とする。
請求項3の発明では、蛍光体部の断面形状を発光ダイオードチップからの出射光の配光分布と略等しくすることで、蛍光体部で異なる色に変換された光と変換されていない光の比率が、場所によらず均一となる。よって、より確実に色むらを抑制することができる。
本発明は、色むらが少なく、発光効率の高い照明装置を提供することができる。
実施形態1の、LEDチップ20近傍の断面図である。 実施形態1の斜視図である。 (a)、(b)、(c)、(d)はそれぞれ、実施形態1における、切削法による蛍光体部30の形成手順を示す図である。 実施形態2の、(a)は斜視図、(b)はLEDチップ20近傍の断面図である。 実施形態3の、LEDチップ20近傍の断面図である。 従来例の断面図である。 別の従来例の断面図である。
(実施形態1)
本発明の第1の実施形態を、図1〜図3を参照して説明する。なお以下の説明では、図1における上下を上下方向と規定する。
本実施形態の照明装置Aは、図2に示すように、平板状の実装基板10と、実装基板10の上面側に互いに間隙を有して実装された複数個(図示では4個)のLEDチップ20と、各LEDチップ20から放射された光によって励起されてこの光とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有し、実装基板10の上面側において全てのLEDチップ20を覆う形で配置された蛍光体部30と、実装基板10の上面側において蛍光体部30を覆う形で配置されたドーム状の透明レンズ80(図では点線で表示)とを備えている。すなわち本実施形態の照明装置Aは、複数個のLEDチップ20と1つの蛍光体部30とで発光部50を構成している。
実装基板10は、例えばアルミナ基板や窒化アルミをサブマウントとした、銅やアルミニウムなどの高放熱材料からなり、平板状に形成されている。そして、上面側に配線パターン11(図2には配線パターン11の一部のみ示してある)が形成されている。
LEDチップ20は、略直方体状で上面及び側面から青色光を放射する、例えばGaN系の青色LEDチップであって、実装基板10上に、互いに間隙を有して配置される。そして、図示していないが、例えばフリップチップ実装やダイボンド後にワイヤボンディングを行うなどの実装手段によって、配線パターン11と電気的に接続されながら実装基板10上に実装されている。
蛍光体部30は、図1に示すように、各LEDチップ20との間に隙間が生じないように当該LEDチップ20を覆って配設され、その側面には平面状の傾斜面40が形成され、LEDチップ20同士の間隙を覆う部位には、略V字状の溝部41が形成されている。ところで、複数のLEDチップ20を実装基板10上に配設すると、LEDチップ20の側端面と側端面との間には当該側端面に沿った間隙が形成されるが、溝部41は、この間隙を形成するLEDチップ20の側端面に沿って設けられるのである。
この蛍光体部30は、LEDチップ20から放射された青色光によって励起されて黄色系の光を放射する粒子状の黄色蛍光体を、熱硬化型のシリコーン樹脂に均等に分散してなる。従って、本実施形態の照明装置Aは、LEDチップ20から放射された青色光と黄色蛍光体で変換された黄色光とが蛍光体部30の表面から放射されることとなり、白色光を得ることができる。
ここで、蛍光体部30の形成方法例を簡単に説明する。
まず、蛍光体部30を、モールド法やスクリーン印刷法(モールド法及びスクリーン印刷法については周知であるので、説明は省略する)によって、実装基板10に実装された複数のLEDチップ20を覆って略直方体状に形成する(図3(a))。
次に、回転切削ブレード60を用いて、蛍光体部30の側面に傾斜面40を形成する(図3(b))。ここで傾斜面40は、図3では断面しか示していないが、実際には図2に示すように蛍光体部30の側面に沿って形成される。
同様に、回転切削ブレード60を用いて、蛍光体部30のうちでLEDチップ20同士の間隙を覆う部位に、V字状に溝部41を形成する(図3(c))。
なお、傾斜面40は蛍光体部30のすべての側面に沿って形成し、溝部41は、複数のLEDチップ20によって形成される間隙毎に形成する。また、傾斜面40と溝部41の形成順はどちらが先であってもよい。
以上の手順により、傾斜面40及び溝部41を備えた蛍光体部30が形成される(図3(d))。
なお、上記では切削法による傾斜面40及び溝部41の形成手順について説明したが、傾斜面40及び溝部41を形成できる形状の金型を用い、モールド法によって、一気に図2の形状の蛍光体部30を形成してもよい。
透明レンズ80は、蛍光体部30からの光取出し効率を向上させるものであって、例えば透光性を有する熱硬化型のシリコーン樹脂をドーム状に形成し、実装基板10の上面側において全ての蛍光体部30を覆うように配設されてなる。なお、透明レンズ80の材料はシリコーン樹脂に限定するものではなく、例えばエポキシ樹脂やガラスなどでもよい。
本実施形態の照明装置Aは、蛍光体部30に傾斜面40及び溝部41を形成したことによって、図1に示すように、LEDチップ20から放射される光(矢印B1〜B4で表示)が蛍光体部30の外部に放射されるまでの光路長が、光の出射方向によらずほぼ均一になっている。よって、黄色光に変換される青色光の割合が、光の出射方向によらずほぼ均一になるので、青色光と黄色光との比率が蛍光体部30の表面上において場所によらずほぼ均一となり、色むらを抑制することができる。また、LEDチップ20間の間隙部分にも蛍光体部30を配設しているので、LEDチップ20の側面から放射される光(B4)も、間隙部分に配設された蛍光体部30中の蛍光体で黄色光に変換されたり散乱されるなどして、外部へ放射される。すなわち、この光も発光に寄与することとなり、発光効率を向上させることができる。
なお、本実施形態では4個のLEDチップ20を備えた照明装置Aについて説明したが、LEDチップ20の個数は4個に限定するものではなく、2個以上であればよい。また、蛍光体部30における蛍光体は黄色蛍光体に限らず、色調整や演色性を高めるなどの目的で複数種類の蛍光体を用いてもよく、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを用いることで演色性の高い白色光を得ることができる。また、LEDチップ20は青色LEDチップに限られず、例えば紫外光を放射するLEDチップなどとして、蛍光体部30に青色蛍光体及び黄色蛍光体を含有させて発光部50から白色光を得るようにしてもよい。さらに、本実施形態では発光部50の発光色として白色を例示したが、発光部50の発光色は白色系の色に限定するものではない。この場合、LEDチップ20として赤色LEDチップや緑色LEDチップなどを用いてもよい。また、傾斜面40の形状は平面状に限らず曲面状などであってもよく、溝部41の形状もV字状に限らずU字状などであってもよい。
(実施形態2)
本発明の第2の実施形態を、図4を参照して説明する。本実施形態は、溝部42の深さDを、LEDチップ20上部の蛍光体部30の厚さTよりも深く形成した以外の構成は、上記実施形態1と同様であるので、共通の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。
LEDチップ20からは、上面だけでなく側面からも光が放射される。ここで本実施形態では、溝部42の深さDを、LEDチップ20の上面に配設した蛍光体部30の厚さTよりも深く形成している。これにより、LEDチップ20の側面から側方へ放射される光(B5)が蛍光体部30の外部に放射されるまでの光路長を制御することができ、この光が蛍光体部30において黄色光に変換される割合を適宜制御することができる。よって、溝部42の深さDがLEDチップ20の上面に配設した蛍光体部30の厚さTより浅い場合よりも、大きな色むら抑制効果を得ることができる。
(実施形態3)
本発明の第3の実施形態を、図5を参照して説明する。本実施形態は、蛍光体部30の断面形状が、LEDチップ20の配光分布70と略等しくなるように当該蛍光体部30を形成した以外の構成は、上記実施形態1又は2と同様であるので、共通の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。
LEDチップ20の配光分布70は、LEDチップ20の中心付近で強く、側方へ向かうに従って弱くなり、図5の点線で示したような曲面で表される。本実施形態では、この配光分布70に合わせて蛍光体部30の厚さを変化させている。このように蛍光体部30を形成することで、LEDチップ20から放射される青色光の強度が強い部位では蛍光体部30の厚さが厚くなっており、蛍光体部30で黄色光に変換される光の強度も強くなる。逆に、LEDチップ20から放射される青色光の強度が弱い部位では、蛍光体部30の厚さが薄いので、蛍光体部30で黄色光に変換される光の強度も弱くなる。これにより、蛍光体部30で変換された黄色光と変換されていない青色光の比率が、蛍光体部30の表面上において場所によらず均一となるので、実質的に色むらをなくすことができる。
なお、この蛍光体部30は、例えば所望の形状の金型を用いてモールド法によって作製される。
10 実装基板
20 LEDチップ
30 蛍光体部
40 傾斜面
41 溝部

Claims (3)

  1. 実装基板と、この実装基板上に互いに離隔して実装された複数の発光ダイオードチップと、この発光ダイオードチップから放射された光を、この光とは異なる色の光に変換する蛍光体を透光性材料に含有させてなる蛍光体部とを備え、
    前記蛍光体部は、前記発光ダイオードチップの面のうちで前記実装基板に実装される面以外のすべての面を、当該発光ダイオードチップとの間に隙間が生じないように覆うとともに、これら発光ダイオードチップ同士の間に形成された間隙を、前記実装基板との間に隙間が生じないように覆ってなり、さらに、この間隙を覆う当該蛍光体部の表面に、当該間隙を形成する前記発光ダイオードチップの端面に沿った溝部を設けたことを特徴とする照明装置。
  2. 前記溝部の最深部と前記実装基板との距離を、前記発光ダイオードチップの面のうちで前記実装基板から最も離れた面と当該実装基板との距離よりも、近くしたことを特徴とする請求項1記載の照明装置。
  3. 前記蛍光体部の断面形状が、前記発光ダイオードチップからの出射光の配光分布と略等しくなるように、当該蛍光体部を形成したことを特徴とする請求項1または2記載の照明装置。
JP2009208431A 2009-09-09 2009-09-09 照明装置 Active JP5379615B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009208431A JP5379615B2 (ja) 2009-09-09 2009-09-09 照明装置
EP10175632.8A EP2296179A3 (en) 2009-09-09 2010-09-07 Illumination device
EP15179493.0A EP2955752A1 (en) 2009-09-09 2010-09-07 Illumination device
CN2010102760773A CN102024805A (zh) 2009-09-09 2010-09-07 照明装置
US12/878,168 US9099333B2 (en) 2009-09-09 2010-09-09 LED lamp device having a fluorescent element shaped for uniform light conversion
US14/795,439 US9991236B2 (en) 2009-09-09 2015-07-09 LED lamp device having a fluorescent element shaped for uniform light conversion

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009208431A JP5379615B2 (ja) 2009-09-09 2009-09-09 照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011060967A true JP2011060967A (ja) 2011-03-24
JP5379615B2 JP5379615B2 (ja) 2013-12-25

Family

ID=43432055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009208431A Active JP5379615B2 (ja) 2009-09-09 2009-09-09 照明装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9099333B2 (ja)
EP (2) EP2955752A1 (ja)
JP (1) JP5379615B2 (ja)
CN (1) CN102024805A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2546875A2 (en) 2011-06-16 2013-01-16 Panasonic Corporation Light-emitting device and illumination fixture using the same
KR20130043433A (ko) * 2011-10-20 2013-04-30 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 포함하는 해드 램프
JP2013179222A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具
JP2013247269A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Toshiba Corp 半導体発光装置及び発光モジュール
JP2016071271A (ja) * 2014-10-01 2016-05-09 コニカミノルタ株式会社 照明用発光装置および画像読取装置
JP2017536704A (ja) * 2014-12-04 2017-12-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス半導体デバイスおよびオプトエレクトロニクス半導体デバイスの製造方法
JP2018152463A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2018195778A (ja) * 2017-05-22 2018-12-06 シチズン電子株式会社 発光装置
KR20200038488A (ko) * 2017-08-03 2020-04-13 크리,인코포레이티드 고밀도 픽셀화된 led 칩 및 칩 어레이 장치, 그리고 그 제조 방법

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8735913B2 (en) 2011-04-01 2014-05-27 Visera Technologies Company Limited Light emitting semiconductor structure
CN103094264B (zh) * 2011-10-31 2016-03-02 光宝电子(广州)有限公司 高功率发光二极管
TWI456143B (zh) * 2012-04-26 2014-10-11 新世紀光電股份有限公司 光源模組
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
US9810381B2 (en) 2012-12-03 2017-11-07 Citizen Watch Co., Ltd. LED module
DE102012112149A1 (de) 2012-12-12 2014-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US10109774B2 (en) 2013-08-20 2018-10-23 Lumileds Llc Shaped phosphor to reduce repeated reflections
JP2015050302A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 東芝ライテック株式会社 発光装置
CN104716245A (zh) 2013-12-13 2015-06-17 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
JP2015204300A (ja) * 2014-04-10 2015-11-16 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
US9978724B2 (en) 2014-06-27 2018-05-22 Bridgelux, Inc. Red flip chip light emitting diode, package, and method of making the same
WO2016087600A1 (en) * 2014-12-04 2016-06-09 Osram Sylvania Inc. Method for producing a ceramic conversion element, ceramic conversion element and optoelectronic device
CN104752453B (zh) * 2015-03-30 2017-09-19 深圳市华星光电技术有限公司 一种发光装置及液晶显示装置
JP2016219519A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 サンケン電気株式会社 発光装置
US10320976B2 (en) * 2015-07-14 2019-06-11 International Business Machines Corporation Call flagging using shared call logs
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
US10458931B1 (en) * 2016-06-17 2019-10-29 Leidos, Inc. Contact imaging sensor head for computed radiography
CN106098903A (zh) * 2016-08-03 2016-11-09 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 多面出光csp光源及其制造方法
DE102016115533A1 (de) * 2016-08-22 2018-02-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Halbleiterchip
CN106500013B (zh) * 2016-12-30 2019-04-19 杭州光锥科技有限公司 投光灯透镜、发光模块以及投光灯
JP6662322B2 (ja) * 2017-02-09 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
EP4052296A1 (en) 2019-10-29 2022-09-07 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-led chips
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299694A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Mitsubishi Electric Lighting Corp 照明用led光源デバイス及び照明器具
JP2007227679A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008294224A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2009088054A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Toyoda Gosei Co Ltd 線状発光装置及びその製造方法
JP2010278266A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS48102585A (ja) * 1972-04-04 1973-12-22
JP3977947B2 (ja) * 1998-12-07 2007-09-19 株式会社日立製作所 光計測方法及び装置
DE10010638A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP4100155B2 (ja) * 2002-12-05 2008-06-11 オムロン株式会社 発光光源、発光光源アレイ及び当該発光光源を用いた機器
TWI263356B (en) * 2003-11-27 2006-10-01 Kuen-Juei Li Light-emitting device
JP4496774B2 (ja) * 2003-12-22 2010-07-07 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4599111B2 (ja) * 2004-07-30 2010-12-15 スタンレー電気株式会社 灯具光源用ledランプ
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US20060171152A1 (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
JP4961799B2 (ja) * 2005-04-08 2012-06-27 日亜化学工業株式会社 スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置
TWI389337B (zh) * 2005-05-12 2013-03-11 Panasonic Corp 發光裝置與使用其之顯示裝置及照明裝置,以及發光裝置之製造方法
JP2007288139A (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Sumitomo Chemical Co Ltd モノシリック発光デバイス及びその駆動方法
JP5089212B2 (ja) * 2007-03-23 2012-12-05 シャープ株式会社 発光装置およびそれを用いたledランプ、発光装置の製造方法
JP2008300544A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
US7858409B2 (en) * 2008-09-18 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. White point compensated LEDs for LCD displays
US8168998B2 (en) * 2009-06-09 2012-05-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with remote phosphor layer and reflective submount
US20110031516A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
JP5497386B2 (ja) * 2009-09-11 2014-05-21 浜松ホトニクス株式会社 画像取得装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299694A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Mitsubishi Electric Lighting Corp 照明用led光源デバイス及び照明器具
JP2007227679A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008294224A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2009088054A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Toyoda Gosei Co Ltd 線状発光装置及びその製造方法
JP2010278266A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8546823B2 (en) 2011-06-16 2013-10-01 Panasonic Corporation Light emitting device and illumination apparatus including same
EP2546875A2 (en) 2011-06-16 2013-01-16 Panasonic Corporation Light-emitting device and illumination fixture using the same
KR101883841B1 (ko) * 2011-10-20 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 포함하는 해드 램프
KR20130043433A (ko) * 2011-10-20 2013-04-30 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 포함하는 해드 램프
JP2013179222A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具
JP2013247269A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Toshiba Corp 半導体発光装置及び発光モジュール
JP2016071271A (ja) * 2014-10-01 2016-05-09 コニカミノルタ株式会社 照明用発光装置および画像読取装置
JP2017536704A (ja) * 2014-12-04 2017-12-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス半導体デバイスおよびオプトエレクトロニクス半導体デバイスの製造方法
US10586827B2 (en) 2014-12-04 2020-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for fabricating an optoelectronic semiconductor component
JP2018152463A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2018195778A (ja) * 2017-05-22 2018-12-06 シチズン電子株式会社 発光装置
KR20200038488A (ko) * 2017-08-03 2020-04-13 크리,인코포레이티드 고밀도 픽셀화된 led 칩 및 칩 어레이 장치, 그리고 그 제조 방법
JP2020529738A (ja) * 2017-08-03 2020-10-08 クリー インコーポレイテッドCree Inc. 高密度ピクセル化ledチップ、チップアレイデバイス、及びその製造方法
JP7290001B2 (ja) 2017-08-03 2023-06-13 クリーエルイーディー・インコーポレーテッド 高密度ピクセル化ledチップ、チップアレイデバイス、及びその製造方法
KR102601620B1 (ko) * 2017-08-03 2023-11-15 크리엘이디, 인크. 고밀도 픽셀화된 led 칩 및 칩 어레이 장치, 그리고 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP2955752A1 (en) 2015-12-16
US9991236B2 (en) 2018-06-05
JP5379615B2 (ja) 2013-12-25
US20110058369A1 (en) 2011-03-10
US9099333B2 (en) 2015-08-04
EP2296179A2 (en) 2011-03-16
EP2296179A3 (en) 2014-03-26
CN102024805A (zh) 2011-04-20
US20160005719A1 (en) 2016-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5379615B2 (ja) 照明装置
US20120305970A1 (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
US20150270449A1 (en) Light emitting device having uv light emitting diode and lighting apparatus including the same
JP2012248553A (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2007080880A (ja) 発光装置
JP2014146661A (ja) 発光モジュール、照明装置および照明器具
JP2010118531A (ja) 白色照明装置および車輛用灯具
JP2018120959A (ja) 発光装置及び照明装置
US9746145B2 (en) Light-emitting device with non-successive placement of light-emitting elements of one color, illumination light source having the same, and illumination device having the same
JP2011134902A (ja) Led発光装置
JP2016167518A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2017162940A (ja) 発光装置及び照明装置
KR20070090486A (ko) 색온도 변경이 가능한 발광장치
JP2007043074A (ja) 照明装置
KR20140007306A (ko) 멀티 칩 엘이디 패키지
JP2013128052A (ja) 発光装置及びそれを用いた照明器具
KR20110078482A (ko) 멀티 칩 엘이디 패키지 및 그 제조방법
US20180163933A1 (en) Light-emitting diode package
JP2014086696A (ja) 発光装置
US10256388B2 (en) Light-emitting device and illumination apparatus
JP6173794B2 (ja) 半導体発光装置およびそれを用いた照明装置
US10168007B2 (en) Light-emitting device and illuminating apparatus
KR101518459B1 (ko) Led 패키지
JP5187749B2 (ja) 発光装置
JP2006245080A (ja) 照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120118

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121016

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130618

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130819

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130903

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130927

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5379615

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150