JP2011027715A - 光干渉断層法を用いる撮像装置及び撮像方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 まず、本発明に係る撮像装置は、検出部111により合成光(被検査物119からの戻り光115と参照光113とが合成した光)を検出可能な第1の状態と検出部111により参照光113を検出可能な第2の状態とを切り替える切替部116を備える。
そして、本発明に係る撮像装置は、前記第2の状態で検出部111により検出された参照光の光量に基づいて、第1の状態に切り替え可能に構成される。
【選択図】 図1
Description
光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像装置であって、
光を発生させる光源と、
前記光源からの光を測定光と参照光とに分割する分割部と、
前記被検査物からの戻り光と前記参照光との合成光を検出する検出部と、
前記検出部により前記合成光を検出可能な第1の状態と前記検出部により前記参照光を検出可能な第2の状態とを切り替える切替部と、を備え、
前記第2の状態で前記検出部により検出された前記参照光の光量に基づいて、前記第1の状態に切り替え可能に構成されることを特徴とする。
光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像装置であって、
光を発生させる光源と、
前記光源からの光を測定光と参照光とに分割する分割部と、
前記参照光を検出する検出部と、を備え、
前記検出部により検出された前記参照光の光量に基づいて、前記被検査物に前記測定光を導光可能に構成されることを特徴とする。
光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像装置であって、
光を発生させる光源と、
前記光源からの光を測定光と参照光とに分割する分割部と、
前記参照光を分割して得た光量検知光を検出する光量検知光検出部と、を備え、
前記光量検知光検出部により検出された前記光量検知光の光量に基づいて、前記被検査物に前記測定光を導光可能に構成、あるいは前記被検査物に導光される前記測定光を減光可能に構成されることを特徴とする。
光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像装置であって、
光を発生させる光源と、
前記光源からの光を測定光と参照光とに分割する分割部と、
前記測定光を分割して得た検査光を入射させる波長選択反射手段と、
前記被検査物からの戻り光と、前記波長選択反射手段からの検査戻り光と、前記参照光と、の合成光を検出するための検出部と、を備えることを特徴とする。
光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像方法であって、
光を発生させる工程と、
前記発生された光を測定光と参照光とに分割する工程と、
前記参照光を検出する工程と、
前記検出された前記参照光の光量に基づいて、前記測定光を前記被検査物に導光する工程と、
を含むことを特徴とする。
光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像方法であって、
光を発生させる工程と、
前記発生された光を測定光と参照光とに分割する工程と、
前記参照光を分割して得た光量検知光を検出する工程と、
前記検出された前記光量検知光の光量に基づいて、前記測定光を前記被検査物に導光する、あるいは、前記被検査物に導光される前記測定光を減光する工程と、
を含むことを特徴とする。
まず、101は、光(低コヒーレンス光)を発生させるための光源である。前記光源101には、SLD(Super Luminescent Diode)を適用することができる。また、前記光源101には、ASE(Amplified Spontaneous Emission)も適用することができる。また、前記光源101には、チタンサファイアレーザなどの超短パルスレーザも適用することができる。このように、前記光源101は、低コヒーレンス光を発生させることの出来るものなら何でも良い。さらに、前記光源101から発生される光の波長は、特に制限されるものではないが、400nmから2μmの範囲である。なお、波長の帯域は広いほど縦分解能がよくなる。一般的に中心波長が850nmの場合、空気中において、50nmの帯域では、6μmの分解能、100nmの帯域では、3μmの分解能である。
本実施形態に係る光干渉断層法を用いる撮像方法は、以下のa)からe)の工程を少なくとも含む。
a)測定光の光路を遮断あるいは変更させる工程(例えば、図2のA1)。
b)光を発生させる工程(例えば、図2のA3)。
c)前記発生された光を前記測定光と参照光とに分割する工程(例えば、図2のA3)。
d)前記参照光の光量を検出する工程(例えば、図2のA3)。
e)前記検出された参照光の光量に基づいて、前記測定光の光路を遮断あるいは変更させた状態とは異なる状態に切り替える工程(例えば、図2のA6)。
f)前記検出された参照光の光量と設定値とを比較する工程(例えば、図2のA5)。
g)前記比較された結果に基づいて、前記測定光の光路を遮断あるいは変更させた状態とは異なる状態に切り替える工程(例えば、図2のA6)。
h)被検査物からの戻り光と前記参照光との合成光を検出する工程(例えば、図2のA7)。
i)前記検出された合成光から断層画像を形成する工程(例えば、図2のA7)。
ここで、別の実施形態として、上述の実施形態に係る撮像方法を、コンピューターに実行させるためのプログラムとして、コンピューターが読み取り可能な記憶媒体(例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM、EEPROM、ブルーレイディスクなど)に格納しても良い。また、別の実施形態として、上述の撮像方法をコンピューターに実行させるためのプログラムでも良い。
実施例1に係る光干渉断層法を用いる撮像装置について、図1を用いて説明する。図1は、本実施例のマイケルソン型の光学系(マイケルソン干渉計)を用いる撮像装置を説明するための模式図である。
次に、本実施例に係る撮像方法について、図2のフローチャートを用いて説明する。特に、分光スペクトルの取得とシャッターの制御を説明する。
実施例2に係る光干渉断層法を用いる撮像方法について、図4を用いて説明する。特に、スペクトルの取得とシャッターの制御について説明する。ここでは、実施例1との差異について説明する。実施例1との差異は、装置を起動する際と断層画像を撮像する前とで、それぞれ状態検知を行うことである。
まず、B1は、測定を開始する工程である。
また、B8は、シャッター116を開ける工程である。
そして、B12は、測定を終了する工程である。
実施例3に係る光干渉断層法を用いる撮像装置について、図5を用いて説明する。図5は、本実施例のマッハツェンダー型の光学系(マッハツェンダー干渉計)を用いる撮像装置を説明するための模式図である。ここでは、実施例1との差異について説明する。この光学系は、光源の故障等の不具合を確認する手段を別途有している。
実施例4に係る光干渉断層計を用いる撮像装置(OCT装置)について、図6(a)を用いて説明する。本実施例のOCT装置は、図6(a)に示されるように、全体としてマイケルソン干渉系を構成している。
実施例5に係る光干渉断層法を用いる撮像装置について図6(b)を用いて説明する。図6(b)はマイケルソン型干渉計を用いる撮像装置を説明する図である。光源651から出射した光は、ファイバー652を通して、ファイバーカプラなどのビームスプリッター654によって参照アーム676を伝播する参照光663とサンプルアーム677を伝播する測定光664に分割される。測定光664及び参照光663は、それぞれレンズ653による空間放射まではファイバー中を伝播する。
102 光ファイバー
103 レンズ
104 ビームスプリッター
105 対物レンズ
106 フォーカス調整機構
107 分散補償ガラス
108 XYスキャナ
109 参照ミラー
110 ミラー調整機構
111 分光器
112 コンピューター
113 参照光
114 測定光
115 戻り光
116 シャッター
117 シャッター制御機構
118 角膜
119 眼
120 網膜
Claims (15)
- 光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像装置であって、
光を発生させる光源と、
前記光源からの光を測定光と参照光とに分割する分割部と、
前記被検査物からの戻り光と前記参照光との合成光を検出する検出部と、
前記検出部により前記合成光を検出可能な第1の状態と前記検出部により前記参照光を検出可能な第2の状態とを切り替える切替部と、を備え、
前記第2の状態で前記検出部により検出された前記参照光の光量に基づいて、前記第1の状態に切り替え可能に構成されることを特徴とする撮像装置。 - 前記光量と設定値とを比較する比較部を備え、
前記光量が前記設定値の範囲内の場合、前記第2の状態から前記第1の状態に切り替える、あるいは、
前記光量が前記設定値の範囲外の場合、前記第2の状態を維持することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の状態と前記第2の状態とを切り替えるように前記切替部を制御するための制御部を備え、
前記切替部は、前記被検査物に導光する前記測定光の光量を変更可能に構成、あるいは前記測定光の光路を変更可能に構成されることを特徴とする請求項1あるいは2に記載の撮像装置。 - 前記切替部は、前記測定光の光路を遮蔽可能に構成、あるいは前記測定光の透過率を制御可能に構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記第1の状態で前記検出部により検出された前記合成光の光量に基づいて、前記第2の状態に切り替え可能に構成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像装置であって、
光を発生させる光源と、
前記光源からの光を測定光と参照光とに分割する分割部と、
前記参照光を検出する検出部と、を備え、
前記検出部により検出された前記参照光の光量に基づいて、前記被検査物に前記測定光を導光可能に構成されることを特徴とする撮像装置。 - 光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像装置であって、
光を発生させる光源と、
前記光源からの光を測定光と参照光とに分割する分割部と、
前記参照光を分割して得た光量検知光を検出する光量検知光検出部と、を備え、
前記光量検知光検出部により検出された前記光量検知光の光量に基づいて、前記被検査物に前記測定光を導光可能に構成、あるいは前記被検査物に導光される前記測定光を減光可能に構成されることを特徴とする撮像装置。 - 前記光量が設定値の範囲内の場合、前記測定光を前記被検査物に導光可能に構成され、
前記光量が設定値の範囲外の場合、前記被検査物に導光される前記測定光を減光可能に構成されることを特徴とする請求項6あるいは7に記載の撮像装置。 - 光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像方法であって、
光を発生させる工程と、
前記発生された光を測定光と参照光とに分割する工程と、
前記参照光を検出する工程と、
前記検出された前記参照光の光量に基づいて、前記測定光を前記被検査物に導光する工程と、
を含むことを特徴とする撮像方法。 - 前記光量と設定値とを比較する工程を含み、
前記光量が前記設定値の範囲内の場合、前記測定光を前記被検査物に導光する、あるいは、
前記光量が前記設定値の範囲外の場合、前記被検査物に導光しないことを特徴とする請求項9に記載の撮像方法。 - 光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像方法であって、
光を発生させる工程と、
前記発生された光を測定光と参照光とに分割する工程と、
前記参照光を分割して得た光量検知光を検出する工程と、
前記検出された前記光量検知光の光量に基づいて、前記測定光を前記被検査物に導光する、あるいは、前記被検査物に導光される前記測定光を減光する工程と、
を含むことを特徴とする撮像方法。 - 前記光量と設定値とを比較する工程を含み、
前記光量が前記設定値の範囲内の場合、前記測定光を前記被検査物に導光する、あるいは、
前記光量が前記設定値の範囲外の場合、前記被検査物に導光される前記測定光を減光することを特徴とする請求項11に記載の撮像方法。 - 請求項9乃至12のいずれか1項に記載の撮像方法をコンピューターに実行させることを特徴とするプログラム。
- 光干渉断層法を用いて被検査物を撮像するための撮像装置であって、
光を発生させる光源と、
前記光源からの光を測定光と参照光とに分割する分割部と、
前記測定光を分割して得た検査光を入射させる波長選択反射手段と、
前記被検査物からの戻り光と、前記波長選択反射手段からの検査戻り光と、前記参照光と、の合成光を検出するための検出部と、を備えることを特徴とする撮像装置。 - 前記測定光を分割して前記検査光を得るための測定光分割部を備え、
前記測定光分割部から前記波長選択反射手段までの光路が、ファイバーで構成され、
前記波長選択反射手段が、複数のファイバーブラッググレーティングで構成されていることを特徴とする請求項14に記載の撮像装置。
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