JP2011024388A - パワースイッチング素子の駆動装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度を可変とするに際し、可変とするための入力信号を伝達させるために絶縁手段を新たに追加する必要が生じること。
【解決手段】パワースイッチング素子Swを駆動するドライブユニットDUは、2次側コイル10aの出力電圧が印加されるコンデンサ42をフローティング電源とする。2次側コイル10aの出力電圧は、コンパレータ72によって閾値電圧と比較される。速度切替部60では、コンパレータ72による比較結果に応じて、パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度を変更する。
【選択図】 図2

Description

本発明は、パワースイッチング素子のスイッチング状態の切替速度を可変とするパワースイッチング素子の駆動装置に関する。
例えば下記特許文献1には、車載主機に接続されるインバータを構成するスイッチング素子のスイッチング状態の切替速度を、インバータの入力電圧に応じて可変とする技術が記載されている。これは、スイッチング状態の切替速度を低下させることで、サージノイズが抑制される一方、スイッチング状態の切替に伴う電力損失が増加することに鑑みたものである。すなわち、スイッチング素子の信頼性を維持する上では、スイッチング素子に耐圧を超える電圧が印加される事態を回避する必要があり、これにより、サージノイズの上限値が定まる。このため、サージノイズが上限値を超えない範囲で切替速度を極力大きくすることで、スイッチング状態の切り替えに伴う電力損失の抑制を図ることとなる。ここで、上限値は、インバータの入力電圧に依存するため、切替速度を入力電圧に応じて可変設定することで、スイッチング素子に印加される電圧が過度に大きくなることを回避しつつも切り替え速度を極力大きくすることができる。
特許第3052792号公報
ところで、上記インバータは、車載低電圧システムから絶縁された車載高電圧システムを構成する。一方、インバータIVの入力電圧情報等の各種情報は、通常、低電圧システムにおいて管理される。このため、スイッチング状態の切替速度を可変する際には、入力電圧情報または切替速度の可変指令信号を低電圧システムから高電圧システムに伝達させる必要が生じる。そしてこの場合には、フォトカプラ等の絶縁手段を別途設ける必要が生じる。
なお、上記の例に限らず、パワースイッチング素子のスイッチング状態の切替速度を可変とするものにあっては、可変とするための入力信号を低電圧システムから高電圧システムに伝達させるに際して絶縁手段を新たに追加する必要が生じるこうした実情も概ね共通したものとなっている。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、パワースイッチング素子のスイッチング状態の切替速度を可変とするに際し、絶縁手段を新たに追加することなく可変とするための入力信号を伝達させることのできるパワースイッチング素子の駆動装置を提供することにある。
以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果について記載する。
請求項1記載の発明は、トランスの2次側コイルの出力電圧を可変制御すべく1次側コイルを通電操作する操作手段と、前記トランスの2次側コイルの出力電圧を規定値に制御する電圧制御手段と、前記電圧制御手段の出力電圧を電圧制御形のパワースイッチング素子に印加することで前記パワースイッチング素子を駆動する駆動手段と、前記2次側コイルの出力電圧の値に基づき、前記パワースイッチング素子のスイッチング状態の切替速度を可変とする可変手段とを備えることを特徴とする。
上記発明では、トランスの2次側コイルの出力電圧を、スイッチング状態の切替速度を可変とするための入力信号とすることができる。このため、駆動手段の電源を構成するためのトランスを利用して1次側から2次側へと上記切替速度を可変とするための入力信号を伝達することができ、ひいては絶縁手段を新たに追加することを回避することができる。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記操作手段は、前記パワースイッチング素子の温度情報に基づき、前記トランスの2次側コイルの出力電圧を可変制御すべく前記1次側コイルを通電操作することを特徴とする。
パワースイッチング素子は、温度に応じてその耐圧が変化する。詳しくは、一般的には、低温であるほど耐圧が低くなる特性を有する。上記発明では、この点に鑑み、スイッチング状態の切替速度を温度に応じて可変とすることで、パワースイッチング素子に耐圧を超える電圧が印加されることを回避しつつも、スイッチング状態の切替に伴う電力損失を極力低減することができる。
請求項3記載の発明は、請求項1または2記載の発明において、前記パワースイッチング素子は、回転機に接続されるインバータを構成するものであり、前記操作手段は、前記インバータの入力電圧情報に基づき、前記トランスの2次側コイルの出力電圧を可変制御すべく前記1次側コイルを通電操作することを特徴とする。
パワースイッチング素子に印加される電圧は、インバータの入力電圧に依存する。上記発明では、この点に鑑み、スイッチング状態の切替速度を入力電圧に応じて可変とすることで、パワースイッチング素子に耐圧を超える電圧が印加されることを回避しつつも、スイッチング状態の切替に伴う電力損失を極力低減することができる。
請求項4記載の発明は、請求項1〜3のいずれか1項に記載の発明において、前記操作手段は、前記パワースイッチング素子を流れる電流情報に基づき、前記トランスの2次側コイルの出力電圧を可変制御すべく前記1次側コイルを通電操作することを特徴とする。
パワースイッチング素子に印加されるサージノイズの大きさは、パワースイッチング素子を流れる電流に依存する。上記発明では、この点に鑑み、スイッチング状態の切替速度を電流情報に応じて可変とすることで、パワースイッチング素子に耐圧を超える電圧が印加されることを回避しつつも、スイッチング状態の切替に伴う電力損失を極力低減することができる。
請求項5記載の発明は、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発明において、前記操作手段は、前記2次側コイルの出力電圧を段階的に可変とするものであり、前記可変手段は、前記出力電圧の段階的な変化に応じて前記スイッチング状態の切替速度を段階的に可変とすることを特徴とする。
請求項6記載の発明は、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発明において、前記操作手段は、前記2次側コイルの出力電圧をアナログ的に可変とするものであり、前記可変手段は、前記出力電圧のアナログ的な変化に応じて前記スイッチング状態の切替速度をアナログ的に可変とすることを特徴とする。
上記発明では、パワースイッチング素子に耐圧を超える電圧が印加されることを回避しつつも、スイッチング状態の切替に伴う電力損失をいっそう低減することができる。
請求項7記載の発明は、請求項1〜6のいずれか1項に記載の発明において、前記電圧制御手段は、前記2次側コイルの出力電圧を降圧するものであり、前記操作手段は、前記パワースイッチング素子の温度が高くなると想定される場合に、前記2次側コイルの出力電圧を低下させることを特徴とする。
上記発明では、電圧制御手段が出力電圧を降圧するものであるため、出力電圧を上昇させるほど電圧の変換に際しての電力損失が大きくなりやすい。一方、パワースイッチング素子の温度とスイッチング状態の所望とする切替速度との間には、通常、相関関係がありる。また、パワースイッチング素子の温度が高いほど、駆動装置の温度も上昇しやすい傾向がある。上記発明では、この点に鑑み、パワースイッチング素子の温度が高くなると想定される状況下、出力電圧を低下させることで、駆動装置の温度上昇を極力抑制することができる。
請求項8記載の発明は、請求項1〜7のいずれか1項に記載の発明において、前記可変手段は、前記電圧制御手段および前記導通制御端子間の電気経路の抵抗値、前記パワースイッチング素子の出力端子および前記導通制御端子間の容量、および前記電圧制御手段の出力電圧の少なくとも1つを可変とする手段であることを特徴とする。
請求項9記載の発明は、請求項1〜8のいずれか1項に記載の発明において、前記トランスは、フライバック型のコンバータを構成することを特徴とする。
なお、上記発明において、前記パワースイッチング素子は、複数のパワースイッチング素子からなり、前記2次側コイルは、複数の2次側コイルからなるようにしてもよい。この場合、フォワード型のコンバータとする場合には、2次側コイルの電流を平滑化すべく複数の2次側コイルのそれぞれにチョークコイルを備える必要が生じる一方、フライバック型のコンバータの場合には、2次側コイルの電流を平滑化する手段を1次側コイルによって構成することが可能となる。このため、回路の部品点数を低減することができる。
第1の実施形態のシステム構成図。 同実施形態のドライブユニットDUの回路構成を示す回路図。 同実施形態にかかるスイッチング速度の可変処理を示すタイムチャート。 第2の実施形態のドライブユニットDUの回路構成を示す回路図。 第3の実施形態のドライブユニットDUの回路構成を示す回路図。 第4の実施形態にかかるスイッチング速度の可変処理を示すタイムチャート。 第5の実施形態にかかるスイッチング速度の可変処理を示すタイムチャート。 第6の実施形態のシステム構成図。 同実施形態のドライブユニットDUの回路構成を示す回路図。
(第1の実施形態)
以下、本発明にかかるパワースイッチング素子の駆動装置をハイブリッド車に適用した第1の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
図示されるトランス10は、車載低電圧システムと車載高電圧システムとを絶縁する絶縁手段である。ここで、低電圧システムは、車体(ボディー)を基準電位とするものであり、所定の低電圧(例えば数V〜数十V)で動作する電子機器を備える。一方、高電圧システムは、車載主機としてのモータジェネレータを備え、所定の高電圧(例えば百V〜千数百V)で動作する。
上記モータジェネレータに接続されるインバータを構成するパワースイッチング素子Swは、ドライブユニットDUによって駆動される。ドライブユニットDUは、トランス10を介して、低電圧システムから電気エネルギを供給されることで動作する。ここで、ドライブユニットDUは、パワースイッチング素子Swの出力端子の電位(エミッタ電位)を基準とし、導通制御端子(ゲート)の電圧を操作することで、パワースイッチング素子Swをオン、オフさせる。なお、本実施形態では、パワースイッチング素子Swとして、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を想定しており、しかも、これに流れる電流(コレクタ電流)と相関を有する微少電流を出力するセンス端子STを備えたものを想定している。
トランス10の1次側コイル10bには、バッテリ12およびコンデンサ14が並列接続されている。ここで、コンデンサ14は、バッテリ12の電気エネルギを蓄える蓄電手段であり、1次側コイル10bの直接の電力供給源となっている。1次側コイル10bおよびコンデンサ14を備えるループ回路は、スイッチング素子16によって開閉される。
電圧制御部18は、スイッチング素子16のオン・オフの1周期に対するオン期間の比率(時比率)を操作することによって、トランス10の出力電圧を制御する。詳しくは、電圧制御部18では、トランス10の出力電圧をフィードバック制御する。トランス10の出力電圧を検出する手段は、以下のようにして構成されている。
トランス10の1次側コイル10cには、ダイオード20を介して、コンデンサ22が並列接続されている。コンデンサ22には、抵抗体24,26の直列接続体が接続されている。これら抵抗体24,26は、コイル10cの両端の電圧(コンデンサ22の両端の電圧)を分圧するものであり、抵抗体24,26の接続点の電圧が、トランス10の出力電圧の検出値となる。すなわち、1次側コイル10cの電圧と2次側コイル10aの電圧とは、1次側コイル10cと2次側コイル10aとの巻数比に応じた一定の関係を有する。このため、1次側コイル10cの両端の電圧を検出することで、2次側コイル10aの両端の電圧を間接的に検出することができる。
中央処理装置(CPU32)は、各種センサの出力値(センサ値情報)等に基づき、パワースイッチング素子Swを操作する操作信号を生成して出力する。ここで、U相、V相、W相の上側アームの操作信号が、それぞれ操作信号gup、gvp、gwpであり、U相、V相、W相の下側アームの操作信号が、それぞれ操作信号gun、gvn、gwnである。これら操作信号は、フォトカプラ等の絶縁手段を介して該当するパワースイッチング素子Swを駆動対象とするドライブユニットDUに入力される。
図2に、本実施形態にかかるドライブユニットDUの構成を示す。
図示されるように、2次側コイル10aには、ダイオード40が接続されている。このダイオード40は、トランス10をフライバック型のコンバータとするためのものである。すなわち、上記スイッチング素子16がオン状態となる場合に2次側コイル10aに電流が流れることを阻止して且つ、スイッチング素子16がオフ状態となる場合に2次側コイル10aに電流が流れることを許容する手段である。2次側コイル10aの一対の端子は、ダイオード40を介してコンデンサ42に接続されている。コンデンサ42は、ドライブユニットDUの電源(フローティング電源)となるものである。
ドライブユニットDUは、ドライブIC50を備えている。ドライブIC50は、パワースイッチング素子Swを駆動するための機能を有する集積回路である。詳しくは、ドライブIC50は、2次側コイル10aの出力電圧を規定電圧に制御するレギュレータ52を備えている。レギュレータ52は、パワースイッチング素子Swのゲートに印加される電圧を高精度に制御するために設けられた電圧出力手段である。すなわち、トランス10の2次側コイル10aは、U,V,W相の上側アームのそれぞれと、下側アームとに各別に設けられている。そして、これらの2次側コイル10aの出力電圧は、各パワースイッチング素子Swのエミッタおよびゲート間の寄生容量の個体差等に起因して、ばらつきを生じえる。このため、レギュレータ52を備えない場合には、ゲート電圧の制御精度が低下する。なお、レギュレータ52は、2次側コイル10aの電圧を降圧するものである。
レギュレータ52の出力端子は、充電用スイッチング素子54および速度切替部60を介してパワースイッチング素子Swのゲートに接続されている。また、パワースイッチング素子Swのゲートは、速度切替部60および放電用スイッチング素子56を介して、パワースイッチング素子Swのエミッタに接続されている。駆動部70は、上記操作信号(ここでは、操作信号を総括して操作信号gと表記)を入力として、充電用スイッチング素子54および放電用スイッチング素子56をオン・オフすることで、パワースイッチング素子Swをオン、オフ駆動する。すなわち、充電用スイッチング素子54をオン状態として且つ放電用スイッチング素子56をオフ状態とすることで、パワースイッチング素子Swのゲートにレギュレータ52の電圧を印加し、パワースイッチング素子Swをオンする。また、充電用スイッチング素子54をオフ状態として且つ放電用スイッチング素子56をオン状態とすることで、パワースイッチング素子Swのゲートの電荷を放電させ、パワースイッチング素子Swをオフする。
なお、駆動部70は、センス端子STの出力する電流に基づいて、パワースイッチング素子Swを流れる電流の検出値を取得する。そして、この検出値に基づき、パワースイッチング素子Swに流れる電流が過度に大きくなる場合、操作信号gにかかわらず、パワースイッチング素子Swを強制的にオフ状態とする。
<スイッチング速度の切替処理>
次に、本実施形態にかかるパワースイッチング素子Swのスイッチング速度の切替処理について説明する。
本実施形態では、トランス10の出力電圧(2次側コイル10aの出力電圧)に基づき、パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度を切り替える。このため、先の図1に示すように、トランス10の出力電圧の可変設定機能を有する。
すなわち、上記抵抗体26には、スイッチング素子30および抵抗体28が並列接続されている。ここで、スイッチング素子30がオフ状態である場合には、1次側コイル10cの電圧が抵抗体24および抵抗体26によって分圧されるのに対し、スイッチング素子30がオン状態である場合には、1次側コイル10cの電圧が抵抗体26,28および抵抗体24によって分圧される。このため、分圧値は、スイッチング素子30がオン状態とされる場合の方が低くなる。すなわち、電圧制御部18によって認識される電圧は、スイッチング素子30がオン状態とされる場合の方が低くなる。このため、電圧制御部18では、スイッチング素子30がオン状態とされる場合の方が、トランス10の出力電圧を高い側に制御するようになる。このように、スイッチング素子30のオン・オフは、電圧制御部18の目標電圧を可変とする処理と等価となっている。
一方、先の図2に示すように、ドライブIC50は、2次側コイル10aの出力電圧が閾値電圧以上であるか否かを判断するための判断手段(コンパレータ72)を備えている。コンパレータ72の一方の入力端子(ここでは、非反転入力端子)には、1次側コイル10aの出力電圧が印加され、他方の入力端子(ここでは、反転入力端子)には、基準電源74の電圧が印加されている。なお、基準電源74は、1次側コイル10aの電圧を降圧して基準電圧を生成するものであるため、コンパレータ72の非反転入力端子には、実際には、2次側コイル10aの出力電圧を分圧した電圧が印加されている。
2次側コイル10aの出力電圧と閾値電圧との比較結果(コンパレータ72の出力電圧)は、速度切替部60に入力され、速度切替部60では、入力信号に基づき、スイッチング状態の切替速度を切り替える。詳しくは、速度切替部60は、互いに抵抗値の相違する一対の抵抗体61,62を備え、上記比較結果に応じて抵抗体61,62のいずれかがゲート抵抗として、ゲートの電荷の充電のための電気経路や放電のための電気経路として利用される。このため、抵抗体61,62のうち抵抗値が大きい方を用いるなら、ゲートの電圧の変化速度が低下し、ひいてはパワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度が低下する。これに対し、抵抗体61,62のうち抵抗値が小さい方を用いるなら、ゲートの電圧の変化速度が上昇し、ひいてはパワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度が上昇する。
上記スイッチング状態の切替速度の切替は、パワースイッチング素子Swの温度に応じて行われる。これは、パワースイッチング素子Swの温度が低いほどパワースイッチング素子Swの耐圧が低くなることに鑑みたものである。すなわち、パワースイッチング素子Swの温度が低い場合、これに印加される電圧を低下させるべく、スイッチング状態の切替速度を低下させることでサージノイズの抑制を図る。ちなみに、パワースイッチング素子Swの温度の検出値は、その付近に感温ダイオード等の温度検出手段の検出値や、パワースイッチング素子Swを冷却する冷却水の温度を検出する手段の検出値とすればよい。
図3に、本実施形態にかかるスイッチング状態の切替速度の切替処理を例示する。詳しくは、図3(a)に、パワースイッチング素子Swの温度の推移を示し、図3(b)に、スイッチング素子30の状態の推移を示し、図3(c)に、トランス10の出力電圧の推移を示し、図3(e)に、パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度(スイッチング速度)を示す。
図示されるように、パワースイッチング素子Swの温度が閾値温度(図中、1点鎖線)以上となると、スイッチング素子30がオフ状態とされる。これにより、トランス10の出力電圧が低下し、閾値(図中、1点鎖線)以下となることで、パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度を上昇させる。
以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。
(1)パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度を、トランス10の出力電圧に応じて可変設定した。これにより、ドライブユニットDUの電源を構成するためのトランス10を利用して1次側から2次側へとスイッチング状態の切替速度を可変とするための入力信号を伝達することができ、ひいては絶縁手段を新たに追加することを回避することができる。
(2)パワースイッチング素子Swの温度情報に基づき、トランス10の出力電圧を可変制御すべくスイッチング素子16の時比率を操作した。これにより、パワースイッチング素子Swに耐圧を超える電圧が印加されることを回避しつつも、スイッチング状態の切替に伴う電力損失を極力低減することができる。
(3)トランス10の出力電圧を2値的に可変設定することで、スイッチング状態の切替速度を2値的に可変設定した。これにより、スイッチング状態の切替速度の切替処理を簡素な構成にて実現することができる。
(4)トランス10の出力電圧を規定電圧に制御するレギュレータ52を備えた。これにより、パワースイッチング素子Swのゲートに印加される電圧を高精度に制御することができる。また、本実施形態では、センス端子STの出力電流に基づきパワースイッチング素子Swの電流を検出したが、この電流の検出結果は、パワースイッチング素子Swのゲートに印加される電圧に依存する。このため、電流の検出精度は、ゲート印加電圧の制御精度に依存することとなる。この点、本実施形態では、レギュレータ52によってゲートに印加される電圧が制御されるため、電流の検出精度を高精度に維持することができる。
(5)レギュレータ52として、トランス10の出力電圧を降圧するものを採用し、パワースイッチング素子Swの温度が高い場合、出力電圧を低下させた。これにより、ドライブユニットDUの温度が上昇しやすい状況を緩和することができる。すなわち、レギュレータ52がトランスの出力電圧を降圧するものである場合、トランス10の出力電圧が高いほど、レギュレータ52の発熱量が多くなる傾向がある。一方、パワースイッチング素子Swの温度が高い場合には、パワースイッチング素子SwからドライブユニットDUへと熱エネルギが流入し、ドライブユニットDUの温度が上昇しやすくなる。このため、パワースイッチング素子Swの温度が高い場合には、レギュレータ52の発熱量を低減させ、ドライブユニットDU(ドライブIC50)内の発熱量を低減させることが望ましい。
(6)トランス10によって、フライバック型のコンバータを構成した。この場合、2次側コイル10aの電流を平滑化する手段を1次側コイル10bによって構成することが可能となる。このため、回路の部品点数を低減することができる。
(第2の実施形態)
以下、第2の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
本実施形態では、スイッチング状態の切替速度の可変手段を、ゲートコンデンサの可変手段として構成する。
図4に、本実施形態にかかるドライブユニットDUの構成を示す。なお、図4において、先の図2に示した部材に対応する部材については、便宜上同一の符号を付している。
図示されるように、速度切替部60は、パワースイッチング素子Swのゲートおよびエミッタ間に、コンデンサ63と、スイッチング素子64およびコンデンサ65の並列接続体を備えて構成されている。このため、スイッチング素子64がオンである場合の方がオフである場合よりも、パワースイッチング素子Swのゲートおよびエミッタ間の静電容量が大きくなる。したがって、スイッチング素子64をオンすることで、ゲートの電圧の変化速度を低下させることができる。
なお、充電用スイッチング素子54および放電用スイッチング素子56の接続点とパワースイッチング素子Swのゲートとの間には、ゲート抵抗80が接続されている。
以上説明した本実施形態によっても、先の第1の実施形態の上記各効果を得ることができる。
(第3の実施形態)
以下、第3の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
本実施形態では、スイッチング状態の切替速度の可変手段を、ゲートの印加電圧の可変手段として構成する。
図5に、本実施形態にかかるドライブユニットDUの構成を示す。なお、図5において、先の図2に示した部材に対応する部材については、便宜上同一の符号を付している。
図示されるように、本実施形態では、出力電圧を可変設定可能なレギュレータ52aを備えている。レギュレータ52aは、トランス10の出力電圧と閾値電圧との大小に応じて出力電圧を可変とするものである。レギュレータ52aの出力電圧が変更されると、パワースイッチング素子Swのゲートの充電速度が変化するため、パワースイッチング素子Swをオフ状態からオン状態へと切り替える切替速度を切り替えることができる。
以上説明した本実施形態によっても、先の第1の実施形態の上記各効果を得ることができる。
(第4の実施形態)
以下、第4の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
本実施形態では、インバータの入力電圧に応じてスイッチング状態の切替速度を可変設定する。
図6に、本実施形態にかかるスイッチング速度の切替処理を例示する。ここで、図6(a)は、インバータの入力電圧の推移を示し、図6(b)〜図6(d)は、先の図3(b)〜図3(d)に対応している。
図示されるように、インバータの入力電圧が規定電圧(図中、1点鎖線)以上となると、先の図1に示したスイッチング素子30がオフ状態とされる。これにより、トランス10の出力電圧が低下し、閾値(図中、1点鎖線)以下となることでスイッチング速度が低速に切り替えられる。これにより、スイッチング状態の切り替えに伴うサージ電圧を低下させることができるため、インバータ入力電圧とサージ電圧との和に応じた量であるパワースイッチング素子の印加電圧を抑制することができる。
以上説明した本実施形態によれば、先の第1の実施形態の上記(1)、(3)、(4)、(6)の各効果に加えて、更に以下の効果が得られるようになる。
(7)インバータの入力電圧情報に基づき、トランスの出力電圧を可変制御すべくスイッチング素子30を操作した。これにより、パワースイッチング素子Swに耐圧を超える電圧が印加されることを回避しつつも、スイッチング状態の切替に伴う電力損失を極力低減することができる。
(第5の実施形態)
以下、第5の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
本実施形態では、インバータに接続されるモータジェネレータの相電流の振幅に応じてスイッチング状態の切替速度を可変設定する。
図7に、本実施形態にかかるスイッチング速度の切替処理を例示する。ここで、図7(a)は、相電流の振幅の推移を示し、図7(b)、図7(c)は、先の図3(b)、図3(c)に対応している。また、図7(d)は、オフ状態からオン状態への切替速度の推移を示し、図7(e)は、オン状態からオフ状態への切替速度の推移を示す。
図示されるように、相電流の振幅が閾値(図中、1点鎖線)以上となると、スイッチング素子30がオフ状態に切り替えられる。これにより、トランス10の出力電圧が低下し、閾値(図中、1点鎖線)以下となることで、パワースイッチング素子Swのオン状態への切替速度を上昇させ、またオフ状態への切替速度を低下させる。これは、パワースイッチング素子Swをオン状態に切り替える際に生じるサージは、パワースイッチング素子Swを流れる電流が大きくなるにつれて小さくなる一方、オフ状態に切り替える際に生じるサージは、パワースイッチング素子Swを流れる電流が大きくなるにつれて大きくなることに鑑みたものである。
以上説明した本実施形態によれば、先の第1の実施形態の上記(1)、(3)、(4)、(6)の各効果に加えて、更に以下の効果が得られるようになる。
(8)パワースイッチング素子Swを流れる電流情報に基づき、トランス10の出力電圧を可変制御した。これにより、パワースイッチング素子Swに耐圧を超える電圧が印加されることを回避しつつも、スイッチング状態の切替に伴う電力損失を極力低減することができる。
(9)レギュレータ52として、トランス10の出力電圧を降圧するものを採用し、パワースイッチング素子Swの相電流の振幅が高い場合、出力電圧を低下させた。これにより、ドライブユニットDUの温度が上昇しやすい状況を緩和することができる。すなわち、レギュレータ52がトランスの出力電圧を降圧するものである場合、トランス10の出力電圧が高いほど、レギュレータ52の発熱量が多くなる傾向がある。一方、パワースイッチング素子Swの相電流の振幅が大きい場合には、パワースイッチング素子Swの温度が高いため、パワースイッチング素子SwからドライブユニットDUへと熱エネルギが流入し、ドライブユニットDUの温度が上昇しやすくなる。このため、パワースイッチング素子Swの温度が高い場合には、レギュレータ52の発熱量を低減させ、ドライブユニットDU(ドライブIC50)内の発熱量を低減させることが望ましい。
(第6の実施形態)
以下、第6の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
本実施形態では、パワースイッチング素子Swの温度や、相電流の振幅、インバータIVの入力電圧に応じて、スイッチング状態の切替速度をアナログ的に変更する。
図8に、本実施形態にかかるシステム構成を示す。なお、図8において、先の図1に示した部材に対応する部材については、便宜上同一の符号を付している。
図示されるように、本実施形態では、1次側コイル10cの電圧を、抵抗体24および抵抗体26aによって分圧し、この分圧値を、1次側コイル10cの電圧検出値として電圧制御部18に入力する。そして、抵抗体26aの抵抗値を、パワースイッチング素子Swの温度や、相電流の振幅、インバータIVの入力電圧に応じてアナログ的に変更する。詳しくは、パワースイッチング素子Swの温度が高いほど、抵抗体26aの抵抗値を大きくすることで、トランス10の出力電圧を低下させる。また、パワースイッチング素子Swの相電流の振幅が大きいほど、抵抗体26aの抵抗値を大きくすることで、トランス10の出力電圧を低下させる。さらに、インバータIVの入力電圧が低いほど、抵抗体26aの抵抗値を大きくすることで、トランス10の出力電圧を低下させる。
図9に、本実施形態にかかるドライブユニットDUの構成を示す。なお、図9において、先の図2に示した部材に対応する部材については、便宜上同一の符号を付している。
図示されるように、本実施形態にかかる速度切替部60は、パワースイッチング素子Swのゲートの充電経路および放電経路の抵抗値をアナログ的に変更する手段である。速度切替部60には、2次側コイル10aの電圧が印加されており、これに応じて抵抗値を変更する。詳しくは、トランス10の出力電圧が小さいほど、抵抗値を小さくする。これにより、パワースイッチング素子Swの温度が高いほど、パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度が上昇する。また、パワースイッチング素子Swの相電流の振幅が大きいほど、スイッチング状態のオン状態への切替速度が上昇し、オフ状態への切替速度が低下する。さらに、インバータIVの入力電圧が低いほど、パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度が上昇する。
以上説明した本実施形態によれば、先の第1の実施形態の上記(1)、(2)、(4)〜(6)の各効果に加えて、更に以下の効果が得られるようになる。
(9)トランス10の出力電圧のアナログ的な変化に応じてスイッチング状態の切替速度をアナログ的に可変とした。これにより、パワースイッチング素子Swに耐圧を超える電圧が印加されることを回避しつつも、スイッチング状態の切替に伴う電力損失をいっそう低減することができる。
(その他の実施形態)
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・上記第1の実施形態に対する第4の実施形態の変更点によって、第2,3の実施形態を変更してもよい。
・上記第1の実施形態に対する第5の実施形態の変更点によって、第2,3の実施形態を変更してもよい。ただし、第3の実施形態を変更する場合には、ゲートをエミッタよりも高電位となる部材に接続する手段に加えて、ゲートをエミッタよりも低電位に接続する手段を備え、エミッタよりも低電位となる電位を2次側コイル10aの電圧に応じて変更する。
・上記第1の実施形態に対する第6の実施形態の変更点によって、第2,3の実施形態を変更してもよい。例えば第3の実施形態を変更する場合、レギュレータ52aに、入力電圧に応じて出力電圧をアナログ的に調節する機能を有するものを用いればよい。
・上記第5の実施形態では、電流の振幅に応じてスイッチング状態の切替速度を可変設定したがこれに限らず、例えば、都度のオン期間における電流値を、可変設定に際して更に加味してもよい。これは、例えば、モータジェネレータを力率1で制御して且つ、三角波比較PWM制御によって操作信号gを生成し、操作信号gのパルス幅から相電流の位相を推定することで行うことができる。
・上記第4の実施形態において、インバータIVの入力電圧が規定電圧以上となる場合に、トランス10の出力電圧を上昇させてもよい。もっとも、上記第1の実施形態においてパワースイッチング素子Swの温度が上昇する場合にトランス10の出力電圧を上昇させたり、上記第5の実施形態において相電流の振幅が大きくなる場合にトランス10の出力電圧を上昇させても、上記(1)、(3)、(6)等の効果を得ることはできる。
・上記第6の実施形態において、スイッチング状態の切替速度を切り替えるためのパラメータを、パワースイッチング素子Swの温度、相電流の振幅およびインバータIVの入力電圧のうちの1つまたは2つとしてもよい。
・パワースイッチング素子Swのゲートとレギュレータ52との間の電気経路の抵抗値を可変とする手段としては、互いに抵抗値の相違する複数の線形素子としての抵抗体を備えるものに限らない。例えば、特開2009−55654号公報に見られるように、バイポーラトランジスタのコレクタおよびエミッタ間の抵抗値をベース電流によって可変とするものであってもよい。
・2次側コイル10aの出力電圧を段階的に可変とする手段としては、上記第1の実施形態等に例示したように、1段階に可変とするものに限らず、多段階に可変とするものであってもよい。
・パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度を可変とする手段としては、オン状態への切替およびオフ状態への切替の双方を可変とするものに限らず、いずれか一方のみを可変とするものであってもよい。
・トランス10としては、フライバック式のコンバータを構成するものに限らない。例えばフォワード型のコンバータを構成するものであってもよい。この場合、各々の2次側コイルにこれを流れる電流を平滑化するチョークコイルを設けることが望ましい。
・2次側コイル10aの出力電圧を可変とする処理としては、電圧制御部18の制御量(電圧)の検出値を変化させるものに限らない。例えば電圧制御部18内部における制御量の目標値を変化させるものであってもよい。
・2次側コイル10aの出力電圧を検出する手段としては、上記各実施形態で例示したものに限らない。例えば2次側コイル10aのいずれか1つの電圧を検出して且つ検出結果を低電圧システムに伝達させる手段であってもよい。
・2次側コイル10aの出力電圧を可変とする処理としては、フィードバック制御手段にも限らず、開ループ制御を行うものであってもよい。
・レギュレータ52およびゲート間の電気経路を開閉する開閉手段としては、NチャネルMOS電界効果トランジスタに限らず、例えば、PチャネルMOS電界効果トランジスタ等の任意の電界効果トランジスタであってもよい。
・車載主機に電力を供給する電力変換回路としては、インバータに限らず、高電圧バッテリの電圧を昇圧してインバータに出力するコンバータを備えてもよい。この場合、コンバータを構成するパワースイッチング素子の駆動装置に本発明を適用することもできる。
・パワースイッチング素子としては、インバータを構成するものに限らず、例えば車載高電圧バッテリの電圧を降圧して補機バッテリに供給するDCDCコンバータを構成するものであってもよい。
・パワースイッチング素子としては、ハイブリッド車に搭載されるものに限らず、例えば電気自動車に搭載されるものであってもよい。
・パワースイッチング素子としては、上記各実施形態で例示したものに限らない。例えばセンス端子STを備えないIGBTでもよい。また、IGBTに限らず、パワーMOS電解効果トランジスタ等の電界効果トランジスタであってもよい。
10…トランス、10a…2次側コイル、10b…1次側コイル、60…速度切替部、Sw…パワースイッチング素子。

Claims (9)

  1. トランスの2次側コイルの出力電圧を可変制御すべく1次側コイルを通電操作する操作手段と、
    前記トランスの2次側コイルの出力電圧を規定値に制御する電圧制御手段と、
    前記電圧制御手段の出力電圧を電圧制御形のパワースイッチング素子に印加することで前記パワースイッチング素子を駆動する駆動手段と、
    前記2次側コイルの出力電圧の値に基づき、前記パワースイッチング素子のスイッチング状態の切替速度を可変とする可変手段とを備えることを特徴とするパワースイッチング素子の駆動装置。
  2. 前記操作手段は、前記パワースイッチング素子の温度情報に基づき、前記トランスの2次側コイルの出力電圧を可変制御すべく前記1次側コイルを通電操作することを特徴とする請求項1記載のパワースイッチング素子の駆動装置。
  3. 前記パワースイッチング素子は、回転機に接続されるインバータを構成するものであり、
    前記操作手段は、前記インバータの入力電圧情報に基づき、前記トランスの2次側コイルの出力電圧を可変制御すべく前記1次側コイルを通電操作することを特徴とする請求項1または2記載のパワースイッチング素子の駆動装置。
  4. 前記操作手段は、前記パワースイッチング素子を流れる電流情報に基づき、前記トランスの2次側コイルの出力電圧を可変制御すべく前記1次側コイルを通電操作することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のパワースイッチング素子の駆動装置。
  5. 前記操作手段は、前記2次側コイルの出力電圧を段階的に可変とするものであり、
    前記可変手段は、前記出力電圧の段階的な変化に応じて前記スイッチング状態の切替速度を段階的に可変とすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のパワースイッチング素子の駆動装置。
  6. 前記操作手段は、前記2次側コイルの出力電圧をアナログ的に可変とするものであり、
    前記可変手段は、前記出力電圧のアナログ的な変化に応じて前記スイッチング状態の切替速度をアナログ的に可変とすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のパワースイッチング素子の駆動装置。
  7. 前記電圧制御手段は、前記2次側コイルの出力電圧を降圧するものであり、
    前記操作手段は、前記パワースイッチング素子の温度が高くなると想定される場合に、前記2次側コイルの出力電圧を低下させることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のパワースイッチング素子の駆動装置。
  8. 前記可変手段は、前記電圧制御手段および前記導通制御端子間の電気経路の抵抗値、前記パワースイッチング素子の出力端子および前記導通制御端子間の容量、および前記電圧制御手段の出力電圧の少なくとも1つを可変とする手段であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のパワースイッチング素子の駆動装置。
  9. 前記トランスは、フライバック型のコンバータを構成することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のパワースイッチング素子の駆動装置。
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