KR101357506B1

KR101357506B1 - 임프린트 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 임프린트 장치

Info

Publication number: KR101357506B1
Application number: KR1020127005392A
Authority: KR
Inventors: 고오끼찌 히로시로; 다까노리 니시; 쇼오이찌 데라다; 다까히로 기따노
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2009-09-02
Filing date: 2010-08-25
Publication date: 2014-02-03
Also published as: WO2011027698A1; US8468943B2; JP2011054755A; US20120152136A1; JP5296641B2; KR20120054606A

Abstract

본 발명은, 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿과 기판 사이에 도포액을 도포하고, 당해 도포액에 전사 패턴을 전사하는 방법이며, 템플릿의 제1 단부와 기판 사이의 제1 거리가, 템플릿과 기판 사이에 도포액의 모세관 현상을 발생시키는 거리이며, 또한 템플릿에 있어서 제1 단부에 대향하는 제2 단부와 기판 사이의 제2 거리가, 모세관 현상을 발생시키지 않는 거리로 되도록, 템플릿을 기판에 대하여 경사지게 하여 배치하고, 그 후, 제1 단부의 외측으로부터 당해 제1 단부에 도포액을 공급하고, 그 후, 제2 거리를 제1 거리와 동일하게 하도록, 제2 단부와 기판을 상대적으로 이동시킨다.

Description

임프린트 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 임프린트 장치{IMPRINTING METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM, AND IMPRINTING DEVICE}

본 발명은, 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿과 기판 사이에 도포액을 도포하고, 당해 도포액에 상기 전사 패턴을 전사하는 임프린트 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 임프린트 장치에 관한 것이다.

예를 들어 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성한다. 이 레지스트 패턴을 형성할 때에는, 최근의 레지스트 패턴의 미세화 요구에 부응하기 위해서, 소위 임프린트라고 불리는 방법을 사용하는 것이 제안되어 있다.

임프린트 방법에서는, 표면에 미세한 패턴을 갖는 템플릿(몰드나 형틀로 불리는 경우도 있음)이 사용된다. 그리고, 예를 들어 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포한 후, 템플릿을 웨이퍼 상의 레지스트 표면에 눌러, 레지스트 표면에 직접 패턴의 전사를 행한다.

이와 같은 패턴의 전사는, 통상, 하나의 웨이퍼에 대하여 복수회 행해진다. 즉, 하나의 웨이퍼에 있어서 템플릿을 복수회 레지스트 표면에 누르고 있다. 따라서, 이러한 패턴의 전사를 연속하여 행하는 방법이 제안되어 있다. 이 방법에서는, 우선, 템플릿을 웨이퍼에 대하여 경사지게 하여 배치한다. 계속해서, 템플릿을 이동시키면서, 템플릿과 웨이퍼 사이에 레지스트액을 연속하여 공급한다. 그 후, 템플릿이 소정의 목표 위치에 도달하면, 템플릿을 웨이퍼측으로 회전시켜, 당해 템플릿을 레지스트 표면에 누른다. 그리고, 이러한 템플릿의 이동과 레지스트액의 공급 및 템플릿의 레지스트 표면에의 누름을 반복하여 행하여, 하나의 웨이퍼에 패턴의 전사가 연속하여 행해진다(특허 문헌 1).

특허 문헌 1 : 일본 특허 출원 공개 제2009-43998호 공보

그러나, 상술한 임프린트 방법에서는, 웨이퍼 상의 레지스트 표면에 템플릿을 누를 때, 템플릿과 레지스트 사이의 분위기가 외부로 다 유출되지 않아, 당해 템플릿과 레지스트 사이에 기포가 잔류해 버린다. 기포가 잔류하면, 웨이퍼 상에 형성되는 레지스트 패턴에 결함이 발생한다.

따라서, 레지스트 패턴의 결함을 억제하기 위해서, 고압 분위기하에서 템플릿을 레지스트 표면에 누르는 처리를 행하여, 기포를 레지스트에 용해시키는 것이 생각된다. 또한, 이 처리 분위기를 He 가스로 치환하여, 기포를 레지스트에 용해시키기 쉽게 하는 것도 생각된다. 또한, 기포 자체를 발생시키지 않도록 하기 위해서, 처리 분위기를 진공 상태로 하는 것도 생각된다.

그러나, 고압 분위기하나 He 가스 분위기하에서 처리를 행한 경우, 기포가 레지스트에 용해되는 데에 시간이 걸린다. 특히, He 가스 분위기하에서 처리를 행하는 경우에는, 분위기를 He 가스로 치환하는 데에 시간이 걸린다. 이로 인해, 웨이퍼 처리의 처리량이 저하되어 버린다. 또한, 처리 분위기를 진공 상태로 하는 경우, 전용의 용기나 펌프 등이 필요하여 설비가 대규모로 되고, 또한 진공 상태의 형성은 시간이 걸려 지극히 어렵다. 따라서, 현재 상태에서는 템플릿과 레지스트 사이의 기포를 없애는 것은 곤란한 상황에 있다.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 템플릿과 기판 사이에 있어서, 기포를 발생시키지 않고 도포액을 적절하게 도포하는 것을 목적으로 한다.

상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿과 기판 사이에 도포액을 도포하고, 당해 도포액에 상기 전사 패턴을 전사하는 임프린트 방법이며, 상기 템플릿의 표면을 기판에 대향시키고, 또한 상기 템플릿의 제1 단부와 기판 사이의 제1 거리가, 상기 템플릿과 기판 사이에 상기 도포액의 모세관 현상을 발생시키는 거리이며, 또한 상기 템플릿에 있어서 제1 단부에 대향하는 제2 단부와 기판 사이의 제2 거리가, 상기 도포액의 모세관 현상을 발생시키지 않는 거리로 되도록, 상기 템플릿을 기판에 대하여 경사지게 하여 배치하는 배치 공정과, 그 후, 상기 제1 단부의 외측으로부터 당해 제1 단부에 도포액을 공급하는 공급 공정과, 그 후, 상기 제2 거리를 상기 제1 거리와 동일하게 하도록, 상기 제2 단부와 기판을 상대적으로 이동시키는 이동 공정을 갖는다.

본 발명에 따르면, 우선, 배치 공정에 있어서 상술한 바와 같이 템플릿을 배치한 후, 공급 공정에 있어서 템플릿의 제1 단부의 외측으로부터 당해 제1 단부에 도포액이 공급된다. 그렇게 하면, 공급된 도포액은, 제1 단부측에서 모세관 현상에 의해 확산된다. 그 후, 이동 공정에 있어서 상기 제2 거리를 상기 제1 거리와 동일하게 하도록 상기 제2 단부와 기판을 상대적으로 이동시키므로, 제1 단부측에서 확산된 도포액은, 모세관 현상에 의해 제2 단부측을 향하여 확산된다. 이렇게 도포액은, 템플릿과 기판 사이를 연속하여 확산하므로, 당해 템플릿과 기판 사이의 분위기를 외부로 배출할 수 있다. 따라서, 템플릿과 기판 사이에 있어서, 기포를 발생시키지 않고 도포액을 적절하게 도포할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상술한 바와 같이 처리 분위기를 고압 분위기나 He 가스 분위기로 하거나, 혹은 진공 상태로 할 필요가 없으므로, 기판 처리의 처리량이 저하되는 일이 없다. 또한, 본 발명은, 처리 분위기의 상태를 변경하기 위한 설비가 불필요하고, 또한 고가의 He 가스를 사용할 필요도 없으므로, 기판 처리의 비용을 억제할 수도 있다.

상기 이동 공정에 있어서의 상기 도포액의 상태를 검사하고, 이 검사 결과에 기초하여, 적어도 상기 배치 공정에 있어서의 상기 템플릿의 배치 또는 상기 이동 공정에 있어서의 상기 제2 단부와 기판의 상대 이동을 제어해도 된다. 또한, 도포액의 상태란, 예를 들어 도포액이 템플릿과 기판 사이를 확산하는 모습을 말한다.

다른 관점에 의한 본 발명은, 상기 임프린트 방법을 임프린트 장치에 의해 실행시키기 위해서, 당해 임프린트 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체이다.

다른 관점에 의한 본 발명은, 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿과 기판 사이에 도포액을 도포하고, 당해 도포액에 상기 전사 패턴을 전사하는 임프린트 장치이며, 상기 템플릿을 유지하는 템플릿 유지부와, 상기 템플릿 유지부에 유지된 템플릿과 기판을 상대적으로 이동시키는 이동 기구와, 상기 도포액을 공급하는 도포액 공급부와, 상기 템플릿의 표면을 기판에 대향시키고, 또한 상기 템플릿의 제1 단부와 기판 사이의 제1 거리가, 상기 템플릿과 기판 사이에 상기 도포액의 모세관 현상을 발생시키는 거리이며, 또한 상기 템플릿에 있어서 제1 단부에 대향하는 제2 단부와 기판 사이의 제2 거리가, 상기 도포액의 모세관 현상을 발생시키지 않는 거리로 되도록, 상기 템플릿을 기판에 대하여 경사지게 하여 배치하는 배치 공정을 실행하기 위해서 상기 이동 기구를 제어하고, 그 후, 상기 제1 단부의 외측으로부터 당해 제1 단부에 도포액을 공급하는 공급 공정을 실행하기 위해서 상기 도포액 공급부를 제어하고, 그 후, 상기 제2 거리를 상기 제1 거리와 동일하게 하도록, 상기 제2 단부와 기판을 상대적으로 이동시키는 이동 공정을 실행하기 위해서 상기 이동 기구를 제어하는 제어부를 갖고 있다.

도 1은 본 실시 형태에 관한 임프린트 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 관한 임프린트 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.
도 3은 템플릿의 사시도이다.
도 4는 템플릿의 측면도이다.
도 5는 임프린트 처리의 각 공정을 도시한 흐름도이다.
도 6은 임프린트 처리의 각 공정에 있어서의 템플릿과 웨이퍼의 상태를 모식적으로 도시한 설명도로서, (a)는 템플릿을 소정의 위치에 배치한 모습을 도시하고, (b)는 템플릿의 제1 단부에 레지스트액을 공급하는 모습을 도시하고, (c)는 템플릿의 제2 단부를 웨이퍼측으로 이동시키는 모습을 도시하고, (d)는 레지스트액에 광을 조사하는 모습을 도시하고, (e)는 템플릿을 상승시키는 모습을 도시하고 있다.
도 7은 임프린트 처리의 각 공정에 있어서의 레지스트액의 상태를 도시한 설명도로서, (a)는 레지스트액이 템플릿의 제1 단부를 따라서 확산되는 모습을 도시하고, (b)는 레지스트액이 템플릿의 제2 단부를 향하여 확산되는 모습을 도시하고, (c)는 레지스트액이 템플릿과 웨이퍼 사이로 확산된 모습을 도시한다.
도 8은 다른 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 사용한 경우에, 레지스트액이 템플릿의 제1 단부를 따라서 확산되는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 9는 다른 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 사용한 경우에, 레지스트액이 템플릿의 제1 단부를 따라서 확산되는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 10은 다른 실시 형태에 관한 임프린트 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 11은 다른 실시 형태에 관한 임프린트 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 12는 다른 실시 형태에 관한 임프린트 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 13은 임프린트 처리의 각 공정에 있어서의 템플릿과 웨이퍼의 상태를 모식적으로 도시한 설명도로서, (a)는 템플릿을 소정의 위치에 배치한 모습을 도시하고, (b)는 템플릿의 제1 단부에 레지스트액을 공급하는 모습을 도시하고, (c)는 템플릿의 제2 단부를 웨이퍼측으로 이동시키는 모습을 도시하고, (d)는 레지스트액에 광을 조사하는 모습을 도시하고, (e)는 템플릿을 하강시키는 모습을 도시하고 있다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 관한 임프린트 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 도 2는 임프린트 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다. 또한, 도 1 및 도 2에 도시한 템플릿(T)과 웨이퍼(W)의 크기의 비는, 기술의 이해의 용이성을 우선시키기 위한 것으로, 반드시 실제의 크기의 비에 대응하고 있는 것은 아니다.

본 실시 형태의 임프린트 장치(1)에서는, 도 3에 도시한 바와 같이 평면에서 보아 사각 형상을 갖고, 표면에 소정의 전사 패턴(C)이 형성된 템플릿(T)이 사용된다. 이하, 전사 패턴(C)이 형성되어 있는 템플릿(T)의 면을 표면(T₁)이라고 하고, 당해 표면(T₁)과 반대측의 면을 이면(T₂)이라고 한다. 템플릿(T)의 표면(T₁)에는, 도 4에 도시한 바와 같이 전사 패턴(C)의 형상을 따른 이형제(S)가 성막되어 있다. 또한, 템플릿(T)에는, 가시광, 근자외광, 자외선 등의 광을 투과 가능한 투명 재료, 예를 들어 글래스가 사용된다. 또한, 이형제(S)의 재료로는, 후술하는 웨이퍼 상의 레지스트액에 대하여 발액성을 갖는 재료, 예를 들어 불소 수지 등이 사용된다.

임프린트 장치(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이 측면에 템플릿(T)의 반입출구(도시하지 않음)와 웨이퍼(W)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성된 케이싱(10)을 갖고 있다.

케이싱(10) 내의 저면에는, 웨이퍼(W)가 적재되어 유지되는 웨이퍼 유지부(20)가 설치되어 있다. 웨이퍼(W)는, 그 피처리면이 상방을 향하도록 웨이퍼 유지부(20)의 상면에 적재된다. 웨이퍼 유지부(20) 내에는, 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하고 승강시키기 위한 승강 핀(21)이 설치되어 있다. 승강 핀(21)은, 승강 구동부(22)에 의해 상하 이동할 수 있다. 웨이퍼 유지부(20)의 상면에는, 당해 상면을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(23)이 형성되어 있고, 승강 핀(21)은, 관통 구멍(23)을 삽입 관통하도록 되어 있다. 또한, 웨이퍼 유지부(20)는, 당해 웨이퍼 유지부(20)의 하방에 설치된 웨이퍼 이동 기구(24)에 의해, 수평 방향으로 이동 가능하고, 또한 연직 주위로 회전 가능하다.

도 2에 도시한 바와 같이 웨이퍼 유지부(20)의 X 방향 부방향(도 2의 하방향)측에는, Y 방향(도 2의 좌우 방향)을 따라서 연신하는 레일(30)이 설치되어 있다. 레일(30)은, 예를 들어 웨이퍼 유지부(20)의 Y 방향 부방향(도 2의 좌측 방향)측의 외측으로부터 Y 방향 정방향(도 2의 우측 방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(30)에는, 아암(31)이 설치되어 있다.

아암(31)에는, 웨이퍼(W) 상에 도포액으로서의 레지스트액을 공급하는, 도포액 공급부로서의 레지스트액 노즐(32)이 지지되어 있다. 레지스트액 노즐(32)은, 그 하단부에 레지스트액을 공급하는 공급구(32a)를 갖고, 공급구(32a)의 방향을 변경 가능하게 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 레지스트액 노즐(32)은, 그 공급구(32a)가 경사 하방을 향하도록 배치되어 있다. 또한, 레지스트액 노즐(32)은, 예를 들어 디스펜서용의 노즐이며, 레지스트액의 공급 타이밍, 레지스트액의 공급량 등을 엄밀하게 제어할 수 있다.

아암(31)은, 노즐 구동부(33)에 의해, 레일(30) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 레지스트액 노즐(32)은, 예를 들어 웨이퍼 유지부(20)의 Y 방향 부방향측의 외측에 설치된 대기부(34)로부터 웨이퍼 유지부(20) 상의 웨이퍼(W)의 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 아암(31)은, 노즐 구동부(33)에 의해 승강 가능하여, 레지스트액 노즐(32)의 높이를 조정할 수 있다.

케이싱(10) 내의 천장면이며, 웨이퍼 유지부(20)의 상방에는, 도 1에 도시한 바와 같이 템플릿(T)을 유지하는 템플릿 유지부(40)가 설치되어 있다. 즉, 웨이퍼 유지부(20)와 템플릿 유지부(40)는, 웨이퍼 유지부(20)에 적재된 웨이퍼(W)와, 템플릿 유지부(40)에 유지된 템플릿(T)이 대향하도록 배치되어 있다.

템플릿 유지부(40)는, 템플릿(T)의 이면(T₂)의 외주부를 흡착 유지하는 척(41)을 갖고 있다. 척(41)은, 당해 척(41)의 상방에 설치된 템플릿 이동 기구(42)에 지지되어 있다. 이 템플릿 이동 기구(42)에 의해, 척(41)은, 연직 방향으로 이동 가능하고, 또한 연직 주위로 회전 가능하게 되어 있다.

템플릿 이동 기구(42)는, 피에조 기구(43), 볼 나사(44), 마이크로미터(45) 및 회전 기구(46)를 갖고 있다. 피에조 기구(43), 볼 나사(44) 및 마이크로미터(45)는, 척(41) 상에 하방으로부터 이 순서로 설치되어 있다. 또한, 피에조 기구(43), 볼 나사(44) 및 마이크로미터(45)는, 도 2에 도시한 바와 같이 척(41)의 네 코너에 설치되어 있다. 각 볼 나사(44)는 템플릿(T)의 연직 방향의 위치를 대략적으로 조정하고, 각 피에조 기구(43)는 당해 템플릿(T)의 연직 방향의 위치의 미세 조정을 행한다. 또한, 각 마이크로미터(45)는, 템플릿(T)의 연직 방향의 위치를 측정하고 관리한다. 이러한 템플릿 이동 기구(42)에 의해, 템플릿(T)은, 네 코너의 연직 방향 위치가 독립하여 조정되어, 웨이퍼 유지부(20) 상의 웨이퍼(W)에 대하여 승강할 수 있다.

회전 기구(46)는, 도 1에 도시한 바와 같이 마이크로미터(45)의 상방에 설치되어 있다. 이 회전 기구(46)에 의해, 템플릿(T)은 웨이퍼 유지부(20) 상의 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 방향으로 회전할 수 있다.

템플릿 유지부(40)는, 척(41)에 유지된 템플릿(T)의 상방에 설치된 광원(47)을 갖고 있다. 광원(47)으로부터는, 예를 들어 가시광, 근자외광, 자외선 등의 광이 발해지고, 이 광원(47)으로부터의 광은, 템플릿(T)을 투과하여 하방으로 조사된다.

이상의 임프린트 장치(1)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 제어부(50)가 설치되어 있다. 제어부(50)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 예를 들어 웨이퍼 이동 기구(24), 템플릿 이동 기구(42), 노즐 구동부(33) 등의 구동계의 동작이나, 레지스트액 노즐(32)에 의한 레지스트액의 공급 동작 등을 제어하여, 임프린트 장치(1)에 있어서의 후술하는 임프린트 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 이 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있었던 것이어도, 그 기억 매체로부터 제어부(50)에 인스톨된 것이어도 좋다.

본 실시 형태에 관한 임프린트 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있다. 다음에, 그 임프린트 장치(1)에서 행해지는 임프린트 처리에 대하여 설명한다. 도 5는 임프린트 처리의 주된 공정의 처리 플로우를 도시하고 있다. 또한, 도 6은 임프린트 처리의 각 공정에 있어서의 템플릿(T)과 웨이퍼(W)의 상태를 도시하고, 도 7은 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이의 레지스트액의 상태를 도시하고 있다.

우선, 임프린트 장치(1) 내에 템플릿(T)과 웨이퍼(W)가 반입된다. 임프린트 장치(1)에 반입된 템플릿(T)은, 그 표면(T₁)이 하방을 향한 상태로 템플릿 유지부(40)의 척(41)에 흡착 유지된다. 또한, 임프린트 장치(1)에 반입된 웨이퍼(W)는, 그 피처리면이 상방을 향한 상태로 승강 핀(21)에 전달되어, 웨이퍼 유지부(20) 상에 적재되어 유지된다.

다음에, 웨이퍼 이동 기구(24)에 의해, 웨이퍼 유지부(20)에 유지된 웨이퍼(W)를 수평 방향의 소정의 위치로 이동시켜 위치 정렬을 행한다. 또한, 템플릿 이동 기구(42)에 의해, 템플릿 유지부(40)에 유지된 템플릿(T)을 소정의 방향으로 회전시킨다. 이렇게 하여, 템플릿(T)의 표면(T₁)과 웨이퍼(W)의 피처리면이 대향하여 배치된다.

계속해서, 템플릿 이동 기구(42)에 의해, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)을 웨이퍼(W)측으로 하강시켜 소정의 위치에 배치한다(도 5의 공정 S1). 이때, 볼 나사(44)와 피에조 기구(43)에 의해 템플릿(T)의 네 코너의 연직 방향 위치가 조정되어, 템플릿(T)은 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 경사 각도 θ, 예를 들어 5도 내지 10도로 경사져서 배치된다. 또한, 템플릿(T)의 제1 단부(E₁)와 웨이퍼(W) 사이의 제1 거리(H₁)는, 예를 들어 10㎚ 내지 500㎚이다. 이 제1 거리(H₁)는, 템플릿(T)의 제1 단부(E₁)와 웨이퍼(W) 사이에 레지스트액의 모세관 현상을 발생시키는 거리이다. 또한, 템플릿(T)에 있어서 제1 단부(E₁)와 대향하는 제2 단부(E₂)와 웨이퍼(W) 사이의 제2 거리(H₂)는, 예를 들어 3㎜ 내지 5㎜이다. 이 제2 거리(H₂)는, 템플릿(T)의 제2 단부(E₂)와 웨이퍼(W) 사이에 레지스트액의 모세관 현상을 발생시키지 않는 거리이다.

그 후, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이 레지스트액 노즐(32)을 템플릿(T)의 제1 단부(E₁)의 외측으로 이동시킨다. 계속해서, 레지스트액 노즐(32)로부터 소정량, 예를 들어 100㎖의 레지스트액(R)이 템플릿(T)의 제1 단부(E₁)의 외측에 공급된다(도 5의 공정 S2). 이때, 레지스트액(R)은, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)의 한 코너에 공급된다. 또한, 이 레지스트액(R)의 공급량은, 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이에 소정의 막 두께로 레지스트액(R)을 도포하기 위해서 필요한 양이며, 제어부(50)에 의해 제어된다.

레지스트액 노즐(32)로부터 공급된 레지스트액(R)은, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 모세관 현상에 의해, 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이에 진입하고, 템플릿(T)의 내측을 제1 단부(E₁)를 따라서 X 방향 정방향[도 7의 (a)의 상방향]으로 확산한다. 이때, 템플릿(T)은 웨이퍼(W)에 대하여 경사져서 배치되어 있기 때문에, 레지스트액(R)은 제2 단부(E₂)측으로는 확산되지 않는다.

그 후, 템플릿 이동 기구(42)에 의해, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)의 제2 단부(E₂)를 웨이퍼(W)측으로 이동시킨다(도 5의 공정 S3). 그렇게 하면, 레지스트액(R)은, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)의 제2 단부(E₂)를 향하여 확산된다. 이것은, 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이의 거리가 Y 방향 정방향[도 7의 (b)의 우측 방향]으로 순차적으로 작아짐에 따라서, 당해 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이에 레지스트액(R)의 모세관 현상이 발생하기 때문이다. 따라서, 레지스트액(R)은, 그 선단부가 제1 단부(E₁) 및 제2 단부(E₂)와 평행해지도록 확산된다.

그리고, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이 상술한 제2 거리(H₂)가 제1 거리(H₁)와 동일해질 때까지, 즉 템플릿(T)과 웨이퍼(W)가 평행해질 때까지, 템플릿(T)의 제2 단부(E₂)를 웨이퍼(W)측으로 이동시킨다. 그렇게 하면, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이에 전체면에 레지스트액(R)이 확산된다. 이렇게 레지스트액(R)은, 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이를 연속하여 확산하므로, 당해 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이의 분위기를 외부로 배출할 수 있다.

다음에, 도 6의 (d)에 도시한 바와 같이 광원(47)으로부터 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 대하여 광이 조사된다. 광원(47)으로부터의 광은, 템플릿(T)을 투과하여 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 조사된다. 이에 의해, 레지스트액(R)은 경화되어 광중합한다. 이와 같이 하여 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 템플릿(T)의 전사 패턴(C)이 전사되어, 레지스트 패턴(P)이 형성된다(도 5의 공정 S4).

그 후, 도 6의 (e)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)을 상승시킨다. 이때, 템플릿(T)의 표면(T₁)에는 이형제(S)가 도포되어 있으므로, 웨이퍼(W) 상의 레지스트가 템플릿(T)의 표면(T₁)에 부착되는 일은 없다. 또한, 웨이퍼(W) 상에 형성된 레지스트 패턴(P)의 오목부에는, 얇은 레지스트의 잔존막이 남는 경우가 있지만, 예를 들어 임프린트 장치(1)의 외부에 있어서 당해 잔존막을 제거해도 된다.

이렇게 해서, 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴(P)이 형성되고, 일련의 임프린트 처리가 종료된다.

이상의 실시 형태에 따르면, 우선, 공정 S1에 있어서 제1 거리(H₁)가 레지스트액(R)의 모세관 현상을 발생시키는 거리이며, 제2 거리(H₂)가 레지스트액(R)의 모세관 현상을 발생시키지 않는 거리로 되도록, 템플릿(T)을 웨이퍼(W)에 대하여 경사지게 하여 배치하고 있다. 이에 의해, 그 후 공정 S2에 있어서 템플릿(T)의 제1 단부(E₁)의 외측으로부터 공급된 레지스트액(R)은, 모세관 현상에 의해 제1 단부(E₁)를 따라서 확산된다. 그 후, 공정 S3에 있어서 템플릿(T)의 제2 단부(E₂)를 웨이퍼(W)측으로 이동시키므로, 레지스트액(R)은 모세관 현상에 의해 제2 단부(E₂)측을 향하여 확산된다. 이렇게 레지스트액(R)은, 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이를 연속하여 확산하므로, 당해 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이의 분위기를 외부로 배출할 수 있다. 따라서, 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이에 있어서, 기포를 발생시키지 않고 레지스트액(R)을 적절하게 도포할 수 있다.

또한, 이상의 실시 형태에서는, 공정 S2에 있어서 템플릿(T)의 한 코너에 레지스트액(R)을 공급하였지만, 템플릿(T)의 제1 단부(E₁) 외의 한 점에 레지스트액(R)을 공급해도 된다. 예를 들어 도 8에 도시한 바와 같이 제1 단부(E₁)의 중앙부에 레지스트액(R)을 공급해도 된다. 이러한 경우, 제1 단부(E₁)의 외측에 공급된 레지스트액(R)은, 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이에 진입하고, 템플릿(T)의 내측을 제1 단부(E₁)를 따라서 X 방향 정방향(도 8의 상방향) 및 X 방향 부방향(도 8의 하방향)으로 확산한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서 임프린트 처리의 그 밖의 공정은, 상기 실시 형태의 공정 S1, 공정 S3 및 공정 S4와 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.

또한, 이상의 실시 형태에서는, 공정 S2에 있어서 템플릿(T)의 제1 단부(E₁)의 한 점에 레지스트액(R)을 공급하였지만, 예를 들어 도 9에 도시한 바와 같이 제1 단부(E₁)를 따라서 레지스트액(R)을 연속하여 공급해도 된다. 이러한 경우, 예를 들어 레지스트액 노즐(32)을 제1 단부(E₁)를 따라서 X 방향 정방향(도 9의 상방향)으로 이동시키면서, 제1 단부(E₁)의 외측에 레지스트액(R)이 공급된다. 그리고, 공급된 레지스트액(R)은 템플릿(T)의 내측에 진입하고, 제1 단부(E₁)측으로 레지스트액(R)이 확산된다. 또한, 본 실시 형태에 있어서 임프린트 처리의 그 밖의 공정은, 상기 실시 형태의 공정 S1, 공정 S3 및 공정 S4와 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.

이상의 실시 형태의 공정 S2에 있어서의 레지스트액(R)의 공급은, 공정 S3에 있어서도 계속해서 단속적으로 행해져도 좋다. 이러한 경우, 공정 S2에서의 레지스트액(R)의 공급량과 공정 S3에서의 레지스트액(R)의 공급량의 합계가 상술한 소정량으로 되도록, 레지스트액 노즐(32)로부터 레지스트액(R)이 공급된다. 이 경우에서도, 앞서 도 7의 (a) 내지 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이 레지스트액(R)은, 공정 S2에 있어서 레지스트액(R)은 템플릿(T)의 제1 단부(E₁)를 따라서 확산된 후, 공정 S3에 있어서 제2 단부(E₂)측을 향하여 확산된다.

이상의 실시 형태의 임프린트 장치(1)는, 도 10에 도시한 바와 같이 레지스트액(R)의 상태, 즉 레지스트액(R)이 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이로 확산되는 모습을 검사하는 검사부(60)를 더 갖고 있어도 된다. 검사부(60)는, 척(41)에 유지된 템플릿(T)의 상방에 설치되어 있고, 예를 들어 광원(47)에 인접하여 배치되어 있다. 검사부(60)에는, 예를 들어 광각형의 CCD 카메라가 사용된다. 그리고, 템플릿(T)이 투명 재료이기 때문에, 검사부(60)는 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이의 레지스트액(R)의 확산 모습을 검사할 수 있다. 또한, 검사부(60)는 제어부(50)에 접속되어 있다. 또한, 임프린트 장치(1)의 그 밖의 구성은, 상기 실시 형태의 임프린트 장치(1)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다. 또한, 본 실시 형태의 임프린트 장치(1)에서 행해지는 임프린트 처리도, 상기 실시 형태의 공정 S1 내지 공정 S4와 마찬가지이다.

이러한 경우, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 공정 S3에 있어서 레지스트액(R)이 템플릿(T)의 제2 단부(E₂)측으로 확산될 때에, 검사부(60)가 당해 레지스트액(R)의 확산 모습을 검사한다. 이 검사 결과는, 제어부(50)에 출력된다. 제어부(50)에서는, 검사 결과에 기초하여, 레지스트액(R)이 적절하게 확산되고 있는지의 여부, 예를 들어 레지스트액(R)이 제1 단부(E₁) 및 제2 단부(E₂)와 평행하게 확산되고 있는지의 여부를 확인한다. 그리고, 레지스트액(R)이 적절하게 확산되고 있지 않은 경우에는, 템플릿 이동 기구(42)의 피에조 기구(43)나 볼 나사(44)를 피드백 제어한다. 구체적으로는, 공정 S1에 있어서의 템플릿(T)의 배치, 예를 들어 템플릿(T)의 수평 방향의 밸런스나, 공정 S3에 있어서의 템플릿(T)의 이동, 예를 들어 이동 속도 등을 조정한다. 이렇게 템플릿 이동 기구(42)를 피드백 제어할 수 있으므로, 후속의 임프린트 처리를 적절하게 행할 수 있다.

또한, 이 검사부(60)에 의해, 공정 S3에서 레지스트액(R)이 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이에 전체면에 확산된 것을 검사할 수 있다. 그리고, 레지스트액(R)이 전체면에 확산되면, 제어부(50)는 공정 S3을 종료하도록 템플릿 이동 기구(42)를 제어할 수 있다.

이상의 실시 형태에서는, 템플릿 유지부(40)의 척(41)이 템플릿(T)을 흡착 유지하고 있었지만, 척(41) 대신에, 도 11에 도시한 바와 같이 클램프(70)를 설치해도 된다. 클램프(70)는, 템플릿(T)의 외주 측면을 기계적으로 유지할 수 있다. 또한, 템플릿(T)과 템플릿 유지부(40)를 나사 고정하여, 템플릿 유지부(40)가 템플릿(T)을 유지하도록 해도 된다.

이상의 실시 형태에서는, 임프린트 장치(1)에 있어서, 템플릿 유지부(40)는 웨이퍼 유지부(20)의 상방에 설치되어 있었지만, 템플릿 유지부를 웨이퍼 유지부의 하방에 설치해도 된다.

이러한 경우, 도 12에 도시한 바와 같이 임프린트 장치(80)의 케이싱(81)의 저면에는, 템플릿 유지부(82)가 설치된다. 템플릿 유지부(82)는, 도 1 및 도 2에 도시한 템플릿 유지부(40)와 마찬가지의 구성을 갖고, 당해 템플릿 유지부(40)를 연직 방향으로 반전시켜 배치한 것이다. 따라서, 템플릿(T)은, 그 표면(T₁)이 상방을 향하도록 템플릿 유지부(82)에 유지된다. 또한, 템플릿 유지부(82)의 광원(47)으로부터 발해지는 광은, 상방으로 조사된다.

또한, 케이싱(81)의 천장면이며, 템플릿 유지부(82)의 상방에는, 웨이퍼 유지부(83)가 설치되어 있다. 웨이퍼 유지부(83)는, 웨이퍼(W)의 피처리면이 하방을 향하도록, 당해 웨이퍼(W)의 이면을 흡착 유지한다. 웨이퍼 유지부(83)는, 당해 웨이퍼 유지부(83)의 상방에 설치된 이동 기구(84)에 의해 수평 방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다.

또한, 레지스트액 노즐(32)은, 그 공급구(32a)가 경사 상방을 향하도록 배치되어 있다.

또한, 임프린트 장치(80)의 그 밖의 구성에 대해서는, 도 1 및 도 2에 도시한 임프린트 장치(1)의 구성과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.

다음에, 이상과 같이 구성된 임프린트 장치(80)에서 행해지는 임프린트 처리에 대하여 설명한다. 도 13은 임프린트 처리의 각 공정에 있어서의 템플릿(T)과 웨이퍼(W)의 상태를 도시하고 있다.

우선, 템플릿(T)과 웨이퍼(W)가 임프린트 장치(80)에 반입되어, 템플릿 유지부(82)와 웨이퍼 유지부(83)에 각각 유지된다. 계속해서, 템플릿 유지부(82)에 유지된 템플릿(T)을 소정의 방향으로 회전시켜 위치 정렬을 행함과 동시에, 웨이퍼 유지부(83)에 유지된 웨이퍼(W)를 수평 방향의 소정의 위치로 이동시켜 위치 정렬을 행한다.

다음에, 템플릿 이동 기구(42)에 의해, 도 13의 (a)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)을 웨이퍼(W)측으로 상승시켜 소정의 위치에 배치한다. 이때의 템플릿(T)의 경사 각도 θ, 제1 거리(H₁) 및 제2 거리(H₂)는, 상기 실시 형태와 마찬가지이므로 상세한 설명을 생략한다.

그 후, 도 13의 (b)에 도시한 바와 같이 레지스트액 노즐(32)을 템플릿(T)의 제1 단부(E₁)의 외측으로 이동시킨다. 계속해서, 레지스트액 노즐(32)로부터 소정량의 레지스트액(R)이 템플릿(T)의 제1 단부(E₁)의 외측에 공급된다. 이때, 레지스트액(R)의 공급량은 소량이며, 또한 레지스트액(R)은 상당 정도의 점도를 가지므로, 공급된 레지스트액(R)이 하방으로 낙하하는 일은 없다. 그리고, 레지스트액(R)은, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 모세관 현상에 의해, 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이에 진입하고, 템플릿(T)의 내측을 제1 단부(E₁)를 따라서 확산한다.

그 후, 도 13의 (c)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)의 제2 단부(E₂)를 웨이퍼(W)측으로 이동시킨다. 그렇게 하면, 레지스트액(R)은, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이 모세관 현상에 의해, 템플릿(T)의 제2 단부(E₂)측을 향하여 확산된다.

그리고, 도 13의 (c)에 도시한 바와 같이 상술한 제2 거리(H₂)가 제1 거리(H₁)와 동일해질 때까지, 즉 템플릿(T)과 웨이퍼(W)가 평행해질 때까지, 템플릿(T)의 제2 단부(E₂)를 웨이퍼(W)측으로 이동시킨다. 그렇게 하면, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이에 전체면에 레지스트액(R)이 확산된다.

다음에, 도 13의 (d)에 도시한 바와 같이 광원(47)으로부터 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 대하여 광이 조사된다. 광원(47)으로부터의 광은, 템플릿(T)을 투과하여 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 조사된다. 이에 의해, 레지스트액(R)은 경화되어 광중합한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 템플릿(T)의 전사 패턴(C)이 전사되어, 레지스트 패턴(P)이 형성된다.

그 후, 도 13의 (e)에 도시한 바와 같이 템플릿(T)을 하강시킨다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴(P)이 형성되고, 일련의 임프린트 처리가 종료된다.

본 실시 형태에 있어서도, 레지스트액(R)이 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이를 연속하여 확산하므로, 당해 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이의 분위기를 외부로 배출할 수 있다. 따라서, 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이에 있어서, 기포를 발생시키지 않고 레지스트액(R)을 적절하게 도포할 수 있다. 이렇게 본 발명은, 템플릿(T)을 웨이퍼(W)에 대하여 상방 또는 하방 중 어느 곳에 배치한 경우라도 적용할 수 있다.

또한, 이상의 실시 형태에서는, 공정 S3에 있어서 템플릿(T)의 제2 단부(E₂)를 웨이퍼(W)측으로 이동시키고 있었지만, 웨이퍼(W)를 템플릿(T)측으로 이동시켜도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어 웨이퍼 이동 기구(24)에 의해 웨이퍼(W)가 연직 방향으로 이동하도록 해도 된다.

또한, 이상의 실시 형태에서 사용되는 레지스트액(R)은, 탈기된 레지스트액이어도 좋다. 이 경우, 탈기된 레지스트액은 기포의 용해 능력이 높기 때문에, 템플릿(T)과 웨이퍼(W) 사이의 기포의 발생을 보다 확실하게 억제할 수 있다.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한하지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.

본 발명은, 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿과 기판 사이에 도포액을 도포하고, 당해 도포액에 상기 전사 패턴을 전사할 때에 유용하다.

1 : 임프린트 장치
20 : 웨이퍼 유지부
24 : 웨이퍼 이동 기구
32 : 레지스트액 노즐
40 : 템플릿 유지부
42 : 템플릿 이동 기구
50 : 제어부
60 : 검사부
C : 전사 패턴
E₁ : 제1 단부
E₂ : 제2 단부
R : 레지스트액
T : 템플릿
W : 웨이퍼

Claims

표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿과 기판 사이에 도포액을 도포하고, 당해 도포액에 상기 전사 패턴을 전사하는 임프린트 방법이며,
상기 템플릿의 표면을 기판에 대향시키고,
또한 상기 템플릿의 제1 단부와 기판 사이의 제1 거리가, 상기 템플릿과 기판 사이에 상기 도포액의 모세관 현상을 발생시키는 거리이며, 또한 상기 템플릿에 있어서 제1 단부에 대향하는 제2 단부와 기판 사이의 제2 거리가, 상기 도포액의 모세관 현상을 발생시키지 않는 거리로 되도록, 상기 템플릿을 기판에 대하여 경사지게 하여 배치하는 배치 공정과,
그 후, 상기 제1 단부의 외측으로부터 당해 제1 단부에 도포액을 공급하는 공급 공정과,
그 후, 상기 제2 거리를 상기 제1 거리와 동일하게 하도록, 상기 제2 단부와 기판을 상대적으로 이동시키는 이동 공정을 갖는, 임프린트 방법.
제1항에 있어서,
상기 이동 공정에 있어서, 상기 제2 단부를 기판측으로 이동시키는, 임프린트 방법.
제1항에 있어서,
상기 템플릿은 평면에서 보아 사각 형상을 갖고,
상기 공급 공정에 있어서, 상기 제1 단부의 한 점에 상기 도포액을 공급하는, 임프린트 방법.
제1항에 있어서,
상기 템플릿은 평면에서 보아 사각 형상을 갖고,
상기 공급 공정에 있어서, 상기 제1 단부를 따라서 상기 도포액을 연속하여 공급하는, 임프린트 방법.
제1항에 있어서,
상기 이동 공정에 있어서, 상기 공급 공정에 있어서의 도포액의 공급을 계속해서 단속적으로 행하는, 임프린트 방법.
제1항에 있어서,
상기 이동 공정에 있어서의 상기 도포액의 상태를 검사하고, 이 검사 결과에 기초하여, 적어도 상기 배치 공정에 있어서의 상기 템플릿의 배치 또는 상기 이동 공정에 있어서의 상기 제2 단부와 기판의 상대 이동을 제어하는, 임프린트 방법.
표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿과 기판 사이에 도포액을 도포하고, 당해 도포액에 상기 전사 패턴을 전사하는 임프린트 방법을, 임프린트 장치에 의해 실행시키기 위해서, 당해 임프린트 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체이며,
상기 임프린트 방법은,
상기 템플릿의 표면을 기판에 대향시키고,
또한 상기 템플릿의 제1 단부와 기판 사이의 제1 거리가, 상기 템플릿과 기판 사이에 상기 도포액의 모세관 현상을 발생시키는 거리이며, 또한 상기 템플릿에 있어서 제1 단부에 대향하는 제2 단부와 기판 사이의 제2 거리가, 상기 도포액의 모세관 현상을 발생시키지 않는 거리로 되도록, 상기 템플릿을 기판에 대하여 경사지게 하여 배치하는 배치 공정과,
그 후, 상기 제1 단부의 외측으로부터 당해 제1 단부에 도포액을 공급하는 공급 공정과,
그 후, 상기 제2 거리를 상기 제1 거리와 동일하게 하도록, 상기 제2 단부와 기판을 상대적으로 이동시키는 이동 공정을 갖는, 컴퓨터 기억 매체.
표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿과 기판 사이에 도포액을 도포하고, 당해 도포액에 상기 전사 패턴을 전사하는 임프린트 장치이며,
상기 템플릿을 유지하는 템플릿 유지부와,
상기 템플릿 유지부에 유지된 템플릿과 기판을 상대적으로 이동시키는 이동 기구와,
상기 도포액을 공급하는 도포액 공급부와,
상기 템플릿의 표면을 기판에 대향시키고, 또한 상기 템플릿의 제1 단부와 기판 사이의 제1 거리가, 상기 템플릿과 기판 사이에 상기 도포액의 모세관 현상을 발생시키는 거리이며, 상기 템플릿에 있어서 제1 단부에 대향하는 제2 단부와 기판 사이의 제2 거리가, 상기 도포액의 모세관 현상을 발생시키지 않는 거리로 되도록, 상기 템플릿을 기판에 대하여 경사지게 하여 배치하는 배치 공정을 실행하기 위해서 상기 이동 기구를 제어하고, 그 후, 상기 제1 단부의 외측으로부터 당해 제1 단부에 도포액을 공급하는 공급 공정을 실행하기 위해서 상기 도포액 공급부를 제어하고, 그 후, 상기 제2 거리를 상기 제1 거리와 동일하게 하도록, 상기 제2 단부와 기판을 상대적으로 이동시키는 이동 공정을 실행하기 위해서 상기 이동 기구를 제어하는 제어부를 갖는, 임프린트 장치.
제8항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 이동 공정에 있어서 상기 제2 단부를 기판측으로 이동시키도록 상기 이동 기구를 제어하는, 임프린트 장치.
제8항에 있어서,
상기 템플릿은 평면에서 보아 사각 형상을 갖고,
상기 제어부는, 상기 공급 공정에 있어서 상기 제1 단부의 한 점에 상기 도포액을 공급하도록 상기 도포액 공급부를 제어하는, 임프린트 장치.
제8항에 있어서,
상기 템플릿은 평면에서 보아 사각 형상을 갖고,
상기 제어부는, 상기 공급 공정에 있어서 상기 제1 단부를 따라서 상기 도포액을 연속하여 공급하도록 상기 도포액 공급부를 제어하는, 임프린트 장치.
제8항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 이동 공정에 있어서, 상기 공급 공정에 있어서의 도포액의 공급을 계속해서 단속적으로 행하도록 상기 도포액 공급부를 제어하는, 임프린트 장치.
제8항에 있어서,
상기 이동 공정에 있어서의 상기 도포액의 상태를 검사하는 검사부를 더 갖고,
상기 제어부는, 상기 검사부에서의 검사 결과에 기초하여, 적어도 상기 배치 공정에 있어서의 상기 템플릿의 배치 또는 상기 이동 공정에 있어서의 상기 제2 단부와 기판의 상대 이동을 조정하도록 상기 이동 기구를 제어하는, 임프린트 장치.