TW201628082A - 電漿蝕刻裝置 - Google Patents

Abstract

根據本發明提供一種用於蝕刻一基板的電漿蝕刻裝置，其包含：至少一腔室；一基板支撐件，其係經定位在該至少一腔室內；以及；一電漿製造構件，其用於產生電漿供蝕刻該基板使用；其中該電漿製造構件包含一導電線圈，其係經定位在該至少一腔室內，並且該線圈係由一金屬材料構成，其能夠經濺鍍位在該至少一腔室之一內部表面上。

Description

電漿蝕刻裝置 發明領域

本發明係有關於電漿蝕刻裝置，並且同時係有關於一種清潔電漿蝕刻裝置的方法。

發明背景

電漿蝕刻係廣泛地用於加工複數之基板，諸如半導體晶圓。該電漿蝕刻製程可為構成一製程順序之一部分的一步驟。例如，於半導體工業中，在一接續的金屬沉積步驟之前藉由一濺鍍蝕刻製程將材料由一晶圓表面去除係廣為熟知的。該濺鍍蝕刻製程典型地係使用氬氣電漿執行。該目的係確保產生低接觸電阻的一高品質金屬/金屬介面。該濺鍍蝕刻步驟典型地係於一預先清潔模組中進行。圖1顯示先前技術，此型式之預先清潔模組10，的一實例。該預先清潔模組10包含一真空腔室12，其係由一感應線圈14環繞。一工作件(未顯示)係經支撐位在該腔室12內側的一平台16上。該工作件係通過一晶圓負載槽口18而被引導進入該腔室12中。該平台16係位在一降低的位置(於圖1中以實線顯示)以接收已被引導通過該晶圓負載槽口18的該工作件。 在開始濺鍍蝕刻製程之前，該平台16接續地升高進入於圖1中以虛線顯示的位置。如於業界中所廣為熟知，該感應線圈14係通過一阻抗匹配網路(未顯示)連接至一射頻(RF)功率產生器(未顯示)。該預先清潔模組進一步包含一RF功率產生器20，其係通過一相關聯的阻抗匹配電路(未顯示)連接至該平台16。

該RF功率產生器20係用於偏壓該平台16。該腔室12之壁係由電氣絕緣材料製成，諸如石英或陶瓷，為了讓耦合入該腔室12之RF功率的衰減降到最低。作業中，在一相對低的壓力下(典型地為1-10mTorr)將一氣體(典型地為氬)通過一質量流量控制器引導進入該腔室12。經由該線圈14耦合的RF功率產生電漿。施加至該平台16的偏壓接著用於加速離子由電漿朝向晶圓，其中離子轟擊蝕刻該工作件之表面。

該工作件可包含大量排氣的物質。該等物質之實例係為有機鈍化層、黏著劑、光阻劑以及旋塗式材料。此外，逐漸增加地使用大量排氣的新穎基板材料。於先進的晶圓封裝工業領域內，該等材料能夠包括聚醯亞胺(PI)及聚苯並惡唑(PBO)，其有特別的問題性。當該等材料排氣時，污染物釋放進入加工工具，升高了該腔室中的壓力。如此能夠致使連續性工作件之加工作業之間，在恢復該腔室中可接受的真空水平方面發生顯著的問題。

具有一與工作件上聚合材料之延長或頻繁蝕刻相關聯的附加問題。此係為環繞著該腔室之上蓋與壁的碳 質材料之逐漸增加。該碳質材料能夠積聚至一處，於該處微粒材料變鬆。接著出現的風險在於該鬆的微粒材料能夠落下在該工作件上致使污染。此外，該等微粒材料釋放氣體副產物，其增加該腔室之基礎壓力。如此造成不良的真空水平，並亦造成與製程控制相關聯的問題。

仍有的另一問題在於任何傳導層之蝕刻能夠導致該腔室壁上傳導材料之逐漸增加。如此產生一傳導塗層，其能夠讓藉由線圈耦合進入該腔室的RF功率衰減。當該傳導塗層的厚度隨時間越久而增加時，衰減能夠增加到影響蝕刻製程的一程度。例如，可能會發生諸如蝕刻率飄移、蝕刻均勻性問題，以及電漿點火或是電漿維持的問題。

對於該等問題的傳統式解決方案係經常地執行維護保養程序。如此最終地導致該腔室排氣至大氣，因此能夠完成機械式清潔作業。此介入方案具有顯著的成本以及工具停工期。如此對於一製造環境而言並非為所樂見的。替代地，所樂見的是降低該等維護保養介入的頻率，以減少成本同時改良工具之正常運作時間。

發明概要

本發明，於其之至少一些具體實施例中，解決一或更多的上述問題。儘管本發明係特別地適於濺鍍蝕刻製程，諸如在一預先清潔模組中進行的濺鍍蝕刻製程，但本發明並未限定於此觀點。替代地，本發明能夠應用在寬廣範圍之電漿蝕刻製程。

根據本發明之一第一觀點，提供一種用於蝕刻一基板的電漿蝕刻裝置，其包含：至少一腔室；一基板支撐件，其係經定位在該至少一腔室內；以及一電漿製造構件，其用於產生電漿供蝕刻該基板使用；其中該電漿製造構件包含一導電線圈，其係經定位在該至少一腔室內，並且該線圈係由一金屬材料構成，其能夠經濺鍍位在該至少一腔室之一內部表面上。

如此，可執行一或更多的清潔功能。此能夠降低所需維護保養作業的頻率。如此依序地減少營運成本並改良該裝置之正常運行時間。

該金屬材料可為一金屬或是一金屬合金。

該金屬材料可經濺鍍俾以將微粒材料黏附至該至少一腔室之一內部表面上。如此能夠減少微粒材料由該內部表面落下在該基板上以及從而污染該基板的可能性。同時，微粒材料可釋放不想要的氣體副產物，其增加該腔室之基礎壓力並影響製程控制。藉由將微粒材料黏附至該腔室之一內部表面，至少能夠減小此問題。該金屬材料可為鋁、鋁合金、或是銅。

該材料可為一吸氣材料。該吸氣材料可為將於至少一腔室內存在的一或更多之氣體種類移除。該吸氣材料可與至少一腔室內存在的氣體種類起作用或是吸收。該吸氣材料可為鈦、鉭、或是鎢。如此，能夠改良該腔室之基 礎壓力及泵送速度。

該裝置可進一步包含一構件，其係於該金屬材料之濺鍍作業期間用於安置一蓋覆蓋該基板支撐件，並在該濺鍍作業之後移開該蓋。用於安置一蓋的該構件可包含該蓋，其係以一包覆在該至少一腔室內的可移動元件連接。用於安置一蓋的該構件可為一可移動擋板(shutter)。

可交替地，用於安置一蓋的該構件可包含一虛擬基板，其係藉由一基板轉移系統運送進入及運送而出與該基板支撐件接觸。針對此目的，可使用一晶圓負載槽口及一相關聯的晶圓運送系統。

該至少一腔室可包含一上蓋，其係與該至少一腔室之其餘部分電氣隔離。該上蓋可由一金屬材料構成，其能夠由該上蓋濺鍍在該至少一腔室之一內部表面上。該金屬材料可為一金屬或是一金屬合金。該金屬材料可與該導電元件之該金屬材料相同或是不同。

該上蓋之該金屬材料可經濺鍍俾以將微粒材料黏附在該至少一腔室之一內部表面上。該上蓋之該金屬材料可為鋁、鋁合金、或是銅。該上蓋之該金屬材料可為一吸氣材料。該上蓋之該金屬材料可為鈦、鉭或鎢。

該裝置可包含一上蓋電源，用於供給電力至該上蓋以使能夠由該上蓋濺鍍該金屬材料。該上蓋電源可供給負直流電力至該上蓋。

該裝置可進一步包含一切換構件，用於在與該上蓋電源的一電氣連接與至少一其他的電氣狀態之間切換該 上蓋。該其他的電氣狀態可為接地狀態或是電氣浮置狀態。

該至少一腔室可包含係以導電材料構成之壁。該至少一腔室可進一步包含一或更多的壁襯套。該等壁襯套亦可由一導電材料構成。由於線圈係定位在該腔室之內，使用此型式之腔室係為可行的。耦合進入該腔室之電力並未因該等壁上任何的傳導材料逐漸增加而衰減。同時，由於該等腔室壁之相對高的熱傳導性，所以溫度波動係為減小的。如此能夠減少材料自該等壁上剝落的可能性。該電子傳導材料可為鋁。

該裝置可進一步包含一控制器，其可操作用以在執行一基板蝕刻作業的一第一操作模式與金屬材料係濺鍍在該至少一腔室之一內部表面上的一第二操作模式之間切換。該第二操作模式可用以執行一清潔的功能。

該金屬材料可由該導電元件濺鍍以執行該清潔功能。

該金屬材料可由該上蓋濺鍍以執行該清潔功能。

該切換構件可經阻配因此該上蓋在該第一操作模式期間係處於該至少一其他的電氣狀態下，以及在該第二操作模式期間該上蓋係處於與該上蓋電源電氣連接的狀態下。

該電漿製造構件可為一感應耦合電漿製造構件。該線圈可為一感應線圈。

該裝置可進一步包含一RF電源，用於供給RF偏壓功率至該基板支撐件。

典型地，該電漿蝕刻裝置包含一單一腔室。然而，多腔室裝置係涵蓋於本發明之範疇。

該電漿蝕刻裝置可為一濺鍍蝕刻裝置。該電漿蝕刻裝置可為一氬濺鍍蝕刻裝置。

該電漿蝕刻裝置可為一預先清潔模組，用於一多重加工工具。

該電漿製造構件可包含一發電機，較佳地為一RF產生器，其供給電力至該線圈。該電漿可藉由供給至該線圈的電力之感應耦合而製造。

根據本發明之一第二觀點，提供一種清潔用於蝕刻基板並具有至少一腔室的該型式之電漿蝕刻裝置的方法，該方法包含由定位在該至少一腔室內的一導電線圈濺鍍一金屬材料在該至少之一腔室的一內部表面上，以執行一清潔功能的步驟。

可在蝕刻基板的一步驟之後執行濺鍍金屬材料以執行清潔功能的該步驟。在該蝕刻步驟之後以及該濺鍍步驟之前，可將一蓋覆蓋在該基板支撐件上。該蓋可在該濺鍍步驟之後以及一接續的蝕刻步驟之前移開。

該金屬材料可經濺鍍俾以黏附微粒材料至該至少一腔室的一內部表面。

該金屬材料可為移除存在於該至少一腔室中的氣體種類的一吸氣材料。該吸氣材料可與該至少一腔室中 所存在的氣體種類發生作用或是吸收之。

該電漿蝕刻裝置可包含一上蓋，其係與該至少一腔室之其餘部分電氣隔離。該方法可進一步包含由該上蓋濺鍍一金屬材料在該至少一腔室之一內部表面上，以執行清潔功能。該清潔功能可如以上所說明。

可使用電漿執行該濺鍍的步驟。於濺鍍步驟期間所使用的該電漿可與蝕刻該基板所使用的電漿相同或是不同。

可使用氬電漿執行該濺鍍的步驟。

該基板可包含一半導體材料。該基板可為一半導體晶圓。

根據本發明之一第三觀點，提供用於加工工作件的一多重加工工具，其包含複數之加工模組，其中之一模組係為一預先清潔模組，該模組包含本發明之該第一觀點的一電漿蝕刻裝置。

儘管本發明已於以上說明，但它擴展至在上文或在接下來的描述、圖式或是申請專利範圍中提出之特徵的任何創造性的組合。例如，與本發明之第一觀點相關說明的任何特徵係被認為亦與本發明之該第二觀點相關地被揭示，並且反之亦然。

10‧‧‧預先清潔模組

12‧‧‧真空室

14‧‧‧感應線圈

16‧‧‧平台

18‧‧‧晶圓負載槽口

20‧‧‧RF功率產生器/電漿蝕刻 裝置

22‧‧‧腔室

24‧‧‧氣體入口

26‧‧‧晶圓負載槽口

28‧‧‧泵送口

30‧‧‧平台

32‧‧‧RF電源

34‧‧‧感應線圈

36‧‧‧電漿

40‧‧‧電漿蝕刻裝置/腔室

42‧‧‧腔室

42a‧‧‧主體部分

42b‧‧‧上蓋

44‧‧‧連接器件

46‧‧‧電氣連接

現將參考該等伴隨的圖式說明本發明之電漿蝕刻裝置的具體實施例，其中：圖1係為一先前技術的預先清潔模組的一示範性總成 的一剖視圖；圖2係為一電漿蝕刻裝置的一第一具體實施例之一剖視圖；圖3係為一電漿蝕刻裝置的一第二具體實施例之一剖視圖；以及圖4係為顯示本發明之一製程的一流程圖。

較佳實施例之詳細說明

圖2顯示本發明之一電漿蝕刻裝置的一第一具體實施例，一般地以符號20標示。該裝置20包含一腔室22，其具有配置位在其之一頂部部分中的一適合的氣體入口24。該腔室22進一步包含一晶圓負載槽口26、以及一泵送口28，其可連接至一適合的泵送佈置，諸如引導至一渦輪分子泵的一真空管線。該腔室22的內部安放一平台30，諸如晶圓的工作件可經負載位在該平台上。如於圖2中以實線顯示的該平台30係位在一降低的位置用於接收該工作件。在開始一蝕刻製程之前，該平台30然後接續地將上升進入於圖2中以虛線顯示的位置。提供一RF電源32，其提供RF偏壓功率至該平台30。為了方便起見，儘管原則上可施用其他的頻率，但使用13.56MHz的一RF信號頻率。該腔室22進一步包含一感應線圈34，其根據本發明係經定位在該腔室22內。該感應線圈34係連接至一RF功率產生器(未顯示)。如於業界所廣為熟知的，該連接至該RF功率產生器的作業可經由一阻抗匹配網路(未顯示)。經由該氣體入口24將一適合的加 工氣體供給至該腔室22，以及供給至該內部定位的感應線圈34的電力係用於在腔室22中製造電漿36。有利地，該腔室22及/或該腔室22內的任何可移開屏蔽係由諸如鋁的一導電材料構成。於圖2中顯示的具體實施例中，該腔室22係經電氣接地。

該電漿36係用於執行工作件的電漿蝕刻。亦係用於一濺鍍步驟的該電漿36可與執行工作件之電漿蝕刻所使用的電漿相同或是不同。

該線圈34係由一可濺鍍的金屬材料構成。藉由適當地控制供給至該線圈34及該平台30的加工氣體及該RF功率，控制諸如離子密度之參數，能夠獲得離子能量及離子方向性。如此，來自該線圈34的金屬材料能夠經濺鍍在該腔室22之壁上。該濺鍍的金屬材料能夠執行一或更多的清潔功能。於一具體實施例中，該線圈係由一反應金屬製造而成，諸如鈦，其係使用作為一吸氣材料。鈦係為由蝕刻有機層所釋放的一氧化碳(CO)及其他氣體副產品之一極有效的吸氣劑。鈦能夠由該線圈34濺鍍在該腔室22之壁上。由於鈦係極具反應性，與該等腔室壁上的鈦碰撞的該室中殘餘氣體之成分係可能與鈦發生反應以構成一穩定的、固態產物。如此降低該腔室中的氣體壓力。因此，能夠顯著地減少與不良的真空性能及長的泵抽至基點(pump-to-base)恢復時間相關聯的問題。該線圈可由另外的吸氣材料構成，諸如鉭或鎢。於另外的具體實施例中，該線圈係由對該腔室之壁展現低的應力及良好的黏附性諸如鋁的一材料構成。 該材料係由該線圈濺鍍在該腔室之該等壁上。存在於該腔室之該等壁上的任何鬆散微粒材料係藉由由該線圈濺鍍的該材料有效地塗佈在適當位置。如此致使可能以其他方式污染該工作件的鬆散微粒材料減少。可使用鋁合金或是銅以替代鋁。鋁或是一些鋁合金的一附加優點在於該等材料亦能夠消耗氧。

該腔室22內的該線圈34之位置產生一進一步的優點。由於此線圈之位置，所以不需由一絕緣材料製作該腔室。替代地，該腔室能夠由一傳導材料製作。該腔室內存在的任何屏蔽亦能夠由一傳導材料製作。典型地，該傳導腔室壁係經電氣接地。因此，當該平台30係藉由由該RF產生器32施用的RF功率所偏壓時，該等腔室壁係使用作為供該平台30所用的一陽極。由於該等腔室壁係具傳導性，所以沉積在該等腔室壁上的任何傳導性材料對該腔室內的電漿並無有害的影響。此外，與由絕緣材料構成的先前技術之腔室比較，該等壁之熱傳導性係大大地改良。如此減小於加工期間出現的溫度波動之範圍，依序地減少由於熱膨脹係數失配造成由該腔室之壁剝落而需再次沉積材料的傾向。一進一步的優點在於其能夠使用諸如噴砂或火焰熔射的技術，控制金屬腔室組件之表面加工。如此能夠藉由提供再次沉積材料所能夠黏附至的一粗糙表面而降低粒子能階。

圖3顯示一電漿蝕刻裝置之一第二具體實施例，一般地以符號40標示。該裝置40包含複數之特徵，其係與 圖2中顯示的該第一具體實施例中對應的特徵相同。相同的代表符號係用以表示該等相同的特徵。主要的差異在於以二部分提供該腔室40。更特定言之，該腔室42包含一主體部分42a及一上蓋42b。於使用中，該上蓋42b係經由一絕緣材料構成的連接器件44而連接至該主體部分42a的一頂部部分。該連接器件44確保該上蓋42係與該主體部分42a電氣絕緣。該腔室主體部分42a係經電氣接地。該上蓋42b之電氣狀態能夠使用一電氣連接46設定。該上蓋42b之電氣狀態可或不與該主體部分42a的電氣狀態相同。易言之，該上蓋42b可或未經電氣接地。

特別地有利的是如果該上蓋42b係由一能夠經濺鍍的材料構成，諸如以上參考該線圈34說明的該材料。如此，將材料由該上蓋42b濺鍍在該主體部分42a之該等壁上，提供一清潔的功能係為可行的。當如此地操作該裝置時，高度地有利的是該電氣連接46容許由一適合的電源(未顯示)對該上蓋42b施加一電氣偏壓。負直流(DC)電源係適於該等目的。當藉由該負DC電源偏壓該上蓋42b時，來自於電漿的離子將轟擊使用作為陰極的該上蓋42b。如此導致材料由該上蓋42b噴射並塗佈該腔室42之內部組件。氬電漿係為一適合的選擇，由氬離子造成該上蓋42b之轟擊。然而，本發明並未限制於此方面。能夠如先前相關於該線圈34說明藉由該上蓋42b之材料的濺鍍作業執行該等清潔功能。因此，具有濺鍍材料的該等腔室壁之塗層能夠有效地用以將微粒材料維持在適當位置。如此能夠顯著地延伸維護保養 程序間的時間間隔。另一可能性在於該上蓋42b中使用一吸氣材料。如此，如以上說明，能夠將氣體副產物由製程腔室之空氣中去除。

於圖2及3中所顯示該裝置20、40之主要目的係使用作為預先清潔模組。此作業係藉由執行一濺鍍蝕刻製程用以將材料由該工作件之表面去除而完成。氬電漿36可用於此濺鍍蝕刻製程。應注意的是於該濺鍍蝕刻製程期間，該線圈34及/或該上蓋42b之濺鍍係減至最少以避免污染該經濺鍍蝕刻之部分。在需要時候，該濺鍍蝕刻製程係停止，並且使用來自該線圈34及/或該上蓋42b的材料濺鍍在該腔室20、40之壁上而清潔該室本身。參考於圖3中所顯示的該第二具體實施例，所需要的是僅在當執行該上蓋42b之濺鍍時的該段期間，供給該負DC電力至該上蓋42b。在其他時候，該上蓋42b需要處於另一電氣狀態下。特別地，在工作件之濺鍍蝕刻期間，該上蓋42b需要接地。可交替地或是附加地，需要能夠容許該上蓋42b電氣浮置。因此，有利的是如果該電氣連接46係經阻配俾以容許在該上蓋42b之需要的電氣狀態下切換。

參考圖2及3中顯示的二具體實施例，一般地，必需在該線圈34及/或上蓋42b之濺鍍期間提供一些形式之該平台保護。於圖2及3中顯示的該等具體實施例中，此傳統上能夠在開始該線圈34及/或上蓋42b之濺鍍之前，藉由使用該晶圓負載槽口26及相關聯的晶圓處理系統將一虛擬晶圓定位在該平台30上方而達成。可交替地，可提供一專用 的平台保護系統。例如，該平台30可由一保護元件覆蓋，該元件可儲藏在該室內並在開始濺鍍製程之前移動進入該平台30上方的位置。在濺鍍製程期間，一擋板系統可用以保護該平台。

圖4係為一流程圖，其顯示能夠實作本發明的一方式。在圖4中顯示的該製程中，在已蝕刻25片晶圓之後，運作一濺鍍製程以執行一腔室清潔功能。然而，能夠適當地視所包含的材料以及認為可接受的該等粒子能階而定，設定濺鍍之間的間隔。於圖4中顯示的該示範製程包括用於清潔該腔室的濺鍍步驟，其中RF功率係供給至該平台30。亦能夠藉由僅供給RF功率至該線圈，或是供給RF功率至該線圈及該平台二者而提供濺鍍。

儘管已參考用以藉由濺鍍蝕刻而去除材料的裝置而於圖2及3中例示本發明，但本發明亦延伸至其他的蝕刻形式。同時，本發明能夠應用至不同基板的蝕刻。一特別的優點在於能夠以其他方式蝕刻問題的基板，同時維持低的粒子能階以及高的真空水平。熟練的讀者將發現不同的進一步變化，其係涵蓋於本發明之領域內。例如，該線圈及上蓋可由相同的可濺鍍材料構成。然而，該線圈與該上蓋亦能夠由不同的材料構成。如此，能夠於一單一濺鍍製程中享有與不同材料相關聯的有利效果。例如，能夠藉由使用一塗佈材料及一吸氣材料而讓塗佈與吸氣的效果最佳化。因此，該線圈可以鈦構成，以及該上蓋可以鋁構成，或反之亦然。就濺鍍蝕刻而言，接續地沉積在工作件上的 金屬層構成具低電阻的接點。同時，基板粒子密度係降低，其導致一較高的功能性晶粒成品率。此外，能夠延長腔室維護保養之間的時間，致使改良工具的正常運行時間以及降低擁有成本。

20‧‧‧電漿蝕刻裝置

22‧‧‧腔室

24‧‧‧氣體入口

26‧‧‧晶圓負載槽口

28‧‧‧泵送口

30‧‧‧平台

32‧‧‧RF電源

34‧‧‧感應線圈

36‧‧‧電漿

Claims (30)

1. 一種用於蝕刻一基板的電漿蝕刻裝置，其包含：至少一腔室；一基板支撐件，其係經定位在該至少一腔室內；以及；一電漿製造構件，其用於產生電漿供蝕刻該基板使用；其中該電漿製造構件包含一導電線圈，其係經定位在該至少一腔室內，並且該線圈係由一金屬材料構成，其能夠經濺鍍位在該至少一腔室之一內部表面上。
2. 如請求項1之電漿蝕刻裝置，其中該金屬材料能夠經濺鍍俾以將微粒材料黏附至該至少一腔室之一內部表面上。
3. 如請求項2之電漿蝕刻裝置，其中該金屬材料係為鋁、鋁合金、或是銅。
4. 如請求項1或2之電漿蝕刻裝置，其中該金屬材料係為一吸氣材料。
5. 如請求項4之電漿蝕刻裝置，其中該吸氣材料可為鈦、鉭、或是鎢。
6. 如前述任一請求項之電漿蝕刻裝置，其進一步包含一構件，其係於該金屬材料之濺鍍作業期間用於安置一蓋覆蓋於該基板支撐件上，並在該濺鍍作業之後移開該蓋。
7. 如請求項6之電漿蝕刻裝置，其中用於安置一蓋的該構 件包含該蓋，其係以一包覆在該至少一腔室內的可移動元件連接。
8. 如請求項6之電漿蝕刻裝置，其中用於安置一蓋的該構件可包含一虛擬基板，其係藉由一基板轉移系統運送進入及運送而出與該基板支撐件接觸。
9. 如前述任一請求項之電漿蝕刻裝置，其中該至少一腔室可包含一上蓋，其係與該至少一腔室之其餘部分電氣隔離。
10. 如請求項9之電漿蝕刻裝置，其中該上蓋係由一金屬材料構成，其能夠由該上蓋濺鍍在該至少一腔室之一內部表面上。
11. 如請求項10之電漿蝕刻裝置，其中該上蓋之該金屬材料係經濺鍍俾以將微粒材料黏附至該至少一腔室之一內部表面上。
12. 如請求項11之電漿蝕刻裝置，其中該上蓋之該金屬材料係為鋁、鋁合金、或是銅。
13. 如請求項10或11之電漿蝕刻裝置，其中該上蓋之該金屬材料係為一吸氣材料。
14. 如請求項13之電漿蝕刻裝置，其中該上蓋之該金屬材料係為鈦、鉭或鎢。
15. 如請求項10至14項中任一項之電漿蝕刻裝置，其包含一上蓋電源，用於供給電力至該上蓋以使能夠由該上蓋濺鍍該金屬材料。
16. 如請求項15之電漿蝕刻裝置，其中該上蓋電源供給負直 流電力至該上蓋。
17. 如請求項15或16之電漿蝕刻裝置，其進一步包含一切換構件，用於在與該上蓋電源的一電氣連接與至少一其他的電氣狀態之間切換該上蓋。
18. 如請求項17之電漿蝕刻裝置，其中該其他的電氣狀態係為接地狀態或是電氣浮置狀態。
19. 如前述任一請求項之電漿蝕刻裝置，其中該至少一腔室包含係以一導電材料構成之壁。
20. 如前述任一請求項之電漿蝕刻裝置，其進一步包含一控制器，其可操作用以在執行一基板蝕刻作業的一第一操作模式與金屬材料係濺鍍在該至少一腔室之一內部表面上的一第二操作模式之間切換。
21. 如前述任一請求項之電漿蝕刻裝置，其中該電漿製造構件係為一感應耦合電漿製造構件以及該線圈係為一感應線圈。
22. 如前述任一請求項之電漿蝕刻裝置，其進一步包含一RF電源，用於供給RF偏壓功率至該基板支撐件。
23. 一種用於清潔一電漿蝕刻裝置的方法，該電漿蝕刻裝置係呈用於蝕刻一基板並且具有至少一腔室的型式，該方法包含自定位在該至少一腔室內的一導電線圈，濺鍍一金屬材料在該至少一腔室的一內部表面上，以執行一清潔功能的步驟。
24. 如請求項23之方法，其中濺鍍該金屬材料以執行一清潔功能的步驟係在一蝕刻該基板的步驟之後加以執行。
25. 如請求項24之方法，其中，在該蝕刻步驟之後以及該濺鍍步驟之前，一蓋係被置放覆蓋在一基板支撐件上。
26. 如請求項23至25項中任一項之方法，其中該金屬材料係經濺鍍俾以黏附微粒材料至該至少一腔室的一內部表面。
27. 如請求項23至26項中任一項之方法，其中該金屬材料係為移除存在於該至少一腔室中一或更多的氣體種類的一吸氣材料。
28. 如請求項27之方法，其中該吸氣材料係與該至少一腔室中所存在的氣體種類發生作用或是吸收之。
29. 如請求項23至28項中任一項之方法，其中該電漿蝕刻裝置係包含一上蓋，其係與該至少一腔室之其餘部分電氣隔離，以及該方法進一步包含自該上蓋濺鍍一金屬材料在該至少一腔室之一內部表面上，以執行一清潔功能。
30. 一種用於加工一工作件的多重加工工具，其包含複數之加工模組，其中之一模組係為一預先清潔模組，該預先清潔模組包含請求項1之一電漿蝕刻裝置。