JP2011054755A - インプリント方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置 - Google Patents

インプリント方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011054755A
JP2011054755A JP2009202243A JP2009202243A JP2011054755A JP 2011054755 A JP2011054755 A JP 2011054755A JP 2009202243 A JP2009202243 A JP 2009202243A JP 2009202243 A JP2009202243 A JP 2009202243A JP 2011054755 A JP2011054755 A JP 2011054755A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
template
coating liquid
substrate
wafer
distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009202243A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5296641B2 (ja
Inventor
Kokichi Hiroshiro
幸吉 広城
Takanori Nishi
孝典 西
Shoichi Terada
正一 寺田
Takahiro Kitano
高広 北野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2009202243A priority Critical patent/JP5296641B2/ja
Priority to US13/393,250 priority patent/US8468943B2/en
Priority to KR1020127005392A priority patent/KR101357506B1/ko
Priority to PCT/JP2010/064376 priority patent/WO2011027698A1/ja
Publication of JP2011054755A publication Critical patent/JP2011054755A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5296641B2 publication Critical patent/JP5296641B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
    • B29C37/0053—Moulding articles characterised by the shape of the surface, e.g. ribs, high polish
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • B29C2043/023—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves
    • B29C2043/025—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves forming a microstructure, i.e. fine patterning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/34—Feeding the material to the mould or the compression means
    • B29C2043/3488—Feeding the material to the mould or the compression means uniformly distributed into the mould
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/20—Opening, closing or clamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
    • B29K2105/0002—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped monomers or prepolymers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】テンプレートと基板との間において、気泡を発生させずに塗布液を適切に塗布する。
【解決手段】テンプレートＴをウェハＷ側に下降させて所定の位置に配置する（図６（ａ））。第１の距離Ｈ１は、第１の端部Ｅ１とウェハＷとの間にレジスト液の毛細管現象を発生させる距離である。第２の距離Ｈ２は、第２の端部Ｅ２とウェハＷとの間にレジスト液の毛細管現象を発生させない距離である。その後、第１の端部Ｅ１の外側からレジスト液Ｒを供給する（図６（ｂ））。このとき、レジスト液Ｒは、毛細管現象によってテンプレートＴの内側を第１の端部Ｅ１に沿って拡散する。その後、第２の距離Ｈ２を第１の距離Ｈ１に等しくするように、第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させる（図６（ｃ））。このとき、レジスト液Ｒは、毛細管現象によって第２の端部Ｅ２側に拡散し、テンプレートＴとウェハＷとの間に塗布される。
【選択図】図６

Description

本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置に関する。
例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所定のレジストパターンを形成する。このレジストパターンを形成する際には、近年のレジストパターンの微細化要求に応えるため、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いることが提案されている。
インプリント方法では、表面に微細なパターンを有するテンプレート（モールドや型と呼ばれることもある。）が用いられる。そして、例えばウェハ上にレジスト液を塗布した後、テンプレートをウェハ上のレジスト表面に押し当て、レジスト表面に直接パターンの転写を行う。
このようなパターンの転写は、通常、一のウェハに対して複数回行われる。すなわち、一のウェハにおいてテンプレートを複数回レジスト表面に押し当てている。そこで、かかるパターンの転写を連続して行う方法が提案されている。この方法では、先ず、テンプレートをウェハに対して傾斜させて配置する。続いて、テンプレートを移動させながら、テンプレートとウェハとの間にレジスト液を連続して供給する。その後、テンプレートが所定の目標位置に到達すると、テンプレートをウェハ側に回転させて、当該テンプレートをレジスト表面に押し当てる。そして、このようなテンプレートの移動とレジスト液の供給、及びテンプレートのレジスト表面への押し当てを繰り返し行い、一のウェハにパターンの転写が連続して行われる（特許文献１）。
特開２００９−４３９９８号公報
しかしながら、上述したインプリント方法では、ウェハ上のレジスト表面にテンプレートを押し当てる際、テンプレートとレジストとの間の雰囲気が外部に流出しきらず、当該テンプレートとレジストとの間に気泡が残留してしまう。このように気泡が残留すると、ウェハ上に形成されるレジストパターンに欠陥が生じる。
そこで、レジストパターンの欠陥を抑制するため、高圧雰囲気下でテンプレートをレジスト表面に押し当てる処理を行い、気泡をレジストに溶解させることが考えられる。また、この処理雰囲気をＨｅガスに置換して、気泡をレジストに溶解させ易くすることも考えられる。さらには、気泡自体を発生させないようにするため、処理雰囲気を真空状態にすることも考えられる。
しかしながら、高圧雰囲気下やＨｅガス雰囲気下で処理を行った場合、気泡がレジストに溶解するのに時間がかかる。特に、Ｈｅガス雰囲気下で処理を行う場合には、雰囲気をＨｅガスに置換するのに時間がかかる。このため、ウェハ処理のスループットが低下してしまう。また、処理雰囲気を真空状態にする場合、専用の容器やポンプなどが必要で設備が大掛かりになる上、真空状態の形成は時間がかかり至難である。したがって、現状、テンプレートとレジストとの間の気泡を無くすことは困難な状況にある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレートと基板との間において、気泡を発生させずに塗布液を適切に塗布することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント方法であって、前記テンプレートの表面を基板に対向させ、かつ前記テンプレートの第１の端部と基板との間の第１の距離が、前記テンプレートと基板との間に前記塗布液の毛細管現象を発生させる距離であって、前記テンプレートにおいて第１の端部に対向する第２の端部と基板との間の第２の距離が、前記塗布液の毛細管現象を発生させない距離となるように、前記テンプレートを基板に対して傾斜させて配置する配置工程と、その後、前記第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液を供給する供給工程と、その後、前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように、前記第２の端部と基板を相対的に移動させる移動工程と、を有することを特徴としている。
本発明によれば、先ず、配置工程において上述のようにテンプレートを配置した後、供給工程においてテンプレートの第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液が供給される。そうすると、供給された塗布液は、第１の端部側で毛細管現象によって拡散する。その後、移動工程において前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように前記第２の端部と基板を相対的に移動させるので、第１の端部側で拡散した塗布液は、毛細管現象によって第２の端部側に向かって拡散する。このように塗布液は、テンプレートと基板との間を連続して拡散するので、当該テンプレートと基板との間の雰囲気を外部に追い出すことができる。したがって、テンプレートと基板との間において、気泡を発生させずに塗布液を適切に塗布することができる。
また、本発明によれば、上述したように処理雰囲気を高圧雰囲気やＨｅガス雰囲気にしたり、あるいは真空状態にする必要がないので、基板処理のスループットが低下することがない。さらに、本発明は、処理雰囲気の状態を変更するための設備が不要であり、また高価なＨｅガスを用いる必要もないので、基板処理のコストを抑えることもできる。
前記移動工程において、前記第２の端部を基板側に移動させてもよい。
前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、前記供給工程において、前記第１の端部の一点に前記塗布液を供給してもよい。
また、前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、前記供給工程において、前記第１の端部に沿って前記塗布液を連続して供給してもよい。
前記移動工程において、前記供給工程における塗布液の供給を引き続き断続的に行ってもよい。
前記移動工程における前記塗布液の状態を検査し、この検査結果に基づいて、少なくとも前記配置工程における前記テンプレートの配置又は前記移動工程における前記第２の端部と基板の相対移動を制御してもよい。なお、塗布液の状態とは、例えば塗布液がテンプレートと基板との間を拡散する様子をいう。
別な観点による本発明によれば、前記インプリント方法をインプリント装置によって実行させるために、当該インプリント装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
さらに別な観点による本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント装置であって、前記テンプレートを保持するテンプレート保持部と、前記テンプレート保持部に保持されたテンプレートと基板を相対的に移動させる移動機構と、前記塗布液を供給する塗布液供給部と、前記テンプレートの表面を基板に対向させ、かつ前記テンプレートの第１の端部と基板との間の第１の距離が、前記テンプレートと基板との間に前記塗布液の毛細管現象を発生させる距離であって、前記テンプレートにおいて第１の端部に対向する第２の端部と基板との間の第２の距離が、前記塗布液の毛細管現象を発生させない距離となるように、前記テンプレートを基板に対して傾斜させて配置する配置工程を実行すべく前記移動機構を制御し、その後、前記第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液を供給する供給工程を実行すべく前記塗布液供給部を制御し、その後、前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように、前記第２の端部と基板を相対的に移動させる移動工程を実行すべく前記移動機構を制御する制御部と、を有することを特徴としている。
前記制御部は、前記移動工程において前記第２の端部を基板側に移動させるように前記移動機構を制御してもよい。
前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、前記制御部は、前記供給工程において前記第１の端部の一点に前記塗布液を供給するように前記塗布液供給部を制御してもよい。
また、前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、前記制御部は、前記供給工程において前記第１の端部に沿って前記塗布液を連続して供給するように前記塗布液供給部を制御してもよい。
前記制御部は、前記移動工程において、前記供給工程における塗布液の供給を引き続き断続的に行うように前記塗布液供給部を制御してもよい。
前記移動工程における前記塗布液の状態を検査する検査部をさらに有し、前記制御部は、前記検査部での検査結果に基づいて、少なくとも前記配置工程における前記テンプレートの配置又は前記移動工程における前記第２の端部と基板の相対移動を調整するように前記移動機構を制御してもよい。なお、塗布液の状態とは、例えば塗布液がテンプレートと基板との間を拡散する様子をいう。
本発明によれば、テンプレートと基板との間において、気泡を発生させずに塗布液を適切に塗布することができる。
本実施の形態にかかるインプリント装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施の形態にかかるインプリント装置の構成の概略を示す横断面図である。 テンプレートの斜視図である。 テンプレートの側面図である。 インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。 インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートを所定の位置に配置した様子を示し、（ｂ）はテンプレートの第１の端部にレジスト液を供給する様子を示し、（ｃ）はテンプレートの第２の端部をウェハ側に移動させる様子を示し、（ｄ）はレジスト液に光を照射する様子を示し、（ｅ）はテンプレートを上昇させる様子を示している。 インプリント処理の各工程におけるレジスト液の状態を示した説明図であり、（ａ）はレジスト液がテンプレートの第１の端部に沿って拡散する様子を示し、（ｂ）はレジスト液がテンプレートの第２の端部に向かって拡散する様子を示し、（ｃ）はレジスト液がテンプレートとウェハとの間に拡散した様子を示す。 他の実施の形態にかかるインプリント方法を用いた場合に、レジスト液がテンプレートの第１の端部に沿って拡散する様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかるインプリント方法を用いた場合に、レジスト液がテンプレートの第１の端部に沿って拡散する様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかるインプリント装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかるインプリント装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかるインプリント装置の構成の概略を示す縦断面図である。 インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートを所定の位置に配置した様子を示し、（ｂ）はテンプレートの第１の端部にレジスト液を供給する様子を示し、（ｃ）はテンプレートの第２の端部をウェハ側に移動させる様子を示し、（ｄ）はレジスト液に光を照射する様子を示し、（ｅ）はテンプレートを下降させる様子を示している。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるインプリント装置１の構成の概略を示す縦断面図である。図２は、インプリント装置１の構成の概略を示す横断面図である。なお、図１及び図２に示すテンプレートＴとウェハＷの大きさの比は、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の大きさの比に対応していない。
本実施の形態のインプリント装置１では、図３に示すように平面視において四角形状を有し、表面に所定の転写パターンＣが形成されたテンプレートＴが用いられる。以下、転写パターンＣが形成されているテンプレートＴの面を表面Ｔ１といい、当該表面Ｔ１と反対側の面を裏面Ｔ２という。テンプレートＴの表面Ｔ１には、図４に示すように転写パターンＣの形状に沿った離型剤Ｓが成膜されている。なお、テンプレートＴには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。また、離型剤Ｓの材料には、後述するウェハ上のレジスト液に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等が用いられる。
インプリント装置１は、図１に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）とウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング１０を有している。
ケーシング１０内の底面には、ウェハＷが載置されて保持されるウェハ保持部２０が設けられている。ウェハＷは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部２０の上面に載置される。ウェハ保持部２０内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン２１が設けられている。昇降ピン２１は、昇降駆動部２２により上下動できる。ウェハ保持部２０の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔２３が形成されおり、昇降ピン２１は、貫通孔２３を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部２０は、当該ウェハ保持部２０の下方に設けられたウェハ移動機構２４により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。
図２に示すようにウェハ保持部２０のＸ方向負方向（図２の下方向）側には、Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って延伸するレール３０が設けられている。レール３０は、例えばウェハ保持部２０のＹ方向負方向（図２の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２の右方向）側の外方まで形成されている。レール３０には、アーム３１が取り付けられている。
アーム３１には、ウェハＷ上に塗布液としてのレジスト液を供給する、塗布液供給部としてのレジスト液ノズル３２が支持されている。レジスト液ノズル３２は、その下端部にレジスト液を供給する供給口３２ａを有し、供給口３２ａの向きを変更自在に構成されている。本実施の形態では、レジスト液ノズル３２は、その供給口３２ａが斜め下方に向くように配置されている。また、レジスト液ノズル３２は、例えばディスペンサ用のノズルであり、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。
アーム３１は、ノズル駆動部３３により、レール３０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル３２は、例えばウェハ保持部２０のＹ方向負方向側の外方に設置された待機部３４からウェハ保持部２０上のウェハＷの上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム３１は、ノズル駆動部３３によって昇降自在であり、レジスト液ノズル３２の高さを調整できる。
ケーシング１０内の天井面であって、ウェハ保持部２０の上方には、図１に示すようにテンプレートＴを保持するテンプレート保持部４０が設けられている。すなわち、ウェハ保持部２０とテンプレート保持部４０は、ウェハ保持部２０に載置されたウェハＷと、テンプレート保持部４０に保持されたテンプレートＴが対向するように配置されている。
テンプレート保持部４０は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部を吸着保持するチャック４１を有している。チャック４１は、当該チャック４１の上方に設けられたテンプレート移動機構４２に支持されている。このテンプレート移動機構４２によって、チャック４１は、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。
テンプレート移動機構４２は、ピエゾ機構４３、ボールネジ４４、マイクロメータ４５、及び回転機構４６を有している。ピエゾ機構４３、ボールネジ４４、及びマイクロメータ４５は、チャック４１上に下方からこの順で設けられている。また、ピエゾ機構４３、ボールネジ４４、及びマイクロメータ４５は、図２に示すようにチャック４１の四角に設けられている。各ボールネジ４４はテンプレートＴの鉛直方向の位置を大凡に調整し、各ピエゾ機構４３は当該テンプレートＴの鉛直方向の位置の微調整を行う。また、各マイクロメータ４５は、テンプレートＴの鉛直方向の位置を測定し管理する。かかるテンプレート移動機構４２によって、テンプレートＴは、四角の鉛直方向位置を独立して調整され、ウェハ保持部２０上のウェハＷに対して昇降できる。
回転機構４６は、図１に示すようにマイクロメータ４５の上方に設けられている。この回転機構４６によって、テンプレートＴはウェハ保持部２０上のウェハＷに対して所定の向きに回転できる。
テンプレート保持部４０は、チャック４１に保持されたテンプレートＴの上方に設けられた光源４７を有している。光源４７からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源４７からの光は、テンプレートＴを透過して下方に照射される。
以上のインプリント装置１には、図１に示すように制御部５０が設けられている。制御部５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、例えばウェハ移動機構２４、テンプレート移動機構４２、ノズル駆動部３３等の駆動系の動作や、レジスト液ノズル３２によるレジスト液の供給動作などを制御して、インプリント装置１における後述するインプリント処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部５０にインストールされたものであってもよい。
本実施の形態にかかるインプリント装置１は以上のように構成されている。次に、そのインプリント装置１で行われるインプリント処理について説明する。図５は、インプリント処理の主な工程の処理フローを示している。また、図６はインプリント処理の各工程におけるテンプレートＴとウェハＷの状態を示し、図７はテンプレートＴとウェハＷとの間のレジスト液の状態を示している。
先ず、インプリント装置１内にテンプレートＴとウェハＷが搬入される。インプリント装置１に搬入されたテンプレートＴは、その表面Ｔ１が下方を向いた状態でテンプレート保持部４０のチャック４１に吸着保持される。また、インプリント装置１に搬入されたウェハＷは、その被処理面が上方を向いた状態で昇降ピン２１に受け渡され、ウェハ保持部２０上に載置され保持される。
次に、ウェハ移動機構２４によって、ウェハ保持部２０に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行う。また、テンプレート移動機構４２によって、テンプレート保持部４０に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させる。こうして、テンプレートＴの表面Ｔ１とウェハＷの被処理面が対向して配置される。
続いて、テンプレート移動機構４２によって、図６（ａ）に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に下降させて所定の位置に配置する（図５の工程Ｓ１）。このとき、ボールネジ４４とピエゾ機構４３によってテンプレートＴの四角の鉛直方向位置が調整され、テンプレートＴはウェハＷに対して所定の傾斜角度θ、例えば５度〜１０度で傾斜されて配置される。また、テンプレートＴの第１の端部Ｅ１とウェハＷとの間の第１の距離Ｈ１は、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍである。この第１の距離Ｈ１は、テンプレートＴの第１の端部Ｅ１とウェハＷとの間にレジスト液の毛細管現象を発生させる距離である。さらに、テンプレートＴにおいて第１の端部Ｅ１と対向する第２の端部Ｅ２とウェハＷとの間の第２の距離Ｈ２は、例えば３ｍｍ〜５ｍｍである。この第２の距離Ｈ２は、テンプレートＴの第２の端部Ｅ２とウェハＷとの間にレジスト液の毛細管現象を発生させない距離である。
その後、図６（ｂ）に示すようにレジスト液ノズル３２をテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の外側に移動させる。続いて、レジスト液ノズル３２から所定量、例えば１００ｍｌのレジスト液ＲがテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の外側に供給される（図５の工程Ｓ２）。このとき、レジスト液Ｒは、図７（ａ）に示すようにテンプレートＴの一角に供給される。なお、このレジスト液Ｒの供給量は、テンプレートＴとウェハＷとの間に所定の膜厚でレジスト液Ｒを塗布するために必要な量であって、制御部５０によって制御される。
レジスト液ノズル３２から供給されたレジスト液Ｒは、図７（ａ）に示すように毛細管現象によって、テンプレートＴとウェハＷの間に進入し、テンプレートＴの内側を第１の端部Ｅ１に沿ってＸ方向正方向（図７（ａ）の上方向）に拡散する。このとき、テンプレートＴはウェハＷに対して傾斜して配置されているため、レジスト液Ｒは第２の端部Ｅ２側には拡散しない。
その後、テンプレート移動機構４２によって、図６（ｃ）に示すようにテンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させる（図５の工程Ｓ３）。そうすると、レジスト液Ｒは、図７（ｂ）に示すようにテンプレートＴの第２の端部Ｅ２に向かって拡散する。これは、テンプレートＴとウェハＷとの間の距離がＹ方向正方向（図７（ｂ）の右方向）に順次小さくなるにつれ、当該テンプレートＴとウェハＷとの間にレジスト液Ｒの毛細管現象が発生するためである。したがって、レジスト液Ｒは、その先端部が第１の端部Ｅ１及び第２の端部Ｅ２と平行になるように拡散する。
そして、図６（ｃ）に示すように上述した第２の距離Ｈ２が第１の距離Ｈ１と等しくなるまで、すなわちテンプレートＴとウェハＷが平行になるまで、テンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させる。そうすると、図７（ｃ）に示すようにテンプレートＴとウェハＷとの間に全面にレジスト液Ｒが拡散する。このようにレジスト液Ｒは、テンプレートＴとウェハＷの間を連続して拡散するので、当該テンプレートＴとウェハＷの間の雰囲気を外部に追い出すことができる。
次に、図６（ｄ）に示すように光源４７からウェハＷ上のレジスト液Ｒに対して光が照射される。光源４７からの光は、テンプレートＴを透過してウェハＷ上のレジスト液Ｒに照射される。これによって、レジスト液Ｒは硬化し光重合する。このようにして、このようにしてウェハＷ上のレジスト液ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される（図５の工程Ｓ４）。
その後、図６（ｅ）に示すようにテンプレートＴを上昇させる。このとき、テンプレートＴの表面Ｔ１には離型剤Ｓが塗布されているので、ウェハＷ上のレジストがテンプレートＴの表面Ｔ１に付着することはない。なお、ウェハＷ上に形成されたレジストパターンＰの凹部には、薄いレジストの残存膜が残る場合があるが、例えばインプリント装置１の外部において当該残存膜を除去してもよい。
こうして、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成され、一連のインプリント処理が終了する。
以上の実施の形態によれば、先ず、工程Ｓ１において第１の距離Ｈ１がレジスト液Ｒの毛細管現象を発生させる距離であって、第２の距離Ｈ２がレジスト液Ｒの毛細管現象を発生させない距離となるように、テンプレートＴをウェハＷに対して傾斜して配置している。これによって、その後工程Ｓ２においてテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の外側から供給されたレジスト液Ｒは、毛細管現象によって第１の端部Ｅ１に沿って拡散する。その後、工程Ｓ３においてテンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させるので、レジスト液Ｒは毛細管現象によって第２の端部Ｅ２側に向かって拡散する。このようにレジスト液Ｒは、テンプレートＴとウェハＷとの間を連続して拡散するので、当該テンプレートＴとウェハＷとの間の雰囲気を外部に追い出すことができる。したがって、テンプレートＴとウェハＷとの間において、気泡を発生させずにレジスト液Ｒを適切に塗布することができる。
なお、以上の実施の形態では、工程Ｓ２においてテンプレートＴの一角にレジスト液Ｒを供給したが、テンプレートＴの第１の端部Ｅ１の他の一点にレジスト液Ｒを供給してもよい。例えば図８に示すように第１の端部Ｅ１の中央部にレジスト液Ｒを供給してもよい。かかる場合、第１の端部Ｅ１の外側に供給されたレジスト液Ｒは、テンプレートＴとウェハＷの間に進入し、テンプレートＴの内側を第１の端部Ｅ１に沿ってＸ方向正方向（図８の上方向）及びＸ方向負方向（図８の下方向）に拡散する。なお、本実施の形態においてインプリント処理のその他の工程は、前記実施の形態の工程Ｓ１、工程Ｓ３及び工程Ｓ４と同様であるので、説明を省略する。
また、以上の実施の形態では、工程Ｓ２においてテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の一点にレジスト液Ｒを供給したが、例えば図９に示すように第１の端部Ｅ１に沿ってレジスト液Ｒを連続して供給してもよい。かかる場合、例えばレジスト液ノズル３２を第１の端部Ｅ１に沿ってＸ方向正方向（図９の上方向）に移動させながら、第１の端部Ｅ１の外側にレジスト液Ｒが供給される。そして、供給されたレジスト液ＲはテンプレートＴの内側に進入し、第１の端部Ｅ１側にレジスト液Ｒが拡散する。なお、本実施の形態においてインプリント処理のその他の工程は、前記実施の形態の工程Ｓ１、工程Ｓ３及び工程Ｓ４と同様であるので、説明を省略する。
以上の実施の形態の工程Ｓ２におけるレジスト液Ｒの供給は、工程Ｓ３においても引き続き断続的に行われてもよい。かかる場合、工程Ｓ２でのレジスト液Ｒの供給量と工程Ｓ３でのレジスト液Ｒの供給量の合計が上述した所定量になるように、レジスト液ノズル３２からレジスト液Ｒが供給される。この場合でも、先に図７（ａ）〜図７（ｃ）に示したようにレジスト液Ｒは、工程Ｓ２においてレジスト液ＲはテンプレートＴの第１の端部Ｅ１に沿って拡散した後、工程Ｓ３において第２の端部Ｅ２側に向かって拡散する。
以上の実施の形態のインプリント装置１は、図１０に示すようにレジスト液Ｒの状態、すなわちレジスト液ＲがテンプレートＴとウェハＷとの間を拡散する様子を検査する検査部６０をさらに有していてもよい。検査部６０は、チャック４１に保持されたテンプレートＴの上方に設けられており、例えば光源４７に隣接して配置されている。検査部６０には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。そして、テンプレートＴが透明材料であるため、検査部６０はテンプレートＴとウェハＷとの間おレジスト液Ｒの拡がり方を検査することができる。また、検査部６０は制御部５０に接続されている。なお、インプリント装置１のその他の構成は、前記実施の形態のインプリント装置１の構成と同一であるので説明を省略する。また、本実施の形態のインプリント装置１で行われるインプリント処理も、前記実施の形態の工程Ｓ１〜工程Ｓ４と同様である。
かかる場合、図７（ｂ）に示したように、工程Ｓ３においてレジスト液ＲがテンプレートＴの第２の端部Ｅ２側に拡散する際に、検査部６０が当該レジスト液Ｒの拡がり方を検査する。この検査結果は、制御部５０に出力される。制御部５０では、検査結果に基づいて、レジスト液Ｒが適切に拡散しているか否か、例えばレジスト液Ｒが第１の端部Ｅ１及び第２の端部Ｅ２と平行に拡散しているか否かを確認する。そして、レジスト液Ｒが適切に拡散していない場合には、テンプレート移動機構４２のピエゾ機構４３やボールネジ４４をフィードバック制御する。具体的には、工程Ｓ１におけるテンプレートＴの配置、例えばテンプレートＴの水平方向のバランスや、工程Ｓ３におけるテンプレートＴの移動、例えば移動速度をなど調整する。このようにテンプレート移動機構４２をフィードバック制御できるので、後続のインプリント処理を適切に行うことができる。
また、この検査部６０よって、工程Ｓ３でレジスト液ＲがテンプレートＴとウェハＷとの間に全面に拡散したことを検査することができる。そして、レジスト液Ｒが全面に拡散すると、制御部５０は工程Ｓ３を終了するようにテンプレート移動機構４２を制御することができる。
以上の実施の形態では、テンプレート保持部４０のチャック４１がテンプレートＴを吸着保持していたが、チャック４１に代えて、図１１に示すようにクランプ７０を設けてもよい。クランプ７０は、テンプレートＴの外周側面を機械的に保持することができる。また、テンプレートＴとテンプレート保持部４０をねじ止めして、テンプレート保持部４０がテンプレートＴを保持するようにしてもよい。
以上の実施の形態では、インプリント装置１において、テンプレート保持部４０はウェハ保持部２０の上方に設けられていたが、テンプレート保持部をウェハ保持部の下方に設けてもよい。
かかる場合、図１２に示すようにインプリント装置８０のケーシング８１の底面には、テンプレート保持部８２が設けられる。テンプレート保持部８２は、図１及び図２に示したテンプレート保持部４０と同様の構成を有し、当該テンプレート保持部４０を鉛直方向に反転させて配置したものである。したがって、テンプレートＴは、その表面Ｔ１が上方を向くようにテンプレート保持部８２に保持される。また、テンプレート保持部８２の光源４７から発せられる光は、上方に照射される。
また、ケーシング８１の天井面であって、テンプレート保持部８２の上方には、ウェハ保持部８３が設けられている。ウェハ保持部８３は、ウェハＷの被処理面が下方を向くように、当該ウェハＷの裏面を吸着保持する。ウェハ保持部８３は、当該ウェハ保持部８３の上方に設けられた移動機構８４によって水平方向に移動できるようになっている。
また、レジスト液ノズル３２は、その供給口３２ａが斜め上方を向くように配置されている。
なお、インプリント装置８０のその他の構成については、図１及び図２に示したインプリント装置１の構成と同様であるので、説明を省略する。
次に、以上のように構成されたインプリント装置８０で行われるインプリント処理について説明する。図１３は、インプリント処理の各工程におけるテンプレートＴとウェハＷの状態を示している。
先ず、テンプレートＴとウェハＷがインプリント装置８０に搬入され、テンプレート保持部８２とウェハ保持部８３にそれぞれ保持される。続いて、テンプレート保持部８２に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させて位置合わせを行うと共に、ウェハ保持部８３に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行う。
次に、テンプレート移動機構４２によって、図１３（ａ）に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に上昇させて所定の位置に配置する。このときのテンプレートＴの傾斜角度θ、第１の距離Ｈ１及び第２の距離Ｈ２は、前記実施の形態と同様であるので詳細な説明を省略する。
その後、図１３（ｂ）に示すようにレジスト液ノズル３２をテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の外側に移動させる。続いて、レジスト液ノズル３２から所定量のレジスト液ＲがテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の外側に供給される。このとき、レジスト液Ｒの供給量は少量であり、またレジスト液Ｒは相当程度の粘度を有するので、供給されたレジスト液Ｒが下方に落下することはない。そして、レジスト液Ｒは、図７（ａ）に示したように毛細管現象によって、テンプレートＴとウェハＷの間に進入し、テンプレートＴの内側を第１の端部Ｅ１に沿って拡散する。
その後、図１３（ｃ）に示すようにテンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させる。そうすると、レジスト液Ｒは、図７（ｂ）に示したように毛細管現象によって、テンプレートＴの第２の端部Ｅ２側に向かって拡散する。
そして、図１３（ｃ）に示すように上述した第２の距離Ｈ２が第１の距離Ｈ１と等しくなるまで、すなわちテンプレートＴとウェハＷが平行になるまで、テンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させる。そうすると、図７（ｃ）に示したようにテンプレートＴとウェハＷとの間に全面にレジスト液Ｒが拡散する。
次に、図１３（ｄ）に示すように光源４７からウェハＷ上のレジスト液Ｒに対して光が照射される。光源４７からの光は、テンプレートＴを透過してウェハＷ上のレジスト液Ｒに照射される。これによって、レジスト液Ｒは硬化し光重合する。このようにして、このようにしてウェハＷ上のレジスト液ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される。
その後、図１３（ｅ）に示すようにテンプレートＴを下降させる。こうして、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成され、一連のインプリント処理が終了する。
本実施の形態においても、レジスト液ＲがテンプレートＴとウェハＷとの間を連続して拡散するので、当該テンプレートＴとウェハＷとの間の雰囲気を外部に追い出すことができる。したがって、テンプレートＴとウェハＷとの間において、気泡を発生させずにレジスト液Ｒを適切に塗布することができる。このように本発明は、テンプレートＴをウェハＷに対して上方又は下方のいずれに配置した場合でも適用することができる。
なお、以上の実施の形態では、工程Ｓ３においてテンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させていたが、ウェハＷをテンプレートＴ側に移動させてもよい。かかる場合、例えばウェハ移動機構２４によってウェハＷが鉛直方向に移動するようにしてもよい。
また、以上の実施の形態で用いられるレジスト液Ｒは、脱気されたレジスト液であってもよい。この場合、脱気されたレジスト液は気泡の溶解能力が高いため、テンプレートＴとウェハＷとの間の気泡の発生をより確実に抑えることができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写する際に有用である。
１ インプリント装置
２０ ウェハ保持部
２４ ウェハ移動機構
３２ レジスト液ノズル
４０ テンプレート保持部
４２ テンプレート移動機構
５０ 制御部
６０ 検査部
Ｃ 転写パターン
Ｅ１ 第１の端部
Ｅ２ 第２の端部
Ｒ レジスト液
Ｔ テンプレート
Ｗ ウェハ

Claims (14)

  1. 表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント方法であって、
    前記テンプレートの表面を基板に対向させ、
    かつ前記テンプレートの第１の端部と基板との間の第１の距離が、前記テンプレートと基板との間に前記塗布液の毛細管現象を発生させる距離であって、
    前記テンプレートにおいて第１の端部に対向する第２の端部と基板との間の第２の距離が、前記塗布液の毛細管現象を発生させない距離となるように、
    前記テンプレートを基板に対して傾斜させて配置する配置工程と、
    その後、前記第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液を供給する供給工程と、
    その後、前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように、前記第２の端部と基板を相対的に移動させる移動工程と、を有することを特徴とする、インプリント方法。
  2. 前記移動工程において、前記第２の端部を基板側に移動させることを特徴とする、請求項１に記載のインプリント方法。
  3. 前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、
    前記供給工程において、前記第１の端部の一点に前記塗布液を供給することを特徴とする、請求項１又は２に記載のインプリント方法。
  4. 前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、
    前記供給工程において、前記第１の端部に沿って前記塗布液を連続して供給することを特徴とする、請求項１又は２に記載のインプリント方法。
  5. 前記移動工程において、前記供給工程における塗布液の供給を引き続き断続的に行うことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のインプリント方法。
  6. 前記移動工程における前記塗布液の状態を検査し、この検査結果に基づいて、少なくとも前記配置工程における前記テンプレートの配置又は前記移動工程における前記第２の端部と基板の相対移動を制御することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のインプリント方法。
  7. 請求項１〜６のいずれかに記載のインプリント方法をインプリント装置によって実行させるために、当該インプリント装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
  8. 請求項７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
  9. 表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント装置であって、
    前記テンプレートを保持するテンプレート保持部と、
    前記テンプレート保持部に保持されたテンプレートと基板を相対的に移動させる移動機構と、
    前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
    前記テンプレートの表面を基板に対向させ、かつ前記テンプレートの第１の端部と基板との間の第１の距離が、前記テンプレートと基板との間に前記塗布液の毛細管現象を発生させる距離であって、前記テンプレートにおいて第１の端部に対向する第２の端部と基板との間の第２の距離が、前記塗布液の毛細管現象を発生させない距離となるように、前記テンプレートを基板に対して傾斜させて配置する配置工程を実行すべく前記移動機構を制御し、その後、前記第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液を供給する供給工程を実行すべく前記塗布液供給部を制御し、その後、前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように、前記第２の端部と基板を相対的に移動させる移動工程を実行すべく前記移動機構を制御する制御部と、を有することを特徴とする、インプリント装置。
  10. 前記制御部は、前記移動工程において前記第２の端部を基板側に移動させるように前記移動機構を制御することを特徴とする、請求項９に記載のインプリント装置。
  11. 前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、
    前記制御部は、前記供給工程において前記第１の端部の一点に前記塗布液を供給するように前記塗布液供給部を制御することを特徴とする、請求項９又は１０に記載のインプリント装置。
  12. 前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、
    前記制御部は、前記供給工程において前記第１の端部に沿って前記塗布液を連続して供給するように前記塗布液供給部を制御することを特徴とする、請求項９又は１０に記載のインプリント装置。
  13. 前記制御部は、前記移動工程において、前記供給工程における塗布液の供給を引き続き断続的に行うように前記塗布液供給部を制御することを特徴とする、請求項９〜１２のいずれかに記載のインプリント装置。
  14. 前記移動工程における前記塗布液の状態を検査する検査部をさらに有し、
    前記制御部は、前記検査部での検査結果に基づいて、少なくとも前記配置工程における前記テンプレートの配置又は前記移動工程における前記第２の端部と基板の相対移動を調整するように前記移動機構を制御することを特徴とする、請求項９〜１３のいずれかに記載のインプリント装置。
JP2009202243A 2009-09-02 2009-09-02 インプリント方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置 Expired - Fee Related JP5296641B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009202243A JP5296641B2 (ja) 2009-09-02 2009-09-02 インプリント方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置
US13/393,250 US8468943B2 (en) 2009-09-02 2010-08-25 Imprint method, computer storage medium and imprint apparatus
KR1020127005392A KR101357506B1 (ko) 2009-09-02 2010-08-25 임프린트 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 임프린트 장치
PCT/JP2010/064376 WO2011027698A1 (ja) 2009-09-02 2010-08-25 インプリント方法、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009202243A JP5296641B2 (ja) 2009-09-02 2009-09-02 インプリント方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011054755A true JP2011054755A (ja) 2011-03-17
JP5296641B2 JP5296641B2 (ja) 2013-09-25

Family

ID=43649237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009202243A Expired - Fee Related JP5296641B2 (ja) 2009-09-02 2009-09-02 インプリント方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8468943B2 (ja)
JP (1) JP5296641B2 (ja)
KR (1) KR101357506B1 (ja)
WO (1) WO2011027698A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015021804A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ レプリカ採取装置および採取方法
KR102499629B1 (ko) * 2022-04-11 2023-02-16 주식회사 금창 플레이트의 사출 조립 및 열융착을 위한 장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5443070B2 (ja) * 2009-06-19 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
JP5060517B2 (ja) * 2009-06-24 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
JP5661666B2 (ja) * 2012-02-29 2015-01-28 株式会社東芝 パターン形成装置及び半導体装置の製造方法
JP6320183B2 (ja) * 2014-06-10 2018-05-09 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法
EP4084044A4 (en) * 2019-12-25 2024-06-05 Scivax Corporation PRINTING DEVICE AND PRINTING METHOD
CN112848643A (zh) * 2020-12-31 2021-05-28 曹凤奎 一种纺织布料预处理用印花装置
CN113415066B (zh) * 2021-06-04 2021-12-17 温州市南方立邦印刷实业有限公司 一种绿色环保印刷装置及印刷工艺

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146601A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 National Institute Of Advanced Industrial & Technology アクティブダブルジョイント式加圧機構
JP2005501245A (ja) * 2001-08-21 2005-01-13 ソシエテ ドゥ テクノロジー ミシュラン タイヤを検査する機械および方法
JP2005101201A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Canon Inc ナノインプリント装置
JP2006165371A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc 転写装置およびデバイス製造方法
JP2007503120A (ja) * 2003-08-19 2007-02-15 ナノオプト コーポレーション サブミクロンスケールのパターニングの方法およびシステム
JP2007516862A (ja) * 2003-11-12 2007-06-28 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 高速充填とスループットを実現するための分配の幾何学的配置および導電性テンプレート
JP2007173614A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Ricoh Co Ltd 微細加工装置
JP2008504140A (ja) * 2004-06-01 2008-02-14 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノスケール製造のためのコンプライアント・デバイス
JP2009043998A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc インプリント方法およびインプリント装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6873087B1 (en) * 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
US20060005657A1 (en) * 2004-06-01 2006-01-12 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
US20050274219A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
US20050098534A1 (en) 2003-11-12 2005-05-12 Molecular Imprints, Inc. Formation of conductive templates employing indium tin oxide
JP2007081070A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Canon Inc 加工装置及び方法
US7802978B2 (en) * 2006-04-03 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Imprinting of partial fields at the edge of the wafer

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005501245A (ja) * 2001-08-21 2005-01-13 ソシエテ ドゥ テクノロジー ミシュラン タイヤを検査する機械および方法
JP2004146601A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 National Institute Of Advanced Industrial & Technology アクティブダブルジョイント式加圧機構
JP2007503120A (ja) * 2003-08-19 2007-02-15 ナノオプト コーポレーション サブミクロンスケールのパターニングの方法およびシステム
JP2005101201A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Canon Inc ナノインプリント装置
JP2007516862A (ja) * 2003-11-12 2007-06-28 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 高速充填とスループットを実現するための分配の幾何学的配置および導電性テンプレート
JP2008504140A (ja) * 2004-06-01 2008-02-14 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノスケール製造のためのコンプライアント・デバイス
JP2006165371A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc 転写装置およびデバイス製造方法
JP2007173614A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Ricoh Co Ltd 微細加工装置
JP2009043998A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc インプリント方法およびインプリント装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015021804A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ レプリカ採取装置および採取方法
KR102499629B1 (ko) * 2022-04-11 2023-02-16 주식회사 금창 플레이트의 사출 조립 및 열융착을 위한 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120054606A (ko) 2012-05-30
WO2011027698A1 (ja) 2011-03-10
US20120152136A1 (en) 2012-06-21
US8468943B2 (en) 2013-06-25
KR101357506B1 (ko) 2014-02-03
JP5296641B2 (ja) 2013-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5296641B2 (ja) インプリント方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置
JP6200135B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、および、物品製造方法
US20150129137A1 (en) Bonding device and bonding system
JP2009279476A (ja) 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
JP2009207984A (ja) 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
KR102404965B1 (ko) 도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치
JPWO2013183263A1 (ja) インプリント装置及びテンプレート
JP6072644B2 (ja) 紫外線照射装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5334675B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のマスクの位置ずれ防止方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011035377A (ja) 露光装置及びデバイスの製造方法
JP2015177122A (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
KR102469678B1 (ko) 성막 시스템, 성막 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR20110081494A (ko) 기판 이송 장치
JP5145397B2 (ja) テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びテンプレート処理装置
JP7064310B2 (ja) インプリント装置、および物品製造方法
JP2011124400A (ja) 露光装置及び露光方法
JP7308087B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TW201422091A (zh) 頂朝下式基板印刷裝置及基板印刷方法
JP2011123102A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板温度調節方法、及び表示用パネル基板の製造方法
KR20190129400A (ko) 글라스패턴형성방법, 이를 수행하는 글라스패턴형성장치 및 글라스패턴형성시스템
JP2010266560A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のマスク装着方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5105152B2 (ja) 近接スキャン露光装置及びその制御方法
KR20080029097A (ko) 패턴 검사기
TW202039226A (zh) 聚醯亞胺膜修補方法
JP5773940B2 (ja) パターン形成装置およびパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110809

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130611

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130613

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5296641

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees