JP2011040983A - 半導体集積回路、半導体記憶装置、及びインピーダンス調整方法 - Google Patents

半導体集積回路、半導体記憶装置、及びインピーダンス調整方法 Download PDF

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Abstract

【課題】自律型インピーダンス調整回路の消費電力を低減する。
【解決手段】本発明による半導体集積回路(100)は、レプリカドライバ(P40、N40)及び出力ドライバ(20)の駆動能力を変更するために逐次出力されるコンパレータ(P10、N10)の出力(カウントデータ)に応じて、ドライバの駆動能力の変更を一時的に停止する。
【選択図】図3

Description

本発明は、半導体集積回路における出力ドライバのインピーダンス制御に関し、特に、出力インピーダンス調整を自律的に行うインピーダンス整合回路を備えた半導体集積回路、及びインピーダンス制御方法に関する。
半導体装置間のデータ転送における高いデータ転送レート化と、半導体集積回路を搭載するシステム全体の低消費電力化に伴い、出力ドライバのインピーダンスと伝送線路のインピーダンスの整合特性の向上と低消費電力化とを両立したデバイスの要求、必要性が高まっている。
半導体装置間のデータ転送では、半導体集積回路が有する出力ドライバの出力インピーダンスと伝送線路のインピーダンスの整合がとられていないと出力ドライバから出力されたデータ信号の反射が発生する。インピーダンス整合を行なう際、伝送線路のインピーダンスに見立てたレプリカ抵抗を使用するため、伝送線路のインピーダンスは、外的要因である温度などによって変化しやすくなる。又、半導体集積回路の出力インピーダンスは、回路内の動作電圧や温度変化により変化しやすい。ゆえに、インピーダンスの変化を検知し、インピーダンスの補正を自律的に行うインピーダンス整合回路が、考案されている。
インピーダンスを自律的に調整可能なインピーダンス整合回路は、高速で動作するSRAM(Static Random Access Memory)等の半導体集積回路において利用されているが、低消費電力動作が要求されるDRAM(Dynamic Random Access Memory)や擬似SRAM等の半導体集積回路における利用は少なかった。よって、インピーダンス整合回路自体の低消費電力化が求められることはほとんどなかった。しかし、近年のデータ転送速度の高速化等に伴い、DRAMや擬似SRAMにおいても、出力されるデータ信号の反射に起因する誤送信を防止するために、インピーダンス整合が不可欠となりつつある。又、高速で動作するSRAM等の半導体集積回路においては、低消費電力化が求められつつある。
図1は、従来技術による自律型インピーダンス調整回路を備えるDRAMの主要部分の構成を示す図である。
図1を参照して、従来技術によるDRAMは、メモリセルアレイからの出力データをプロセッサに出力する半導体集積回路200を備える。半導体集積回路200は、出力インピーダンスの調整を自律的に行えるよう構成されており、電流駆動能力を変更可能な出力ドライバ50と、電流駆動能力を変更可能なレプリカドライバP80、N80を含むインピーダンス整合回路60とを具備する。レプリカドライバP80、N80の出力は、対応するレプリカ抵抗P71、N71に接続される。インピーダンス整合回路60は、レプリカドライバP80、N80の出力電圧と基準電圧とに基づいて出力ドライバ50及びレプリカドライバP80、N80の電流駆動能力を調整する。尚、半導体集積回路200は、1つの半導体パッケージ内に実装されている。
インピーダンス整合回路60は、レプリカドライバP80、N80、コンパレータP60、N60、アップ/ダウン(U/D)カウンタP70、N70を備える。レプリカドライバP80は、出力ドライバ50のプルアップ側トランジスタ群を含むプルアップ側回路と同様な構成であり、当該プルアップ側回路と同じ出力インピーダンスを有する。レプリカドライバP80の出力は、出力ドライバ50に接続される伝送線路(データバス51)の特性インピーダンスと同じインピーダンスを有するレプリカ抵抗R71に接続されている。コンパレータP60は、レプリカドライバP80の出力電圧レベルを予め設定された電圧レベル(図1ではVDDQ/2)と比較する。U/DカウンタP70は、コンパレータP80による比較結果に応じてカウントアップ又はカウントダウンされるカウンタである。又、レプリカドライバP80及び出力ドライバ50のプルアップ側回路の電流駆動能力は、U/DカウンタP70の値に応じて変化するよう構成されている。以上のような構成により、U/DカウンタP70の保持値の収束によって、レプリカドライバP80の出力インピーダンスとレプリカ抵抗R71のインピーダンスとの整合が達成される。
一方、インピーダンス整合60において、出力ドライバ50のプルダウン側回路の出力インピーダンスを調整するための構造は、上述したプルアップ側と対称的な構成要素が設けられている。レプリカドライバN80は、出力ドライバ50のプルダウン側トランジスタ群を含むプルダウン側回路と同様な構成であり、当該プルダウン側回路と同じ出力インピーダンスを有する。レプリカドライバN80の出力は、出力ドライバ50に接続される伝送線路(データバス51)の特性インピーダンスと同じインピーダンスを有するレプリカ抵抗R72に接続されている。コンパレータN60は、レプリカドライバN80の出力電圧レベルを予め設定された電圧レベル(図1ではVDDQ/2)と比較する。U/DカウンタN70は、コンパレータN80による比較結果に応じてカウントアップ又はカウントダウンされるカウンタである。又、レプリカドライバN80及び出力ドライバ50のプルダウン側回路の電流駆動能力は、U/DカウンタN70の値に応じて変化するよう構成されている。以上のような構成により、U/DカウンタN70の保持値の収束によって、レプリカドライバN80の出力インピーダンスとレプリカ抵抗R72のインピーダンスとの整合が達成される。
以上のように、レプリカドライバP80、N80とレプリカ抵抗R71、R72とのインピーダンスが整合されるように、出力ドライバ50、及びレプリカドライバP80、N80の電流駆動能力が変更され、出力ドライバ50の出力インピーダンスと伝送線路(データバス51)とのインピーダンスが整合(自動調整)される。
又、従来技術による自律型出力インピーダンス調整回路の一例として、特開2008−118382に記載の半導体集積回路が知られている(特許文献1参照)。特許文献1に記載の半導体集積回路では、セルフリフレッシュ・タイマ等の半導体装置内で生成されるクロック信号に同期して出力インピーダンス調整を行うことにより、外部クロックの供給が停止した場合などにも、出力インピーダンスの調整動作を安定的に継続することが可能としている。
特開2008−118382
図1に示す半導体集積回路において一般的なインピーダンス整合動作が行なわれた場合、コンパレータP60、N60の比較結果に応じて出力ドライバ50、レプリカドライバP80、N80内で駆動するトランジスタサイズが常時変更される。すなわち、出力ドライバ50の出力インピーダンスと伝送線路(データバス51)とが整合した後も、U/PカウンタP70、N70の更新、及び出力ドライバ50、レプリカドライバP80、N80内で駆動するトランジスタサイズの変更が行なわれる。
図2は、従来技術によるインピーダンス整合処理動作の一例を示すタイミングチャートである。図2を参照して、レプリカドライバP80の出力電圧が基準電圧(VDDQ/2)より低い状態から動作させた場合、レプリカドライバP80の出力電圧が基準電圧(VDDQ/2)を超えるまでコンパレータP60は、カウントアップさせる比較結果を出力する(インピーダンス整合中)。
出力インピーダンスと伝送路のインピーダンスが整合した後、レプリカドライバP80の出力電圧が基準電圧(VDDQ/2)を超えると、コンパレータP60は、カウントダウンさせる比較結果を出力し、これに応じてU/DカウンタP70はU/Dカウント設定値をカウンタカウントダウンする。これにより、出力ドライバ50及びレプリカドライバP80内で駆動するトランジスタのサイズが変更され、出力電圧は、1つ前の状態、すなわち基準電圧(VDDQ/2)より低い値となる。この結果、次のクロック信号CLKに応じてコンパレータP60は、再度カウントアップさせる比較結果を出力し、出力ドライバ50及びレプリカドライバP80内で駆動するトランジスタのサイズが変更される。以上のように、インピーダンスの整合がとれた後も、内部クロックCLKに同期したタイミングで、出力ドライバ50及びレプリカドライバP80内で駆動するトランジスタのサイズが変更される。この際、出力ドライバ50及びレプリカドライバP80内において並列接続された複数のトランジスタのオン又はオフの切り換えが繰り返し行なわれる。
このような、出力ドライバの駆動力を変更するため(インピーダンス調整のため)に行なわれるトランジスタのオンオフの切り換えは、半導体装置全体における消費電力を増加させる一因となっている。
上記の課題を解決するために、本発明は、以下に述べられる手段を採用する。その手段を構成する技術的事項の記述には、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための形態]の記載との対応関係を明らかにするために、[発明を実施するための形態]で使用される番号・符号が付加されている。ただし、付加された番号・符号は、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲を限定的に解釈するために用いてはならない。
本発明による半導体集積回路(100)は、出力ドライバ(20)、レプリカドライバ(P40、N40)、コンパレータ(P10、N10)、カウンタ(P30、N30)、及びカウンタ制御回路(P20、N20)を具備する。出力ドライバ(20)は、その出力が伝送路(4)に接続され、インピーダンス調整コード(CP、CN)に応じて電流駆動能力が変更される。レプリカドライバ(P40、N40)は、その出力が伝送路(4)のインピーダンスのK倍(Kは自然数)の抵抗値に設定されたレプリカ抵抗(R31、R32)に接続され、インピーダンス調整コード(CP、CN)に応じて電流駆動能力が変更される。コンパレータ(P10、N10)は、レプリカドライバ(P40、N40)の出力電圧(P50、N50)と参照電圧との比較結果をカウントデータとして出力する。カウンタ(P30、N30)は、コンパレータ(P10、N10)からのカウントデータに応じたカウント動作によってインピーダンス調整コード(CP、CN)を生成する。カウンタ制御回路(P20、N20)は、前記カウントデータを逐次的に取り込み、取り込んだ複数のカウントデータに応じて、カウンタ(P30、N30)におけるカウント動作を所定の期間停止させる。
本発明による半導体集積回路は、伝送路(4)のインピーダンスのK倍(Kは自然数)の抵抗値に設定されたレプリカ抵抗(R31、R32)に接続され、出力インピーダンスの調整を自律的に行なう半導体集積回路である。本発明による半導体集積回路は、出力ドライバ(20)、レプリカドライバ(P40、N40)、コンパレータ(P10、N10)、カウンタ(P30、N30)、及びカウンタ制御回路(P20、N20)を具備する。出力ドライバ(20)は、伝送路(4)に結合され、インピーダンス調整コード(CP、CN)に応じて電流駆動能力が変更される。レプリカドライバ(P40、N40)は、レプリカ抵抗(R31、R32)に結合され、インピーダンス調整コード(CP、CN)に応じて電流駆動能力が変更される。コンパレータ(P10、N10)は、レプリカドライバ(P40、N40)の出力電圧(P50、N50)と参照電圧との比較結果を出力する。カウンタ(P30、N30)は、第1のクロック信号(C3)に応じて比較結果をカウントしてインピーダンス調整コード(CP)を生成する。カウンタ制御回路(P20、N20)は、第2のクロック信号(C1)に応じて比較結果を取得し、直近の比較結果を所定の回数分記憶する。又、カウンタ制御回路(P20、N20)は、記憶した比較結果が全て一致した場合以外は、カウンタ(P30、N30)への第1のクロック(C3)の供給を停止する。
本発明による半導体集積回路(100)は、半導体記憶装置におけるメモリセルアレイからの読み出しデータをプロセッサに出力するための出力回路として好適に利用される。
以上のように、本発明によれば、レプリカドライバ(P40、N40)及び出力ドライバ(20)の駆動能力を変更するためのカウントデータに応じて、駆動能力の変更を一時的に停止することができる。これにより、インピーダンス調整に係る電力消費を抑制することができる。
又、逐次的に取り込まれるカウントデータに応じて駆動能力の変更を制御しているため、外部環境に起因して出力インピーダンスが変動しても、これに追随してインピーダンスの調整を自動的に行なうことができる。
以上のことから、本発明によれば、自律型インピーダンス調整回路の消費電力を低減することができる。
又、自律型インピーダンス調整回路のインピーダンス調整能力を劣化させずに、消費電力を低減することができる。
更に、伝送路のインピーダンス又は出力インピーダンスの変動に対する追随性を劣化させずに自律型インピーダンス調整回路の消費電力を抑制することができる。
図1は、従来技術による自律型インピーダンス調整回路を備えるDRAMの主要部分の構成を示す図である。 図2は、従来技術によるインピーダンス整合処理動作の一例を示すタイミングチャートである。 図3は、本発明による自律型インピーダンス調整回路を備える半導体集積回路の構成の一例を示す図である。 図4は、本発明による自律型インピーダンス調整回路を備える半導体集積回路の構成の一例を示す図である。 図5Aは、本発明による半導体集積回路におけるインピーダンス調整動作の一例を示すタイミングチャートである。 図5Bは、図5Bに示すインピーダンス調整動作の一部の詳細を示すタイミングチャートである。 図6は、本発明によるインピーダンス調整動作におけるインピーダンス整合中と整合後のタイミングの一例(バッファ段数2)を示すタイミングチャートである。 図7は、n+1段のレジスタを備えるカウンタ制御回路の構成を示す図である。 図8は、本発明によるインピーダンス調整動作におけるインピーダンス整合中と整合後のタイミングの他の一例(バッファ段数3)を示すタイミングチャートである。 図9は、本発明による記憶装置の主要部分の構成を示す図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。図面において同一、又は類似の参照符号は、同一、類似、又は等価な構成要素を示している。
(構成)
図3を参照して、本発明による半導体集積回路100の構成を説明する。図3は、本発明による自律型インピーダンス調整回路を備える半導体集積回路100の構成の一例を示す図である。
本発明による半導体集積回路100は、出力ドライバ20と自律型インピーダンス調整回路30とを具備する。自律型インピーダンス調整回路30は、コンパレータP10、N10、カウンタ制御回路P20、N20、アップ/ダウン(U/D)カウンタP30、N30、レプリカドライバP40、N40を備える。
出力ドライバ20は、図示しない回路(例えばメモリセルアレイ)からの出力データ10を、出力端子40を介して伝送路4(例えばデータバス)に出力する。詳細な構成は後述するが、出力ドライバ20は複数のトランジスタを備え、それぞれのゲートに入力する信号(インピーダンス調整コード)によって駆動するトランジスタを選択することで電流駆動能力が変更される。これにより、出力ドライバ20のインピーダンスを伝送路4のインピーダンスに整合させることができる。
レプリカドライバP40は、出力ドライバ20のプルアップ側トランジスタ群を含むプルアップ側回路と同様な構成であり、当該プルアップ側回路と同じ出力インピーダンスを有する。レプリカドライバP40の出力は、他端が接地されたレプリカ抵抗R31の一端に接続される。レプリカ抵抗R31は、出力ドライバ20に接続される伝送路4の特性インピーダンスと同じインピーダンスを有する。
コンパレータP10は、レプリカドライバP40の出力電圧レベルと予め設定された参照電圧レベル(VCC/2)とを比較する。比較結果は、U/DカウンタP30のカウントアップ又はカウントダウンするための信号(以下、カウントデータと称す)としてU/DカウンタP30に入力される。例えば、レプリカドライバP40の出力電圧レベルが、参照電圧レベル(VCC/2)より低い場合、カウントアップさせるためのカウントデータ(ハイレベル)が出力され、出力電圧レベルが、参照電圧レベル(VCC/2)より高い場合、カウントダウンさせるためのカウントデータ(ローレベル)が出力される。又、このカウントデータは、カウンタ制御回路P20に入力される。
カウンタ制御回路P20は、コンパレータP10における比較結果(カウントデータ)に応じてU/DカウンタP30に入力する動作クロック(クロック信号C3)を制御する。詳細には、カウンタ制御回路P20は、ラッチ回路P21と比較判定回路P22を備える。ラッチ回路P21は、クロック信号C1に同期してコンパレータP10の出力をラッチする。詳細は後述するが、ラッチ回路P21は複数のレジスタ(シフトレジスタ)を備え、クロック信号C1に同期して逐次的にカウントデータをラッチし、レジスタの数に応じた期間に出力されたカウントデータを保持する。例えば、n段のレジスタが用意されている場合、連続するnサイクル期間中にコンパレータP10から出力されたn個のカウントデータがラッチされる。比較判定回路P22は、ラッチ回路P21でラッチされたカウントデータをクロック信号C2に同期して比較し、その比較結果に応じたクロック信号C3をU/DカウンタP30に出力する。
レプリカドライバP40の出力インピーダンスがレプリカ抵抗R31に整合しているとき、レプリカドライバP40の出力は、基準電圧(VCC/2)に対して上下に変動する。このため、コンパレータP10から出力されるカウントデータの値が、前回出力された値に対して反転するとき、当該出力インピーダンスが整合していると考えられる。比較判定回路P22は、ラッチ回路P21でラッチされたN個のカウントデータをクロック信号C2に同期して取り込み、そのデータ値(論理値)を比較し、全てのデータ値が一致しているか否かを判定する。この際、比較判定回路P22は、取り込んだN個のカウントデータ内に、データ値(論理値)が異なる反転データが含まれている場合、U/DカウンタP30に対するクロック信号C3を停止する(クロック信号C2のU/DカウンタP30への入力を遮断する)。この間、U/DカウンタP30はカウント動作を停止する。一方、取り込んだN個のカウントデータの値が全て一致する場合、比較判定回路P22は、当該クロック信号C2をスルーしてU/DカウンタP30へのクロック信号C3として出力する。この間、U/DカウンタP30は、クロック信号C3(クロック信号C2)に同期してカウント動作を実行する。
U/DカウンタP30は、コンパレータP10から出力されたカウントデータに応じてインピーダンス調整コードCPを生成する。詳細には、U/DカウンタP30は、カウンタ制御回路P20から入力されるクロック信号C3に同期してコンパレータP10からカウントデータを取り込み、当該カウントデータに応じたカウント動作により、所定のビット数のインピーダンス調整コードをカウントアップ又はカウントダウンする。を行なう。U/DカウンタP30によるカウント値は、インピーダンス調整コードCPとしてレプリカドライバP40及び出力ドライバ20に入力される。
レプリカドライバP40及び出力ドライバ20におけるプルアップ回路側の電流駆動能力は、U/DカウンタP30から入力されるインピーダンス調整コードCPに応じて変化する。すなわち、レプリカドライバP40からの出力電圧が、インピーダンス調整コードCPにフィードバックされることで、レプリカドライバP40及び出力ドライバ20の出力インピーダンスが調整される。そして、インピーダンス調整コードCPの収束によって、レプリカドライバP40の出力インピーダンスとレプリカ抵抗R31のインピーダンスとの整合が達成される。これにより、出力ドライバ20のプルアップ側回路の電流駆動力が調整される。
一方、出力ドライバ20のプルダウン側回路の電流駆動力を調整するため、半導体集積回路100のプルダウン側には上述したプルアップ側と対称的な構成要素(コンパレータN10、カウンタ制御回路N20、アップ/ダウン(U/D)カウンタN30、レプリカドライバN40)が設けられている。
レプリカドライバN40は、出力ドライバ20のプルダウン側トランジスタ群を含むプルダウン側回路と同様な構成であり、当該プルダウン側回路と同じ出力インピーダンスを有する。レプリカドライバN40の出力は、他端が電源VCCに接続されたレプリカ抵抗R32の一端(端子42)に接続される。レプリカ抵抗R32は、出力ドライバ20に接続される伝送路4の特性インピーダンスと同じインピーダンスを有する。
コンパレータN10は、レプリカドライバN40の出力電圧レベルと予め設定された参照電圧レベル(VCC/2)とを比較する。比較結果は、U/DカウンタN30のカウントアップ又はカウントダウンするためのカウントデータとしてU/DカウンタN30に入力される。例えば、レプリカドライバN40の出力電圧レベルが、参照電圧レベル(VCC/2)より低い場合、カウントアップさせるためのカウントデータ(ハイレベル)が出力され、出力電圧レベルが、参照電圧レベル(VCC/2)より高い場合、カウントダウンさせるためのカウントデータ(ローレベル)が出力される。又、このカウントデータは、カウンタ制御回路N20に入力される。
カウンタ制御回路N20は、コンパレータN10における比較結果(カウントデータ)に応じてU/DカウンタN30に入力する動作クロック(クロック信号C3)を制御する。詳細には、カウンタ制御回路N20は、ラッチ回路N21と比較判定回路N22を備える。ラッチ回路N21は、クロック信号C1に同期してコンパレータN10の出力をラッチする。この際、ラッチ回路N21に搭載されるレジスタの数に応じてラッチするデータ数が決まる。例えば、n段のレジスタが用意されている場合、連続するNサイクル期間中にコンパレータN10から出力されたN個のカウントデータがラッチされる。比較判定回路N22は、ラッチ回路N21でラッチされたデータをクロック信号C2に同期して比較し、その比較結果に応じたクロック信号C3をU/DカウンタN30に出力する。
レプリカドライバN40の出力インピーダンスがレプリカ抵抗R32に整合しているとき、レプリカドライバN40の出力は、基準電圧(VCC/2)に対して上下に変動する。このため、コンパレータN10から出力されるカウントデータの値が、前回出力された値に対して反転するとき、当該出力インピーダンスが整合していると考えられる。比較判定回路N22は、ラッチ回路N21でラッチされたN個のカウントデータをクロック信号C2に同期して取り込み、そのデータ値を比較し、全てのデータ値が一致しているか否かを判定する。この際、比較判定回路N22は、取り込んだN個のカウンタデータ内に、データ値が異なる反転データが含まれている場合、U/DカウンタN30に対するクロック信号C3を停止する(クロック信号C2のU/DカウンタN30への入力を遮断する)。この間、U/DカウンタP30はカウント動作を停止する。一方、取り込んだN個のカウントデータの値が全て一致する場合、比較判定回路P22は、当該クロック信号C2をスルーしてU/DカウンタP30へのクロック信号C3として出力する。この間、U/DカウンタP30は、クロック信号C3(クロック信号C2)に同期してカウント動作を実行する。
U/DカウンタN30は、コンパレータN10からの出力されたカウントデータに応じてインピーダンス調整コードCNをカウントアップ又はカウントダウンする。詳細には、U/DカウンタN30は、カウンタ制御回路N20から入力されるクロック信号C3に同期してコンパレータN10からカウントデータを取り込み、当該カウントデータに応じたカウント動作を行なう。U/DカウンタN30によるカウント値は、インピーダンス調整コードCNとしてレプリカドライバN40及び出力ドライバ20に入力される。
レプリカドライバN40及び出力ドライバ20におけるプルアップ側回路の電流駆動能力は、U/DカウンタN30から入力されるインピーダンス調整コードCNに応じて変化する。すなわち、レプリカドライバN40からの出力電圧が、インピーダンス調整コードCNにフィードバックされることで、レプリカドライバN40及び出力ドライバ20の出力インピーダンスが調整される。そして、インピーダンス調整コードCNの収束によって、レプリカドライバN40の出力インピーダンスとレプリカ抵抗R31のインピーダンスとの整合が達成される。これにより、出力ドライバ20のプルダウン側回路の電流駆動力が調整される。
以上のように、レプリカ抵抗R31、R32に基づいてレプリカドライバP40、N40の電流駆動力を調整することで、出力ドライバ20のプルアップ側回路及びプルダウン側回路の駆動力を調整し、出力ドライバ20の出力インピーダンスを調整し、伝送路4のインピーダンスに整合させることができる。
本発明では、カウンタ制御回路P20、N20によってU/DカウンタP30、N30の動作が制御されることで、レプリカドライバP40、N40、及び出力ドライバ20において駆動するトランジスタ(駆動能力)の変更回数を少なくすることができる。特に、出力インピーダンスが伝送路4のインピーダンスと整合している期間のみ、U/DカウンタP30、N30のカウント動作間隔を長くすることで、整合時における消費電力を低減することができる。又、インピーダンス整合していないときや、外部環境(温度、電圧)によって出力インピーダンスが変動した場合、自動的に通常のタイミングでインピーダンス調整を行なうため、出力インピーダンスの変動に追随した調整が可能となる。
図4は、本発明による自律型インピーダンス調整回路を備える半導体集積回路100の構成の一例を示す図である。図4を参照して、本発明による半導体集積回路100の構成の詳細を説明する。本一例では、ラッチ回路P21、N21は2段のレジスタを有し、1つ前の期間におけるコンパレータ出力(カウントデータ)と現在のコンパレータ出力(カウントデータ)とが異なる値(論理値)を示す場合、クロック信号C3の入力を停止する。又、プルアップ側のレプリカドライバP40とプルダウン側のレプリカドライバN40は非対称な構成である。このため、図4に示す一例では、図3に示すプルダウン側のレプリカドライバN40に換えて、出力ドライバ20と同様な構成のトランジスタ群を備えるレプリカドライバN41を備える。
図4に示す半導体集積回路100は、出力ドライバ20と自律型インピーダンス調整回路30とを具備する。自律型インピーダンス調整回路30は、コンパレータP10、N10、カウンタ制御回路P20、N20、アップ/ダウン(U/D)カウンタP30、N30、カウント値保持回路P35、N35(以下、レジスタ群P35、N35と称す)、レプリカドライバP40、N41を備える。
出力ドライバ20は、図示しない回路(例えばメモリセルアレイ)からの出力データ10を、出力端子40を介して伝送路4(例えばCPUに接続するデータバス)に出力する。出力ドライバ20はプルアップ側のトランジスタ群(PMOSトランジスタP300〜P303)とプルダウン側のトランジスタ群(NMOSトランジスタN300〜303)を備える。出力ドライバ20の電流駆動能力は、駆動するトランジスタが変更されることにより、変更される。詳細には、PMOSトランジスタP300〜P303は、ソースドレイン間が電源VCC(第1電源)と出力端子40(伝送路4)との間に並列接続される。PMOSトランジスタP300〜P303は、ゲートに入力されるインピーダンス調整コードCP0〜CP3に応じて電源VCCと出力端子40との間の電気的接続を制御する。同様に、NMOSトランジスタN300〜N303は、ソースドレイン間がGND(第2電源)と出力端子40(伝送路4)との間に並列接続される。NMOSトランジスタN300〜N303は、ゲートに入力されるインピーダンス調整コードCN0〜CN3に応じてGNDと出力端子40との間の電気的接続を制御する。ここでは、4ビットデータ(インピーダンス調整コードCP)によって、駆動するトランジスタが選択される出力ドライバを一例としているため、プルアップ側回路及びプルダウン側回路のトランジスタの数をそれぞれ4つとしているが、トランジスタ数はこれに限らない。
出力ドライバ20は、出力データ10と、U/DカウンタP30からのカウント値CP0〜CP3(以下、インピーダンス調整コードCP0〜CP3と称す)の否定論理積を、対応するPMOSトランジスタP300〜P303のゲートに出力する複数のNAND素子P500を備える。又、出力ドライバ20は、出力データ10と、U/DカウンタN30からのカウント値CN0〜CN3(以下、インピーダンス調整コードCN0〜CN3と称す)の否定論理和を、対応するNMOSトランジスタN300〜N303のゲートに出力する複数のNOR回路N500を備える。
先ず、コンパレータP10、カウンタ制御回路P20、アップ/ダウン(U/D)カウンタP30、レジスタ群P35、レプリカドライバP40の構成の一例を説明する。
レプリカドライバP40は、出力ドライバ20のプルアップ側トランジスタ群(PMOSトランジスタP300〜P303)と同様なサイズ及び特性を有するPMOSトランジスタP400〜P403を備える。レプリカドライバP40の出力は、他端が接地されたレプリカ抵抗R31の一端(外部端子41)と、コンパレータP10の入力に接続される。詳細には、PMOSトランジスタP400〜P403は、ソースドレイン間が電源VCCと外部端子41(レプリカ抵抗R31)及びコンパレータP10の入力P50との間に並列接続される。PMOSトランジスタP400〜P403は、ゲートに入力されるインピーダンス調整コードCP0〜CP3に応じて電源VCCと、レプリカ抵抗R31及びコンパレータの入力P50との間の電気的接続を制御する。
ここでは、コンパレータP10の反転入力端子にレプリカドライバP40の出力が入力され、非反転入力端子に参照電圧(VCC/2)が入力される。コンパレータP10は、レプリカドライバP40の出力電圧レベルと、予め設定された参照電圧レベル(VCC/2)とを比較し、比較結果をカウントデータとしてラッチ回路P21及びU/DカウンタP30に出力する。
図4に示すラッチ回路P21は、2つのレジスタP100、P101を備え、クロック信号C1に同期してコンパレータP10による比較結果(カウントデータ)をラッチする。詳細には、レジスタP100は、クロック信号C1に同期してコンパレータP10からのカウントデータをラッチするとともに、保持しているカウントデータをレジスタP101及び比較判定回路P22に出力する。レジスタP101は、クロック信号C1に同期してレジスタP100から入力されたカウントデータをラッチするとともに、保持しているカウントデータを比較判定回路P22に出力する。これにより、比較判定回路P22には、コンパレータP10から出力される現在のカウントデータと、1クロック前に出力されたカウントデータとが入力されることとなる。
図4に示す比較判定回路P22は、EXNOR回路P102及びAND回路P103を備える一致検出回路である。EXNOR回路P102は、レジスタP100、P101から出力されたカウントデータの排他的否定論理和をAND回路P103に出力する。AND回路P103は、クロック信号C2とEXNOR回路P102からの出力との論理積をクロック信号C3としてU/DカウンタP30に出力する。すなわち、AND回路P103は、クロック信号C2に同期して、EXNOR回路P102による一致検出結果をクロック信号C3として出力する。
本一例では、U/DカウンタP30を4ビット・カウンタとしている。U/DカウンタP30は、クロック信号C3に同期してコンパレータP10からの出力(カウントデータ)を取り込み、これに応じてインピーダンス調整コードの増減が制御される。例えば、U/DカウンタP30は、ハイレベルのカウントデータに応じてカウント値(インピーダンス調整コードCP0〜CP3)をカウントアップし、ローレベルのカウントデータに応じてカウントダウンする。ここで、インピーダンス調整コードCP0はLSB、インピーダンス調整コードCP3はMSBとする。
インピーダンス調整コードCP0〜CP3は、複数のレジスタP200を有するレジスタ群P35に入力される。レジスタ群P35は、U/DカウンタP30のビット数に対応した数(ここでは4つ)のレジスタP200を有し、クロック信号C4に同期してそれぞれに入力されるインピーダンス調整コードCP0〜CP3を保持する。レジスタ群P35によって保持されたインピーダンス調整コードCP0〜CP3は、出力ドライバ20のNAND回路P500に入力される。これにより、出力ドライバ20に入力されるインピーダンス調整コードCP〜CP3はクロック信号C4に同期したタイミングで更新される。
次に、コンパレータN10、カウンタ制御回路N20、アップ/ダウン(U/D)カウンタN30、レジスタ群N35、レプリカドライバN41の構成の一例を説明する。
本一例におけるレプリカドライバN41は、出力ドライバ20におけるプルアップ側トランジスタ群(PMOSトランジスタP300〜P303)及びプルダウントランジスタ群(NMOSトランジスタN300〜N303)と同様なサイズ及び特性を有するPMOSトランジスタN410〜N423)及びNMOSトランジスタN400〜403を備える。PMOSトランジスタN410〜N413は、ソースドレイン間が電源VCCとコンパレータN10の入力N50との間に並列接続される。PMOSトランジスタP410〜P413は、ゲートに入力されるインピーダンス調整コードCP0〜CP3に応じて電源VCCとコンパレータN10の入力N50との間の電気的接続を制御する。NMOSトランジスタN400〜N403は、ソースドレイン間が接地電圧GNDとコンパレータN10の入力N50との間に並列接続される。NMOSトランジスタN400〜N403は、ゲートに入力されるインピーダンス調整コードCN0〜CN3に応じてGNDとコンパレータN10の入力N50との間の電気的接続を制御する。
ここでは、コンパレータN10の非反転入力端子にレプリカドライバN41の出力が入力され、反転入力端子に参照電圧(VCC/2)が入力される。コンパレータN10は、レプリカドライバN40の出力電圧レベルと、予め設定された参照電圧レベル(VCC/2)とを比較し、比較結果をカウントデータとしてラッチ回路N21及びU/DカウンタN30に出力する。
図4に示すラッチ回路N21は、2つのレジスタN100、N101を備え、クロック信号C1に同期してコンパレータN10による比較結果(カウントデータ)をラッチする。詳細には、レジスタN100は、クロック信号C1に同期してコンパレータN10からのカウントデータをラッチするとともに、保持しているカウントデータをレジスタN101及び比較判定回路N22に出力する。レジスタN101は、クロック信号C1に同期してレジスタN100から入力されたカウントデータをラッチするとともに、保持しているカウントデータを比較判定回路N22に出力する。これにより、比較判定回路N22には、コンパレータN10から出力される現在のカウントデータと、1サイクル前に出力されたカウントデータとが入力されることとなる。
図4に示す比較判定回路N22は、EXNOR回路N102及びAND回路N103を備える一致検出回路である。EXNOR回路N102は、レジスタN100、N101から出力されたカウントデータの排他的否定論理和をAND回路N103に出力する。AND回路N103は、クロック信号C2とEXNOR回路N102からの出力との論理積をクロック信号C3としてU/DカウンタN30に出力する。すなわち、AND回路N103は、クロック信号C2に同期して、EXNOR回路N102による一致検出結果をクロック信号C3として出力する。
本一例では、U/DカウンタN30を4ビット・カウンタとしている。U/DカウンタN30は、クロック信号C3に同期してコンパレータN10からの出力(カウントデータ)を取り込み、これに応じてインピーダンス調整コードの増減が制御される。例えば、U/DカウンタN30は、ハイレベルのカウントデータに応じてカウント値(インピーダンス調整コードCN0〜CN3)をカウントアップし、ローレベルのカウントデータに応じてカウントダウンする。ここで、インピーダンス調整コードCN0はLSB、インピーダンス調整コードCN3はMSBとする。
インピーダンス調整コードCN0〜CN3は、複数のレジスタN200を有するレジスタ群N35に入力される。レジスタ群N35は、U/DカウンタN30のビット数に対応した数(ここでは4つ)のレジスタN200を有し、クロック信号C4に同期してそれぞれに入力されるインピーダンス調整コードCN0〜CN3を保持する。レジスタ群N35によって保持されたインピーダンス調整コードCN0〜CN3は、出力ドライバ20のNOR回路N500に入力される。これにより、出力ドライバ20に入力されるインピーダンス調整コードCN〜CN3はクロック信号C4に同期したタイミングで更新される。
本一例では、出力ドライバ20、レプリカドライバP40、N41のそれぞれにおけるプルアップ側回路のPMOSトランジスタの数を4つとしている。又、それぞれに設けられる4つのトランジスタのゲート幅を、基本サイズ(Wp)、基本サイズの2倍(2Wp)、基本サイズの4倍(4Wp)、基本サイズの8倍(8Wp)となるよう設計する。ここでは、PMOSトランジスタP300、P400、N410のゲート幅を基本サイズ(Wp)、PMOSトランジスタP301、P401、N411のゲート幅を基本サイズの2倍(2Wp)、PMOSトランジスタP302、P402、N412のゲート幅を基本サイズの4倍(4Wp)、PMOSトランジスタP303、P403、N413のゲート幅を基本サイズの8倍(8Wp)とする。
この場合、4ビットのインピーダンス調整コードCP0〜CP3において、MSBをCP3、LSBをCP0とすると、インピーダンス調整コードCP0は、PMOSトランジスタP400、N410に入力され、インピーダンス調整コードCP1は、PMOSトランジスタP401、N411に入力され、インピーダンス調整コードCP2は、PMOSトランジスタP402、N412に入力され、インピーダンス調整コードCP3は、PMOSトランジスタP403、N413に入力される。又、PMOSトランジスタP300には、インピーダンス調整コードCP0が入力されるNAND回路P500の演算結果が入力され、PMOSトランジスタP301には、インピーダンス調整コードCP1が入力されるNAND回路P500の演算結果が入力され、PMOSトランジスタP302には、インピーダンス調整コードCP2が入力されるNAND回路P500の演算結果が入力され、PMOSトランジスタP303には、インピーダンス調整コードCP3が入力されるNAND回路P500の演算結果が入力される。
又、4ビットのインピーダンス調整コードCN0〜CN3において、MSBをCN3、LSBをCN0とすると、インピーダンス調整コードCN0は、NMOSトランジスタN400、N410に入力され、インピーダンス調整コードCN1は、NMOSトランジスタN401、N411に入力され、インピーダンス調整コードCN2は、NMOSトランジスタN402、N412に入力され、インピーダンス調整コードCN3は、NMOSトランジスタN403、N413に入力される。又、NMOSトランジスタN300には、インピーダンス調整コードCN0が入力されるNOR回路N500の演算結果が入力され、NMOSトランジスタN301には、インピーダンス調整コードCN1が入力されるNOR回路N500の演算結果が入力され、NMOSトランジスタN302には、インピーダンス調整コードCN2が入力されるNOR回路N500の演算結果が入力され、NMOSトランジスタN303には、インピーダンス調整コードCN3が入力されるNOR回路N500の演算結果が入力される。
以上のような構成により、レプリカ抵抗R31と、レプリカドライバP40の出力インピーダンスが整合するように、インピーダンス調整コードCP0〜CP3、CN0〜CN3が書き換えられることで、駆動する(オンとなる)トランジスタが選択され、出力ドライバ20の電流駆動能力が変更される。これにより、出力ドライバ20の出力インピーダンスと伝送路4のインピーダンスを整合することができる。
尚、レプリカ抵抗R31の抵抗値は、データ出力端子40に接続される伝送路4のインピーダンスのK倍(Kは自然数)に設定し、レプリカドライバP40及びN40のそれぞれの電流駆動能力を、出力ドライバ20の1/Kに設定しても良い。この場合、レプリカドライバP40、N40を構成するトランジスタのゲートサイズを、出力ドライバ20の対応するトランジスタのゲートサイズの1/Kとすれば良い。以上の構成によればレプリカ抵抗の電流値の削減が可能である。
本発明による半導体集積回路100では、駆動力の変動に伴って変更されるレプリカドライバP40の出力が参照電圧(VCC/2)を超える、又は下回るとき、インピーダンスが整合したと判定される。すなわち、コンパレータP10の出力(カウントデータ)が、前回の値に対して反転したとき、出力インピーダンスが整合したと判定される。インピーダンス整合後、レプリカドライバP40の出力レベルは、参照電圧(VCC/2)を境に上下するように制御されるため、U/DカウンタP30は、カウントアップとカウントダウンを繰り返す。しかし、本発明では、カウントアップ動作とカウントダウン動作の間にカウント動作を停止する休止期間が設けられている。
ラッチ回路P21、N21には、コンパレータP10、N10の出力(カウントデータ)を逐次格納する複数のレジスタが設けられている。U/DカウンタP30、N30は、用意された全てのレジスタに格納されたカウントデータが一致する場合、カウント動作を実行し、異なるカウントデータを保持するレジスタが存在する場合、カウント動作を停止する。このため、カウント動作を停止する休止期間の長さは、ラッチ回路P21に設けられたレジスタの段数によって変更できる。
この休止期間、カウント動作及びレプリカドライバP40、N40、出力ドライバ20の駆動力の変更が行なわれないため、インピーダンス整合時における消費電力を削減することができる。
(動作)
次に、図5A及び図5Bを参照して、図4に示す半導体集積回路100の動作の詳細を説明する。図5A及び図5Bは、本発明による半導体集積回路100におけるインピーダンス調整動作の一例を示すタイミングチャートである。以下では、インピーダンス調整コードCP0〜CP3がb’0111とb’1000の状態の間でインピーダンス整合がとれると仮定して説明する。又、プルダウン側回路の駆動力を調整するインピーダンス調整コードCN0〜CN3に関する動作は、プルアップ回路側の動作と同様であるため、その説明は省略する。
先ず、動作の概要を説明する。レプリカドライバP40の出力に基づいて設定されたインピーダンス調整コードCP0〜CP3によって、レプリカドライバP40、N40、出力ドライバ20のプルアップ回路側の駆動能力が変更される。一方、レプリカドライバN40のプルアップ側トランジスタ(PMOSトランジスタN410〜N413)の駆動能力は、レプリカドライバP40によって設定されたインピーダンス調整コードCP0〜CP3に応じて決まるため、レプリカドライバN40の出力に基づいて設定されるインピーダンス調整コードCN0〜CN3は、レプリカドライバN40及び出力ドライバ20のプルダウン側回路の駆動能力を変更する。レプリカドライバP40の出力は、インピーダンス調整コードCPに応じて変更された駆動能力に応じて設定されるとともに、インピーダンス調整コードCPの設定にフィードバックされる。又、レプリカドライバN40の出力は、インピーダンス調整コードCNに応じて変更された駆動能力に応じて設定されるとともに、インピーダンス調整コードCNの設定にフィードバックされる。このような動作を繰り返すことで、出力ドライバ20の電流駆動能力が変更され、出力インピーダンスを伝送路4のインピーダンスに整合させることができる。
又、本発明では、レプリカドライバP40の出力と閾値との差の正負が反転した場合、インピーダンス調整コードCPを維持する(変更しない)ように制御される。これにより、カウンタP30の動作を省略するとともに、レプリカドライバP40、N40及び出力ドライバ20の駆動力の変更動作を省略し、これらの動作に伴う電力消費を削減できる。
図5A及び図5Bを参照して、U/DカウンタP30は、内部制御クロックCLKの8サイクル中に1サイクルだけハイレベルとなるクロック信号C2に同期しカウント動作をおこなう。内部制御クロックCLKは、半導体集積回路100を制御する8サイクルのクロック信号とする。ここでは、内部制御クロックCLKは、時刻T0〜T7のそれぞれにおいてハイレベルのパルスを形成するクロック信号とする。
ここで、コンパレータP10の出力を確定するタイミング(サイクルA0〜A19)を制御するクロック信号をクロック信号C0とする。クロック信号C0〜C2、C4は、内部制御クロックCLKに同期して生成される。本一例では、クロック信号C0〜C2、C4はそれぞれ、時刻T0〜T2、T3においてハイレベルのパルスを形成する。
図5A及び図5Bに示す一例では、サイクルA7におけるインピーダンス調整によって、出力ドライバ20の出力インピーダンスが整合されるものとする。以下、サイクルA7〜A11に注目して、半導体集積回路100におけるインピーダンス調整動作の詳細を説明する。サイクルA0〜A6までの間の動作は、サイクルA7と同様にインピーダンス調整が行なわれるため、その説明は省略する。
サイクルA7に注目して、コンパレータP10は、クロック信号C0に同期してカウントアップさせる制御信号(カウントデータ)を発生する(サイクルA7、時刻T0)。レジスタP100は、クロック信号C1に同期してカウントアップするカウントデータ(ハイレベル)をコンパレータP10から取り込む(サイクルA7、時刻T1)。この際、レジスタP101は、前の時刻(サイクルA6)においてレジスタP100が保持していたカウントデータ(ハイレベル)を取り込む。
レジスタP100とレジスタP101はともにカウントアップさせるカウントデータ(ハイレベル)を取り込んでいるため、XNOR回路P102の出力はハイレベルとなり、AND回路P103は活性化する。これにより、比較判定回路P22は、クロック信号C2をスルーしてクロック信号C3としてU/DカウンタP30に出力する(サイクルA7、時刻T2)。
U/DカウンタP30は、クロック信号C3に同期してカウントアップし、カウンタ値はb’0110からb’0111となり、インピーダンス調整コードCP0〜CP3が変更される(サイクルA7、時刻T3)。
変更されたインピーダンス調整コードCP0〜CP3は、クロック信号C4に同期してレジスタ群P35に取り込まれ、これによって、出力ドライバ20のプルアップ回路側の駆動能力が変更される(サイクルA7、時刻T4)。インピーダンス調整コードCP0〜CP3がb’0111の場合、出力ドライバ20のプルアップ駆動用のトランジスタは、基本サイズ(Wp)のPチャネルMOSトランジスタP300、基本サイズの2倍(2Wp)のPチャネルMOSトランジスタP301、基本サイズの4倍(4Wp)のPチャネルMOSトランジスタP302が選択されることになり、基本サイズ(Wp)の7倍の状態になる(サイクルA7、時刻T4〜T7)。
一方、時刻T3において、インピーダンス調整コードCP0〜CP3が変更されるとレプリカドライバP40の駆動能力は変更される。インピーダンス調整コードCP0〜CP3がb’0111の場合、レプリカドライバP40では、基本サイズ(Wp)のPチャネルMOSトランジスタP400、基本サイズの2倍(2Wp)のPチャネルMOSトランジスタP401、基本サイズの4倍(4Wp)のPチャネルMOSトランジスタP402が選択されることになり、基本サイズ(Wp)の7倍の状態になる。これに応じて、コンパレータP10に対するレプリカドライバP40の出力電圧レベルが変更される(サイクルA7、時刻T4〜時刻T7)。
コンパレータP10は、変更されたレプリカドライバP40の出力電圧レベルと、参照電圧(VCC/2)とを比較する(サイクルA7、時刻T4〜T7)。本一例では、インピーダンス調整コードCP0〜CP3がb’0111である場合(レプリカドライバP40における駆動トランジスタサイズが基本サイズの7倍である場合)、レプリカドライバP40の出力電圧レベルは、参照電圧(VCC/2)よりも低い状態となる。この場合、コンパレータP10の比較結果(カウントデータ)はハイレベルとなる。
以上のように、時刻T4〜時刻T7の間において、レプリカドライバP40、及び出力ドライバ20とレプリカドライバN40のプルアップ回路の駆動力が更新されるとともに、コンパレータP10が活性化され、カウントデータの更新が行なわれる。尚、コンパレータP10の活性時間は決まったものではなく、時刻T4〜時刻T7の間において、コンパレータP10の性能に応じた任意な時間である。
サイクルA8に移行し、コンパレータP10は、クロック信号C0に同期してカウントアップさせるカウントデータ(ハイレベル)を発生する(サイクルA8、時刻T0)。レジスタP100は、クロック信号C1に同期してカウントアップするカウントデータ(ハイレベル)をコンパレータP10から取り込む(サイクルA8、時刻T1)。この際、レジスタP101は、前の時刻(サイクルA7)においてレジスタP100が保持していたカウントデータ(ハイレベル)を取り込む。
レジスタP100とレジスタP101はともにカウントアップさせるカウントデータ(ハイレベル)を取り込んでいるため、XNOR回路P102の出力はハイレベルとなり、AND回路P103は活性化する。これにより、比較判定回路P22は、クロック信号C2をスルーしてクロック信号C3としてU/DカウンタP30に出力する(サイクルA8、時刻T2)。
U/DカウンタP30は、クロック信号C3に同期してカウントアップし、カウンタ値はb’0111からb’1000となり、インピーダンス調整コードCP0〜CP3が変更される(サイクルA8、時刻T3)。
変更されたインピーダンス調整コードCP0〜CP3は、クロック信号C4に同期してレジスタ群P35に取り込まれ、これによって、出力ドライバ20のプルアップ回路側の駆動能力が変更される(サイクルA8、時刻T4)。インピーダンス調整コードCP0〜CP3がb’1000の場合、出力ドライバ20のプルアップ駆動用のトランジスタは、基本サイズの8倍(8Wp)のPチャネルMOSトランジスタP303のみが選択されることになり、基本サイズ(Wp)の8倍の状態になる(サイクルA8、時刻T4〜T7)。
一方、時刻T3において、インピーダンス調整コードCP0〜CP3が変更されるとレプリカドライバP40の駆動能力は変更される。インピーダンス調整コードCP0〜CP3がb’1000の場合、レプリカドライバP40では、基本サイズの8倍(8Wp)のPチャネルMOSトランジスタP403のみが選択されることになり、基本サイズ(Wp)の8倍の状態になる。これに応じて、コンパレータP10に対するレプリカドライバP40の出力電圧レベルが変更される(サイクルA8、時刻T4〜時刻T7)。
コンパレータP10は、変更されたレプリカドライバP40の出力電圧レベルと、参照電圧(VCC/2)とを比較する(サイクルA8、時刻T4〜T7)。本一例では、インピーダンス調整コードCP0〜CP3がb’1000である場合(レプリカドライバP40における駆動トランジスタサイズが基本サイズの8倍である場合)、レプリカドライバP40の出力電圧レベルは、参照電圧(VCC/2)よりも高い状態となる。この場合、コンパレータP10の比較結果(カウントデータ)はローレベルとなる。
次に、サイクルA9に移行し、コンパレータP10は、クロック信号C0に同期してカウントダウンさせるカウントデータ(ローレベル)を発生する(サイクルA9、時刻T0)。レジスタP100は、クロック信号C1に同期してカウントダウンさせるカウントデータ(ローレベル)をコンパレータP10から取り込む(サイクルA9、時刻T1)。この際、レジスタP101は、前の時刻(サイクルA8)においてレジスタP100が保持していたカウントデータ(ハイレベル)を取り込む。
レジスタP100とレジスタP101が保持するカウントデータのレベル(論理値)は反転している(不一致である)ため、XNOR回路P102の出力はローレベルとなり、AND回路P103は非活性化する。これにより、比較判定回路P22は、クロック信号C2を遮断し、クロック信号C3はローレベルを維持する(サイクルA9、時刻T2)。
U/DカウンタP30は、クロック信号C3の入力がないため、カウント動作を行なわずインピーダンス調整コードCP0〜CP3を更新しない(サイクルA9、時刻T3)。
インピーダンス調整コードCP0〜CP3は、クロック信号C4に同期してレジスタ群P35に取り込まれるが、インピーダンス調整コードCP0〜CP3は、前時刻(サイクルA8)から変化していないため、出力ドライバ20のプルアップ回路側の駆動能力は変更されない(サイクルA9、時刻T4)。すなわち、出力ドライバ20のプルアップ駆動用のトランジスタのサイズは基本サイズ(Wp)の8倍の状態を維持する(サイクルA9、時刻T4〜T7)。
一方、時刻T3において、インピーダンス調整コードCP0〜CP3が変更されないため、レプリカドライバP40の駆動能力も変更されない。すなわち、レプリカドライバP40の駆動トランジスタのサイズは、基本サイズ(Wp)の8倍の状態を維持し、コンパレータP10に対するレプリカドライバP40の出力電圧レベルも前時刻(サイクルA8)と同じ値を維持する(サイクルA9、時刻T4〜時刻T7)。
コンパレータP10は、レプリカドライバP40の出力電圧レベルと、参照電圧(VCC/2)とを比較する(サイクルA9、時刻T4〜T7)。ここでは、レプリカドライバP40の出力電圧レベルは、前サイクルA8から変化していないため、参照電圧(VCC/2)よりも高い状態となる。この場合、コンパレータP10の比較結果(カウントデータ)はサイクルA8と同じローレベルとなる。
サイクルA10に移行し、コンパレータP10は、クロック信号C0に同期してカウントダウンさせるカウントデータ(ローレベル)を発生する(サイクルA10、時刻T0)。レジスタP100は、クロック信号C1に同期してカウントダウンさせるカウントデータ(ローレベル)をコンパレータP10から取り込む(サイクルA10、時刻T1)。この際、レジスタP101は、前の時刻(サイクルA9)においてレジスタP100が保持していたカウントデータ(ローレベル)を取り込む。
レジスタP100とレジスタP101はともにカウントダウンさせるカウントデータ(ローレベル)を取り込んでいるため、XNOR回路P102の出力はハイレベルとなり、AND回路P103は活性化する。これにより、比較判定回路P22は、クロック信号C2をスルーしてクロック信号C3としてU/DカウンタP30に出力する(サイクルA10、時刻T2)。
U/DカウンタP30は、クロック信号C3に同期してカウントダウンし、カウンタ値はb’1000からb’0111となり、インピーダンス調整コードCP0〜CP3が変更される(サイクルA10、時刻T3)。
変更されたインピーダンス調整コードCP0〜CP3は、クロック信号C4に同期してレジスタ群P35に取り込まれ、これによって、出力ドライバ20のプルアップ回路側の駆動能力が変更される(サイクルA10、時刻T4)。インピーダンス調整コードCP0〜CP3がb’0111の場合、出力ドライバ20のプルアップ駆動用のトランジスタは、基本サイズ(Wp)の7倍の状態になる(サイクルA10、時刻T4〜T7)。
一方、時刻T3において、インピーダンス調整コードCP0〜CP3が変更されるとレプリカドライバP40の駆動能力は変更される。インピーダンス調整コードCP0〜CP3がb’0111の場合、レプリカドライバP40は、基本サイズの7倍(7Wp)の状態になる。これに応じて、コンパレータP10に対するレプリカドライバP40の出力電圧レベルが変更される(サイクルA10、時刻T4〜時刻T7)。
コンパレータP10は、変更されたレプリカドライバP40の出力電圧レベルと、参照電圧(VCC/2)とを比較する(サイクルA10、時刻T4〜T7)。インピーダンス調整コードCP0〜CP3がb’0111である場合(レプリカドライバP40における駆動トランジスタサイズが基本サイズの7倍である場合)、レプリカドライバP40の出力電圧レベルは、参照電圧(VCC/2)よりも低い状態となる。この場合、コンパレータP10の比較結果(カウントデータ)はハイレベルとなる。
次に、サイクルA11に移行し、コンパレータP10は、クロック信号C0に同期してカウントアップさせるカウントデータ(ハイレベル)を発生する(サイクルA11、時刻T0)。レジスタP100は、クロック信号C1に同期してカウントアップさせるカウントデータ(ハイレベル)をコンパレータP10から取り込む(サイクルA11、時刻T1)。この際、レジスタP101は、前の時刻(サイクルA10)においてレジスタP100が保持していたカウントデータ(ローレベル)を取り込む。
レジスタP100とレジスタP101が保持するカウントデータのレベル(論理値)は反転している(不一致である)ため、XNOR回路P102の出力はローレベルとなり、AND回路P103は非活性化する。これにより、比較判定回路P22は、クロック信号C2を遮断し、クロック信号C3はローレベルを維持する(サイクルA11、時刻T2)。
U/DカウンタP30は、クロック信号C3の入力がないため、カウント動作を行なわずインピーダンス調整コードCP0〜CP3を更新しない(サイクルA11、時刻T3)。
インピーダンス調整コードCP0〜CP3は、クロック信号C4に同期してレジスタ群P35に取り込まれるが、インピーダンス調整コードCP0〜CP3は、前時刻(サイクルA10)から変化していないため、出力ドライバ20のプルアップ回路側の駆動能力は変更されない(サイクルA11、時刻T4)。すなわち、出力ドライバ20のプルアップ駆動用のトランジスタのサイズは基本サイズ(Wp)の7倍の状態を維持する(サイクルA11、時刻T4〜T7)。
一方、時刻T3において、インピーダンス調整コードCP0〜CP3が変更されないため、レプリカドライバP40の駆動能力も変更されない。すなわち、レプリカドライバP40の駆動トランジスタのサイズは、基本サイズ(Wp)の7倍の状態を維持し、コンパレータP10に対するレプリカドライバP40の出力電圧レベルも前時刻(サイクルA10)と同じ値を維持する(サイクルA11、時刻T4〜時刻T7)。
コンパレータP10は、レプリカドライバP40の出力電圧レベルと、参照電圧(VCC/2)とを比較する(サイクルA11、時刻T4〜T7)。ここでは、レプリカドライバP40の出力電圧レベルは、前サイクルA10から変化していないため、参照電圧(VCC/2)よりも低い状態となる。この場合、コンパレータP10の比較結果(カウントデータ)はサイクルA10と同じハイレベルとなる。
上述の一例では、レプリカドライバP40の出力電圧P50が参照電圧(VCC/2)を超えるまで、U/DカウンタP30は、インピーダンス調整コードをカウントアップし(サイクルA0〜A8)、出力電圧P50が参照電圧(VCC/2)を超えると、次のサイクルA9においてカウント動作を停止する。ラッチ回路P21には2段のレジスタP100、P101が設けられているため、インピーダンス整合時におけるカウント動作の休止期間は1サイクルとなる(サイクルA9)。休止期間の次のサイクルA10において、コンパレータP10の出力(カウントデータ)は、前サイクルA9において出力されたカウントデータと一致するため、再度インピーダンス調整が行なわれる。しかし、再びカウントデータが反転するため、次のサイクルT11ではカウント動作を停止し、インピーダンス調整は行なわれない。このように、本発明では、インピーダンスの整合後は、インピーダンス調整(サイクルA8、A10)と、カウント停止(インピーダンス調整停止:サイクルA9、A11)を繰り返す安定期(安定状態)となる。以降(サイクルA12〜A19)、サイクルA8〜A11と同様な動作を繰り返し、安定状態を維持する。
図6は、本発明によるインピーダンス調整動作におけるインピーダンス整合中と整合後のタイミングの一例(バッファ段数2)を示すタイミングチャートである。図6に示すように、インピーダンス整合までは、カウント動作によりドライバの駆動力が変動し、整合後は、安定期(安定状態)となる。このとき、ラッチ回路P21、N21に2段のレジスタが設けられている場合、カウンタ動作(駆動力変更動作)の休止期間Taは1サイクルとなる。
安定期において、外部環境や動作環境に応じて出力インピーダンスが変動することがあるが、この場合も、サイクルA8に例示されるカウントアップ(駆動能力強化)によるインピーダンス調整、又はサイクルA10に例示されるカウントダウンによるインピーダンス調整(駆動能力弱化)によって、整合状態に復帰し、自動的に安定期(安定状態)に移行する。
尚、出力ドライバ20のプルダウン側回路(NMOSトランジスタN300〜N303)の駆動力を調整する構成要素(コンパレータN10、カウンタ制御回路N20、アップ/ダウン(U/D)カウンタN30、レプリカドライバN40又はN41)も同様な動作となる。
以上のように、本発明では、インピーダンス整合後における出力インピーダンスの調整回数が従来に比べて低減される。これにより、インピーダンス調整コードが固定されている間、カウンタ動作が停止するため消費電力が削減される。又、U/DカウンタP30、N30にクロック信号C3が入力されるか否かは、1サイクル前に出力されたコンパレータP10、N10の比較結果(カウントデータ)に応じて決定する。このため、安定期において、レプリカ抵抗R31が外部要因にて変化し、レプリカドライバP40の出力P50が変動した場合、その次のサイクルには、出力P50の変動に応じたカウント動作が行なわれる。すなわち、本発明によれば、外部要因によって変動する出力インピーダンスの調整の追随性が向上する。
図5A及び図5Bに示す一例では、安定状態において、2サイクル毎にカウント動作が行なわれるが、これに限らない。安定期間における休止期間Taは、ラッチ回路P21に設けられるレジスタの数(段数)に応じて変更される。
図7は、n+1段のレジスタを備えるカウンタ制御回路P20の構成を示す図である。図7に示すラッチ回路P21は、n個のレジスタP111〜P11nを備え、クロック信号C1に同期してコンパレータP10による比較結果(カウントデータ)をラッチする。詳細には、レジスタP111は、クロック信号C1に同期してコンパレータP10からのカウントデータをラッチするとともに、保持しているカウントデータをレジスタP112及び比較判定回路P22(EXNOR回路P102)に出力する。レジスタP112〜11n−1は、クロック信号C1に同期して、それぞれ、前段のレジスタから入力されたカウントデータをラッチするとともに、保持しているカウントデータを次段のレジスタ及び比較判定回路P22(EXNOR回路P102)に出力する。レジスタP11nは、クロック信号C1に同期してレジスタP11n−1から入力されたカウントデータをラッチするとともに、保持しているカウントデータを比較判定回路P22(EXNOR回路P122)に出力する。これにより、比較判定回路P22には、コンパレータP10から出力されるnクロック分のカウントデータが入力されることとなる。
図7を参照して、EXNOR回路P102は、レジスタP110〜11nから出力されたカウントデータの排他的否定論理和をAND回路P103に出力する。AND回路P103は、クロック信号C2とEXNOR回路P102からの出力との論理積をクロック信号C3としてU/DカウンタP30に出力する。すなわち、AND回路P103は、クロック信号C2に同期して、EXNOR回路P102による一致検出結果をクロック信号C3として出力する。
以上のような構成の場合、ラッチ回路P21は、連続するnサイクル期間中にコンパレータP10から出力されたn個のカウントデータをラッチする。比較判定回路P22は、ラッチ回路P21でラッチされたカウントデータをクロック信号C2に同期して比較し、その比較結果に応じたクロック信号C3をU/DカウンタP30に出力する。カウンタ制御回路N20も同様な構成及び動作である。この場合、安定状態における休止期間Taはn−1サイクルとなり、安定期間中nサイクル毎にカウント動作(インピーダンス調整)が行なわれる。例えば、図7に示すラッチ回路P21に設けられるレジスタ数nが3段である場合、図8に示すように、安定状態における休止期間Taは、2サイクルとなり、3サイクル毎にカウント動作が行なわれる。
以上のように、ラッチ回路P21に設けられるレジスタの段数を変更することで、安定状態における休止期間Taを任意に変更できるため、出力インピーダンスの変動に対する追随性を考慮して消費電力の低減量を設定することができる。
上述した半導体集積回路100は、半導体装置における出力回路として適用できる。例えば、本発明による半導体集積回路100は、図9に示すような記憶装置6(例えばDRAM)からの読み出しデータをプロセッサ5出力するための出力回路100として適用できる。図9に示す記憶装置6は、メモリセルアレイ1、センスアンプ2、アドレスデコーダ3、出力回路100を具備し、伝送路4を介してプロセッサ5に接続される。アドレスデコーダ3によってメモリセルアレイ1内から選択された出力データ10は、センスアンプ2を介して出力回路100に出力される。出力回路100は、上述のように設定された電流駆動能力で、出力データ10を伝送路4(データバス)を介して、プロセッサ5に出力する。この際、上述のように、出力インピーダンスは伝送路4のインピーダンスと整合されている。
本発明による出力回路100は、インピーダンス整合のための調整及び整合時(安定状態)における消費電力が低減されるため、これを搭載した半導体装置(例えばDRAM)の消費電力も低減することができる。
以上、本発明の実施の形態を詳述してきたが、具体的な構成は上記実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の変更があっても本発明に含まれる。クロック信号C0〜C4のタイミングを制御する内部制御クロックCLKは、半導体集積回路100内に設けられたクロック生成回路によって生成されても良いし、半導体集積回路100外部から入力されても良い。又、上述の実施の形態では、カウンタ制御回路P20、N20の構成をレジスタとEXNOR回路の組み合わせとして説明したが、任意のメモリとプロセッサ等、他の組み合わせであっても良いことは言うまでもない。
1:メモリセルアレイ
2:センスアンプ
3:アドレスデコーダ
4:伝送路
5:プロセッサ
6:記憶装置
100:半導体集積回路(出力回路)
P10、N10:コンパレータ
P20、N20:カウンタ制御回路
P21、N21:ラッチ回路
P22、N22:比較判定回路
P30、N30:アップ/ダウンカウンタ
P35、N35:レジスタ群
P40、N40、N41:レプリカドライバ
10:出力データ
20:出力ドライバ
R31、R32:レプリカ抵抗
P100、P101、P111〜P11n、N100、N101:レジスタ
P102、N102:EXOR回路
P103、N103:AND回路
P200、N200:レジスタ
P500:NAND回路
N500:NOR回路
P300〜P303、P400〜P403、N410〜N413:PMOSトランジスタ
N300〜N303、N400〜N403:NMOSトランジスタ
CP、CN、CP0〜CP3、CN0〜CN3:インピーダンス調整コード

Claims (14)

  1. 出力が伝送路に接続され、インピーダンス調整コードに応じて電流駆動能力が変更される出力ドライバと、
    出力が前記伝送路のインピーダンスのK倍(Kは自然数)の抵抗値に設定されたレプリカ抵抗に結合され、前記インピーダンス調整コードに応じて電流駆動能力が変更されるレプリカドライバと、
    前記レプリカドライバの出力電圧と参照電圧との比較結果をカウントデータとして出力するコンパレータと、
    前記カウントデータに応じたカウント動作によって前記インピーダンス調整コードを生成するカウンタと、
    前記カウントデータを逐次的に取り込み、取り込んだ複数のカウントデータに応じて、前記カウンタにおけるカウント動作を所定の期間停止させるカウンタ制御回路と、
    を具備する
    半導体集積回路。
  2. 請求項1に記載の半導体集積回路において、
    前記カウンタ制御回路は、
    前記カウントデータを逐次的に格納するラッチ回路と、
    前記ラッチ回路に格納された複数のカウントデータの値を比較し、比較結果に基づいて前記カウンタのカウント動作を制御する比較判定回路と
    を備え、
    前記比較判定回路は、前記ラッチ回路が保持する複数のカウントデータに異なる値のカウントデータが含まれる場合、前記カウンタのカウント動作を停止させる
    半導体集積回路。
  3. 請求項2に記載の半導体集積回路において、
    前記カウンタは、前記比較判定回路を介して入力されるクロック信号に同期して、前記インピーダンス調整コードを変更し、
    前記比較判定回路は、前記ラッチ回路が保持する全てのカウントデータの値が一致する場合、前記クロック信号を前記カウンタに出力し、前記ラッチ回路に異なる値のカウントデータが含まれる場合、前記クロック信号の前記カウンタへの入力を遮断する
    半導体集積回路。
  4. 請求項3に記載の半導体集積回路において、
    前記ラッチ回路は、内部クロック信号に同期して前記コンパレータから前記カウントデータを取り込むシフトレジスタを備え、
    前記比較判定回路は、前記シフトレジスタが保持する複数のカウントデータを所定のタイミングで取り出して一致判定を行なう
    半導体集積回路。
  5. 請求項3又は4に記載の半導体集積回路において、
    前記クロック信号は、内部クロック信号に同期して前記比較判定回路に入力される
    半導体集積回路。
  6. 請求項4又は5に記載の半導体集積回路において、
    前記内部クロック信号を生成する内部クロック生成回路を更に具備する
    半導体集積回路。
  7. 請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体集積回路において、
    前記出力ドライバは、それぞれのソース及びドレインが第1電源と出力端子との間に並列接続されたn個の第1トランジスタと、それぞれのソース及びドレインが第2電源と前記出力端子との間に接続されたn個の第2トランジスタとを備え、
    前記n個の第1トランジスタと第2トランジスタは、ゲートに入力されるnビットの前記インピーダンス調整コードに応じて、それぞれのソースとドレイン間の電気的接続が制御される
    半導体集積回路。
  8. 請求項7に記載の半導体集積回路において、
    前記レプリカドライバは、それぞれのソース及びドレインが前記第1電源と前記レプリカ抵抗との間に並列接続されたn個の第3トランジスタを備え、
    前記n個の第3トランジスタは、ゲートに入力されるnビットの前記インピーダンス調整コードに応じて、それぞれのソースとドレイン間の電気的接続が制御される
    半導体集積回路。
  9. 請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体集積回路と、
    メモリセルアレイと、
    を具備し、
    前記メモリセルアレイから読み出されたデータは、前記半導体集積回路における出力ドライバを介してデータバスに出力される
    半導体記憶装置。
  10. 伝送路のインピーダンスのK倍(Kは自然数)の抵抗値に設定されたレプリカ抵抗に接続され、出力インピーダンスの調整を自律的に行なう半導体集積回路であって、
    前記伝送路に結合され、インピーダンス調整コードに応じて電流駆動能力が変更される出力ドライバと、
    前記レプリカ抵抗に結合され、前記インピーダンス調整コードに応じて電流駆動能力が変更されるレプリカドライバと、
    前記レプリカドライバの出力電圧と参照電圧との比較結果を出力するコンパレータと、
    第1のクロック信号に応じて前記比較結果をカウントして前記インピーダンス調整コードを生成するカウンタと、
    第2のクロック信号に応じて前記比較結果を取得し、直近の比較結果を所定の回数分記憶するカウンタ制御回路とを有し、
    前記カウンタ制御回路は、前記記憶した比較結果が全て一致した場合以外は、前記カウンタへの前記第1のクロックの供給を停止することを特徴とする半導体集積回路。
  11. 請求項10に記載の半導体集積回路において、
    前記カウンタ制御回路は、前記記憶した比較結果が全て一致した場合には、前記カウンタに前記第1クロックを供給することを特徴とする半導体集積回路。
  12. 請求項10又は11に記載の半導体集積回路において、
    前記カウンタ制御回路は、前記カウンタ制御回路が記憶する前記比較結果の数に応じた期間、前記第1クロックの供給を停止することを特徴とする半導体集積回路。
  13. 請求項10から12のいずれか1項に記載の半導体集積回路において、
    前記第1のクロックと前記第2のクロックは、同一のクロック源より生成されたクロック信号であることを特徴とする半導体集積回路。
  14. 伝送路のインピーダンスのn倍(nは自然数)の抵抗値に設定されたレプリカ抵抗に接続され、出力インピーダンスの調整を自律的に行なう半導体集積回路であって、
    前記伝送路に結合され、インピーダンス調整コードに応じて電流駆動能力が変更される出力ドライバと、
    前記レプリカ抵抗に結合され、前記インピーダンス調整コードに応じて電流駆動能力が変更されるレプリカドライバと、
    前記レプリカドライバの出力電圧と参照電圧との比較結果を出力するコンパレータと、
    第1のクロック信号に応じて前記比較結果をカウントして前記インピーダンス調整コードを生成するカウンタと、
    前記出力インピーダンスの調整が完了し、安定状態にある期間における所定の期間、前記カウンタの動作を停止させる前記カウンタ制御回路と
    を具備する半導体集積回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023004252A1 (en) * 2021-07-21 2023-01-26 Micron Technology, Inc. Thermometer coding for driving non-binary signals

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101094984B1 (ko) * 2010-03-31 2011-12-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적회로의 임피던스 조정 장치
JP2012249236A (ja) * 2011-05-31 2012-12-13 Renesas Mobile Corp 半導体集積回路装置、電子装置、及び無線通信端末
US8473797B2 (en) * 2011-08-12 2013-06-25 Texas Instruments Incorporated Circuits and methods for clock malfunction detection
KR102083005B1 (ko) 2013-10-31 2020-02-28 삼성전자주식회사 종단 저항을 보정하는 반도체 메모리 장치 및 그것의 종단 저항 보정 방법
JP2015216513A (ja) * 2014-05-12 2015-12-03 マイクロン テクノロジー, インク. 半導体装置及びこれを備える半導体システム
US10025685B2 (en) 2015-03-27 2018-07-17 Intel Corporation Impedance compensation based on detecting sensor data
KR20170013465A (ko) * 2015-07-27 2017-02-07 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 이를 이용한 패키지
JP6807642B2 (ja) * 2016-01-08 2021-01-06 ザインエレクトロニクス株式会社 送信装置
US11381238B1 (en) * 2021-06-04 2022-07-05 Qualcomm Incorporated Circuit device aging assessment and compensation

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003069412A (ja) * 2001-08-10 2003-03-07 Samsung Electronics Co Ltd インピーダンス制御回路
JP2004032070A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Nec Corp 半導体集積回路のインピーダンス制御方法およびインピーダンス制御回路
JP2005026890A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Nec Corp インピーダンス調整回路及び調整方法、インピーダンス調整回路を備える半導体装置
JP2006345494A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Samsung Electronics Co Ltd インピーダンス制御回路
JP2007336119A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Nec Electronics Corp 半導体装置、及びインピーダンス制御方法
JP2008017475A (ja) * 2006-06-30 2008-01-24 Hynix Semiconductor Inc データ入出力ドライバのインピーダンスを調整可能な半導体装置
JP2008118382A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Nec Electronics Corp 半導体集積回路
JP2008271343A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Elpida Memory Inc 出力インピーダンス調節回路を備えた半導体装置及び出力インピーダンスの試験方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573747B2 (en) * 2001-09-28 2003-06-03 Intel Corporation Digital update scheme for adaptive impedance control of on-die input/output circuits
JP4159553B2 (ja) * 2005-01-19 2008-10-01 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の出力回路及びこれを備える半導体装置、並びに、出力回路の特性調整方法
JP4939327B2 (ja) * 2007-07-10 2012-05-23 エルピーダメモリ株式会社 キャリブレーション回路及びこれを備える半導体装置、並びに、メモリモジュール

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003069412A (ja) * 2001-08-10 2003-03-07 Samsung Electronics Co Ltd インピーダンス制御回路
JP2004032070A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Nec Corp 半導体集積回路のインピーダンス制御方法およびインピーダンス制御回路
JP2005026890A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Nec Corp インピーダンス調整回路及び調整方法、インピーダンス調整回路を備える半導体装置
JP2006345494A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Samsung Electronics Co Ltd インピーダンス制御回路
JP2007336119A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Nec Electronics Corp 半導体装置、及びインピーダンス制御方法
JP2008017475A (ja) * 2006-06-30 2008-01-24 Hynix Semiconductor Inc データ入出力ドライバのインピーダンスを調整可能な半導体装置
JP2008118382A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Nec Electronics Corp 半導体集積回路
JP2008271343A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Elpida Memory Inc 出力インピーダンス調節回路を備えた半導体装置及び出力インピーダンスの試験方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023004252A1 (en) * 2021-07-21 2023-01-26 Micron Technology, Inc. Thermometer coding for driving non-binary signals
US11626886B2 (en) 2021-07-21 2023-04-11 Micron Technology, Inc. Thermometer coding for driving non-binary signals

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