WO2011027698A1 - インプリント方法、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置 - Google Patents

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WO2011027698A1
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template
substrate
distance
coating liquid
wafer
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幸吉 広城
孝典 西
正一 寺田
北野　高広
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東京エレクトロン株式会社
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    • B29K2105/0002—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped monomers or prepolymers

Definitions

  • the present invention relates to an imprint method, a computer storage medium, and an imprint apparatus for applying a coating liquid between a template having a transfer pattern formed on a surface and a substrate and transferring the transfer pattern to the coating liquid.
  • a predetermined resist pattern is formed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”).
  • wafer a semiconductor wafer
  • imprinting method it has been proposed to use a so-called imprinting method in order to meet the recent demand for finer resist patterns.
  • a template having a fine pattern on the surface (sometimes called a mold or a mold) is used.
  • the template is pressed against the resist surface on the wafer, and the pattern is directly transferred to the resist surface.
  • Such pattern transfer is usually performed a plurality of times on one wafer. That is, the template is pressed against the resist surface a plurality of times in one wafer. Therefore, a method for continuously transferring such a pattern has been proposed.
  • this method first, the template is arranged to be inclined with respect to the wafer. Subsequently, while moving the template, a resist solution is continuously supplied between the template and the wafer. Thereafter, when the template reaches a predetermined target position, the template is rotated to the wafer side and pressed against the resist surface. Then, the movement of the template, the supply of the resist solution, and the pressing of the template against the resist surface are repeated, and the pattern is continuously transferred to one wafer (Patent Document 1).
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to appropriately apply a coating liquid without generating bubbles between a template and a substrate.
  • the present invention is an imprint method in which a coating liquid is applied between a template having a transfer pattern formed on a surface and a substrate, and the transfer pattern is transferred to the coating liquid.
  • the surface of the template is opposed to the substrate, and the first distance between the first end of the template and the substrate is a distance that causes the capillary action of the coating liquid between the template and the substrate.
  • the template is adjusted so that the second distance between the second end portion facing the first end portion of the template and the substrate is a distance that does not cause capillary action of the coating liquid.
  • An arrangement step of inclining with respect to the substrate, a supply step of supplying a coating liquid from the outside of the first end portion to the first end portion, and a second distance after that. 1 distance As equal to, having a moving step of relatively moving the second end portion and the substrate.
  • the coating liquid is supplied to the first end portion from the outside of the first end portion of the template in the supplying step. Then, the supplied coating liquid diffuses by capillary action on the first end side. Thereafter, since the second end and the substrate are relatively moved so that the second distance is equal to the first distance in the moving step, the coating liquid diffused on the first end side is It diffuses toward the second end side by capillary action. Thus, since the coating liquid continuously diffuses between the template and the substrate, the atmosphere between the template and the substrate can be driven out to the outside. Therefore, the coating liquid can be appropriately applied without generating bubbles between the template and the substrate.
  • the present invention it is not necessary to change the processing atmosphere to a high-pressure atmosphere or a He gas atmosphere or to make a vacuum state as described above, so that the throughput of the substrate processing does not decrease. Furthermore, the present invention does not require equipment for changing the state of the processing atmosphere, and it is not necessary to use expensive He gas, so that the substrate processing cost can be reduced.
  • the state of the coating liquid refers to a state in which the coating liquid diffuses between the template and the substrate, for example.
  • Another aspect of the present invention is a readable computer storage medium storing a program that operates on a computer of a control unit that controls the imprint apparatus so that the imprint method is executed by the imprint apparatus.
  • an imprint apparatus for applying a coating liquid between a template having a transfer pattern formed on a surface and a substrate, and transferring the transfer pattern to the coating liquid.
  • a template holding unit for holding, a moving mechanism for relatively moving the template and the substrate held by the template holding unit, a coating solution supplying unit for supplying the coating solution, and a surface of the template facing the substrate,
  • the first distance between the first end of the template and the substrate is a distance that generates a capillary action of the coating liquid between the template and the substrate, and the first distance in the template is The balance so that the second distance between the second end facing the end and the substrate is a distance that does not cause capillary action of the coating solution.
  • the coating liquid supply unit is controlled to perform the following operation, and then a moving step is performed in which the second end and the substrate are relatively moved so that the second distance is equal to the first distance.
  • a controller for controlling the moving mechanism for controlling the moving mechanism.
  • (C) shows a state in which the resist solution diffuses between the template and the wafer. It is explanatory drawing which shows a mode that a resist liquid diffuses along the 1st edge part of a template when the imprint method concerning other embodiment is used. It is explanatory drawing which shows a mode that a resist liquid diffuses along the 1st edge part of a template when the imprint method concerning other embodiment is used. It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the imprint apparatus concerning other embodiment. It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the imprint apparatus concerning other embodiment. It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the imprint apparatus concerning other embodiment. It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the imprint apparatus concerning other embodiment.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an outline of a configuration of an imprint apparatus 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an outline of the configuration of the imprint apparatus 1. It should be noted that the size ratio between the template T and the wafer W shown in FIGS. 1 and 2 does not necessarily correspond to the actual size ratio because priority is given to easy understanding of the technology.
  • a template T having a quadrangular shape in a plan view and having a predetermined transfer pattern C formed on the surface is used as shown in FIG.
  • the transfer pattern C means the side of the template T which is formed with the surface T 1, the surface T 1 opposite to the surface of the backside T 2.
  • the release agent S along the shape of the transfer pattern C as shown in FIG. 4 is deposited.
  • a transparent material that can transmit visible light, near ultraviolet light, ultraviolet light, or the like, such as glass is used.
  • a material having liquid repellency with respect to a resist solution on the wafer, which will be described later, such as a fluororesin is used.
  • the imprint apparatus 1 has a casing 10 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T and a loading / unloading port (not shown) for the wafer W are formed on the side surfaces as shown in FIG.
  • a wafer holder 20 on which the wafer W is placed and held is provided on the bottom surface of the casing 10.
  • the wafer W is placed on the upper surface of the wafer holding unit 20 so that the surface to be processed faces upward.
  • lift pins 21 are provided for supporting the wafer W from below and lifting it.
  • the elevating pin 21 can be moved up and down by the elevating drive unit 22.
  • a through hole 23 that penetrates the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the wafer holding unit 20, and the elevating pins 21 are inserted through the through hole 23.
  • the wafer holding unit 20 can be moved in the horizontal direction and rotated around the vertical by a wafer moving mechanism 24 provided below the wafer holding unit 20.
  • a rail 30 extending along the Y direction is provided on the negative side in the X direction (downward direction in FIG. 2) of the wafer holder 20.
  • the rail 30 is formed from the outer side of the wafer holding unit 20 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 2) to the outer side on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 2).
  • An arm 31 is attached to the rail 30.
  • the arm 31 supports a resist solution nozzle 32 as a coating solution supply unit that supplies a resist solution as a coating solution onto the wafer W.
  • the resist solution nozzle 32 has a supply port 32a for supplying a resist solution at the lower end thereof, and is configured to be able to change the direction of the supply port 32a.
  • the resist solution nozzle 32 is disposed so that the supply port 32a faces obliquely downward.
  • the resist solution nozzle 32 is, for example, a dispenser nozzle, and can strictly control the resist solution supply timing, the resist solution supply amount, and the like.
  • the arm 31 is movable on the rail 30 by the nozzle drive unit 33.
  • the resist solution nozzle 32 can move from, for example, the standby unit 34 installed outside the negative side of the wafer holding unit 20 to the upper side of the wafer W on the wafer holding unit 20.
  • the wafer can be moved in the radial direction on the surface.
  • the arm 31 can be moved up and down by a nozzle drive unit 33 and the height of the resist solution nozzle 32 can be adjusted.
  • a template holding unit 40 that holds the template T is provided on the ceiling surface in the casing 10 and above the wafer holding unit 20. That is, the wafer holding unit 20 and the template holding unit 40 are arranged so that the wafer W placed on the wafer holding unit 20 and the template T held on the template holding unit 40 face each other.
  • Template holding portion 40 the outer peripheral portion of the rear surface T 2 of the template T has a chuck 41 for holding suction.
  • the chuck 41 is supported by a template moving mechanism 42 provided above the chuck 41.
  • the template moving mechanism 42 allows the chuck 41 to move in the vertical direction and to rotate around the vertical.
  • the template moving mechanism 42 includes a piezo mechanism 43, a ball screw 44, a micrometer 45, and a rotating mechanism 46.
  • the piezo mechanism 43, the ball screw 44, and the micrometer 45 are provided on the chuck 41 in this order from below. Further, the piezo mechanism 43, the ball screw 44, and the micrometer 45 are provided at the square of the chuck 41 as shown in FIG.
  • Each ball screw 44 roughly adjusts the vertical position of the template T, and each piezo mechanism 43 performs fine adjustment of the vertical position of the template T.
  • Each micrometer 45 measures and manages the position of the template T in the vertical direction. With the template moving mechanism 42, the template T can be adjusted up and down with respect to the wafer W on the wafer holding unit 20 by independently adjusting the vertical position of the square.
  • the rotation mechanism 46 is provided above the micrometer 45 as shown in FIG.
  • the template T can be rotated in a predetermined direction with respect to the wafer W on the wafer holding unit 20 by the rotation mechanism 46.
  • the template holding unit 40 has a light source 47 provided above the template T held by the chuck 41.
  • the light source 47 emits light such as visible light, near-ultraviolet light, and ultraviolet light, and the light from the light source 47 passes through the template T and is irradiated downward.
  • the imprint apparatus 1 described above is provided with a control unit 50 as shown in FIG.
  • the control unit 50 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit controls the operation of drive systems such as the wafer moving mechanism 24, the template moving mechanism 42, and the nozzle driving unit 33, and the resist solution supply operation by the resist solution nozzle 32.
  • a program for executing an imprint process to be described later is stored.
  • This program is recorded in a computer-readable storage medium such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnetic optical desk (MO), memory card, or the like. It may be installed in the control unit 50 from the storage medium.
  • HD computer-readable hard disk
  • FD flexible disk
  • CD compact disk
  • MO magnetic optical desk
  • FIG. 5 shows a process flow of main steps of the imprint process.
  • FIG. 6 shows the state of the template T and the wafer W in each step of the imprint process, and
  • FIG. 7 shows the state of the resist solution between the template T and the wafer W.
  • Template T carried into the imprint apparatus 1 has a surface T 1 is attracted and held on the chuck 41 of the template holding portion 40 in a state of facing downward. Further, the wafer W carried into the imprint apparatus 1 is delivered to the lift pins 21 with the surface to be processed facing upward, and is placed and held on the wafer holding unit 20.
  • the wafer moving mechanism 24 moves the wafer W held by the wafer holding unit 20 to a predetermined position in the horizontal direction to perform alignment. Further, the template moving mechanism 42 rotates the template T held by the template holding unit 40 in a predetermined direction. Thus, the treated surface of the surface T 1 and the wafer W of the template T are arranged opposite.
  • the template moving mechanism 42 lowers the template T toward the wafer W as shown in FIG. 6A and arranges it at a predetermined position (step S1 in FIG. 5).
  • the square vertical position of the template T is adjusted by the ball screw 44 and the piezo mechanism 43, and the template T is arranged to be inclined with respect to the wafer W at a predetermined inclination angle ⁇ , for example, 5 degrees to 10 degrees.
  • the first distance H 1 between the first end E 1 of the template T and the wafer W is, for example, 10 nm to 500 nm.
  • the first distance H 1 is a distance at which a resist solution capillary phenomenon occurs between the first end E 1 of the template T and the wafer W.
  • the second distance H 2 between the second end E 2 facing the first end E 1 and the wafer W in the template T is, for example, 3 mm to 5 mm.
  • the second distance H 2 is a distance that does not cause capillary action of the resist solution between the second end E 2 of the template T and the wafer W.
  • the resist solution nozzle 32 moves the resist solution nozzle 32 as shown in FIG. 6 (b) to a first outer end E 1 of the template T.
  • a predetermined amount from the resist solution nozzle 32 for example, the resist solution R 100ml is supplied to the outer side of the first end E 1 of the template T (step S2 in FIG. 5).
  • the resist solution R is supplied to one corner of the template T as shown in FIG.
  • the supply amount of the resist solution R is an amount necessary for applying the resist solution R with a predetermined film thickness between the template T and the wafer W, and is controlled by the control unit 50.
  • the template T because it is disposed inclined with respect to the wafer W, the resist solution R does not diffuse to the second end E 2 side.
  • the template moving mechanism 42, the second end E 2 of the template T as shown in FIG. 6 (c) is moved to the wafer W side (step S3 in FIG. 5).
  • the resist solution R diffuses toward the second end E2 of the template T as shown in FIG. This is because the capillary phenomenon of the resist solution R between the template T and the wafer W becomes smaller as the distance between the template T and the wafer W becomes smaller in the positive direction in the Y direction (the right direction in FIG. 7B). This is because of this. Accordingly, the resist solution R, the leading end portion is diffused in parallel with the first end E 1 and a second end E 2.
  • step S4 in FIG. 5 light is irradiated from the light source 47 to the resist solution R on the wafer W.
  • the light from the light source 47 passes through the template T and is applied to the resist solution R on the wafer W.
  • the resist solution R is cured and photopolymerized.
  • the transfer pattern C of the template T is transferred to the resist solution R on the wafer W in this way, and a resist pattern P is formed (step S4 in FIG. 5).
  • the template T is raised as shown in FIG.
  • the surface T 1 of the template T release agent S is coated, never resist on the wafer W adheres to the surface T 1 of the template T.
  • a thin resist residual film may remain in the concave portion of the resist pattern P formed on the wafer W.
  • the residual film may be removed outside the imprint apparatus 1.
  • first distance H 1 is a distance for generating the capillary phenomenon of the resist solution R
  • the second distance H 2 occurs a capillary phenomenon of the resist solution R
  • the template T is disposed so as to be inclined with respect to the wafer W so that the distance is not allowed.
  • the resist solution R supplied from the outside of the first end E 1 of the template T in the subsequent step S2 diffuses along the first end E 1 by capillary action.
  • the second end E 2 of the template T so moved to the wafer W side in step S3, the resist solution R diffuses toward the second end E 2 side by the capillary phenomenon.
  • the resist solution R continuously diffuses between the template T and the wafer W, the atmosphere between the template T and the wafer W can be expelled to the outside. Therefore, the resist solution R can be appropriately applied between the template T and the wafer W without generating bubbles.
  • the resist solution R may be supplied to the first of another point of the edge portion E 1 of the template T.
  • the resist solution R may supply to the first central portion end E 1 as shown in FIG.
  • the first resist liquid R supplied to the outer end E 1 is enters between the template T and the wafer W, X positive direction inside the template T along the first end E 1 It diffuses in the direction (upward in FIG. 8) and the negative X direction (downward in FIG. 8).
  • the other steps of the imprint process are the same as the steps S1, S3, and S4 of the above embodiment, and thus description thereof is omitted.
  • the resist solution R is supplied to one point of the first end E 1 of the template T in step S2.
  • the resist solution R may be continuously supplied.
  • the resist solution R is supplied to the outside of the first end E 1 while moving the resist solution nozzle 32 along the first end E 1 in the positive direction in the X direction (upward in FIG. 9). Is done.
  • the supplied resist solution R is enters the inside of the template T, the resist solution R is diffused into the first end E 1 side.
  • the other steps of the imprint process are the same as the steps S1, S3, and S4 of the above embodiment, and thus description thereof is omitted.
  • the supply of the resist solution R in step S2 of the above embodiment may be continued intermittently in step S3.
  • the resist solution R is supplied from the resist solution nozzle 32 so that the sum of the supply amount of the resist solution R in step S2 and the supply amount of the resist solution R in step S3 becomes the predetermined amount described above.
  • the resist solution R has been diffused along the first end E1 of the template T in step S2.
  • diffusion is performed toward the second end portion E2.
  • the imprint apparatus 1 further includes an inspection unit 60 that inspects the state of the resist solution R, that is, how the resist solution R diffuses between the template T and the wafer W as shown in FIG. You may do it.
  • the inspection unit 60 is provided above the template T held by the chuck 41, and is disposed adjacent to the light source 47, for example.
  • the inspection unit 60 for example, a wide-angle CCD camera is used. Since the template T is a transparent material, the inspection unit 60 can inspect how the resist solution R spreads between the template T and the wafer W.
  • the inspection unit 60 is connected to the control unit 50.
  • the other configuration of the imprint apparatus 1 is the same as that of the imprint apparatus 1 according to the above-described embodiment, and thus the description thereof is omitted. Also, the imprint process performed by the imprint apparatus 1 of the present embodiment is the same as the steps S1 to S4 of the embodiment.
  • the inspection unit 60 is spread how the resist solution R inspect.
  • the inspection result is output to the control unit 50.
  • the control unit 50 based on the inspection results, whether the resist solution R is properly diffused, for example, the resist solution R in parallel to spread the first end E 1 and a second end E 2 Check if it exists.
  • the piezo mechanism 43 and the ball screw 44 of the template moving mechanism 42 are feedback-controlled. Specifically, the arrangement of the template T in the step S1, for example, the horizontal balance of the template T, and the movement of the template T in the step S3, for example, the moving speed are adjusted. Since the template moving mechanism 42 can be feedback-controlled in this way, the subsequent imprint process can be appropriately performed.
  • the inspection unit 60 can inspect that the resist solution R has diffused between the template T and the wafer W in the step S3.
  • the control unit 50 can control the template moving mechanism 42 so as to end the step S3.
  • the chuck 41 of the template holder 40 holds the template T by suction.
  • a clamp 70 may be provided as shown in FIG. The clamp 70 can mechanically hold the outer peripheral side surface of the template T.
  • the template T and the template holding unit 40 may be screwed so that the template holding unit 40 holds the template T.
  • the template holding unit 40 is provided above the wafer holding unit 20, but the template holding unit may be provided below the wafer holding unit.
  • a template holding part 82 is provided on the bottom surface of the casing 81 of the imprint apparatus 80 as shown in FIG.
  • the template holding unit 82 has the same configuration as the template holding unit 40 shown in FIGS. 1 and 2 and is arranged by inverting the template holding unit 40 in the vertical direction. Therefore, the template T, the surface T 1 is held in a template holder 82 to face upward. The light emitted from the light source 47 of the template holding unit 82 is irradiated upward.
  • a wafer holder 83 is provided on the ceiling surface of the casing 81 and above the template holder 82.
  • the wafer holding unit 83 holds the back surface of the wafer W by suction so that the surface to be processed of the wafer W faces downward.
  • the wafer holder 83 can be moved in the horizontal direction by a moving mechanism 84 provided above the wafer holder 83.
  • the resist solution nozzle 32 is arranged so that the supply port 32a faces obliquely upward.
  • the other configuration of the imprint apparatus 80 is the same as that of the imprint apparatus 1 shown in FIGS.
  • FIG. 13 shows the state of the template T and the wafer W in each step of the imprint process.
  • the template T and the wafer W are carried into the imprint apparatus 80 and are held by the template holding unit 82 and the wafer holding unit 83, respectively. Subsequently, alignment is performed by rotating the template T held in the template holding unit 82 in a predetermined direction, and moving the wafer W held in the wafer holding unit 83 to a predetermined position in the horizontal direction. I do.
  • the template moving mechanism 42 raises the template T to the wafer W side and arranges it at a predetermined position as shown in FIG. Inclination angle theta, the first distance H 1 and the second distance of H 2 template T at this time, a detailed description thereof will be omitted because the are the same as those of the embodiment.
  • the resist solution R continuously diffuses between the template T and the wafer W, the atmosphere between the template T and the wafer W can be expelled to the outside. Therefore, the resist solution R can be appropriately applied between the template T and the wafer W without generating bubbles.
  • the present invention can be applied to the case where the template T is arranged above or below the wafer W.
  • the second end E 2 of the template T had moved to the wafer W side in step S3, it is also possible to move the wafer W to the template T side.
  • the wafer W may be moved in the vertical direction by the wafer moving mechanism 24.
  • the resist solution R used in the above embodiment may be a degassed resist solution.
  • the degassed resist solution since the degassed resist solution has a high ability to dissolve bubbles, the generation of bubbles between the template T and the wafer W can be more reliably suppressed.
  • the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.
  • the present invention is not limited to this example and can take various forms.
  • the present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.
  • FPD flat panel display
  • the present invention is useful when a coating liquid is applied between a template having a transfer pattern formed on the surface and a substrate, and the transfer pattern is transferred to the coating liquid.

Abstract

　本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に転写パターンを転写する方法であって、テンプレートの第１の端部と基板との間の第１の距離が、テンプレートと基板との間に塗布液の毛細管現象を発生させる距離であって、かつテンプレートにおいて第１の端部に対向する第２の端部と基板との間の第２の距離が、毛細管現象を発生させない距離となるように、テンプレートを基板に対して傾斜させて配置し、その後、第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液を供給し、その後、第２の距離を第１の距離に等しくするように、第２の端部と基板を相対的に移動させる。

Description

インプリント方法、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置
　本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント方法、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置に関する。
　例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所定のレジストパターンを形成する。このレジストパターンを形成する際には、近年のレジストパターンの微細化要求に応えるため、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いることが提案されている。
　インプリント方法では、表面に微細なパターンを有するテンプレート（モールドや型と呼ばれることもある。）が用いられる。そして、例えばウェハ上にレジスト液を塗布した後、テンプレートをウェハ上のレジスト表面に押し当て、レジスト表面に直接パターンの転写を行う。
　このようなパターンの転写は、通常、一のウェハに対して複数回行われる。すなわち、一のウェハにおいてテンプレートを複数回レジスト表面に押し当てている。そこで、かかるパターンの転写を連続して行う方法が提案されている。この方法では、先ず、テンプレートをウェハに対して傾斜させて配置する。続いて、テンプレートを移動させながら、テンプレートとウェハとの間にレジスト液を連続して供給する。その後、テンプレートが所定の目標位置に到達すると、テンプレートをウェハ側に回転させて、当該テンプレートをレジスト表面に押し当てる。そして、このようなテンプレートの移動とレジスト液の供給、及びテンプレートのレジスト表面への押し当てを繰り返し行い、一のウェハにパターンの転写が連続して行われる（特許文献１）。
特開２００９－４３９９８号公報
　しかしながら、上述したインプリント方法では、ウェハ上のレジスト表面にテンプレートを押し当てる際、テンプレートとレジストとの間の雰囲気が外部に流出しきらず、当該テンプレートとレジストとの間に気泡が残留してしまう。気泡が残留すると、ウェハ上に形成されるレジストパターンに欠陥が生じる。
　そこで、レジストパターンの欠陥を抑制するため、高圧雰囲気下でテンプレートをレジスト表面に押し当てる処理を行い、気泡をレジストに溶解させることが考えられる。また、この処理雰囲気をＨｅガスに置換して、気泡をレジストに溶解させ易くすることも考えられる。さらには、気泡自体を発生させないようにするため、処理雰囲気を真空状態にすることも考えられる。
　しかしながら、高圧雰囲気下やＨｅガス雰囲気下で処理を行った場合、気泡がレジストに溶解するのに時間がかかる。特に、Ｈｅガス雰囲気下で処理を行う場合には、雰囲気をＨｅガスに置換するのに時間がかかる。このため、ウェハ処理のスループットが低下してしまう。また、処理雰囲気を真空状態にする場合、専用の容器やポンプなどが必要で設備が大掛かりになる上、真空状態の形成は時間がかかり至難である。したがって、現状、テンプレートとレジストとの間の気泡を無くすことは困難な状況にある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレートと基板との間において、気泡を発生させずに塗布液を適切に塗布することを目的とする。
　前記の目的を達成するため、本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント方法であって、前記テンプレートの表面を基板に対向させ、かつ前記テンプレートの第１の端部と基板との間の第１の距離が、前記テンプレートと基板との間に前記塗布液の毛細管現象を発生させる距離であって、しかも前記テンプレートにおいて第１の端部に対向する第２の端部と基板との間の第２の距離が、前記塗布液の毛細管現象を発生させない距離となるように、前記テンプレートを基板に対して傾斜させて配置する配置工程と、その後、前記第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液を供給する供給工程と、その後、前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように、前記第２の端部と基板を相対的に移動させる移動工程と、を有する。
　本発明によれば、先ず、配置工程において上述のようにテンプレートを配置した後、供給工程においてテンプレートの第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液が供給される。そうすると、供給された塗布液は、第１の端部側で毛細管現象によって拡散する。その後、移動工程において前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように前記第２の端部と基板を相対的に移動させるので、第１の端部側で拡散した塗布液は、毛細管現象によって第２の端部側に向かって拡散する。このように塗布液は、テンプレートと基板との間を連続して拡散するので、当該テンプレートと基板との間の雰囲気を外部に追い出すことができる。したがって、テンプレートと基板との間において、気泡を発生させずに塗布液を適切に塗布することができる。
　また、本発明によれば、上述したように処理雰囲気を高圧雰囲気やＨｅガス雰囲気にしたり、あるいは真空状態にする必要がないので、基板処理のスループットが低下することがない。さらに、本発明は、処理雰囲気の状態を変更するための設備が不要であり、また高価なＨｅガスを用いる必要もないので、基板処理のコストを抑えることもできる。
　前記移動工程における前記塗布液の状態を検査し、この検査結果に基づいて、少なくとも前記配置工程における前記テンプレートの配置又は前記移動工程における前記第２の端部と基板の相対移動を制御してもよい。なお、塗布液の状態とは、例えば塗布液がテンプレートと基板との間を拡散する様子をいう。
　別な観点による本発明は、前記インプリント方法をインプリント装置によって実行させるために、当該インプリント装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体である。
　さらに別な観点による本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント装置であって、前記テンプレートを保持するテンプレート保持部と、前記テンプレート保持部に保持されたテンプレートと基板を相対的に移動させる移動機構と、前記塗布液を供給する塗布液供給部と、前記テンプレートの表面を基板に対向させ、かつ前記テンプレートの第１の端部と基板との間の第１の距離が、前記テンプレートと基板との間に前記塗布液の毛細管現象を発生させる距離であって、しかも前記テンプレートにおいて第１の端部に対向する第２の端部と基板との間の第２の距離が、前記塗布液の毛細管現象を発生させない距離となるように、前記テンプレートを基板に対して傾斜させて配置する配置工程を実行すべく前記移動機構を制御し、その後、前記第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液を供給する供給工程を実行すべく前記塗布液供給部を制御し、その後、前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように、前記第２の端部と基板を相対的に移動させる移動工程を実行すべく前記移動機構を制御する制御部と、を有している。
本実施の形態にかかるインプリント装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施の形態にかかるインプリント装置の構成の概略を示す横断面図である。 テンプレートの斜視図である。 テンプレートの側面図である。 インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。 インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートを所定の位置に配置した様子を示し、（ｂ）はテンプレートの第１の端部にレジスト液を供給する様子を示し、（ｃ）はテンプレートの第２の端部をウェハ側に移動させる様子を示し、（ｄ）はレジスト液に光を照射する様子を示し、（ｅ）はテンプレートを上昇させる様子を示している。 インプリント処理の各工程におけるレジスト液の状態を示した説明図であり、（ａ）はレジスト液がテンプレートの第１の端部に沿って拡散する様子を示し、（ｂ）はレジスト液がテンプレートの第２の端部に向かって拡散する様子を示し、（ｃ）はレジスト液がテンプレートとウェハとの間に拡散した様子を示す。 他の実施の形態にかかるインプリント方法を用いた場合に、レジスト液がテンプレートの第１の端部に沿って拡散する様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかるインプリント方法を用いた場合に、レジスト液がテンプレートの第１の端部に沿って拡散する様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかるインプリント装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかるインプリント装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかるインプリント装置の構成の概略を示す縦断面図である。 インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートを所定の位置に配置した様子を示し、（ｂ）はテンプレートの第１の端部にレジスト液を供給する様子を示し、（ｃ）はテンプレートの第２の端部をウェハ側に移動させる様子を示し、（ｄ）はレジスト液に光を照射する様子を示し、（ｅ）はテンプレートを下降させる様子を示している。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるインプリント装置１の構成の概略を示す縦断面図である。図２は、インプリント装置１の構成の概略を示す横断面図である。なお、図１及び図２に示すテンプレートＴとウェハＷの大きさの比は、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の大きさの比に対応していない。
　本実施の形態のインプリント装置１では、図３に示すように平面視において四角形状を有し、表面に所定の転写パターンＣが形成されたテンプレートＴが用いられる。以下、転写パターンＣが形成されているテンプレートＴの面を表面Ｔ１といい、当該表面Ｔ１と反対側の面を裏面Ｔ２という。テンプレートＴの表面Ｔ１には、図４に示すように転写パターンＣの形状に沿った離型剤Ｓが成膜されている。なお、テンプレートＴには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。また、離型剤Ｓの材料には、後述するウェハ上のレジスト液に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等が用いられる。
　インプリント装置１は、図１に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）とウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング１０を有している。
　ケーシング１０内の底面には、ウェハＷが載置されて保持されるウェハ保持部２０が設けられている。ウェハＷは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部２０の上面に載置される。ウェハ保持部２０内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン２１が設けられている。昇降ピン２１は、昇降駆動部２２により上下動できる。ウェハ保持部２０の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔２３が形成されおり、昇降ピン２１は、貫通孔２３を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部２０は、当該ウェハ保持部２０の下方に設けられたウェハ移動機構２４により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。
　図２に示すようにウェハ保持部２０のＸ方向負方向（図２の下方向）側には、Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って延伸するレール３０が設けられている。レール３０は、例えばウェハ保持部２０のＹ方向負方向（図２の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２の右方向）側の外方まで形成されている。レール３０には、アーム３１が取り付けられている。
　アーム３１には、ウェハＷ上に塗布液としてのレジスト液を供給する、塗布液供給部としてのレジスト液ノズル３２が支持されている。レジスト液ノズル３２は、その下端部にレジスト液を供給する供給口３２ａを有し、供給口３２ａの向きを変更自在に構成されている。本実施の形態では、レジスト液ノズル３２は、その供給口３２ａが斜め下方に向くように配置されている。また、レジスト液ノズル３２は、例えばディスペンサ用のノズルであり、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。
　アーム３１は、ノズル駆動部３３により、レール３０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル３２は、例えばウェハ保持部２０のＹ方向負方向側の外方に設置された待機部３４からウェハ保持部２０上のウェハＷの上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム３１は、ノズル駆動部３３によって昇降自在であり、レジスト液ノズル３２の高さを調整できる。
　ケーシング１０内の天井面であって、ウェハ保持部２０の上方には、図１に示すようにテンプレートＴを保持するテンプレート保持部４０が設けられている。すなわち、ウェハ保持部２０とテンプレート保持部４０は、ウェハ保持部２０に載置されたウェハＷと、テンプレート保持部４０に保持されたテンプレートＴが対向するように配置されている。
　テンプレート保持部４０は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部を吸着保持するチャック４１を有している。チャック４１は、当該チャック４１の上方に設けられたテンプレート移動機構４２に支持されている。このテンプレート移動機構４２によって、チャック４１は、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。
　テンプレート移動機構４２は、ピエゾ機構４３、ボールネジ４４、マイクロメータ４５、及び回転機構４６を有している。ピエゾ機構４３、ボールネジ４４、及びマイクロメータ４５は、チャック４１上に下方からこの順で設けられている。また、ピエゾ機構４３、ボールネジ４４、及びマイクロメータ４５は、図２に示すようにチャック４１の四角に設けられている。各ボールネジ４４はテンプレートＴの鉛直方向の位置を大凡に調整し、各ピエゾ機構４３は当該テンプレートＴの鉛直方向の位置の微調整を行う。また、各マイクロメータ４５は、テンプレートＴの鉛直方向の位置を測定し管理する。かかるテンプレート移動機構４２によって、テンプレートＴは、四角の鉛直方向位置を独立して調整され、ウェハ保持部２０上のウェハＷに対して昇降できる。
　回転機構４６は、図１に示すようにマイクロメータ４５の上方に設けられている。この回転機構４６によって、テンプレートＴはウェハ保持部２０上のウェハＷに対して所定の向きに回転できる。
　テンプレート保持部４０は、チャック４１に保持されたテンプレートＴの上方に設けられた光源４７を有している。光源４７からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源４７からの光は、テンプレートＴを透過して下方に照射される。
　以上のインプリント装置１には、図１に示すように制御部５０が設けられている。制御部５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、例えばウェハ移動機構２４、テンプレート移動機構４２、ノズル駆動部３３等の駆動系の動作や、レジスト液ノズル３２によるレジスト液の供給動作などを制御して、インプリント装置１における後述するインプリント処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部５０にインストールされたものであってもよい。
　本実施の形態にかかるインプリント装置１は以上のように構成されている。次に、そのインプリント装置１で行われるインプリント処理について説明する。図５は、インプリント処理の主な工程の処理フローを示している。また、図６はインプリント処理の各工程におけるテンプレートＴとウェハＷの状態を示し、図７はテンプレートＴとウェハＷとの間のレジスト液の状態を示している。
　先ず、インプリント装置１内にテンプレートＴとウェハＷが搬入される。インプリント装置１に搬入されたテンプレートＴは、その表面Ｔ１が下方を向いた状態でテンプレート保持部４０のチャック４１に吸着保持される。また、インプリント装置１に搬入されたウェハＷは、その被処理面が上方を向いた状態で昇降ピン２１に受け渡され、ウェハ保持部２０上に載置され保持される。
　次に、ウェハ移動機構２４によって、ウェハ保持部２０に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行う。また、テンプレート移動機構４２によって、テンプレート保持部４０に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させる。こうして、テンプレートＴの表面Ｔ１とウェハＷの被処理面が対向して配置される。
　続いて、テンプレート移動機構４２によって、図６（ａ）に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に下降させて所定の位置に配置する（図５の工程Ｓ１）。このとき、ボールネジ４４とピエゾ機構４３によってテンプレートＴの四角の鉛直方向位置が調整され、テンプレートＴはウェハＷに対して所定の傾斜角度θ、例えば５度～１０度で傾斜されて配置される。また、テンプレートＴの第１の端部Ｅ１とウェハＷとの間の第１の距離Ｈ１は、例えば１０ｎｍ～５００ｎｍである。この第１の距離Ｈ１は、テンプレートＴの第１の端部Ｅ１とウェハＷとの間にレジスト液の毛細管現象を発生させる距離である。さらに、テンプレートＴにおいて第１の端部Ｅ１と対向する第２の端部Ｅ２とウェハＷとの間の第２の距離Ｈ２は、例えば３ｍｍ～５ｍｍである。この第２の距離Ｈ２は、テンプレートＴの第２の端部Ｅ２とウェハＷとの間にレジスト液の毛細管現象を発生させない距離である。
　その後、図６（ｂ）に示すようにレジスト液ノズル３２をテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の外側に移動させる。続いて、レジスト液ノズル３２から所定量、例えば１００ｍｌのレジスト液ＲがテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の外側に供給される（図５の工程Ｓ２）。このとき、レジスト液Ｒは、図７（ａ）に示すようにテンプレートＴの一角に供給される。なお、このレジスト液Ｒの供給量は、テンプレートＴとウェハＷとの間に所定の膜厚でレジスト液Ｒを塗布するために必要な量であって、制御部５０によって制御される。
　レジスト液ノズル３２から供給されたレジスト液Ｒは、図７（ａ）に示すように毛細管現象によって、テンプレートＴとウェハＷの間に進入し、テンプレートＴの内側を第１の端部Ｅ１に沿ってＸ方向正方向（図７（ａ）の上方向）に拡散する。このとき、テンプレートＴはウェハＷに対して傾斜して配置されているため、レジスト液Ｒは第２の端部Ｅ２側には拡散しない。
　その後、テンプレート移動機構４２によって、図６（ｃ）に示すようにテンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させる（図５の工程Ｓ３）。そうすると、レジスト液Ｒは、図７（ｂ）に示すようにテンプレートＴの第２の端部Ｅ２に向かって拡散する。これは、テンプレートＴとウェハＷとの間の距離がＹ方向正方向（図７（ｂ）の右方向）に順次小さくなるにつれ、当該テンプレートＴとウェハＷとの間にレジスト液Ｒの毛細管現象が発生するためである。したがって、レジスト液Ｒは、その先端部が第１の端部Ｅ１及び第２の端部Ｅ２と平行になるように拡散する。
　そして、図６（ｃ）に示すように上述した第２の距離Ｈ２が第１の距離Ｈ１と等しくなるまで、すなわちテンプレートＴとウェハＷが平行になるまで、テンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させる。そうすると、図７（ｃ）に示すようにテンプレートＴとウェハＷとの間に全面にレジスト液Ｒが拡散する。このようにレジスト液Ｒは、テンプレートＴとウェハＷの間を連続して拡散するので、当該テンプレートＴとウェハＷの間の雰囲気を外部に追い出すことができる。
　次に、図６（ｄ）に示すように光源４７からウェハＷ上のレジスト液Ｒに対して光が照射される。光源４７からの光は、テンプレートＴを透過してウェハＷ上のレジスト液Ｒに照射される。これによって、レジスト液Ｒは硬化し光重合する。このようにして、このようにしてウェハＷ上のレジスト液ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される（図５の工程Ｓ４）。
　その後、図６（ｅ）に示すようにテンプレートＴを上昇させる。このとき、テンプレートＴの表面Ｔ１には離型剤Ｓが塗布されているので、ウェハＷ上のレジストがテンプレートＴの表面Ｔ１に付着することはない。なお、ウェハＷ上に形成されたレジストパターンＰの凹部には、薄いレジストの残存膜が残る場合があるが、例えばインプリント装置１の外部において当該残存膜を除去してもよい。
　こうして、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成され、一連のインプリント処理が終了する。
　以上の実施の形態によれば、先ず、工程Ｓ１において第１の距離Ｈ１がレジスト液Ｒの毛細管現象を発生させる距離であって、第２の距離Ｈ２がレジスト液Ｒの毛細管現象を発生させない距離となるように、テンプレートＴをウェハＷに対して傾斜して配置している。これによって、その後工程Ｓ２においてテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の外側から供給されたレジスト液Ｒは、毛細管現象によって第１の端部Ｅ１に沿って拡散する。その後、工程Ｓ３においてテンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させるので、レジスト液Ｒは毛細管現象によって第２の端部Ｅ２側に向かって拡散する。このようにレジスト液Ｒは、テンプレートＴとウェハＷとの間を連続して拡散するので、当該テンプレートＴとウェハＷとの間の雰囲気を外部に追い出すことができる。したがって、テンプレートＴとウェハＷとの間において、気泡を発生させずにレジスト液Ｒを適切に塗布することができる。
　なお、以上の実施の形態では、工程Ｓ２においてテンプレートＴの一角にレジスト液Ｒを供給したが、テンプレートＴの第１の端部Ｅ１の他の一点にレジスト液Ｒを供給してもよい。例えば図８に示すように第１の端部Ｅ１の中央部にレジスト液Ｒを供給してもよい。かかる場合、第１の端部Ｅ１の外側に供給されたレジスト液Ｒは、テンプレートＴとウェハＷの間に進入し、テンプレートＴの内側を第１の端部Ｅ１に沿ってＸ方向正方向（図８の上方向）及びＸ方向負方向（図８の下方向）に拡散する。なお、本実施の形態においてインプリント処理のその他の工程は、前記実施の形態の工程Ｓ１、工程Ｓ３及び工程Ｓ４と同様であるので、説明を省略する。
　また、以上の実施の形態では、工程Ｓ２においてテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の一点にレジスト液Ｒを供給したが、例えば図９に示すように第１の端部Ｅ１に沿ってレジスト液Ｒを連続して供給してもよい。かかる場合、例えばレジスト液ノズル３２を第１の端部Ｅ１に沿ってＸ方向正方向（図９の上方向）に移動させながら、第１の端部Ｅ１の外側にレジスト液Ｒが供給される。そして、供給されたレジスト液ＲはテンプレートＴの内側に進入し、第１の端部Ｅ１側にレジスト液Ｒが拡散する。なお、本実施の形態においてインプリント処理のその他の工程は、前記実施の形態の工程Ｓ１、工程Ｓ３及び工程Ｓ４と同様であるので、説明を省略する。
　以上の実施の形態の工程Ｓ２におけるレジスト液Ｒの供給は、工程Ｓ３においても引き続き断続的に行われてもよい。かかる場合、工程Ｓ２でのレジスト液Ｒの供給量と工程Ｓ３でのレジスト液Ｒの供給量の合計が上述した所定量になるように、レジスト液ノズル３２からレジスト液Ｒが供給される。この場合でも、先に図７（ａ）～図７（ｃ）に示したようにレジスト液Ｒは、工程Ｓ２においてレジスト液ＲはテンプレートＴの第１の端部Ｅ１に沿って拡散した後、工程Ｓ３において第２の端部Ｅ２側に向かって拡散する。
　以上の実施の形態のインプリント装置１は、図１０に示すようにレジスト液Ｒの状態、すなわちレジスト液ＲがテンプレートＴとウェハＷとの間を拡散する様子を検査する検査部６０をさらに有していてもよい。検査部６０は、チャック４１に保持されたテンプレートＴの上方に設けられており、例えば光源４７に隣接して配置されている。検査部６０には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。そして、テンプレートＴが透明材料であるため、検査部６０はテンプレートＴとウェハＷとの間おレジスト液Ｒの拡がり方を検査することができる。また、検査部６０は制御部５０に接続されている。なお、インプリント装置１のその他の構成は、前記実施の形態のインプリント装置１の構成と同一であるので説明を省略する。また、本実施の形態のインプリント装置１で行われるインプリント処理も、前記実施の形態の工程Ｓ１～工程Ｓ４と同様である。
　かかる場合、図７（ｂ）に示したように、工程Ｓ３においてレジスト液ＲがテンプレートＴの第２の端部Ｅ２側に拡散する際に、検査部６０が当該レジスト液Ｒの拡がり方を検査する。この検査結果は、制御部５０に出力される。制御部５０では、検査結果に基づいて、レジスト液Ｒが適切に拡散しているか否か、例えばレジスト液Ｒが第１の端部Ｅ１及び第２の端部Ｅ２と平行に拡散しているか否かを確認する。そして、レジスト液Ｒが適切に拡散していない場合には、テンプレート移動機構４２のピエゾ機構４３やボールネジ４４をフィードバック制御する。具体的には、工程Ｓ１におけるテンプレートＴの配置、例えばテンプレートＴの水平方向のバランスや、工程Ｓ３におけるテンプレートＴの移動、例えば移動速度をなど調整する。このようにテンプレート移動機構４２をフィードバック制御できるので、後続のインプリント処理を適切に行うことができる。
　また、この検査部６０よって、工程Ｓ３でレジスト液ＲがテンプレートＴとウェハＷとの間に全面に拡散したことを検査することができる。そして、レジスト液Ｒが全面に拡散すると、制御部５０は工程Ｓ３を終了するようにテンプレート移動機構４２を制御することができる。
　以上の実施の形態では、テンプレート保持部４０のチャック４１がテンプレートＴを吸着保持していたが、チャック４１に代えて、図１１に示すようにクランプ７０を設けてもよい。クランプ７０は、テンプレートＴの外周側面を機械的に保持することができる。また、テンプレートＴとテンプレート保持部４０をねじ止めして、テンプレート保持部４０がテンプレートＴを保持するようにしてもよい。
　以上の実施の形態では、インプリント装置１において、テンプレート保持部４０はウェハ保持部２０の上方に設けられていたが、テンプレート保持部をウェハ保持部の下方に設けてもよい。
　かかる場合、図１２に示すようにインプリント装置８０のケーシング８１の底面には、テンプレート保持部８２が設けられる。テンプレート保持部８２は、図１及び図２に示したテンプレート保持部４０と同様の構成を有し、当該テンプレート保持部４０を鉛直方向に反転させて配置したものである。したがって、テンプレートＴは、その表面Ｔ１が上方を向くようにテンプレート保持部８２に保持される。また、テンプレート保持部８２の光源４７から発せられる光は、上方に照射される。
　また、ケーシング８１の天井面であって、テンプレート保持部８２の上方には、ウェハ保持部８３が設けられている。ウェハ保持部８３は、ウェハＷの被処理面が下方を向くように、当該ウェハＷの裏面を吸着保持する。ウェハ保持部８３は、当該ウェハ保持部８３の上方に設けられた移動機構８４によって水平方向に移動できるようになっている。
　また、レジスト液ノズル３２は、その供給口３２ａが斜め上方を向くように配置されている。
　なお、インプリント装置８０のその他の構成については、図１及び図２に示したインプリント装置１の構成と同様であるので、説明を省略する。
　次に、以上のように構成されたインプリント装置８０で行われるインプリント処理について説明する。図１３は、インプリント処理の各工程におけるテンプレートＴとウェハＷの状態を示している。
　先ず、テンプレートＴとウェハＷがインプリント装置８０に搬入され、テンプレート保持部８２とウェハ保持部８３にそれぞれ保持される。続いて、テンプレート保持部８２に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させて位置合わせを行うと共に、ウェハ保持部８３に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行う。
　次に、テンプレート移動機構４２によって、図１３（ａ）に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に上昇させて所定の位置に配置する。このときのテンプレートＴの傾斜角度θ、第１の距離Ｈ１及び第２の距離Ｈ２は、前記実施の形態と同様であるので詳細な説明を省略する。
　その後、図１３（ｂ）に示すようにレジスト液ノズル３２をテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の外側に移動させる。続いて、レジスト液ノズル３２から所定量のレジスト液ＲがテンプレートＴの第１の端部Ｅ１の外側に供給される。このとき、レジスト液Ｒの供給量は少量であり、またレジスト液Ｒは相当程度の粘度を有するので、供給されたレジスト液Ｒが下方に落下することはない。そして、レジスト液Ｒは、図７（ａ）に示したように毛細管現象によって、テンプレートＴとウェハＷの間に進入し、テンプレートＴの内側を第１の端部Ｅ１に沿って拡散する。
　その後、図１３（ｃ）に示すようにテンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させる。そうすると、レジスト液Ｒは、図７（ｂ）に示したように毛細管現象によって、テンプレートＴの第２の端部Ｅ２側に向かって拡散する。
　そして、図１３（ｃ）に示すように上述した第２の距離Ｈ２が第１の距離Ｈ１と等しくなるまで、すなわちテンプレートＴとウェハＷが平行になるまで、テンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させる。そうすると、図７（ｃ）に示したようにテンプレートＴとウェハＷとの間に全面にレジスト液Ｒが拡散する。
　次に、図１３（ｄ）に示すように光源４７からウェハＷ上のレジスト液Ｒに対して光が照射される。光源４７からの光は、テンプレートＴを透過してウェハＷ上のレジスト液Ｒに照射される。これによって、レジスト液Ｒは硬化し光重合する。このようにして、このようにしてウェハＷ上のレジスト液ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される。
　その後、図１３（ｅ）に示すようにテンプレートＴを下降させる。こうして、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成され、一連のインプリント処理が終了する。
　本実施の形態においても、レジスト液ＲがテンプレートＴとウェハＷとの間を連続して拡散するので、当該テンプレートＴとウェハＷとの間の雰囲気を外部に追い出すことができる。したがって、テンプレートＴとウェハＷとの間において、気泡を発生させずにレジスト液Ｒを適切に塗布することができる。このように本発明は、テンプレートＴをウェハＷに対して上方又は下方のいずれに配置した場合でも適用することができる。
　なお、以上の実施の形態では、工程Ｓ３においてテンプレートＴの第２の端部Ｅ２をウェハＷ側に移動させていたが、ウェハＷをテンプレートＴ側に移動させてもよい。かかる場合、例えばウェハ移動機構２４によってウェハＷが鉛直方向に移動するようにしてもよい。
　また、以上の実施の形態で用いられるレジスト液Ｒは、脱気されたレジスト液であってもよい。この場合、脱気されたレジスト液は気泡の溶解能力が高いため、テンプレートＴとウェハＷとの間の気泡の発生をより確実に抑えることができる。
　以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
　本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写する際に有用である。
　　１　　インプリント装置
　　２０　ウェハ保持部
　　２４　ウェハ移動機構
　　３２　レジスト液ノズル
　　４０　テンプレート保持部
　　４２　テンプレート移動機構
　　５０　制御部
　　６０　検査部
　　Ｃ　　転写パターン
　　Ｅ１　第１の端部
　　Ｅ２　第２の端部
　　Ｒ　　レジスト液
　　Ｔ　　テンプレート
　　Ｗ　　ウェハ

Claims (13)

  1. 表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント方法であって、
    前記テンプレートの表面を基板に対向させ、
    かつ前記テンプレートの第１の端部と基板との間の第１の距離が、前記テンプレートと基板との間に前記塗布液の毛細管現象を発生させる距離であって、しかも前記テンプレートにおいて第１の端部に対向する第２の端部と基板との間の第２の距離が、前記塗布液の毛細管現象を発生させない距離となるように、前記テンプレートを基板に対して傾斜させて配置する配置工程と、
    その後、前記第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液を供給する供給工程と、
    その後、前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように、前記第２の端部と基板を相対的に移動させる移動工程と、を有する。
  2. 請求項１に記載のインプリント方法において、
    前記移動工程において、前記第２の端部を基板側に移動させる。
  3. 請求項１に記載のインプリント方法において、
    前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、
    前記供給工程において、前記第１の端部の一点に前記塗布液を供給する。
  4. 請求項１に記載のインプリント方法において、
    前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、
    前記供給工程において、前記第１の端部に沿って前記塗布液を連続して供給する。
  5. 請求項１に記載のインプリント方法において、
    前記移動工程において、前記供給工程における塗布液の供給を引き続き断続的に行う。
  6. 請求項１に記載のインプリント方法において、
    前記移動工程における前記塗布液の状態を検査し、この検査結果に基づいて、少なくとも前記配置工程における前記テンプレートの配置又は前記移動工程における前記第２の端部と基板の相対移動を制御する。
  7. 表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント方法を、インプリント装置によって実行させるために、当該インプリント装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記インプリント方法は、
    前記テンプレートの表面を基板に対向させ、
    かつ前記テンプレートの第１の端部と基板との間の第１の距離が、前記テンプレートと基板との間に前記塗布液の毛細管現象を発生させる距離であって、かつ前記テンプレートにおいて第１の端部に対向する第２の端部と基板との間の第２の距離が、前記塗布液の毛細管現象を発生させない距離となるように、前記テンプレートを基板に対して傾斜させて配置する配置工程と、
    その後、前記第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液を供給する供給工程と、
    その後、前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように、前記第２の端部と基板を相対的に移動させる移動工程と、を有する。
  8. 表面に転写パターンが形成されたテンプレートと基板との間に塗布液を塗布し、当該塗布液に前記転写パターンを転写するインプリント装置であって、
    前記テンプレートを保持するテンプレート保持部と、
    前記テンプレート保持部に保持されたテンプレートと基板を相対的に移動させる移動機構と、
    前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
    前記テンプレートの表面を基板に対向させ、かつ前記テンプレートの第１の端部と基板との間の第１の距離が、前記テンプレートと基板との間に前記塗布液の毛細管現象を発生させる距離であって、前記テンプレートにおいて第１の端部に対向する第２の端部と基板との間の第２の距離が、前記塗布液の毛細管現象を発生させない距離となるように、前記テンプレートを基板に対して傾斜させて配置する配置工程を実行すべく前記移動機構を制御し、その後、前記第１の端部の外側から当該第１の端部に塗布液を供給する供給工程を実行すべく前記塗布液供給部を制御し、その後、前記第２の距離を前記第１の距離に等しくするように、前記第２の端部と基板を相対的に移動させる移動工程を実行すべく前記移動機構を制御する制御部と、を有する。
  9. 請求項８に記載のインプリント装置において、
    前記制御部は、前記移動工程において前記第２の端部を基板側に移動させるように前記移動機構を制御する。
  10. 請求項８に記載のインプリント装置において、
    前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、
    前記制御部は、前記供給工程において前記第１の端部の一点に前記塗布液を供給するように前記塗布液供給部を制御する。
  11. 請求項８に記載のインプリント装置において、
    前記テンプレートは平面視において四角形状を有し、
    前記制御部は、前記供給工程において前記第１の端部に沿って前記塗布液を連続して供給するように前記塗布液供給部を制御する。
  12. 請求項８に記載のインプリント装置において、
    前記制御部は、前記移動工程において、前記供給工程における塗布液の供給を引き続き断続的に行うように前記塗布液供給部を制御する。
  13. 請求項８に記載のインプリント装置において、
    前記移動工程における前記塗布液の状態を検査する検査部をさらに有し、
    前記制御部は、前記検査部での検査結果に基づいて、少なくとも前記配置工程における前記テンプレートの配置又は前記移動工程における前記第２の端部と基板の相対移動を調整するように前記移動機構を制御する。
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