JP2011035173A - ネガ型化学増幅レジスト組成物及びこれを用いたモールドの作成方法 - Google Patents

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012133187A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 Hoya株式会社 ナノインプリント用モールドの製造方法および基板作製方法
JP2013011833A (ja) * 2011-06-01 2013-01-17 Jsr Corp パターン形成方法及び現像液
JP2013019945A (ja) * 2011-07-07 2013-01-31 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc レジストパターン形成方法
JP2013041159A (ja) * 2011-08-17 2013-02-28 Fujifilm Corp レジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスク
JP2013044808A (ja) * 2011-08-22 2013-03-04 Fujifilm Corp レジストパターン形成方法、レジストパターン、架橋性ネガ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスク
WO2014103516A1 (ja) * 2012-12-27 2014-07-03 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性フィルム及びレジストパターンの形成方法
US20150118623A1 (en) * 2012-07-27 2015-04-30 Fujifilm Corporation Resin composition and pattern forming method using the same
KR20160090352A (ko) 2014-02-05 2016-07-29 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 감활성광선성 또는 감방사선성막을 구비한 마스크 블랭크, 포토마스크, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스
JPWO2020203472A1 (enExample) * 2019-03-29 2020-10-08
JP2022142294A (ja) * 2021-03-16 2022-09-30 大日本印刷株式会社 ３次元モールドの製造方法、及び階調露光用ネガ型レジスト組成物
WO2025057977A1 (ja) * 2023-09-13 2025-03-20 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003295438A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型レジスト組成物
JP2004026809A (ja) * 2002-05-01 2004-01-29 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP2005068117A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法。
JP2007171520A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Hoya Corp マスクブランク及びマスク
JP2008286828A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Toppan Printing Co Ltd パターン形成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003295438A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型レジスト組成物
JP2004026809A (ja) * 2002-05-01 2004-01-29 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP2005068117A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法。
JP2007171520A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Hoya Corp マスクブランク及びマスク
JP2008286828A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Toppan Printing Co Ltd パターン形成方法

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2012133187A1 (ja) * 2011-03-25 2014-07-28 Hoya株式会社 ナノインプリント用モールドの製造方法および基板作製方法
WO2012133187A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 Hoya株式会社 ナノインプリント用モールドの製造方法および基板作製方法
JP2013011833A (ja) * 2011-06-01 2013-01-17 Jsr Corp パターン形成方法及び現像液
JP2013019945A (ja) * 2011-07-07 2013-01-31 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc レジストパターン形成方法
JP2013041159A (ja) * 2011-08-17 2013-02-28 Fujifilm Corp レジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスク
JP2013044808A (ja) * 2011-08-22 2013-03-04 Fujifilm Corp レジストパターン形成方法、レジストパターン、架橋性ネガ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスク
US8968988B2 (en) 2011-08-22 2015-03-03 Fujifilm Corporation Resist pattern forming method, resist pattern, crosslinkable negative resist composition, nanoimprint mold and photomask
US20150118623A1 (en) * 2012-07-27 2015-04-30 Fujifilm Corporation Resin composition and pattern forming method using the same
US9718901B2 (en) * 2012-07-27 2017-08-01 Fujifilm Corporation Resin composition and pattern forming method using the same
WO2014103516A1 (ja) * 2012-12-27 2014-07-03 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性フィルム及びレジストパターンの形成方法
JP2020095279A (ja) * 2012-12-27 2020-06-18 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性フィルム及びレジストパターンの形成方法
JPWO2014103516A1 (ja) * 2012-12-27 2017-01-12 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性フィルム及びレジストパターンの形成方法
US10324375B2 (en) * 2012-12-27 2019-06-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, photosensitive film, and method for forming resist pattern
JP2018151644A (ja) * 2012-12-27 2018-09-27 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性フィルム及びレジストパターンの形成方法
KR20180038072A (ko) 2014-02-05 2018-04-13 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 감활성광선성 또는 감방사선성막을 구비한 마스크 블랭크, 포토마스크, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스
US10120281B2 (en) 2014-02-05 2018-11-06 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, mask blank provided with actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, photomask, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, and electronic device
KR20160090352A (ko) 2014-02-05 2016-07-29 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 감활성광선성 또는 감방사선성막을 구비한 마스크 블랭크, 포토마스크, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스
JPWO2020203472A1 (enExample) * 2019-03-29 2020-10-08
WO2020203472A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 大日本印刷株式会社 インプリント用光硬化性樹脂組成物、インプリント用光硬化性樹脂組成物の製造方法、およびパターン形成体の製造方法
CN113614132A (zh) * 2019-03-29 2021-11-05 大日本印刷株式会社 压印用光固化性树脂组合物、压印用光固化性树脂组合物的制造方法、及图案形成体的制造方法
JP7472904B2 (ja) 2019-03-29 2024-04-23 大日本印刷株式会社 インプリント用光硬化性樹脂組成物、インプリント用光硬化性樹脂組成物の製造方法、およびパターン形成体の製造方法
US12344694B2 (en) 2019-03-29 2025-07-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Photocurable resin composition for imprinting, method for producing photocurable resin composition for imprinting, and method for producing pattern formed body
JP2022142294A (ja) * 2021-03-16 2022-09-30 大日本印刷株式会社 ３次元モールドの製造方法、及び階調露光用ネガ型レジスト組成物
JP7732203B2 (ja) 2021-03-16 2025-09-02 大日本印刷株式会社 ３次元モールドの製造方法
WO2025057977A1 (ja) * 2023-09-13 2025-03-20 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

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