JP2011034994A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は真空処理容器内に被処理基板を載置し、高周波電力を印可する手段を備えた下部電極と、下部電極と対向する位置に配置され、高周波電力を印可する手段を備えた上部電極と、プラズマ処理に用いるガスを導入するガス導入機構と、真空処理容器内を所望の圧力に保持できる排気機構とを有するプラズマエッチング装置において、下部電極の外側の電極エッジ部に導体線路を形成し、プラズマクリーニング時に、この導体線路に電力供給を行い、電極エッジ部を加熱することによりプラズマクリーニングの効率化を図る。
【選択図】図1
Description
プラズマ処理に用いるガスを導入するガス導入部と、真空処理容器内を所望の圧力に保持できる排気部とを備え、下部電極は、その外側に形成された導体線路を有するプラズマ処理装置を提供する。
102…半導体基板、
103、106…溶射皮膜、
104、404…電極エッジ部、
105、405、605,705…エッジ導体線路、
107…フォーカスリング、
201…電極給電ライン、
202、202a、202b、302、602、702a、702b…エッジ電力・切り替えユニット、
203a、203b、703a、703b…端子、
204、704a、704b…絶縁管、
206a、206b、706a、706b…切り替えスイッチ、
207…大容量高周波電源、
208…直流電源、
209、601…引き出し線、
301…交流電源、
603、604…中間点、
708…導体線路用高周波電源、
801…上部電極、
802…高周波電源、
803…ガス導入機構、
804…フィルタ回路、
805…直流電源、
806…真空排気系。
Claims (6)
- プラズマ処理により被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、
真空処理容器と、
前記真空処理容器内に設置され、前記被処理基板を載置可能な、高周波印加部を備えた下部電極と、
前記真空処理容器内の前記下部電極と対向する位置に配置され、高周波印加部を備えた上部電極と、
プラズマ処理に用いるガスを導入するガス導入部と、
前記真空処理容器内を所望の圧力に保持する排気部とを備え、
前記下部電極は、その外側に形成された導体線路を有する、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置であって、
前記導体線路に電力を印加する導体線路用電源と、前記導体線路に接続された切り替え部を更に有し、
前記切り替え部は、
前記導体線路を前記下部電極本体あるいは前記下部電極の前記高周波印加部の電極給電ラインに短絡した状態と、前記導体線路用電源に接続した状態を切り替える、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2記載のプラズマ処理装置であって、
前記導体線路は抵抗体であり、前記導体線路用電源は前記抵抗体に接続される直流電源あるいは低周波の交流電源である、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3記載のプラズマ処理装置であって、
前記導体線路の一端が前記下部電極本体に短絡し、
前記切り替え部は、前記導体線路の他端が前記下部電極の前記電極給電ラインに短絡した状態と前記導体線路用電源に接続した状態とを切り替える、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3記載のプラズマ処理装置であって、
前記導体線路の両端が前記下部電極本体に短絡しており、
前記切り替え部は、前記導体線路の中間点を前記下部電極の前記電極給電ラインに短絡した状態と前記導体線路用電源に接続した状態との2つの状態を切り換える、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2記載のプラズマ処理装置であって、
前記導体線路用電源が高周波電源であり、前記導体線路に前記導体線路用電源から電力を印加する状態において、前記下部電極本体および前記下部電極の前記電極給電ラインと前記導体線路は開放している、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
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