JP2011134937A - 近接スキャン露光装置及びその制御方法 - Google Patents

近接スキャン露光装置及びその制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011134937A
JP2011134937A JP2009294030A JP2009294030A JP2011134937A JP 2011134937 A JP2011134937 A JP 2011134937A JP 2009294030 A JP2009294030 A JP 2009294030A JP 2009294030 A JP2009294030 A JP 2009294030A JP 2011134937 A JP2011134937 A JP 2011134937A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
substrate
pattern
proximity
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009294030A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Kondo
俊之 近藤
Hironori Kawashima
洋徳 川島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NSK Ltd
Original Assignee
NSK Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NSK Ltd filed Critical NSK Ltd
Priority to JP2009294030A priority Critical patent/JP2011134937A/ja
Publication of JP2011134937A publication Critical patent/JP2011134937A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】近接スキャン露光方法でも共取りが可能で、高精度に露光を行うことができる近接スキャン露光装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】基板Wを所定方向に搬送する基板搬送機構と、パターンMp1〜Mp4を形成した複数のマスクMをそれぞれ保持し、所定方向と交差する方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部11a、11cと、複数のマスク駆動部と、複数のマスク保持部の上部に配置される複数の照射部とを備え、所定方向に搬送される基板Wに対してマスクMを介して露光用光を照射し、基板にマスクMのパターンを露光する近接スキャン露光装置であって、マスクMに複数のパターンが配置され、露光動作中にマスク駆動部を駆動し、パターンMp1〜Mp4を切り替えるマスクパターン切り替え機能を備えることにより一定速度で基板が搬送され続ける近接スキャン露光方法でも共取りが可能で、高精度に露光を行うことができる。
【選択図】図3

Description

本発明は、近接スキャン露光装置及びその制御方法に関し、より詳細には、基板を搬送しながら露光する際に、一枚の基板に複数のサイズのセルを露光する近接スキャン露光装置及びその制御方法に関する。
大型の薄形テレビ等に用いられる液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の大型のフラットパネルディスプレイは、基板上にマスクのパターンを分割逐次露光方式で近接露光転写することで製造される。従来のこの種の分割逐次露光装置としては、例えば、被露光材としての基板より小さいマスクを用い、該マスクをマスクステージで保持すると共に基板をワークステージで保持して両者を近接して対向配置し、この状態でワークステージをマスクに対してステップ移動させて、各ステップ毎にマスク側から基板にパターン露光用の光を照射することにより、マスクに描かれた複数のマスクパターンを基板上に露光転写して一枚の基板に複数のセルを作成するようにしたものが知られている。
また、特許文献1では、一定速度で搬送されている基板に対して、露光用光をマスクを介して照射し、基板上にマスクのパターンを露光転写する近接スキャン露光方法が知られている。
ところで、特許文献2に記載の分割逐次露光方式の近接露光装置では、複数のパターンを有する大型マスクを用い、使用するパターン以外をアパーチャにより遮蔽することにより、一枚の基板に複数のサイズのセルを露光(所謂、共取り)することで、基板を有効に利用するものが記載されている。これは、分割逐次露光方式であるため、ステップ後又は同時にブラインドの移動を行い、遮蔽を行い、その後露光することにより共取りを可能としている。
特開2007−057791号公報 特開2008−224754号公報
しかしながら、特許文献1の様な近接スキャン露光方法で共取りをしようとした場合には、一定速度で基板が搬送され続けるため、特許文献2の様にアパーチャで遮光すると、アパーチャを移動している間にも露光が行われ、不必要な所まで露光されてしまい、共取りが不可能となる。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、一定速度で基板が搬送され続ける近接スキャン露光の場合にも共取りが可能で、高精度に露光を行うことができる近接スキャン露光装置及びその制御方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
(1)基板を所定方向に搬送する基板搬送機構と、
パターンを形成した複数のマスクをそれぞれ保持し、前記所定方向と交差する方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部と、
前記各マスク保持部をそれぞれ駆動する複数のマスク駆動部と、
前記複数のマスク保持部の上部にそれぞれ配置され、露光用光を照射する複数の照射部と、
前記マスク駆動部を制御する制御装置と、を備え、
前記所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して前記露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンに対応したセルを露光する近接スキャン露光装置であって、
前記マスクに複数のパターンが配置され、
前記制御装置に、露光動作中に前記マスク駆動部を駆動し、前記マスクのパターンを切り替えるマスクパターン切り替え機能を備えたことを特徴とする近接スキャン露光装置。
(2)前記マスク切り替え機能が前記セルの切り替わるセル間で前記マスクのパターンを切り替える機能を有することを特徴とする請求項1記載の近接スキャン露光装置。
(3)前記制御装置は、前記マスク駆動部を駆動し、前記基板に対して前記マスクを近接退避させるマスク近接退避機能を有し、さらに、前記制御装置は、前記マスクパターン切り替え機能と前記マスク近接退避機能とを同期させる同期制御機能を有することを特徴とする請求項1または2近接スキャン露光装置。
(4)基板を所定方向に搬送する基板搬送機構と、パターンを形成した複数のマスクをそれぞれ保持し、前記所定方向と交差する方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部と、前記各マスク保持部をそれぞれ駆動する複数のマスク駆動部と、前記複数のマスク保持部の上部にそれぞれ配置され、露光用光を照射する複数の照射部と、を備え、前記所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して前記露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンを露光する近接スキャン露光装置の制御方法であって、
前記マスクに複数のパターンが配置され、露光動作中に前記マスク駆動部を駆動し、前記マスクのパターンを切り替えることを特徴とする近接スキャン露光装置の制御方法。
本発明の近接スキャン露光装置及びその制御方法によれば、マスクパターン切り替え機能を備えたことにより、露光動作中にマスクパターンを素早く切り替えることが可能となり、一枚の基板に複数のサイズのセルを露光する共取りができる為、基板の無駄な部分を最小限に抑えながら高精度に露光を行うことができる。
本発明の実施形態である近接スキャン露光装置の平面図である。 図1における近接スキャン露光装置の正面図である。 マスク切り替え機能によりマスク駆動部を駆動し、基板の露光を行う概略図である。 (A)はマスク切り替え機能によりマスク駆動部を駆動し、マスクを切り替えてマスクパターン3を露光している状態を示す図であり、(B)はマスク切り替え機能によりマスク駆動部を駆動し、マスクを切り替えてマスクパターン4を露光している状態を示す図である。 (A)は同期制御機能によるマスク切り替え前の状態を示す図であり、(B)は同期制御機能によりマスクを斜め上に退避している状態を示す図であり、(C)は(B)の状態からマスクを水平移動している状態を示す図であり、(D)は(C)の状態からマスクを斜め下に近接させている状態を示す図である。 同期制御機能によるマスク切り替えの軌跡を示す図である。 マスク切り替え機能及び同期制御機能によりマスクを切り替えて露光の制御方法を説明するためのフローチャートである。
以下、本発明に係る近接スキャン露光装置及び露光方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(第1実施形態)
先ず、第1施形態の近接スキャン露光装置1の構成について概略説明する。図1及び図2に示すように、本実施形態のスキャン露光装置1は、基板(カラーフィルタ基板)Wを浮上させて支持すると共に、所定方向(図1のX方向)に搬送する基板搬送機構10と、複数のマスクMをそれぞれ保持し、所定方向と交差する方向(図1のY方向)に沿って千鳥状に二列配置された複数(図1に示す実施形態において、左右それぞれ6個)のマスク保持部11と、マスク保持部11を駆動するマスク駆動部12と、複数のマスク保持部11の上部にそれぞれ配置されて露光用光を照射する複数の照射部14と、スキャン露光装置1の各作動部分の動きを制御する制御部15と、を主に備える。
基板搬送機構10は、基板WをX方向に搬送する領域、即ち、複数のマスク保持部11の下方領域、及びその下方領域からX方向両側に亘る領域に設けられた浮上ユニット16と、基板WのY方向一側(図1において上辺)を保持してX方向に搬送する基板駆動ユニット17とを備える。浮上ユニット16は、複数のフレーム19上にそれぞれ設けられた複数の排気エアパッド20及び吸排気エアパッド21を備え、ポンプ(図示せず)やソレノイドバルブ(図示せず)を介して排気エアパッド20や吸排気エアパッド21からエアを排気或いは、吸排気する。基板駆動ユニット17は、図1に示すように、浮上ユニット16によって浮上、支持された基板Wの一端を保持する吸着パッド22を備え、モータ23、ボールねじ24、及びナット(図示せず)からなるボールねじ機構25によって、ガイドレール26に沿って基板WをX方向に搬送する。なお、図2に示すように、複数のフレーム19は、地面にレベルブロック18を介して設置された装置ベース27上に他のレベルブロック28を介して配置されている。また、基板Wは、ボールねじ機構25の代わりに、リニアサーボアクチュエータによって搬送されてもよい。
マスク駆動部12は、フレームF(図4参照)に取り付けられ、マスク保持部11をX方向に沿って駆動するX方向駆動部31と、X方向駆動部31の先端に取り付けられ、マスク保持部11をY方向に沿って駆動するY方向駆動部32と、Y方向駆動部32の先端に取り付けられ、マスク保持部11をθ方向(X,Y方向からなる水平面の法線回り)に回転駆動するθ方向駆動部33と、θ方向駆動部33の先端に取り付けられ、マスク保持部11をZ方向(X,Y方向からなる水平面の鉛直方向)に駆動するZ方向駆動部34と、を有する。これにより、Z方向駆動部34の先端に取り付けられたマスク保持部11は、マスク駆動部12によってX,Y,Z,θ方向に駆動可能である。なお、X,Y,θ,Z方向駆動部31,32,33,34の配置の順序は、適宜変更可能である。
また、図1に示すように、千鳥状に二列配置された搬入側及び搬出側マスク保持部11a,11b間には、各マスク保持部11a,11bのマスクMを同時に交換可能なマスクチェンジャ2が配設されている。マスクチェンジャ2により搬送される使用済み或いは未使用のマスクMは、マスクストッカ3,4との間でローダー5により受け渡しが行われる。なお、マスクストッカ3,4とマスクチェンジャ2とで受け渡しが行われる間にマスクプリアライメント機構(図示せず)によってマスクMのプリアライメントが行われる。
図2に示すように、マスク保持部11の上部に配置される照射部14は、光源6、ミラー7、オプチカルインテグレータ(図示せず)、シャッター(図示せず)等を備える。光源6としては、紫外線を含んだ露光用光ELを放射する、例えば超高圧水銀ランプ、キセノンランプ又は紫外線発光レーザが使用される。
このような近接スキャン露光装置1は、浮上ユニット16の排気エアパッド20及び吸排気エアパッド21の空気流によって基板Wを浮上させて保持し、基板Wの一端を基板駆動ユニット17で吸着してX方向に搬送する。そして、マスク保持部11の下方に位置する基板Wに対して、照射部14からの露光用光ELがマスクMを介して照射され、マスクMのパターンを基板Wに塗布されたカラーレジストに転写する。
図3に示すように、マスク保持部11a,11cに保持されたマスクMには、複数のマスクパターン1 Mp1〜マスクパターン4 Mp4が配置されている。このマスクMのパターンは、計12箇所配置された各保持部11(図1参照)に、必要に応じた形状ものが配置されている。
また、マスクパターン1 Mp1〜マスクパターン4 Mp4の切り替えは、光源6に対して、マスク駆動部12のX方向駆動部31により、マスク保持部11a,11bをX1方向に移動することで行われる。
図4(A)はマスクパターン3 Mp3に対して光源6から露光光ELが照射された状態であり、それをマスクパターン切り替えにより、マスクパターン4 Mp4に対して光源6から露光光ELが照射された状態にしたものが、図4(B)である。
このマスクパターンの切り替えは、制御部15に設けられたマスクパターン切り替え機能15a(図1参照)により行われる。マスクパターン切り替え機能15aは、制御部15に予め記憶されたレシピパターンに応じてマスク駆動部12に対して指令を出力する。
マスクパターンの切り替えの切り替え速度は調節可能とされ、切り替えるマスクパターンに応じて増減速される。
また、マスクパターン切り替えは、露光動作中に、セル間であるマスク切り替え区間Kで行われる。この場合に、基板Wの搬送を一時的に減速又は停止しても良い。そして、このように減速又は停止する場合には、セルの積算露光量に影響を与えるため、セルに対応する光源6の供給電力を落としても良いし、一時的にシャッターにより遮光を行っても良い。
マスク切り替え区間Kは、マスクパターンのパターン間隔と同じにすることも可能であるし、広くすることも狭くすることも可能である。
ここで、基板Wにサイズの異なる二種類のSe1〜Se40及びSe2〜Se70が共取り(露光)される場合される場合について説明する。
マスク保持部11aマスクMのマスクパターン3 Mp3に露光光ELが照射された状態で基板Wがその直下を通過する。その状態を示すものが、基板Wの左下Se1及びSe6のマスクパターン3 Mp3(斜線部)である。そして、基板の搬送により、順次、Se2及びSe7、Se3及びSe8、Se4及びSe9そしてSe5及びSe10と露光される。
その後、異なる大きさのセルSe51及びSe55の露光が行われるが、この時には、マスクパターン4 Mp4が使用される。サイズの異なるセル間、即ちマスク切り替え区間KでマスクMを切り替えが行われる。
そして、マスクパターン4 Mp4の直下で、Se51及びSe55の露光が行われ、順次、Se52及びSe56、Se53及びSe57、そしてSe54及びSe58と露光が行われる。
次に、マスク保持部11cのマスクMによるSe16〜Se26及びSe59〜Se63が共取り(露光)される場合を説明するが、前記マスク保持部11aのマスクMによる露光と同時に行われる。また、同様な制御が行われる。
マスク保持部11cのマスクMのマスクパターン1 Mp1に露光光ELが照射された状態で基板Wがその直下を追加する。その状態を示すものが、基板Wの中央Se16、Se21及びSe26のマスクパターン1 Mp1(斜線部)である。そして、基板の搬送により、順次、Se17、Se22及びSe27、Se18、Se23及びSe28、Se19、Se24及びSe29、そして、Se20、Se25及びSe30と露光される。
その後、異なる大きさのセルSe59及びSe63の露光が行われるが、この時には、マスクパターン2 Mp2が使用される。サイズの異なるセル間、即ちマスク切り替え区間KでマスクMを切り替えが行われる。
そして、マスクパターン2 Mp2の直下で、Se59及びSe63の露光が行われ、順次、Se60及びSe64、Se61及びSe65、そしてSe62及びSe66と露光が行われる。
尚、マスク保持部11aとマスク保持部11cの間のセルSe11〜Se20及びSe55〜Se62の露光は、マスク保持部11bのマスクにより繋ぎ露光が行われる。このマスクには、マスクパターンMp1とMp3の間を繋ぐ形状のマスクパターンが形成されている。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る近接スキャン露光装置について、図5及び図6を参照して説明する。なお、第1実施形態と同等部分については、同一符号を付して説明を省略或いは簡略化する。
本実施形態の近接スキャン露光装置は、第1の実施形態とはマスクパターンを切り替えながら基板Wに対してマスクMを近接遠退させる点で異なる。
通常、マスクパターン切り替えは、マスク保持部11と基板Wのギャップを正規ギャップ(例えば、100〜300μm、好ましくは、100〜200μm)のままで行われる。
こうした場合には、基板W及びマスクMの走り精度(ピッチング、ヨーイング、ローリングを含めた直進精度)が問題となり、これが悪い場合には、マスクMと基板Wが接触(衝突)し、どちらか又は両方が破損、傷の原因となる。
このような場合に、一度マスクを退避(鉛直方向上側に移動)させてから、マスク切り替えを行うことも考えられるが、このように、マスク退避の完了を待ってからマスク切り替えを行った場合には、マスク退避動作分だけタクト増の原因となってしまう。
これらを考慮し、マスク保持部11を基板Wに対して退避させながらマスク切り替えを行うことも可能である。この制御は、制御部15(図1参照)に設けられた同期制御機能15b(図1参照)により行われる。同期制御機能15bからの指令により、マスクパターン切り替え機能15a(図1参照)とマスク近接退避機能15c(図1参照)とを同期制御することにより行われる。
マスクパターン切り替え機能15aは、マスク保持部11をX方向(水平方向)に沿って駆動するX方向駆動部31を駆動し、マスク近接退避機能15cはマスク保持部11をZ方向(鉛直方向)に駆動するするZ方向駆動部34を駆動する。
図5はマスクパターン3 Mp3からマスクパターン4 Mp4への切り替えに同期制御を用いたものである。図5(A)は、光源6の露光用光ELがマスクパターン3 Mp3に照射され、所定のセルの露光を終了した状態である。そして、マスクMを斜め上に上昇退避させるが、これはマスク保持部11a,11bをX方向駆動部31によりX1方向(図5の紙面右側)に駆動しながら、Z方向駆動部34を鉛直方向上側(図5の紙面上側)に駆動することにより行われ、図5(B)の状態となる。
次いで、マスクMを水平移動(基板Wと平行移動)させる。これはマスク保持部11a,11bをX方向駆動部31によりX1方向(図5の紙面右側)に駆動することで行われ、図5(C)の状態となる。
さらに、マスクMを斜め下に下降近接させるが、これはマスク保持部11a,11bをX方向駆動部31によりX1方向(図5の紙面右側)に駆動しながら、Z方向駆動部34を鉛直方向下側(図5の紙面下側)に駆動することにより行われる。これにより図5(D)に示すように、光源6の露光用光ELがマスクパターン4 Mp4に照射される状態となる。
以上でマスク切り替えが完了するが、その軌跡は図6に示すようにアーチ状となる。こうすることで、基板Wの送り精度又はマスクMの送り制度を問題とすることなく、マスク切り替え時にマスクと基板との接触を避けることが可能となる。
本実施形態では、マスクMの上昇退避動作とX1方向移動動作の同期制御と、マスクMの下降近接動作とマスクMのX1方向移動動作の同期制御との間に、マスクMのX1方向移動動作のみを行う工程を含んでいるが、これを省き、常にマスクMの上昇退避動作とX1方向移動動作の同期制御を行うことで、さらに動作時間の短縮を図ってもよい。
尚、この同期制御によるマスクMの軌跡は曲線でも直線でも良く、さらにそれを組み合わせたものでも良い。
また、マスクMとワークWとの接触をより確実に回避するため、マスクMの上昇退避動作をX1方向移動動作より若干早く作動させることが好ましく、また、X1方向移動動作を下降近接動作より若干早く終了させることが好ましい。
さらに、マスクMの上昇退避動作とマスクMのX1方向移動動作の同期制御は、開始時点から終了時点に向かって徐々に増速させ、マスクMの下降近接動作とマスクMのX1方向移動動作の同期制御も、開始時点から終了時点に向かって徐々に減速させるようにしてもよく、これにより、動作時間を短縮することができる。
以下、図5を参照し、具体的な処理について説明する。
まず、露光開始信号により露光開始される(ステップS1)と、基板位置検出(ステップS2)及び、Y方向基板ズレ検出(ステップS3)が行われ、ズレがあった場合には、Y方向基板ズレ補正(ステップS4)が行われる。
そして、1つのセルの露光が行われている間はこの動作が繰り返され(ステップS5)、完了した場合にはセル種類の変更の有無が確認される(ステップS6)。
セル種類の変更がある場合には、セル間では倣い露光が不可能なため予想制御が行われ、Y方向追従位置変更が行われる(ステップS7)。
これと同時にマスクパターン切り替えが行われる。そして、マスクMのZ軸方向の上昇退避動作とマスクMのX1方向移動動作とをほぼ同時に開始する(ステップS8)。
その後、マスクMとワークWとが接触が確実に回避される所定の隙間離れた時点で、マスクMのX1方向移動動作のみの水平方向移動が行なわれ、(ステップS9)
マスクMの下降近接動作とマスクMのX1方向移動動作がほぼ同時に開始され、所定位置にてほぼ同時に終了する(ステップS10)。
このように、マスクMのZ軸方向(鉛直方向)とマスクMのX1方向移動動作(水平方向)とを同期させるように制御するので、安全性を確保しつつ、短時間でのマスク切り替え動作を行い、露光動作のタクトタイムを短縮することができ、これにより、スループットを向上することができる。
そして、セル内の追従ライン検出が行われながら露光が行われる(ステップS11)。ここで、全セルの露光が完了した場合(ステップS12)、露光動作が完了し(ステップS13)、次の露光シーケンスが行われる(ステップS14)。
また、セル種類の変更が行われない場合には、セル間は追従不可能領域ため、Y方向予想制御が行われる(ステップS15)。そして、セル内追従ライン検出が行われながら順次露光が行われる(ステップS16)。
以上のように、本実施形態の近接スキャン露光装置及びその制御方法によれば、マスクパターン切り替え機能を備えたことにより、露光動作中にマスクパターンを素早く切り替えることが可能となり、一枚の基板に複数のサイズのセルを露光する共取りができる為、基板の無駄な部分を最小限に抑えながら高精度な露光を実現することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、適宜、変更、改良等が可能である。
上記実施形態においては、基板搬送機構10は、浮上ユニット16と基板駆動ユニット17によって基板Wを浮上して保持しながら搬送する場合について述べたが、これに限らず、基板を上面に載置しながら保持及び搬送するものであってもよい。
また、上記実施形態においては、図1に示すように、複数のマスクMをそれぞれ保持するマスク保持部11が、図1のY方向に沿って千鳥状に二列配置されているが、一列ずつ別の搬送機構とすることも可能である。この場合には、搬送機構毎に搬送速度を調整することが可能となる為、色々な露光パターンに対応可能となる。
そして、上記実施形態においては、基板Wがカラーフィルタ基板である場合について述べたが、これに限られず、所定の露光パターンを形成するものであれば半導体基板等如何なるものであってもよい。
1 近接スキャン露光装置
10 基板搬送機構
11 マスク保持部
12 マスク駆動部
14 照射部
15 制御部
15a マスクパターン切り替え機能
15b 同期制御機能
15c マスク近接退避機能
EL 露光用光
M マスク
Mp マスクパターン
W カラーフィルタ基板(基板)
Se セル

Claims (4)

  1. 基板を所定方向に搬送する基板搬送機構と、
    パターンを形成した複数のマスクをそれぞれ保持し、前記所定方向と交差する方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部と、
    前記各マスク保持部をそれぞれ駆動する複数のマスク駆動部と、
    前記複数のマスク保持部の上部にそれぞれ配置され、露光用光を照射する複数の照射部と、
    前記マスク駆動部を制御する制御装置と、を備え、
    前記所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して前記露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンに対応したセルを露光する近接スキャン露光装置であって、
    前記マスクに複数のパターンが配置され、
    前記制御装置に、露光動作中に前記マスク駆動部を駆動し、前記マスクのパターンを切り替えるマスクパターン切り替え機能を備えたことを特徴とする近接スキャン露光装置。
  2. 前記マスク切り替え機能が前記セルの切り替わるセル間で前記マスクのパターンを切り替える機能を有することを特徴とする請求項1記載の近接スキャン露光装置。
  3. 前記制御装置は、前記マスク駆動部を駆動し、前記基板に対して前記マスクを近接退避させるマスク近接退避機能を有し、さらに、前記制御装置は、前記マスクパターン切り替え機能と前記マスク近接退避機能とを同期させる同期制御機能を有することを特徴とする請求項1または2近接スキャン露光装置。
  4. 基板を所定方向に搬送する基板搬送機構と、パターンを形成した複数のマスクをそれぞれ保持し、前記所定方向と交差する方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部と、前記各マスク保持部をそれぞれ駆動する複数のマスク駆動部と、前記複数のマスク保持部の上部にそれぞれ配置され、露光用光を照射する複数の照射部と、を備え、前記所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して前記露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンを露光する近接スキャン露光装置の制御方法であって、
    前記マスクに複数のパターンが配置され、露光動作中に前記マスク駆動部を駆動し、前記マスクのパターンを切り替えることを特徴とする近接スキャン露光装置の制御方法。
JP2009294030A 2009-11-30 2009-12-25 近接スキャン露光装置及びその制御方法 Pending JP2011134937A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009294030A JP2011134937A (ja) 2009-11-30 2009-12-25 近接スキャン露光装置及びその制御方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009271310 2009-11-30
JP2009271310 2009-11-30
JP2009294030A JP2011134937A (ja) 2009-11-30 2009-12-25 近接スキャン露光装置及びその制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011134937A true JP2011134937A (ja) 2011-07-07

Family

ID=44347345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009294030A Pending JP2011134937A (ja) 2009-11-30 2009-12-25 近接スキャン露光装置及びその制御方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011134937A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013094555A1 (ja) * 2011-12-20 2015-04-27 シャープ株式会社 露光装置および露光マスク
KR102157961B1 (ko) * 2019-04-29 2020-09-18 연세대학교 산학협력단 컬러 필터를 위한 멀티 도메인 나노 패턴 형성 장치 및 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007193296A (ja) * 2005-12-19 2007-08-02 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
WO2008120785A1 (ja) * 2007-04-03 2008-10-09 Nsk Ltd. 露光装置及び露光方法
JP2008304853A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Nsk Ltd 近接スキャン露光装置及びエアパッド
JP2008310164A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Nsk Ltd 近接スキャン露光装置及びその露光方法
JP2008311517A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Nsk Ltd 近接スキャン露光装置及びその制御方法
JP2009003365A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Nsk Ltd 近接スキャン露光装置及びその制御方法
JP2009295950A (ja) * 2008-05-09 2009-12-17 Nsk Ltd スキャン露光装置およびスキャン露光方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007193296A (ja) * 2005-12-19 2007-08-02 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
WO2008120785A1 (ja) * 2007-04-03 2008-10-09 Nsk Ltd. 露光装置及び露光方法
JP2008304853A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Nsk Ltd 近接スキャン露光装置及びエアパッド
JP2008310164A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Nsk Ltd 近接スキャン露光装置及びその露光方法
JP2008311517A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Nsk Ltd 近接スキャン露光装置及びその制御方法
JP2009003365A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Nsk Ltd 近接スキャン露光装置及びその制御方法
JP2009295950A (ja) * 2008-05-09 2009-12-17 Nsk Ltd スキャン露光装置およびスキャン露光方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013094555A1 (ja) * 2011-12-20 2015-04-27 シャープ株式会社 露光装置および露光マスク
KR102157961B1 (ko) * 2019-04-29 2020-09-18 연세대학교 산학협력단 컬러 필터를 위한 멀티 도메인 나노 패턴 형성 장치 및 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5150949B2 (ja) 近接スキャン露光装置及びその制御方法
KR101111933B1 (ko) 노광 장치 및 노광 방법
JP2014174352A (ja) 光配向用偏光光照射装置及び光配向用偏光光照射方法
KR101357506B1 (ko) 임프린트 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 임프린트 장치
US10916453B2 (en) Lithographic apparatus, method of transferring a substrate and device manufacturing method
JP4349528B2 (ja) 基板搬送装置、基板制御方法、カラーフィルタ製造方法、電子回路製造方法
JP2009295950A (ja) スキャン露光装置およびスキャン露光方法
KR20070065807A (ko) 도포 처리 장치 및 도포 처리 방법
JP2008147291A (ja) 基板支持装置、基板支持方法、基板加工装置、基板加工方法、表示装置構成部材の製造方法
JP2010072615A (ja) スキャン露光装置およびスキャン露光装置の基板搬送方法
JP2010054849A (ja) スキャン露光装置およびスキャン露光方法
JP5068107B2 (ja) 露光装置用基板搬送機構及びその制御方法
JP4942401B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2011134937A (ja) 近接スキャン露光装置及びその制御方法
JP5338576B2 (ja) 露光装置
JP2008182002A (ja) 基板加工装置、基板加工方法、表示装置構成部材の製造方法
JP2012173337A (ja) マスク、近接スキャン露光装置及び近接スキャン露光方法
JP5077655B2 (ja) 近接スキャン露光装置及びエアパッド
JP5105152B2 (ja) 近接スキャン露光装置及びその制御方法
JP5799304B2 (ja) 露光ユニット及びそれを用いた露光方法
JP5089258B2 (ja) 近接スキャン露光装置及びその露光方法
JP2009265313A (ja) スキャン露光装置並びにスキャン露光方法
JP2013164444A (ja) 表示用パネル基板のプロキシミティ露光装置とその方法
JP7308087B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5046157B2 (ja) 近接スキャン露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20110815

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121225

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131001

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140212