JP2018152463A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】白色光を出射する、色ムラの少ない半導体発光装置を提供する。【解決手段】当該半導体発光装置は、支持基板と、前記支持基板上に載置され、導電部材を含む電極層、および、該電極層上に配置され、発光性を有する光半導体積層、を含む発光素子と、前記半導体発光素子の光半導体積層を覆う波長変換層であって、該光半導体積層の直上に位置する第１の部分と、該光半導体積層からはみ出し、該半導体積層の側部に接触せずに垂れ下がる第２の部分と、を有し、該第２の部分の厚みが該第１の部分の厚みの±１５％の範囲内に収まる波長変換層と、を備える。【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体発光素子上に、波長変換フィルムが配置された半導体発光装置に関する。

ＧａＮ（ガリウム・窒素）等の窒化物半導体を用いた半導体発光素子は、紫外光ないし青色光を発光することができる。このような半導体発光素子は、たとえば、ｐ型ＧａＮ層，ＧａＮ系活性層およびｎ型ＧａＮ層を有する光半導体積層と、当該光半導体積層に電流を流すための電極と、を含む。

また、青色光を発光する半導体発光素子を、黄色光を放出することができる蛍光体材料と組み合わせれば、白色光を合成することができる（たとえば特許文献１）。半導体発光素子と蛍光体材料を含む波長変換フィルムとを組み合わせた半導体発光装置は、たとえば車両用灯具（ヘッドライト等）などに利用される。

特開２００９−０９４２６２号公報

本発明の主な目的は、新規な構造を有する半導体発光装置を提供することにある。また、他の目的は、たとえば白色光を出射する、色ムラの少ない半導体発光装置を提供することにある。

本発明の主な観点によれば、支持基板と、前記支持基板上に載置され、導電部材を含む電極層、および、該電極層上に配置され、発光性を有する光半導体積層、を含む発光素子と、前記半導体発光素子の光半導体積層を覆う波長変換層であって、該光半導体積層の直上に位置する第１の部分と、該光半導体積層からはみ出し、該半導体積層の側部に接触せずに垂れ下がる第２の部分と、を有し、該第２の部分の厚みが該第１の部分の厚みの±１５％の範囲内に収まる波長変換層と、を備える半導体発光装置、が提供される。

白色光を出射する、色ムラの少ない半導体発光装置を得ることができる。

図１Ａおよび図１Ｂは、実施例による半導体発光装置の断面図および平面図である。 図２Ａおよび図２Ｂは、参考例および実施例による半導体発光装置の周縁部分の断面図である。 図３Ａ〜図３Ｃは、製造段階における、実施例による半導体発光装置（特に支持基板）の断面図である。 、 、 および、 図４Ａ〜図４Ｈは、製造段階における、実施例による半導体発光装置（特に光半導体積層）の断面図である。 、 および、 図５Ａ〜図５Ｄは、製造段階における、実施例による半導体発光装置（特に半導体発光素子）の断面図である。 図６Ａおよび図６Ｂは、製造段階における、実施例による半導体発光装置の断面図である。

図１Ａおよび図１Ｂは、実施例による半導体発光装置（ＬＥＤ装置）を示す断面図、および、平面図の一部である。図１Ａに示す断面図は、図１Ｂに示すＩＡ−ＩＡ断面に対応する。なお、図中に示す各構成部材の相対的なサイズや位置関係は、実際のものとは異なっている。

図１Ａに示すように、ＬＥＤ装置１００は、基本として、半導体発光素子（ＬＥＤ素子）４０と、波長変換層５０と、から構成される。ＬＥＤ素子４０は、たとえばシリコン基板である支持基板１０と、その上に配置される電極層２０および光半導体積層３０と、を含む。以下では、電極層２０および光半導体積層３０を、総称して、発光素子層とよぶことがある。

光半導体積層３０は、少なくとも、ｐ型半導体層、発光性を有する活性層、および、ｎ型半導体層が積層する構造を有する。また、光半導体積層３０は、複数の発光領域Ａｌに分割されている。光半導体積層３０は、たとえば、青色光を出射するＧａＮ系半導体材料から構成される。

電極層２０は、光半導体積層３０のｐ型半導体層に電気的に接続するｐ側電極（アノード電極）、ｎ型半導体層に電気的に接続するｎ側電極（カソード電極）、および、それらの電極を相互に絶縁する絶縁部材、を含む。各種電極は、光半導体積層３０の発光領域Ａｌ各々に接続されており、発光領域Ａｌは、それぞれ電気的に独立している。なお、各種電極は、光半導体積層３０の発光領域Ａｌを、電気的に直列ないし並列に接続するように形成されていてもよい。

波長変換層５０は、波長変換層５０は、母材樹脂に蛍光体材料が添加された構成を有し、ＬＥＤ素子４０（特に光半導体積層３０）を覆うように配置される。たとえば、シリコーン樹脂からなる透光性樹脂部材中に、ＹＡＧからなる蛍光体粒子が分散する構成を有する。ＹＡＧ粒子は、青色光（ないし紫外光）を吸収して、黄色光を放出する。光半導体積層３０から出射される青色光と、波長変換層５０（それに含有される蛍光体粒子）から放出される黄色光と、が合成されて、出射面（波長変換層５０の上面）から白色光が出射される。

また、波長変換層５０は、光半導体積層３０の直上に位置する主要部分５０ａと、光半導体積層３０からはみ出し、支持基板１０側に垂れ下がっている周縁部分５０ｂと、を有する。周縁部分５０ｂは、電極層２０の表面に接触しており、光半導体積層３０の側面には接触していない。

なお、波長変換層５０の側面と下面（光半導体積層３０に接触している面）とにより構成される辺部は、少なくとも、電極層２０の表面に接触しており、側面と上面（光半導体積層３０に接触している面とは反対側の面）とにより構成される辺部は、電極層２０の表面に接触していない。つまり、波長変換層５０の側面は、電極層２０の表面に対して傾いている。

波長変換層５０は、全体にわたって、ほぼ均一な厚みを有する。つまり、波長変換層５０において、主要部分５０ａの厚みＴ１、および、周縁部分５０ｂの厚みＴ２、はほぼ等しい。特に、周縁部分５０ｂの、主要部分５０ａにより近い部分の厚みは、主要部分５０ａの厚みＴ１と概ね同じである。ここで、厚みがほぼ等しいとは、厚みＴ２が、厚みＴ１の±１５％の範囲内に収まっていることをいう。

光半導体積層３０の各発光領域Ａｌの間隙には、波長変換層５０を構成する樹脂部材が入り込んでいる。このような樹脂部材の入り込みにより、波長変換層５０は、光半導体積層３０から剥離し難くなっている。

図１Ｂに示すように、電極層２０は、光半導体積層３０（ないし発光領域Ａｌ）を包含するように設けられる。なお、図１Ｂにおいて、光半導体積層３０の発光領域Ａｌは、破線によって示されている。また、波長変換層５０も、光半導体積層３０を包含するように設けられる。

電極層２０の端部には、外部電源に接続される複数の電極パッド２０ｐが設けられている。電極パッド２０ｐは、電極層２０内の各種電極を介して、光半導体積層３０（各発光領域Ａｌ）と電気的に接続する。

以下、参考例と比較しながら、実施例によるＬＥＤ装置の効果について説明する。

図２Ａは、参考例によるＬＥＤ装置の周縁部分を拡大して示す断面図である。参考例によるＬＥＤ装置は、実施例と比べて、波長変換層の構造が異なっている。

参考例において、波長変換層５９は、上面が概ね平坦であり、また、光半導体積層３０の側面と接触している。波長変換層５９において、光半導体積層３０の直上に位置する領域を主要領域５９ａと呼び、光半導体積層３０からはみ出す領域を周縁領域５９ｂと呼ぶこととする。

光半導体積層３０の端部において、直上に出射される光Ｌ１、および、斜め上方に出射される（外側に向かって出射される）光Ｌ２、を想定する。この場合、波長変換層５９中を伝搬する光Ｌ１の光路長は相対的に短く、波長変換層５９中を伝搬する光Ｌ２の光路長は相対的に長い。

このため、波長変換層５９を透過した後の光Ｌ１は、光Ｌ２よりも青色っぽい色となる。逆に、波長変換層５９を透過した後の光Ｌ２は、光Ｌ１よりも黄色っぽい色となる。つまり、主要領域５９ａと周縁領域５９ｂとでは、顕著な色味の違い（色ムラ）が発現しうる。

図２Ｂは、実施例によるＬＥＤ装置の周縁部分を拡大して示す断面図である。前述したように、波長変換層５０の周縁部分５０ｂは、光半導体積層３０からはみ出し、その側面とは接触せずに、下垂している。また、波長変換層５０の厚みは、全体にわたって、ほぼ均一である。

このため、波長変換層５０中を伝搬する光Ｌ１および光Ｌ２の光路長は、概ね同じである。波長変換層５０中の光路長がほぼ同じであれば、波長変換層５０を透過した後の光Ｌ１および光Ｌ２の色味もほぼ同じになる。つまり、波長変換層５０から放出される光は、全体として、色味の違い（色ムラ）が少ない。

加えて、波長変換層５０の側面は、電極層２０の表面に対して傾いており、また、波長変換層５０の屈折率は、一般に、空気（大気）の屈折率よりも大きい。このため、側方（図面中において横方向）に出射される光の一部は、波長変換層５０の側面（空気層との界面）で全反射され、上方に伝搬しうる。波長変換層の側面が傾きを有していることで、より多くの光を上方に出射させることができる。

以下、実施例によるＬＥＤ装置の製造方法について説明する。なお、ＬＥＤ素子（支持基板および発光素子層）は、以下に説明する構造に限らず、基本的に、どのような構造であってもかまわない。

実施例によるＬＥＤ装置は、たとえば、支持基板を準備する工程（図３）と、成長基板上に光半導体積層を作製する工程（図４）と、支持基板と光半導体積層とを貼り合せて、成長基板を除去する工程（図５）と、光半導体積層を覆って波長変換フィルムを配置する工程（図６）と、を有する。以下、各工程の詳細について説明する。

図３Ａ〜図３Ｃは、支持基板１０を準備し、支持基板１０上に電極層２０（図１Ａ参照）の一部を形成する様子を示す断面図である。

図３Ａに示すように、支持基板１０として、たとえばシリコン基板を準備する。その後、シリコン基板１０に熱酸化処理を施し、表面にＳｉＯ_２からなる絶縁層１１を形成する。

支持基板１０は、熱膨張係数がサファイア（７．５×１０^−６／Ｋ）やＧａＮ（５．６×１０^−６／Ｋ）に近く、熱伝導率が高い材料で形成されていることが好ましい。例えば、Ｓｉ、ＡｌＮ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｕＷ等を用いることができる。絶縁層１１の膜厚は、絶縁性を確保する目的を達成できる厚さであればよい。

次に、絶縁層１１上に、支持基板１０側のｐ配線電極となるｐチャネル層２１を形成する。たとえば電子ビーム蒸着法により、Ｔｉ（膜厚３００Å）／Ａｕ（膜厚１００００Å）／Ｔｉ（膜厚３００Å）の金属多層膜を成膜する。最上層をＴｉとするのは、後に形成する絶縁層２２との密着性を保持するためである。その後、リフトオフ法などにより、金属多層膜を所望の平面形状にパターニングする。

図３Ｂに示すように、スパッタ法などを用いてＳｉＯ_２からなる絶縁膜２２を成膜する。電気的絶縁性と密着性・強度を確保するために、絶縁膜２２の膜厚は、１０００Å〜６０００Å程度であることが好ましい。絶縁膜２２は、Ｓｉ_３Ｎ_４など、ほかの絶縁部材により構成されていてもよい。続けて、絶縁膜２２の、ｐチャネル層２１が形成された位置に、ｐコンタクトホール２２ｐを形成する。絶縁膜２２は、たとえばＣＦ_４系ガスを用いたドライエッチングにより除去することができる。

図３Ｃに示すように、導電層２３を形成する。具体的には、たとえば電子ビーム蒸着法により、Ｔｉ（膜厚６０００Å）／Ｐｔ（膜厚５０００Å）／Ａｕ（膜厚５０００Å）の金属多層膜を成膜する。続いて、たとえば抵抗加熱蒸着法により、膜厚１μｍのＡｕＳｎ（Ｓｎ：２０ｗｔ％）を堆積する。

その後、導電層２３を、相互に離間する複数の領域２３ａ〜２３ｃにパターニングする。導電領域２３ａ，２３ｃが支持基板１０側のｎ配線電極（ｎチャネル層）に対応し、導電領域２３ｂがｐチャネル層２１に接続するｐコンタクト部に対応する。ｐコンタクト部は、支持基板１０側のｐ配線電極の一部とみなすことができる。

ｐチャネル層２１，絶縁膜２２および導電層２３（ｎチャネル層およびｐコンタクト部）は、電極層２０（図１Ａ）の一部を構成する。以上により、電極層２０の一部が形成される支持基板１０が準備される。

図４Ａ〜図４Ｈは、光半導体積層３０を形成し、光半導体積層３０上に電極層２０（図１Ａ参照）の一部を形成する様子を示す断面図である。

図４Ａに示すように、成長基板１２上に、ＧａＮ系半導体材料を含む光半導体積層３０を形成する。

具体的には、成長基板１２として、サファイア基板を準備する。成長基板１２は、ＧａＮのエピタキシャル成長が可能な格子定数を有する単結晶基板であり、後工程においてレーザーリフトオフによる基板剥離を可能にするよう、ＧａＮの吸収端波長である３６２ｎｍの光に対して透明なものから選択される。サファイア以外に、スピネル、ＳｉＣ、ＺｎＯ等を用いることができる。

成長基板１２を、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）装置に投入し、成長基板１２上に、ＧａＮバッファ層及びアンドープのＧａＮ層を成長する。続いて、Ｓｉ等をドープした膜厚５μｍ程度のｎ型ＧａＮ層を成長する。続いて、ｎ型ＧａＮ層上に、発光層（活性層）を成長する。発光層として、例えば、ＩｎＧａＮ層を井戸層、ＧａＮ層を障壁層とした多重量子井戸構造を形成することができる。続いて、発光層上に、Ｍｇ等をドープした膜厚０．５μｍ程度のｐ型ＧａＮ層を成長する。

以上により、光半導体積層３０が形成される。

次に、光半導体積層３０（ｐ型ＧａＮ層）上に、コンタクト電極として透明導電膜２４を形成する。具体的には、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法などにより、膜厚１６ｎｍのインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層を堆積し、リフトオフ法により所望の平面形状にパターニングする。透明導電膜２４には、ＩＴＯのほかに、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いることもできる。

図４Ｂに示すように、光半導体積層３０において、各発光領域Ａｌ（図１Ａ）の端部に対応する領域に保護膜２５を形成する。保護膜２５は、たとえば膜厚３１６ｎｍのＳｉＯ_２により形成される。

図４Ｃに示すように、透明導電膜２４上に、光反射性を有するｐ側電極層２６ａを形成する。具体的には、電子ビーム蒸着法により、Ｎｉ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｐｄ等を添加した、膜厚３００ｎｍのＡｇ層を堆積し、リフトオフ法により、透明導電膜２４上に当該Ａｇ層を残す。残されたＡｇ層が、ｐ側電極層２６ａに対応する。ｐ側電極層２６ａは、反射電極として機能させるため、Ａｇ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｐｄ及びこれらの合金を用いることが好ましい。

次に、ｐ側電極層２６ａを覆うキャップ層２６ｂを形成する。キャップ層２６ｂには、高い光反射性およびマイグレーション耐性を備え、また、ｐ側電極層２６ａのマイグレーションを抑制することができる材料、たとえばＡｇ，Ｒｈ，Ａｌ等を含む合金を用いる。成膜方法としては、電子ビーム蒸着やスパッタ法など、既存の成膜手法およびそれらを組み合わせて用いることができる。パターニングには、リフトオフ法を用いることが望ましい。

図４Ｄに示すように、光半導体積層３０の一部に、ｐ型ＧａＮ層および発光層を貫通し、ｎ型ＧａＮ層を露出するビア３０ｖを形成する。光半導体積層３０の一部は、たとえば、Ｃｌ_２プラズマを用いたドライエッチングにより除去することができる。ビア３０ｖの深さ（エッチング深さ）は、たとえば１μｍ程度である。

図４Ｅに示すように、ＳｉＯ_２からなる層間絶縁層２７を成膜する。電気的絶縁性と密着性・強度を確保するために、層間絶縁層２７の膜厚は、１０００Å〜６０００Å程度であることが好ましい。絶縁層２７は、Ｓｉ_３Ｎ_４など、ほかの絶縁部材により構成されていてもよい。

図４Ｆに示すように、層間絶縁層２７の、キャップ層２６ｂが形成された位置に、ｐコンタクトホール２７ｐを形成する。絶縁層２７は、たとえばＣＦ_４系ガスを用いたドライエッチングにより除去することができる。同様に、層間絶縁層２７の、ビア３０ｖの底に対応する位置に、ｎコンタクトホール２７ｎを形成する。

図４Ｇに示すように、ｎコンタクトホール２７ｎを通って、ｎ型ＧａＮ層に接続するｎ側電極層２８を形成する。ｎ側電極層２８は、たとえば、光半導体積層３０側から、Ｔｉ（膜厚１０Å）／Ａｇ（膜厚１２００Å）／Ｔｉ（膜厚１００Å）／Ｐｔ（膜厚５００Å）／Ａｕ（膜厚５０００Å）が積層された金属多層膜からなる。

図４Ｈに示すように、導電層２９を形成する。たとえば電子ビーム蒸着法により、Ｔｉ（膜厚５００Å）／Ｐｔ（膜厚１０００Å）／Ａｕ（膜厚１３０００Å）の金属多層膜を成膜する。その後、リフトオフ法などにより、金属多層膜（導電層２９）を、相互に離間する複数の領域２９ａ〜２９ｃにパターニングする。導電領域２９ａ，２９ｃがｎ側電極層２８と電気的に接続し、導電領域２９ｂがｐ側電極層２６ａと電気的に接続する。導電層２９は、ｎ側電極層２８のマイグレーションを抑制する。

透明導電膜２４，ｐ側電極層２６ａ，キャップ層２６ｂおよび導電層２９の領域２９ｂは、光半導体積層３０のｐ側電極（アノード電極）とみなすことができる。また、ｎ側電極層２８および導電層２９の領域２９ａ，２９ｃは、光半導体積層３０のｎ側電極（カソード電極）とみなすことができる。透明導電膜２４から導電層２９までの積層構造体は、電極層２０（図１Ａ）の一部を構成する。

図５Ａ〜図５Ｄは、主に、支持基板および光半導体積層を貼り合せ、成長基板を光半導体積層から剥離する様子を示す断面図である。

図５Ａに示すように、支持基板１０と光半導体積層３０とを、導電層２３，２９が対向するように配置する。このとき、導電層２３，２９は、ｐチャネル層２１に接続する領域２３ｂの位置と、ｐ側電極層２６ａに接続する領域２９ｂの位置と、が一致するように配置される。

図５Ｂに示すように、支持基板１０と光半導体積層３０とを貼り合せて、３ＭＰａで加圧しながら３００℃に加熱した状態で１０分間保持する。続いて、室温まで冷却して、導電層２３，２９を融着接合する。支持基板１０側のｐチャネル層２１から光半導体積層３０側の透明導電膜２４までの積層構造体は、電極層２０を構成する。

次に、レーザーリフトオフによる成長基板１２の剥離を行う。例えばＵＶエキシマレーザ光をサファイア基板１２の裏面側から照射し、光半導体積層３０の一部（バッファ層）を加熱分解する。なお、成長基板１０の剥離あるいは除去は、エッチング等の他の手法を用いてもよい。

以降、光半導体積層３０から支持基板１０までの積層構造体を、上下反転して示す。

図５Ｃに示すように、レーザーリフトオフにより、成長基板が除去され、光半導体積層３０（ｎ型ＧａＮ層）が露出する。レーザーリフトオフにより発生したＧａを熱水などで除去し、その後塩酸で表面を処理する。この表面処理は、窒化物半導体をエッチングできるものであればよく、リン酸、硫酸、ＫＯＨ、ＮａＯＨなどの酸やアルカリなどの薬剤も用いることができる。また、表面処理はＡｒプラズマや塩素系プラズマを用いたドライエッチングや、研磨などで行ってもよい。さらに、ｎ型ＧａＮ層の表面に、ＲＩＥ等のドライエッチング装置を用いたＣｌ、Ａｒ処理またはＣＭＰ研磨装置を用いた平滑化処理を行い、レーザー痕やレーザーダメージ層を除去する。

図５Ｄに示すように、発光領域Ａｌに対応するフォトレジストマスクを用いて、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、光半導体積層３０を複数の発光領域Ａｌに分割する。発光領域Ａｌの平面形状は、たとえば３００μｍ×４５０μｍの矩形状である。また、発光領域Ａｌの間隔は、８５μｍ程度である。

その後、光半導体積層３０の表面（ｎ型ＧａＮ層）を、例えばＫＯＨ溶液等のアルカリ溶液に浸し、光半導体積層３０（ｎ型ＧａＮ層）の表面に結晶構造由来の凹凸構造（マイクロコーン）を形成する。これにより、光半導体積層３０の光取り出し効率が向上する。

その後、支持基板１０の裏面側を研削・研磨し、支持基板１０を薄片化する。さらに、ダイシングやレーザースクライブなどにより、支持基板１０を分割して、個々の半導体発光素子を切り出す。

図６Ａおよび図６Ｂは、光半導体積層上に、波長変換層を形成する様子を示す断面図である。個々に切り出された半導体発光素子は、たとえば、多層配線基板などに載置（マウント）される。

図６Ａに示すように、光半導体積層３０の平面サイズよりも大きい波長変換フィルム５０、具体的には、７３５μｍ×３７００μｍの平面サイズである波長変換フィルム５０を、光半導体積層３０上に配置する。波長変換フィルム５０の周縁部は、光半導体積層３０から、たとえば、２０μｍ〜４０μｍ程度はみ出している。その後、波長変換フィルム５０を、１２０分間、１５０℃で加熱して、光半導体積層３０に固着させる。

図６Ｂに示すように、波長変換層５０は、加熱により軟化し、その周縁部は、自重により垂れ下がって、電極層２０に接する。電極層２０と、光半導体積層３０と、波長変換層５０（特に周縁部分５０ｂ）と、により、空洞が画定される。電極層２０表面において、波長変換層５０（特に周縁部分５０ｂ，図１Ａおよび図２Ｂ参照）は、光半導体積層３０と、たとえば１５μｍ以上離れている。

また、加熱により、波長変換フィルム５０を構成する樹脂は、発光領域Ａｌの間隙に入り込む。これにより、波長変換フィルム５０は、光半導体積層３０から剥離し難くなる。

以上により、実施例によるＬＥＤ装置１００が完成する。

以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。

１０…支持基板、１１…絶縁膜、１２…成長基板、２０…電極層、２１…透明導電膜、２２…絶縁膜、２３…導電層、２４…透明導電膜、２５…絶縁層、２６…ｐ側電極層、２７…層間絶縁膜、２８…ｎ側電極層、２９…導電層、３０…光半導体積層、４０…半導体発光素子、５０…波長変換層、１００…半導体発光装置。

Claims (5)

1. 支持基板と、
   前記支持基板上に載置され、導電部材を含む電極層、および、該電極層上に配置され、発光性を有する光半導体積層、を含む発光素子と、
   前記半導体発光素子の光半導体積層を覆う波長変換層であって、該光半導体積層の直上に位置する第１の部分と、該光半導体積層からはみ出し、該半導体積層の側部に接触せずに垂れ下がる第２の部分と、を有し、該第２の部分の厚みが該第１の部分の厚みの±１５％の範囲内に収まる波長変換層と、
   を備える半導体発光装置。
2. 前記電極層は、平面視において、前記光半導体積層を包含するように設けられており、
   前記波長変換層の第２の部分は、前記電極層に接触している、請求項１記載の半導体発光装置。
3. 前記波長変換層の側面および前記光半導体積層に接触している面により構成される辺部は、前記電極層に接触し、前記波長変換層の側面および前記光半導体積層に接触している面とは反対側の面により構成される辺部は、前記電極層には接触しない、請求項２記載の半導体発光装置。
4. 前記電極層の表面において、前記光半導体積層と前記波長変換層とは、１５μｍ以上離れている請求項１〜３いずれか１項記載の半導体発光装置。
5. 前記波長変換層は、樹脂部材と、該樹脂部材中に分散する蛍光体粒子と、を含み、
   前記光半導体積層は、複数の発光領域に分割されており、該発光領域の間隙には、前記波長変換層を構成する樹脂部材が入り込んでいる、請求項１〜４いずれか１記載の半導体発光装置。
   

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