JP2004032070A - 半導体集積回路のインピーダンス制御方法およびインピーダンス制御回路 - Google Patents
半導体集積回路のインピーダンス制御方法およびインピーダンス制御回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004032070A JP2004032070A JP2002181470A JP2002181470A JP2004032070A JP 2004032070 A JP2004032070 A JP 2004032070A JP 2002181470 A JP2002181470 A JP 2002181470A JP 2002181470 A JP2002181470 A JP 2002181470A JP 2004032070 A JP2004032070 A JP 2004032070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance
- buffer
- output
- fine adjustment
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】複数のトランジスタを並列に接続したトランジスタバッファと抵抗素子とで直列回路を形成し、トランジスタバッファと抵抗素子の接続点の電位と所定電圧とを比較し、その比較結果に応じて制御ビット信号をカウンタより出力し、その出力結果に応じてトランジスタバッファを選択的にオンオフしてインピーダンスを変化させる半導体集積回路のインピーダンス制御方法において、トランジスタバッファに微調整用バッファを並列接続し、接続点の電位と所定電圧とを比較し、その比較の結果に応じてカウンタに停止信号を出力すると共に、微調整用バッファのオンまたはオフの制御信号を出力する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路のインピーダンス制御方法とインピーダンス制御回路に関し、特に微調整用バッファによるオンまたはオフ状態を保持するインピーダンス制御方法とインピーダンス制御回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路の高速化に伴い、集積回路の特性インピーダンスを考慮することが重要である。すなわち、出力回路の出力インピーダンスと駆動される伝送線路の特性インピーダンスとが整合していないと、伝送波形は鈍り、回路は誤動作を生ずる恐れがある。
【0003】
また、半導体集積回路の出力回路の自動インピーダンス設定回路において、電源電圧や製造プロセスのばらつきによる出力回路のインピーダンス特性の変動をカバーするため、自動インピーダンス設定回路の設定範囲を広くする必要があった。そのためにインピーダンス制御としての分解能が低下するという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
それらの課題を解決するため、伝送線路の特性インピーダンスの規格値と出力回路の出力インピーダンスとを整合させるために制御信号を発生させるインピーダンス制御回路が特開平7−142985号公報に開示されている。
【0005】
この発明は、出力インピーダンスを作り出すトランジスタ群において、オンとなるトランジスタの数をできるだけ少なくすることを目的とした出力回路を提供する。しかし、特開平7−142985号の図3に示されているような非同期型カウンタは、回路数は少なくて済むが、ビット数が増えると高い周波数での動作が難しくなる難点を持っている。本発明とは類似性が無く、インピーダンス値の分解能を上げることに関しては記載されていない。
【0006】
また、アップまたはダウンカウントするカウンタを設け、そのカウント値で出力バッファの出力インピーダンス調整用素子を選択状態にするインピーダンスマッチング回路が特開平11−027132号公報に開示されている。
【0007】
しかし、この発明は、出力回路のインピーダンス制御にレプリカバッファを用いない方式に関するもので、レプリカバッファに関する本発明とは類似性が無く、インピーダンス値の分解能を上げることに関しても、記載されていない。
【0008】
本発明の目的は半導体集積回路の出力回路におけるインピーダンスの設定回路を複雑にすることなくインピーダンス設定分解能を高め、インピーダンスの設定を行う半導体集積回路のインピーダンス制御方法とインピーダンス制御回路を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体集積回路のインピーダンス制御方法は、複数のトランジスタを並列に接続したトランジスタバッファと抵抗素子とで直列回路を形成し、トランジスタバッファと抵抗素子の接続点の電位と所定電圧とを比較し、その比較結果に応じて制御ビット信号をカウンタより出力し、その出力結果に応じてトランジスタバッファを選択的にオンオフしてインピーダンスを変化させる半導体集積回路のインピーダンス制御方法において、トランジスタバッファに微調整用バッファを並列接続し、接続点の電位と所定電圧とを比較し、その比較の結果に応じてカウンタに停止信号を出力すると共に、微調整用バッファのオンまたはオフの制御信号を出力して出力インピーダンスの自動調整を完了することを特徴とする。
【0010】
また、出力インピーダンスの自動調整は、自動調整開始と共に微調整用バッファをオンに、カウンタ停止信号をオフにして前記出力インピーダンスの調整を開始し、比較の結果に応じて、カウンタに停止信号を出力し、同時に、微調整用バッファをオンまたはオフの状態に切替え、微調整用バッファの状態を保持し、出力インピーダンスの自動調整を完了することを特徴とする。
【0011】
また、本発明の半導体集積回路のインピーダンス制御回路は、複数のトランジスタを並列に接続したトランジスタバッファと抵抗素子とで形成する直列回路と、トランジスタバッファと抵抗素子の接続点の電位と所定電圧とを比較するコンパレータと、コンパレータの出力に応じて制御ビット信号を出力するカウンタとを有し、制御ビット信号に応じてトランジスタバッファを選択的にオンオフしてインピーダンスを変化させる半導体集積回路のインピーダンス制御回路において、トランジスタバッファに並列接続した微調整用バッファと、接続点の電位と所定電圧とを比較し、その比較の結果に応じてカウンタに停止信号を出力すると共に、微調整用バッファのオンまたはオフの制御信号を出力して出力インピーダンスの自動調整を完了する微調整信号出力回路と、を有することを特徴とする。
【0012】
また、微調整信号出力回路は、自動調整開始信号と比較結果の信号を入力とし、カウンタ制御信号を出力する第1のフリップフロップと、比較結果の信号を入力とし微調整用バッファのオンまたはオフの制御信号を出力する第2のフリップフロップとを有し、自動調整開始と共に微調整用バッファをオンに、カウンタ停止信号をオフにして出力インピーダンスの調整を開始し、比較の結果に応じて、前記カウンタに停止信号を出力し、同時に、微調整用バッファをオンまたはオフの状態に切替え、微調整用バッファの状態を保持し、出力インピーダンスの自動調整を完了することを特徴とする。
【0013】
さらに、トランジスタバッファのインピーダンス値の比率はカウンタ出力の制御信号順に1からnの昇順に対応し、前記微調整用バッファのインピーダンス値の比率はnより大きいかまたはn+1に等しいことを特徴とする。
【0014】
さらにまた、所定電圧は、内部電源電圧の1/2を基準電圧Vrとする電圧であることを特徴とする。
【0015】
上記のように構成される本発明によれば、微調整バッファをバッファトランジスタと個別に設けられている。バッファトランジスタを1つ増やしたものを駆動するための同期型バイナリカウンタは、微調整バッファをバッファトランジスタと個別に設けたものを駆動するものと比較するとその回路構成が格段に複雑となるため、本発明の構成とすることにより簡単な回路で分解能を高くすることが可能となる。
【0016】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例の構成を示したブロック図である。図では、制御ビットが3ビットの場合について説明する。
【0017】
図1によれば、本実施例は目標設定値を決める外部抵抗Rと、制御ビットの信号を出力する同期型のカウンタ6と、制御ビットによって複数のトランジスタを選択的にオンとすることによりインピーダンスが変化するバッファ1と、内部電源電圧の1/2となる基準電圧Vrを出力する基準電圧生成回路2と、インピーダンス微調整用のバッファ3と、外部抵抗Rとバッファ1とバッファ3で構成される回路により分圧された電圧Vaと基準電圧Vrを比較するコンパレータ4と、コンパレータの出力に応じてカウンタに停止信号を出力すると共に微調整用のバッファ3のオンまたはオフの制御信号を出力し、オンまたはオフ状態を保持する微調整信号出力回路5と、から構成されている。
【0018】
次に、本実施例の動作について、制御ビットの設定値と出力インピーダンスの関係をグラフに示す図2を用い、図1を参照しながら説明する。
【0019】
まずインピーダンスの自動調整開始信号が微調整信号出力回路5に入力されると、インピーダンスの自動調整が始まる。カウンタ6は制御ビットに対応する設定値のカウントアップを始める。
【0020】
この制御ビットによってバッファ1の出力インピーダンスは徐々に小さくなり、外部抵抗Rによって分圧される電圧Vaは基準電圧Vrに近づく。これは、図2の▲1▼で示された部分に相当する。
【0021】
コンパレータ4はVaがVrより低い間はロウレベルを出力するが、Vrより高くなるとハイレベルを出力し、カウンタ6のカウントアップを停止させる。これは、図2の▲2▼で示された部分に相当する。
【0022】
このコンパレータ4の出力の変化を受け、微調整信号出力回路5は、これまでオンにしていた微調整用のバッファ3をオフにする。これによってVaがVrより高くなる、つまりインピーダンス設定値が外部抵抗Rより高くなるならば、再度バッファ3をオンにし、以降の微調整信号出力回路5の動作は新たに自動調整を始めるまで停止する。バッファ3をオフにして微調整できた場合を図2の▲3▼に示す。
【0023】
微調整信号出力回路5は、図3に示すように、コンパレータ4の出力と自動調整開始信号とを入力とし、カウンタ6を制御する信号を出力するRS−FF7と、コンパレータ4のオン信号とRS−FF7の出力を入力とするRS−FF8などから構成され、外部抵抗Rによって分圧される電圧Vaと基準電圧Vrとの比較結果により、カウンタ6の停止信号と、微調整用のバッファ3に制御信号を出力する。
【0024】
次に、微調整信号出力回路5の回路動作を、図3を参照して説明する。図3(a)は微調整信号出力回路の論理構成図、図3(b)、(c)は自動調整開始後のバッファの抵抗値の変化と各部の出力波形を示す図である。
【0025】
先ず、図3(b)によれば、自動調整開始信号がRS−FF7に入ると(0→1)、微調整用のバッファ3をオンにし、カウンタ停止信号をオフにする。カウンタ6は停止信号がオフ状態で、カウンタ6が動作中の間は、バッファ3をオンにする。自動調整開始信号がRS−FF7に入った後、コンパレータ4出力の最初の0→1の変化時に、カウンタ6の停止信号をオンにし、バッファ3をオフにする。バッファ3をオフ(カウンタ6の停止信号をオン)にした後、コンパレータ4出力が1→0に変化した場合、バッファ3はオンになって、その状態は保持される。コンパレータ4出力の2回目以降の0→1変化では、バッファ3の状態は保持されたままとなる。
【0026】
次に、図3(c)によれば、自動調整開始信号がRS−FF7に入ると(0→1)、微調整用のバッファ3をオンにし、カウンタ停止信号をオフにする。カウンタ6は停止信号がオフ状態で、カウンタ6が動作中の間は、バッファ3をオンにする。自動調整開始信号がRS−FF7に入った後、コンパレータ4出力の最初の0→1の変化時に、カウンタ6の停止信号をオンにし、バッファ3をオフにする。バッファ3をオフ(カウンタ6の停止信号をオン)にした後、コンパレータ4出力の変化がない場合、バッファ3はオフのままで、その状態は保持されたままとなる。
【0027】
バッファ3の状態は、カウンタ6の停止信号がオン、且つコンパレータ4の出力が0(バッファ1の抵抗が高(Va>∨r)の場合はオンになる。また、バッファ3の状態は、カウンタ6の停止信号がオン、且つコンパレータ4の出力が1(バッファ1の抵抗が低(Va<Vr)の場合はオフになる。
【0028】
また実施例で、バッファ1のゲート数を減らすため、カウンタ6の制御ビットに対応するオン状態のバッファ1内トランジスタのインピーダンス値に重みを付けても良い。例えば、並列に構成されたバッファ1において、インピーダンスの大きさを最も大きく(オンまたはオフによる変動幅を最も小さく)、図1に示すように、バッファ1は左から1、2、4とする。バッファ3はインピーダンス値を微調整するので、別にバッファ3は8とする。ゲート幅で言い換えれば、抵抗値の逆数の比であるので8、4、2、1としても良い。
【0029】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体集積回路の出力インピーダンスを自動設定する回路において、微調整用バッファの制御ビットを増やすことにより、回路を複雑にすることなくインピーダンス設定回路としての分解能を高め、目標抵抗値に近いインピーダンスに設定できると言う効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成を示すブロック図である。
【図2】制御ビットの設定値と出力インピーダンスの関係を示すグラフである。
【図3】微調整信号出力回路の実施例を示すブロック図で、図3(a)は微調整信号出力回路の論理構成図、図3(b)、(c)は自動調整開始後のバッファの抵抗値の変化と各部の出力波形を示す図である。
【符号の説明】
1 バッファ
2 基準電圧生成回路
3 微調整用バッファ
4 コンパレータ
5 微調整信号出力回路
6 カウンタ
7 RS−FF
8 RS−FF
Claims (8)
- 複数のトランジスタを並列に接続したトランジスタバッファと抵抗素子とで直列回路を形成し、前記トランジスタバッファと抵抗素子の接続点の電位と所定電圧とを比較し、その比較結果に応じて制御ビット信号をカウンタより出力し、その出力結果に応じてトランジスタバッファを選択的にオンオフしてインピーダンスを変化させる半導体集積回路のインピーダンス制御方法において、
前記トランジスタバッファに微調整用バッファを並列接続し、前記接続点の電位と所定電圧とを比較し、その比較の結果に応じて前記カウンタに停止信号を出力すると共に、微調整用バッファのオンまたはオフの制御信号を出力して出力インピーダンスの自動調整を完了することを特徴とする半導体集積回路のインピーダンス制御方法。 - 請求項1に記載の半導体集積回路のインピーダンス制御方法において、前記出力インピーダンスの自動調整は、
自動調整開始と共に微調整用バッファをオンに、カウンタ停止信号をオフにして前記出力インピーダンスの調整を開始し、
前記比較の結果に応じて、前記カウンタに停止信号を出力し、
同時に、前記微調整用バッファをオンまたはオフの状態に切替え、
前記微調整用バッファの状態を保持し、
前記出力インピーダンスの自動調整を完了することを特徴とする半導体集積回路のインピーダンス制御方法。 - 請求項1に記載の半導体集積回路のインピーダンス制御方法において、前記トランジスタバッファのインピーダンス値の比率はカウンタ出力の制御信号順に1からnの昇順に対応し、前記微調整用バッファのインピーダンス値の比率はnより大きいかまたはn+1に等しいことを特徴とする半導体集積回路のインピーダンス制御方法。
- 請求項1に記載の半導体集積回路のインピーダンス制御方法において、前記所定電圧は、内部電源電圧の1/2を基準電圧Vrとする電圧であることを特徴とする半導体集積回路のインピーダンス制御方法。
- 複数のトランジスタを並列に接続したトランジスタバッファと抵抗素子とで形成する直列回路と、前記トランジスタバッファと抵抗素子の接続点の電位と所定電圧とを比較するコンパレータと、前記コンパレータの出力に応じて制御ビット信号を出力するカウンタとを有し、前記制御ビット信号に応じてトランジスタバッファを選択的にオンオフしてインピーダンスを変化させる半導体集積回路のインピーダンス制御回路において、
前記トランジスタバッファに並列接続した微調整用バッファと、
前記接続点の電位と所定電圧とを比較し、その比較の結果に応じて前記カウンタに停止信号を出力すると共に、微調整用バッファのオンまたはオフの制御信号を出力して出力インピーダンスの自動調整を完了する微調整信号出力回路と、を有することを特徴とする半導体集積回路のインピーダンス制御回路。 - 請求項5に記載の半導体集積回路のインピーダンス制御回路において、前記微調整信号出力回路は、
自動調整開始信号と前記比較結果の信号を入力とし、カウンタ制御信号を出力する第1のフリップフロップと、
前記比較結果の信号を入力とし微調整用バッファのオンまたはオフの制御信号を出力する第2のフリップフロップとを有し、
自動調整開始と共に微調整用バッファをオンに、カウンタ停止信号をオフにして前記出力インピーダンスの調整を開始し、前記比較の結果に応じて、前記カウンタに停止信号を出力し、同時に、前記微調整用バッファをオンまたはオフの状態に切替え、前記微調整用バッファの状態を保持し、前記出力インピーダンスの自動調整を完了することを特徴とする半導体集積回路のインピーダンス制御回路。 - 請求項5に記載の半導体集積回路のインピーダンス制御回路において、前記トランジスタバッファのインピーダンス値の比率はカウンタ出力の制御信号順に1からnの昇順に対応し、前記微調整用バッファのインピーダンス値の比率はnより大きいかまたはn+1に等しいことを特徴とする半導体集積回路のインピーダンス制御回路。
- 請求項5に記載の半導体集積回路のインピーダンス制御回路において、前記所定電圧は、内部電源電圧の1/2を基準電圧Vrとする電圧であることを特徴とする半導体集積回路のインピーダンス制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002181470A JP3807351B2 (ja) | 2002-06-21 | 2002-06-21 | 半導体集積回路のインピーダンス制御方法およびインピーダンス制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002181470A JP3807351B2 (ja) | 2002-06-21 | 2002-06-21 | 半導体集積回路のインピーダンス制御方法およびインピーダンス制御回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004032070A true JP2004032070A (ja) | 2004-01-29 |
JP3807351B2 JP3807351B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=31178300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002181470A Expired - Fee Related JP3807351B2 (ja) | 2002-06-21 | 2002-06-21 | 半導体集積回路のインピーダンス制御方法およびインピーダンス制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3807351B2 (ja) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100610007B1 (ko) | 2004-06-14 | 2006-08-08 | 삼성전자주식회사 | 임피던스 랜지 시프팅 기능을 갖는 반도체 장치의프로그래머블 임피던스 콘트롤 회로 및 그에 따른임피던스 랜지 시프팅 방법 |
KR100655083B1 (ko) * | 2005-05-11 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서의 임피던스 콘트롤 회로 및 임피던스콘트롤 방법 |
JP2006345494A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Samsung Electronics Co Ltd | インピーダンス制御回路 |
JP2007006277A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Nec Electronics Corp | インピーダンス制御回路およびインピーダンス制御方法 |
KR100702838B1 (ko) * | 2005-05-09 | 2007-04-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서의 임피던스 콘트롤러블 출력 구동회로 및그에 따른 임피던스 콘트롤 방법 |
JP2007110615A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Elpida Memory Inc | キャリブレーション回路及びこれを備えた半導体装置 |
US7215128B2 (en) | 2005-01-19 | 2007-05-08 | Elpida Memory, Inc. | Output circuit for semiconductor device, semiconductor device having output circuit, and method of adjusting characteristics of output circuit |
JP2007123987A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Elpida Memory Inc | Zqキャリブレーション回路及びこれを備えた半導体装置 |
WO2007066395A1 (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Fujitsu Limited | 半導体回路及びその制御方法 |
JP2008017475A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Hynix Semiconductor Inc | データ入出力ドライバのインピーダンスを調整可能な半導体装置 |
US7391230B2 (en) | 2005-03-03 | 2008-06-24 | Elpida Memory, Inc. | Adjustment of termination resistance in an on-die termination circuit |
JP2008219463A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Nec Corp | インピーダンス調整回路およびインピーダンス調整方法 |
JP2008244729A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Nec Corp | 終端抵抗調整方法および終端抵抗調整回路 |
US7477083B2 (en) | 2005-10-24 | 2009-01-13 | Elpida Memory, Inc. | DLL circuit feeding back ZQ calibration result, and semiconductor device incorporating the same |
JP2009010921A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体集積回路のドライバー抵抗値調整装置 |
KR100893579B1 (ko) | 2008-03-03 | 2009-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로 및캘리브래이션 방법 |
JP2009246725A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Renesas Technology Corp | インピーダンスの調整が可能な出力バッファを備えた半導体装置 |
JP2010021994A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Hynix Semiconductor Inc | ターミネーション抵抗回路 |
US7656186B2 (en) | 2007-07-04 | 2010-02-02 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit, semiconductor device including the same, and data processing system |
US7755366B2 (en) | 2006-08-29 | 2010-07-13 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit, semiconductor device including the same, and method of adjusting output characteristics of semiconductor device |
US7869973B2 (en) | 2006-08-21 | 2011-01-11 | Elpida Memory Inc. | Calibration circuit |
US7884659B2 (en) | 2008-12-26 | 2011-02-08 | Hynix Semiconductor Inc. | Phase mixer and delay locked loop including the same |
JP2011040983A (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路、半導体記憶装置、及びインピーダンス調整方法 |
US7902858B2 (en) | 2007-07-10 | 2011-03-08 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit, semiconductor device including the same, and memory module |
US7986150B2 (en) | 2006-11-28 | 2011-07-26 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit |
US8085061B2 (en) | 2006-08-29 | 2011-12-27 | Elpida Memory, Inc. | Output circuit of semiconductor device |
US8390318B2 (en) | 2011-02-22 | 2013-03-05 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device having calibration circuit for adjusting output impedance of output buffer circuit |
-
2002
- 2002-06-21 JP JP2002181470A patent/JP3807351B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100610007B1 (ko) | 2004-06-14 | 2006-08-08 | 삼성전자주식회사 | 임피던스 랜지 시프팅 기능을 갖는 반도체 장치의프로그래머블 임피던스 콘트롤 회로 및 그에 따른임피던스 랜지 시프팅 방법 |
US7215128B2 (en) | 2005-01-19 | 2007-05-08 | Elpida Memory, Inc. | Output circuit for semiconductor device, semiconductor device having output circuit, and method of adjusting characteristics of output circuit |
US9047986B2 (en) | 2005-01-19 | 2015-06-02 | Ps4 Luxco S.A.R.L. | Output circuit for semiconductor device, semiconductor device having output circuit, and method of adjusting characteristics of output circuit |
US8198911B2 (en) | 2005-01-19 | 2012-06-12 | Elpida Memory, Inc. | Output circuit for semiconductor device, semiconductor device having output circuit, and method of adjusting characteristics of output circuit |
US7808270B2 (en) | 2005-01-19 | 2010-10-05 | Elpida Memory, Inc. | Output circuit for semiconductor device, semiconductor device having output circuit, and method of adjusting characteristics of output circuit |
US7495453B2 (en) | 2005-01-19 | 2009-02-24 | Elpida Memory, Inc. | Output circuit for semiconductor device, semiconductor device having output circuit, and method of adjusting characteristics of output circuit |
US7924047B2 (en) | 2005-03-03 | 2011-04-12 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor apparatus |
US7391230B2 (en) | 2005-03-03 | 2008-06-24 | Elpida Memory, Inc. | Adjustment of termination resistance in an on-die termination circuit |
KR100702838B1 (ko) * | 2005-05-09 | 2007-04-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서의 임피던스 콘트롤러블 출력 구동회로 및그에 따른 임피던스 콘트롤 방법 |
KR100655083B1 (ko) * | 2005-05-11 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서의 임피던스 콘트롤 회로 및 임피던스콘트롤 방법 |
JP2006345494A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Samsung Electronics Co Ltd | インピーダンス制御回路 |
JP2007006277A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Nec Electronics Corp | インピーダンス制御回路およびインピーダンス制御方法 |
JP2007110615A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Elpida Memory Inc | キャリブレーション回路及びこれを備えた半導体装置 |
JP4618600B2 (ja) * | 2005-10-17 | 2011-01-26 | エルピーダメモリ株式会社 | キャリブレーション回路及びこれを備えた半導体装置 |
US7477083B2 (en) | 2005-10-24 | 2009-01-13 | Elpida Memory, Inc. | DLL circuit feeding back ZQ calibration result, and semiconductor device incorporating the same |
US7839159B2 (en) | 2005-10-25 | 2010-11-23 | Elpida Memory, Inc. | ZQ calibration circuit and a semiconductor device including a ZQ calibration circuit |
JP2007123987A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Elpida Memory Inc | Zqキャリブレーション回路及びこれを備えた半導体装置 |
WO2007066395A1 (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Fujitsu Limited | 半導体回路及びその制御方法 |
US7800432B2 (en) | 2005-12-07 | 2010-09-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor circuit and controlling method thereof |
JP4745349B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2011-08-10 | 富士通株式会社 | 半導体回路及びその制御方法 |
JP2008017475A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Hynix Semiconductor Inc | データ入出力ドライバのインピーダンスを調整可能な半導体装置 |
US8364434B2 (en) | 2006-08-21 | 2013-01-29 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit |
US7869973B2 (en) | 2006-08-21 | 2011-01-11 | Elpida Memory Inc. | Calibration circuit |
US7755366B2 (en) | 2006-08-29 | 2010-07-13 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit, semiconductor device including the same, and method of adjusting output characteristics of semiconductor device |
US8085061B2 (en) | 2006-08-29 | 2011-12-27 | Elpida Memory, Inc. | Output circuit of semiconductor device |
US7986150B2 (en) | 2006-11-28 | 2011-07-26 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit |
JP2008219463A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Nec Corp | インピーダンス調整回路およびインピーダンス調整方法 |
JP2008244729A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Nec Corp | 終端抵抗調整方法および終端抵抗調整回路 |
JP2009010921A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体集積回路のドライバー抵抗値調整装置 |
US7994812B2 (en) | 2007-07-04 | 2011-08-09 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit, semiconductor device including the same, and data processing system |
US7656186B2 (en) | 2007-07-04 | 2010-02-02 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit, semiconductor device including the same, and data processing system |
US8395412B2 (en) | 2007-07-04 | 2013-03-12 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit, semiconductor device including the same, and data processing system |
US7902858B2 (en) | 2007-07-10 | 2011-03-08 | Elpida Memory, Inc. | Calibration circuit, semiconductor device including the same, and memory module |
KR100893579B1 (ko) | 2008-03-03 | 2009-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 회로 및캘리브래이션 방법 |
US7969183B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-06-28 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US7863927B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-01-04 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2009246725A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Renesas Technology Corp | インピーダンスの調整が可能な出力バッファを備えた半導体装置 |
JP2010021994A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Hynix Semiconductor Inc | ターミネーション抵抗回路 |
US7884659B2 (en) | 2008-12-26 | 2011-02-08 | Hynix Semiconductor Inc. | Phase mixer and delay locked loop including the same |
JP2011040983A (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路、半導体記憶装置、及びインピーダンス調整方法 |
US8390318B2 (en) | 2011-02-22 | 2013-03-05 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device having calibration circuit for adjusting output impedance of output buffer circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3807351B2 (ja) | 2006-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3807351B2 (ja) | 半導体集積回路のインピーダンス制御方法およびインピーダンス制御回路 | |
TWI718059B (zh) | 升壓電路及其控制方法 | |
US6897696B2 (en) | Duty-cycle adjustable buffer and method and method for operating same | |
US20090058483A1 (en) | Duty cycle correcting circuit and method | |
US20110002417A1 (en) | Time-balanced multiplexer switching methods and apparatus | |
JPH08335830A (ja) | 駆動電流調整機能付きバッファ回路 | |
JP3694998B2 (ja) | 電圧発生回路 | |
WO2023184851A1 (zh) | 占空比校准电路及方法、芯片和电子设备 | |
JPH0661808A (ja) | Cmosパルス遅延回路 | |
JP2017207042A (ja) | 半導体集積回路 | |
US6985006B2 (en) | Adjusting the strength of output buffers | |
CN1296665A (zh) | 带有温度补偿和各种操作模式的精确弛豫振荡器 | |
US7030676B2 (en) | Timing circuit for separate positive and negative edge placement in a switching DC-DC converter | |
US6417705B1 (en) | Output driver with DLL control of output driver strength | |
US6980034B2 (en) | Adaptive, self-calibrating, low noise output driver | |
JP3794347B2 (ja) | 差動出力バッファ、差動入力バッファ、半導体集積回路、及び回路基板 | |
CN1097343C (zh) | 接口电路和设定其确定电平的方法 | |
EP0641078B1 (en) | Ring oscillator circuit for VCO with frequency-independent duty cycle | |
JP4921329B2 (ja) | A/d変換回路 | |
JP3945894B2 (ja) | 半導体装置及び信号入力状態検出回路 | |
JP4576717B2 (ja) | コンパレータ回路 | |
CN113162586B (zh) | 一种时钟占空比修调方法及系统 | |
US20050024141A1 (en) | Signal output circuit | |
JP4191579B2 (ja) | デューティ比補正回路 | |
US6552622B1 (en) | Oscillator having reduced sensitivity to supply voltage changes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040426 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20041210 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051122 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060112 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060425 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |