JP5842888B2 - 絶縁電源装置 - Google Patents

Description

本発明は、上アーム用スイッチング素子及び下アーム用スイッチング素子の直列接続体を備える電力変換回路に適用され、直流電源から前記上アーム用スイッチング素子に対して駆動用電圧を供給可能な上アーム用トランスと、前記直流電源から前記下アーム用スイッチング素子に対して駆動用電圧を供給可能な下アーム用トランスとを備える絶縁電源装置に関する。

この種の絶縁電源装置としては、下記特許文献１に見られるものが知られている。詳しくは、この電源装置は、複数のトランスと、複数のトランスのそれぞれを構成する１次側コイル及び直流電源の間を導通状態又は遮断状態とすべく操作されるトランジスタと、トランスジスタを操作する制御回路とを備えている。

特開平１１−１７８３５６号公報

ところで、絶縁電源装置を構成する複数のトランス及び制御回路等の電子部品は、基板に設けられている。本発明者らは、電子部品の以下に説明する配置手法を取り入れた絶縁電源装置を採用することとした。

詳しくは、絶縁電源装置を構成する基板には、複数の上アーム用接続部と、複数の下アーム用接続部とが設けられている。複数の上アーム用接続部は、複数の上アーム用スイッチング素子を基板に接続するために設けられ、具体的には、基板の板面の正面視において一列に並ぶように設けられている。また、複数の下アーム用接続部は、複数の下アーム用スイッチング素子を基板に接続するために設けられ、具体的には、基板の板面の正面視において、複数の上アーム用接続部が並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。そして、一列に並ぶ複数の上アーム用接続部と、一列に並ぶ複数の下アーム用接続部とは、基板の板面の正面視において、並列に設けられている。

一方、上アーム用トランス及び直流電源のそれぞれは、基板の板面の正面視において、複数の上アーム用接続部に対して複数の下アーム用接続部とは反対側の領域に設けられている。また、制御回路は、基板の板面の正面視において、上アーム用トランスに対して複数の上アーム用接続部とは反対側の領域、並びに基板の板面の正面視において、複数の上アーム用接続部が並ぶ方向で基板の一辺に最も近い上，下アーム用接続部の少なくとも一方と上記一辺とで挟まれる領域のうち少なくとも一方の領域に設けられている。さらに、下アーム用トランスは、基板の板面の正面視において、複数の下アーム用接続部に対して複数の上アーム用接続部とは反対側の領域に設けられている。

こうした構成において、上記特許文献１に記載された技術を適用すると、複数の下アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して下アーム用トランスを個別に設けることとなる。この場合、下アーム用トランスを構成する１次側コイルと直流電源とを接続するための配線パターンを、複数の下アーム用トランスのそれぞれに対応して基板に設けることとなる。このため、下アーム用トランスを構成する１次側コイル及び直流電源を接続する配線パターンが長くなったり、配線パターンの数が多くなったりする。

特に、本発明者らが採用する電子部品の配置手法では、上アーム用接続部及び下アーム用接続部を挟むように上，下アーム用トランスのそれぞれが設けられる。このため、配線パターン、直流電源、トランジスタ、１次側コイル、及び絶縁電源装置のグラウンドを含むループが大きくなったり、ループの数が多くなったりする懸念がある。ループが大きくなったり、ループの数が増えたりすると、トランジスタのスイッチングに起因した放射ノイズが増大するおそれがある。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、放射ノイズを好適に抑制することのできる絶縁電源装置を提供することにある。

上記課題を解決すべく、本発明は、上アーム用スイッチング素子（Ｓｃｐ，Ｓ１￥ｐ，Ｓ２￥ｐ）及び下アーム用スイッチング素子（Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎ，Ｓ２￥ｎ）の直列接続体を備える電力変換回路（１２，２２，３０）に適用され、前記電力変換回路は、複数の前記直列接続体の並列接続体を備え、直流電源（４２）に接続可能な１次側コイル（６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，９０ａ，９２ａ，９４ａ）、及び前記上アーム用スイッチング素子の駆動用電圧を前記上アーム用スイッチング素子に対して供給可能な２次側コイル（６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ）を有し、基板（１５０）に設けられた上アーム用トランス（６０，６２，６４，６６，９０，９２，９４）と、前記直流電源に接続可能な１次側コイル（６８ａ，９６ａ）、及び前記下アーム用スイッチング素子の駆動用電圧を前記下アーム用スイッチング素子に対して供給可能な２次側コイル（６８ｂ，９６ｂ）を有し、前記基板に設けられた下アーム用トランス（６８，９６）と、前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルに前記直流電源の電圧を印加すべくオンオフ操作される電圧制御用スイッチング素子（８０，１１０）、並びに前記電圧制御用スイッチング素子をオンオフ操作する集積回路（５２，５４）を有し、前記基板に設けられた電源制御部（ＣＴ１，ＣＴ２）と、前記基板に設けられ、前記下アーム用トランスを構成する前記１次側コイル及び前記直流電源を接続する配線パターン（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４）と、複数の前記上アーム用スイッチング素子を前記基板に接続するための複数の上アーム用接続部（Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐ）であって、前記基板の板面の正面視において一列に並ぶように前記基板に設けられた複数の前記上アーム用接続部と、複数の前記下アーム用スイッチング素子を前記基板に接続するための複数の下アーム用接続部（Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎ）であって、前記基板の板面の正面視において、複数の前記上アーム用接続部が並ぶ方向に一列に並ぶように前記基板に設けられた複数の前記下アーム用接続部と、を備え、前記電圧制御用スイッチング素子は、自身がオン操作されることにより、前記直流電源、前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する複数の前記１次側コイル、前記配線パターン、並びに前記電圧制御用スイッチング素子を含む閉回路を形成可能なように設けられ、一列に並ぶ複数の前記上アーム用接続部と、一列に並ぶ複数の前記下アーム用接続部とは、前記基板の板面の正面視において、並列に設けられ、前記上アーム用トランス及び前記直流電源のそれぞれは、前記基板の板面の正面視において、複数の前記上アーム用接続部に対して複数の前記下アーム用接続部とは反対側の領域に設けられ、前記電源制御部は、前記基板の板面の正面視において、前記上アーム用トランスに対して複数の前記上アーム用接続部とは反対側の領域、並びに前記基板の板面の正面視において、複数の前記上アーム用接続部が並ぶ方向で、前記基板の一辺に最も近い前記上アーム用接続部及び前記下アーム用接続部の少なくとも一方と前記一辺とで挟まれる領域のうち少なくとも一方の領域に設けられ、前記下アーム用トランスは、前記基板の板面の正面視において、複数の前記下アーム用接続部に対して複数の前記上アーム用接続部とは反対側の領域に設けられ、前記下アーム用トランスは、複数の前記下アーム用スイッチング素子のうち少なくとも２つについての共通のトランスであることを特徴とする。

上記発明では、下アーム用トランスを、複数の下アーム用スイッチング素子のうち少なくとも一部に対して駆動用電圧を供給可能な共通のトランスとすることで、絶縁電源装置を構成する下アーム用トランスの数を減らすことができる。このため、下アーム用トランスを構成する１次側コイルと直流電源とを接続する配線パターンを短くしたり、配線パターンの数を減らしたりすることができる。これにより、配線パターン、直流電源、電圧制御用スイッチング素子、１次側コイル及び絶縁電源装置のグラウンドを含むループを小さくしたり、ループの数を減らしたりするような配線パターンを基板に設けることができる。したがって、電圧制御用スイッチング素子のスイッチングに起因した放射ノイズを好適に抑制することができる。

第１の実施形態にかかるモータ制御システムの全体構成図。 同実施形態にかかる半導体モジュールの構成を示す斜視図。 同実施形態にかかる半導体モジュールの内部構成を示す図。 同実施形態にかかる絶縁電源装置を示す図。 同実施形態にかかる絶縁電源装置を示す図。 同実施形態にかかるＩＧＢＴ駆動回路を示す図。 同実施形態にかかるトランスの斜視図。 同実施形態にかかるトランスの平面図。 図８における環状部のＡ−Ａ断面図。 第１の実施形態にかかる基板の平面図。 関連技術にかかる絶縁電源装置を示す図。 第２の実施形態にかかる基板の平面図。 第３の実施形態にかかる基板の平面図。

（第１の実施形態）
以下、本発明にかかる絶縁電源装置を車載主機として回転機及びエンジンを備えるハイブリッド車に適用した第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

図１に示すように、モータ制御システムは、第１のモータジェネレータ１０、第２のモータジェネレータ２０、第１のインバータ１２、第２のインバータ２２、昇圧コンバータ３０、及び制御装置４０を備えている。第１のモータジェネレータ１０及び第２のモータジェネレータ２０は、図示しない動力分割機構を介して駆動輪や車載主機としてのエンジンに連結されている。第１のモータジェネレータ１０は、第１のインバータ１２に接続され、エンジンのクランク軸に初期回転を付与するスタータや、車載機器に給電するための発電機等の役割を果たす。一方、第２のモータジェネレータ２０は、第２のインバータ２２に接続され、車載主機等の役割を果たす。第１のインバータ１２及び第２のインバータ２２は、３相インバータであり、昇圧コンバータ３０を介して高電圧バッテリ５０（例えば、リチウムイオン２次電圧やニッケル水素２次電池）に接続されている。なお、本実施形態において、第１のインバータ１２、第２のインバータ２２及び昇圧コンバータ３０のそれぞれが「電力変換回路」に相当する。

昇圧コンバータ３０は、コンデンサ３２、リアクトル３４、上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ、及び下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎを備えている。詳しくは、これら昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎは、互いに直列接続されている。上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ及び下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎの直列接続体は、コンデンサ３２に並列接続され、上記直列接続体の接続点は、リアクトル３４を介して高電圧バッテリ５０の正極端子に接続されている。昇圧コンバータ３０は、これら昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎのオン操作（閉操作）及びオフ操作（開操作）によって、高電圧バッテリ５０の出力電圧（例えば２８８Ｖ）を所定の電圧（例えば「６５０Ｖ」）を上限として昇圧する機能を有する。

第１のインバータ１２は、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ（￥＝Ｕ，Ｖ，Ｗ）、及び第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎの直列接続体を３組備えている。一方、第２のインバータ２２は、第２の￥相上アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ、及び第２の￥相下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｎの直列接続体を３組備えている。

ちなみに、本実施形態では、上記スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃（＃＝ｐ，ｎ）として、電圧制御形の半導体スイッチング素子が用いられ、より具体的には、ＩＧＢＴが用いられている。そして、スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃には、フリーホイールダイオードＤｃ＃，Ｄ１￥＃，Ｄ２￥＃が逆並列に接続されている。

また、本実施形態において、上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ及び第２の￥相上アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐのそれぞれが「上アーム用スイッチング素子」に相当する。さらに、下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎ及び第２の￥相下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｎのそれぞれが「下アーム用スイッチング素子」に相当する。

上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤｃｐ、下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎ、及びこれに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤｃｎは、モジュール化されて昇圧モジュールＭｃを構成している。

また、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ１￥ｐ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎ、及びこれに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ１￥ｎは、モジュール化されて第１の￥相モジュールＭ１￥を構成している。

さらに、第２の￥相上アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ２￥ｐ、第２の￥相下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｎ、及びこれに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ２￥ｎは、モジュール化されて第２の￥相モジュールＭ２￥を構成している。

上記モジュールの構成について、図２及び図３を用いて、第１の￥相モジュールＭ１￥を例にして説明する。

第１の￥相モジュールＭ１￥は、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎ及びフリーホイールダイオードＤ１￥ｐ，Ｄ１￥ｎを内蔵した本体部５１と、本体部５１から突出した複数の制御端子と、本体部５１から突出した複数のパワー端子とを備えている。複数の制御端子は、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐのゲート端子Ｇｐ、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐのケルビンエミッタ端子ＫＥｐ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎのゲート端子Ｇｎ、及び第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎのケルビンエミッタ端子ＫＥｎを含む。ここで、ケルビンエミッタ端子ＫＥｐ，ＫＥｎとは、スイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎの出力端子（エミッタ）と同電位の端子である。

なお、実際には、複数の制御端子は、上記ゲート端子Ｇｐ，Ｇｎ及びケルビンエミッタ端子ＫＥｐ，ＫＥｎに加えて、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎの入力端子（コレクタ）及びエミッタ間を流れる電流（コレクタ電流）と相関を有する微小電流を出力するためのセンス端子等を備える。ただし、図２及び図３では、センス端子等の図示を省略している。

パワー端子は、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐのコレクタに短絡されるコレクタ端子ＴＣ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎのエミッタに短絡されるエミッタ端子ＴＥ、並びに第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐのエミッタ及び第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎのコレクタの接続点に短絡された接続端子ＴＡである。

本体部５１は、扁平な直方体形状をなしている。本体部５１の対向する一対の表面のうち一方の面には、この表面から垂直に突出するように複数の制御端子が設けられている。また、他方の面には、この表面から垂直に突出するようにパワー端子が設けられている。

先の図１に戻り、昇圧モジュールＭｃ、第１の￥相モジュールＭ１￥及び第２の￥相モジュールＭ２￥のそれぞれのコレクタ端子ＴＣ同士は接続されている。また、昇圧モジュールＭｃ、第１の￥相モジュールＭ１￥及び第２の￥相モジュールＭ２￥のそれぞれのエミッタ端子ＴＥは、高電圧バッテリ５０の負極端子に接続されている。

第１の￥相モジュールＭ１￥の接続端子ＴＡは、第１のモータジェネレータ１０の￥相に接続されている。一方、第２の￥相モジュールＭ２￥の接続端子ＴＡは、第２のモータジェネレータ２０の￥相に接続されている。他方、昇圧モジュールＭｃの接続端子ＴＡは、リアクトル３４の両端のうち、高電圧バッテリ５０の正極端子が接続された側とは反対側に接続されている。

制御装置４０は、低電圧バッテリ４２を電源とし、マイコンを主体として構成されている。制御装置４０は、第1，第２のモータジェネレータ１０，２０の制御量（トルク）をその指令値（以下、指令トルクＴｒｑ＊）に制御すべく、第1，第２のインバータ１２，２２や昇圧コンバータ３０を操作する。詳しくは、制御装置４０は、第１のインバータ１２を構成するスイッチング素子Ｓ１￥＃をオンオフ操作すべく、操作信号ｇ１￥＃を生成してスイッチング素子Ｓ１￥＃の駆動回路に対して出力する。また、制御装置４０は、第２のインバータ２２を構成するスイッチング素子Ｓ２￥＃をオンオフ操作すべく、操作信号ｇ２￥＃を生成してスイッチング素子Ｓ２￥＃の駆動回路に対して出力する。さらに、制御装置４０は、昇圧コンバータ３０を構成するスイッチング素子Ｓｃ＃をオンオフ操作すべく、操作信号ｇｃ＃を生成してスイッチング素子Ｓｃ＃の駆動回路に対して出力する。

なお、以下の説明において、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎを駆動する駆動回路を上，下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒｃｎと称し、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎを駆動する駆動回路を第１の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ１￥ｐ，Ｄｒ１￥ｎと称すこととする。また、第２の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ，Ｓ２￥ｎを駆動する駆動回路を第２の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ２￥ｐ，Ｄｒ２￥ｎと称すこととする。

さらに、本実施形態において、駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒ１￥ｐ，Ｄｒ２￥ｐのそれぞれが「上アーム用駆動回路」に相当し、駆動回路Ｄｒｃｎ，Ｄｒ１￥ｎ，Ｄｒ２￥ｎのそれぞれが「下アーム用駆動回路」に相当する。すなわち、上アーム用駆動回路は、上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設け、下アーム用駆動回路は、下アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられている。

ちなみに、上アーム用操作信号ｇｃｐ，ｇ１￥ｐ，ｇ２￥ｐと、対応する下アーム用操作信号ｇｃｎ，ｇ１￥ｎ，ｇ２￥ｎとは、互いに相補的な信号となっている。すなわち、上アーム用スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓ１￥ｐ，Ｓ２￥ｐと、対応する下アーム用スイッチング素子Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎ，Ｓ２￥ｎとは、交互にオン状態とされる。

低電圧バッテリ４２（補機バッテリともいう）は、その出力電圧が高電圧バッテリ５０の出力電圧よりも低い蓄電池（例えば鉛蓄電池）である。

インターフェース４４は、高電圧バッテリ５０、第１，第２のインバータ１２，２２、昇圧コンバータ３０及び第1，第２のモータジェネレータ１０，２０を備える高電圧システムと、低電圧バッテリ４２及び制御装置４０を備える低電圧システムとの間を電気的に絶縁しつつ、これらシステム間の信号の伝達を行う機能を有する。本実施形態において、インターフェース４４は、光絶縁素子（フォトカプラ）を備えている。なお、本実施形態において、低電圧システムの基準電位ＶｓｔＬと、高電圧システムの基準電位ＶｓｔＨとは相違している。特に、本実施形態では、高電圧システムの基準電位ＶｓｔＨが高電圧バッテリ５０の負極端子の電位に設定され、低電圧システムの基準電位ＶｓｔＬが高電圧バッテリ５０の正極端子の電位及び負極端子の電位との中央値である車体電位に設定されている。

続いて、図４及び図５を用いて、各スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃を駆動する駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃，Ｄｒ２￥＃に対して駆動用電圧を供給する絶縁電源装置について説明する。

本実施形態では、第１のインバータ１２、第２のインバータ２２及び昇圧コンバータ３０を、第１のインバータ１２及び昇圧コンバータ３０の組と、第２のインバータ２２とに分ける。そして、第１のインバータ１２及び昇圧コンバータ３０の組に対応して第１の電源ＩＣ５２を設け、第２のインバータ２２に対応して第２の電源ＩＣ５４を設ける。そして、第１の電源ＩＣ５２によって上，下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒｃｎと、第１の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ１￥ｐ，Ｄｒ１￥ｎとに供給される駆動用電圧を制御し、第２の電源ＩＣ５４によって第２の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ２￥ｐ，Ｄｒ２￥ｎに供給される駆動用電圧を制御する。

まず、図４に、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置を示す。

図４に示す絶縁電源装置は、第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８、第１〜第５のダイオード７０ａ，７２ａ，７４ａ，７６ａ，７８ａ、第１〜第５のコンデンサ７０ｂ，７２ｂ，７４ｂ，７６ｂ，７８ｂ、１つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、第１の電圧制御用スイッチング素子８０）、及び第１のフィードバック回路８２を備えるフライバック式のスイッチング電源である。なお、本実施形態では、第１〜第５のコンデンサ７０ｂ，７２ｂ，７４ｂ，７６ｂ，７８ｂとして、電解コンデンサを用いている。また、本実施形態において、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６のそれぞれが「上アーム用トランス」に相当し、第５のトランス６８が「下アーム用トランス」に相当する。

上アーム用トランスは、複数の上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられている。詳しくは、第１のトランス６０は、上アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐに対して駆動用電圧を供給し、第２のトランス６２は、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐに対して駆動用電圧を供給する。また、第３のトランス６４は、第１のＶ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｖｐに対して駆動用電圧を供給し、第４のトランス６６は、第１のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｗｐに対して駆動用電圧を供給する。

一方、下アーム用トランスは、複数の下アーム用スイッチング素子のそれぞれについての共通のトランスであり、また、複数の下アーム用スイッチング素子のそれぞれに対して駆動用電圧を供給可能な共通の２次側コイルを有している。詳しくは、上記共通のトランスである第５のトランス６８は、下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｎ及び第１のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｎ，Ｄｒ１Ｖｎ，Ｄｒ１Ｗｎに対して駆動用電圧を供給する。

低電圧バッテリ４２の正極端子は、第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８を構成する第１〜第５の１次側コイル６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，６８ａの並列接続体と、第１の電圧制御用スイッチング素子８０とを介して低電圧バッテリ４２の負極端子に接続されている。すなわち、第１の電圧制御用スイッチング素子８０は、自身がオン操作されることにより、第１〜第５の１次側コイル６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，６８ａの並列接続体、低電圧バッテリ４２及び第１の電圧制御用スイッチング素子８０を含む閉回路を形成可能なように設けられている。

第１のトランス６０を構成する第１の２次側コイル６０ｂは、第１のダイオード７０ａ及び第１のコンデンサ７０ｂを介して上アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐに接続されている。また、第２のトランス６２を構成する第２の２次側コイル６２ｂは、第２のダイオード７２ａ及び第２のコンデンサ７２ｂを介して第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐに接続されている。さらに、第３のトランス６４を構成する第３の２次側コイル６４ｂは、第３のダイオード７４ａ及び第３のコンデンサ７４ｂを介して第１のＶ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｖｐに接続されている。加えて、第４のトランス６６を構成する第４の２次側コイル６６ｂは、第４のダイオード７６ａ及び第４のコンデンサ７６ｂを介して第１のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｗｐに接続されている。

第４のトランス６６は、さらに、「電圧検出用コイル」としての第１のフィードバックコイル６６ｃを備えている。第１のフィードバックコイル６６ｃは、第１のフィードバック回路８２を介して第１の電源ＩＣ５２に入力される。詳しくは、第１のフィードバック回路８２は、第１の検出用ダイオード８２ａ、第１の検出用コンデンサ８２ｂ、第１の抵抗体８２ｃ、及び第２の抵抗体８２ｄを備えている。第１のフィードバック回路８２は、第１のフィードバックコイル６６ｃの出力電圧を直流電圧に変換する、いわゆる整流機能を有している。第１のフィードバックコイル６６ｃの出力電圧は、第１の検出用ダイオード８２ａを通過した後、第１の抵抗体８２ｃ及び第２の抵抗体８２ｄによって分圧される。第１の抵抗体８２ｃ及び第２の抵抗体８２ｄによって分圧された電圧（以下、第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１）は、第１の電源ＩＣ５２の第１の検出端子Ｔｆｂ１を介して第１の電源ＩＣ５２に入力される。ちなみに、図４には、第４のトランス６６の端子Ｔａ１〜Ｔａ４，Ｔａ５，Ｔａ８等が記載されている。これら端子については、後に詳述する。

第５のトランス６８を構成する第５の２次側コイル６８ｂは、第５のダイオード７８ａ及び第５のコンデンサ７８ｂを介して、下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｎと、第１のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｎ，Ｄｒ１Ｖｎ，Ｄｒ１Ｗｎとに接続されている。

なお、本実施形態において、第１〜第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，６８ｂの巻数と、第１のフィードバックコイル６６ｃの巻数とは、互いに同一に設定されている。これは、第１のフィードバックコイル６６ｃの出力電圧と、第１〜第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，６８ｂの出力電圧とを同一とすることを狙った設定である。

第１の電源ＩＣ５２は、１つの集積回路であり、第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１を目標電圧Ｖｔｇｔにフィードバック制御すべく、第１の電圧制御用スイッチング素子８０をオンオフ操作する。本実施形態では、第１の電源ＩＣ５２、第１の電圧制御用スイッチング素子８０及び第１のフィードバック回路８２を備えて第１の電源制御部ＣＴ１が構成されている。

ここで、本実施形態では、上アーム用トランスである第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６の巻数比（２次側コイルの巻数を１次側コイルの巻数で除算した値）が、下アーム用トランスである第５のトランス６８の巻数比よりも小さく設定されている。これは、第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８の出力電圧のばらつきを小さくするための設定である。

つまり、本実施形態では、第１の２次側コイル６０ｂから上アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐへと供給される電流Ｉ１や、第２〜第４の２次側コイル６２ｂ，６４ｂ，６６ｂから第１のＵ，Ｖ，Ｗ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐ，Ｄｒ１Ｖｐ，Ｄｒ１Ｗｐへと供給される電流Ｉ２よりも、第５の２次側コイル６８ｂから第１のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｎ，Ｄｒ１Ｖｎ，Ｄｒ１Ｗｎへと供給される電流Ｉ３の方が大きい。ここで、２次側コイルの出力電圧は、ゲートに供給すべき充電電流が大きいほど低くなる。これは、例えば第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐを例にして説明すると、充電電流が大きいほど、第２の２次側コイル６２ｂの出力電流が大きくなり、第２の２次側コイル６２ｂの直流抵抗や第２のダイオード７２ａ等による電圧降下量が大きくなるためである。

このため、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６の巻数比を第５のトランス６８の巻数比よりも小さく設定することで、第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８の出力電圧のばらつきを小さくする。

ちなみに、第１のトランス６０の巻数比は、第２〜第４のトランス６２，６４，６８の巻数比よりも大きく設定されている。これは、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃ＃をオン状態に切り替えるための上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃ＃のゲートに供給すべき充電電流が、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥＃をオン状態に切り替えるための第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥＃のゲートに供給すべき充電電流よりも大きく設定されているためである。すなわち、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃ＃のゲート充電電荷量Ｑｇ（Gate charge capacity）が、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥＃のゲート充電電荷量Ｑｇよりも大きく設定されているためである。

続いて、図５に、第２の電源ＩＣ５４を制御主体とする絶縁電源装置を示す。

図５に示す絶縁電源装置は、第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６、第６〜第９のダイオード１００ａ，１０２ａ，１０４ａ，１０６ａ、第６〜第９のコンデンサ１００ｂ，１０２ｂ，１０４ｂ，１０６ｂ、１つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、第２の電圧制御用スイッチング素子１１０）、及び第２のフィードバック回路１１２を備えるフライバック式のスイッチング電源である。なお、本実施形態では、第６〜第９のコンデンサ１００ｂ，１０２ｂ，１０４ｂ，１０６ｂとして、電解コンデンサを用いている。また、本実施形態において、第６〜第８のトランス９０，９２，９４のそれぞれが「上アーム用トランス」に相当し、第９のトランス９６が「下アーム用トランス」に相当する。

第６のトランス９０は、第２のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｐに対して駆動用電圧を供給する。また、第７のトランス９２は、第２のＶ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｖｐに対して駆動用電圧を供給する。さらに、第８のトランス９４は、第２のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｗｐに対して駆動用電圧を供給する。

一方、第９のトランス９６は、第２のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎ，Ｄｒ２Ｗｎに対して駆動用電圧を供給する。

低電圧バッテリ４２の正極端子は、第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６を構成する第６〜第９の１次側コイル９０ａ，９２ａ，９４ａ，９６ａの並列接続体と、第２の電圧制御用スイッチング素子１１０とを介して低電圧バッテリ４２の負極端子に接続されている。すなわち、第２の電圧制御用スイッチング素子１１０は、自身がオン操作されることにより、第６〜第９の１次側コイル９０ａ，９２ａ，９４ａ，９６ａの並列接続体、低電圧バッテリ４２及び第２の電圧制御用スイッチング素子１１０を含む閉回路を形成可能なように設けられている。

第６のトランス９０を構成する第６の２次側コイル９０ｂは、第６のダイオード１００ａ及び第６のコンデンサ１００ｂを介して第２のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｐに接続されている。また、第７のトランス９２を構成する第７の２次側コイル９２ｂは、第７のダイオード１０２ａ及び第７のコンデンサ１０２ｂを介して第２のＶ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｖｐに接続されている。さらに、第８のトランス９４を構成する第８の２次側コイル９４ｂは、第８のダイオード１０４ａ及び第８のコンデンサ１０４ｂを介して第２のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｗｐに接続されている。

第８のトランス９４は、さらに、「電圧検出用コイル」としての第２のフィードバックコイル９４ｃを備えている。第２のフィードバックコイル９４ｃは、第２のフィードバック回路１１２を介して第２の電源ＩＣ５４に入力される。詳しくは、第２のフィードバック回路１１２は、第２の検出用ダイオード１１２ａ、第２の検出用コンデンサ１１２ｂ、第３の抵抗体１１２ｃ、及び第４の抵抗体１１２ｄを備えている。第２のフィードバックコイル９６ｃの出力電圧は、第２の検出用ダイオード１１２ａを通過した後、第３の抵抗体１１２ｃ及び第４の抵抗体１１２ｄによって分圧される。第３の抵抗体１１２ｃ及び第４の抵抗体１１２ｄによって分圧された電圧（以下、第２のフィードバック電圧Ｖｆｂ２）は、第２の電源ＩＣ５４の第２の検出端子Ｔｆｂ２を介して第２の電源ＩＣ５４に入力される。

第９のトランス９６を構成する第９の２次側コイル９６ｂは、第９のダイオード１０６ａ及び第９のコンデンサ１０６ｂを介して、第２のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎ，Ｄｒ２Ｗｎに接続されている。

なお、本実施形態において、第６〜第９の２次側コイル９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ，９６ｂの巻数と、第２のフィードバックコイル９４ｃの巻数とは、互いに同一に設定されている。これは、第２のフィードバックコイル９４ｃの出力電圧と、第６〜第９の２次側コイル９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ，９６ｂの出力電圧とを同一とすることを狙った設定である。

第２の電源ＩＣ５４は、１つの集積回路であり、第２のフィードバック電圧Ｖｆｂ２を目標電圧Ｖｔｇｔにフィードバック制御すべく、第２の電圧制御用スイッチング素子１１０をオンオフ操作する。本実施形態では、第２の電源ＩＣ５４、第２の電圧制御用スイッチング素子１１０及び第２のフィードバック回路１１２を備えて第２の電源制御部ＣＴ２が構成されている。

ここで、本実施形態では、上アーム用トランスである第６〜第８のトランス９０，９２，９４の巻数比が、下アーム用トランスである第９のトランス９６の巻数比よりも小さく設定されている。これは、第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６の出力電圧のばらつきを小さくするための設定である。つまり、本実施形態では、第６〜第８の２次側コイル９０ｂ，９２ｂ，９４ｂから第２のＵ，Ｖ，Ｗ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｐ，Ｄｒ２Ｖｐ，Ｄｒ２Ｗｐへと供給される電流Ｉ４よりも、第９の２次側コイル９６ｂから第２のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎ，Ｄｒ２Ｗｎへと供給される電流Ｉ５の方が大きい。

続いて、図６を用いて、本実施形態にかかる駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃，Ｄｒ２￥＃の詳細について説明する。本実施形態では、これら駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃，Ｄｒ２￥＃の構成が同一である。このため、駆動回路の構成について、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐを例にして説明する。

第２のダイオード７２ａ及び第２のコンデンサ７２ｂの接続点は、図６に示す第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第１の端子Ｔ１に接続されている。一方、第２の２次側コイル６２ｂ及び第２のコンデンサ７２ｂの接続点は、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第２の端子Ｔ２に接続されている。

第１の端子Ｔ１は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、充電用スイッチング素子１２０）、充電用抵抗体１２２、及び第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第３の端子Ｔ３を介して、第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐのゲートに接続されている。また、第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐのゲートは、第３の端子Ｔ３、放電用抵抗体１２４、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、放電用スイッチング素子１２６）、及び第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第４の端子Ｔ４を介して第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐのエミッタに接続されている。さらに、第２の端子Ｔ２は、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐ内において、第４の端子Ｔ４に短絡されている。

第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐは、駆動制御部１２８を備えている。駆動制御部１２８は、制御装置４０からインターフェース４４を介して入力される操作信号ｇ１Ｕｐに基づき、充電用スイッチング素子１２０及び放電用スイッチング素子１２６の操作による充電処理及び放電処理を交互に行うことで第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐを駆動する。詳しくは、充電処理は、操作信号ｇ1Ｕｐがオン操作指令になったと判断された場合、放電用スイッチング素子１２６をオフ操作し、また、充電用スイッチング素子１２０をオン操作する処理である。一方、放電処理は、操作信号ｇ１Ｕｐがオフ操作指令になったと判断された場合、放電用スイッチング素子１２６をオン操作に切り替え、また、充電用スイッチング素子１２０をオフ操作に切り替える処理である。これにより、第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐを駆動する。

続いて、図７〜図９を用いて、本実施形態にかかるトランス６０，６２，６４，６６，６８，９０，９２，９４，９６の構成について、第４のトランス６６を例にして説明する。なお、図７は、第４のトランス６６の斜視図であり、図８は、第４のトランス６６の平面図である。また、図９は、図８のＡ−Ａ断面図の一部を示す図である。なお、図７及び図８では、第４の１次側コイル６６ａ及び第４の２次側コイル６６ｂの図示を省略している。

図示されるように、トランス６６は、コア１３２及びボビン１３４等を備えている。コア１３２は、一対の同一形状の部材からなる。これら同一形状の部材のそれぞれは、長尺状の底壁部１３２ａと、この底壁部１３２ａから離間する方向に底壁部１３２ａの長手方向の一端及び他端のそれぞれから延びる一対の側壁部１３２ｂと、底壁部１３２ａから離間する方向に底壁部１３２ａの長手方向の中央部から延びる中央壁部１３２ｃとを備えている。すなわち、コア１３２は、略Ｅ字形状をなしている。

上記一対の同一形状の部材のうち、一方の備える一対の側壁部１３２ｂの端面は、他方の備える側壁部１３２ｂの端面に当接している。また、上記一対の同一形状の部材のうち、一方の備える中央壁部１３２ｃの端面は、他方の備える中央壁部１３２ｃの端面とは当接せず、これら端面は離間している。

ボビン１３４は、絶縁樹脂により構成され、第１の端子台１３６ａ、第２の端子台１３６ｂ及び環状部１３８を備えている。環状部１３８は、その軸方向（中央壁部１３２ｃの挿入方向）に垂直な面で切った断面形状が環状をなしている。環状部１３８の内周面により形成された空間には、コア１３２の中央壁部１３２ｃが挿入されている。

環状部１３８の周面には複数の仕切版（第１〜第４の仕切板１３８ａ〜１３８ｄ）が設けられている。第１〜第４の仕切板１３８ａ〜１３８ｄは、環状部１３８の周面の周方向に沿って全周に渡り板状をなして立設されている。第１〜第４の仕切板１３８ａ〜１３８ｄによって環状部１３８の周面は、その軸方向において３つのセクションに仕切られている。本実施形態では、図８に示すように、各セクションを図の左側から右側へ向かって、第１セクション１４０ａ、第２セクション１４０ｂ、第３セクション１４０ｃと称すこととする。

環状部１３８の軸方向両端のうち一方には、第１の端子台１３６ａが設けられ、他方には第２の端子台１３６ｂが設けられている。第１の端子台１３６ａ及び第２の端子台１３６ｂは、環状部１３８と同一の絶縁樹脂により構成されることにより、環状部１３８と一体で設けられている。

第１の端子台１３６ａには、第１〜第４のトランス端子Ｔａ１〜Ｔａ４が設けられている。これら端子Ｔａ１〜Ｔａ４は、第１の端子台１３６ａにおいて第１の端子台１３６ａの長手方向に沿って所定の間隔を隔てて配置されている。また、第２の端子台１３６ｂには、第５〜第８のトランス端子Ｔａ５〜Ｔａ８が設けられている。これら端子Ｔａ５〜Ｔａ８は、第２の端子台１３６ｂにおいて第２の端子台１３６ｂの長手方向に沿って所定の間隔を隔てて配置されている。

第４の１次側コイル６６ａ、第４の２次側コイル６６ｂ及び第１のフィードバックコイル６６ｃは、電気的絶縁性の高い絶縁皮膜が施された銅線からなる絶縁線である。第４の２次側コイル６６ｂは、第１の巻線部６６ｂ１と、第２の巻線部６６ｂ２とで構成されている。第４の１次側コイル６６ａ、第１の巻線部６６ｂ１、第２の巻線部６６ｂ２及び第１のフィードバックコイル６６ｃは、図９に示すように、第１〜第３セクション１４０ａ〜１４０ｃのそれぞれにおいて環状部１３８の外周面に積層されるように巻きつけられている。なお、こうした巻きつけ手法を採用するのは、第４の１次側コイル６６ａ、第４の２次側コイル６６ｂ及び第１のフィードバックコイル６６ｃ同士の結合係数を高めることで、目標電圧Ｖｔｇｔに対する第１〜第３，第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６８ｂのそれぞれの出力電圧のばらつきを小さくするためである。

第４の２次側コイル６６ｂの一端としての第１の巻線部６６ｂ１の一端は、第８のトランス端子Ｔａ８に接続されている。第８のトランス端子Ｔａ８は、第４のダイオード７６ａのアノードに接続されている。一方、第１の巻線部６６ｂ１の他端は、第７のトランス端子Ｔａ７に接続されている。第７のトランス端子Ｔａ７は、基板１５０に形成された配線パターン１５１によって第６のトランス端子Ｔａ６に接続されている。第６のトランス端子Ｔａ６は、第２の巻線部６６ｂ２の一端に接続されている。第２の巻線部６６ｂ２の他端は、第４の２次側コイル６６ｂの他端であり、第５のトランス端子Ｔａ５に接続されている。第５のトランス端子Ｔａ５は、第４のコンデンサ７６ｂの負極端子に接続されている。

第１のフィードバックコイル６６ｃの一端は、第３のトランス端子Ｔａ３に接続され、他端は、第４のトランス端子Ｔａ４に接続されている。第３のトランス端子Ｔａ３は、第１の検出用ダイオード８２ａのアノードに接続され、第４のトランス端子Ｔａ４は、接地されている。

ちなみに、本実施形態において、第１〜第３のトランス６０，６２，６４、第５〜第７のトランス６８，９０，９２及び第９のトランス９６は、上述したように、フィードバックコイルを備えていない。このため、これらトランス６０，６２，６４，６８，９０，９２，９６の構造は、図７及び図８に示した第４のトランス６６から第３のトランス端子Ｔａ３及び第４のトランス端子Ｔａ４を除去するとともに、図９に示した第１のフィードバックコイル６６ｃが除去されたものとなる。

続いて、図１０を用いて、基板１５０におけるトランス等の配置手法について説明する。なお、図１０では、第１のフィードバック回路８２及び第２のフィードバック回路１１２、並びにトランスの備える第５〜第８のトランス端子Ｔａ５〜Ｔａ８等の図示を省略している。

図示されるように、基板１５０は、矩形状をなす多層基板であり、一対の外層（第１面及び第１面の裏面である第２面）と、一対の外層で挟まれた複数の内層とを有している。昇圧上アーム接続部Ｔｃｐ及び第１のＵ，Ｖ，Ｗ相上アーム接続部Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ（以下、第１の上アーム用接続部）は、基板１５０の第１面の正面視において、一列に並ぶように基板１５０に設けられている。また、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐは、基板１５０の板面に平行な面において延びる方向であって、これら接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向と直交する方向における基板１５０の中央部に設けられている。

一方、第２のＵ，Ｖ，Ｗ相上アーム接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐ（以下、第２の上アーム用接続部）は、基板１５０の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向に一列に並ぶように基板１５０に設けられている。また、第２の上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐは、基板１５０の板面に平行な面において延びる方向であって、これら接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが並ぶ方向と直交する方向における基板１５０の中央部に設けられている。そして、第２の上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐと、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐとは、基板１５０の第１面の正面視において、一列に並ぶように設けられている。

昇圧下アーム接続部Ｔｃｎ及び第１のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム接続部Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ（以下、第１の下アーム用接続部）は、基板１５０の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。また、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎは、基板１５０の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐと並列に設けられている。また、第２のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎ（以下、第２の下アーム用接続部）は、基板１５０の第１面の正面視において、第２の上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。また、第２の下アーム用接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎは、基板１５０の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐと並列に設けられている。そして、第２の下アーム用接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎと、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎとは、基板１５０の第１面の正面視において、一列に並ぶように設けられている。

昇圧上，下アーム接続部Ｔｃｐ，Ｔｃｎには、基板１５０の第２面側から昇圧モジュールＭｃが取り付けられることにより、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎのゲートが接続されている（図３参照）。また、第１の￥相上，下アーム接続部Ｔ１￥ｐ，Ｔ１￥ｎには、基板１５０の第２面側から第１の￥相モジュールＭ１￥が取り付けられることにより、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎのゲートが接続されている。さらに、第２の￥相上，下アーム接続部Ｔ２￥ｐ，Ｔ２￥ｎには、基板１５０の第２面側から第２の￥相モジュールＭ２￥が取り付けられることにより、第２の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ，Ｓ２￥ｎのゲートが接続されている。これにより、各スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃のゲート，エミッタと、対応する各駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃の第３の端子Ｔ３，第４の端子Ｔ４とが接続されることとなる。

第１の電源制御部ＣＴ１に対応する第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６は、基板１５０の第１面の正面視において、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐに対して、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎとは反対側の領域に設けられている。第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６は、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。

第１の電源制御部ＣＴ１は、基板１５０の第１面の正面視において、一列に並ぶ第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６に対して、一列に並ぶ第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐとは反対側の領域に設けられている。ここで、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６は、第１のトランス端子Ｔａ１及び第２のトランス端子Ｔａ２が第１の電源制御部ＣＴ１と隣り合うように設けられている。

なお、基板１５０の第１面の正面視において、一列に並ぶ第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐと、一列に並ぶ第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６との間の領域には、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒ１Ｕｐ，Ｄｒ１Ｖｐ，Ｄｒ１Ｗｐが、第１の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向に一列に設けられている。

第５のトランス６８は、基板１５０の第１面の正面視において、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎのうち、これら接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎが並ぶ方向で基板１５０の一辺（図中、低電圧バッテリ４２の位置を基板１５０の上側とした場合における基板１５０の左側の一辺）に最も近い昇圧下アーム接続部Ｔｃｎ付近に設けられている。具体的には、第５のトランス６８は、基板１５０の第１面の正面視において、昇圧下アーム接続部Ｔｃｎに対して昇圧上アーム接続部Ｔｃｐとは反対側の領域に設けられている。ここで、第５のトランス６８は、第１のトランス端子Ｔａ１及び第２のトランス端子Ｔａ２が下アーム用接続部Ｔｃｎとは反対側を向くように設けられている。

なお、本実施形態において、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する下アーム用駆動回路Ｄｒｃｎ，Ｄｒ１Ｕｎ，Ｄｒ１Ｖｎ，Ｄｒ１Ｗｎは、基板１５０の第１面の正面視において、第１の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎが並ぶ方向に一列にかつ、これら接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎと隣り合うように設けられている。ここで、下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｎは、基板１５０の第１面の正面視において、第５のトランス６８及び下アーム用接続部Ｔｃｎの間の領域に設けられている。

一方、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する第６〜第８のトランス９０，９２，９４は、基板１５０の第１面の正面視において、第２の上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐに対して、第２の下アーム用接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎとは反対側の領域に設けられている。第６〜第８のトランス９０，９２，９４は、第２の上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが並ぶ方向に一列に並ぶように設けられている。

第２の電源制御部ＣＴ２は、基板１５０の第１面の正面視において、一列に並ぶ第６〜第８のトランス９０，９２，９４に対して、一列に並ぶ第２の上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐとは反対側の領域に設けられている。ここで、第６〜第８のトランス９０，９２，９４は、第１のトランス端子Ｔａ１及び第２のトランス端子Ｔａ２が第２の電源制御部ＣＴ２と隣り合うように設けられている。

なお、基板１５０の第１面の正面視において、一列に並ぶ第２の上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐと、一列に並ぶ第６〜第８のトランス９０，９２，９４との間の領域には、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する上アーム用駆動回路Ｄｒ２Ｕｐ，Ｄｒ２Ｖｐ，Ｄｒ２Ｗｐが、第２の上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが並ぶ方向に一列に設けられている。

第９のトランス９６は、基板１５０の第１面の正面視において、第２の下アーム用接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎのうち、これら接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎが並ぶ方向で基板１５０の一辺（図中、低電圧バッテリ４２の位置を基板１５０の上側とした場合における基板１５０の右側の一辺）に最も近い第２のＷ相下アーム接続部Ｔ２Ｗｎ付近に設けられている。具体的には、第９のトランス９６は、基板１５０の第１面の正面視において、第２のＷ相下アーム接続部Ｔ２Ｗｎに対して第２のＷ相上アーム接続部Ｔ２Ｗｐとは反対側の領域に設けられている。ここで、第９のトランス９６は、第１のトランス端子Ｔａ１及び第２のトランス端子Ｔａ２が第２のＷ相下アーム接続部Ｔ２Ｗｎとは反対側を向くように設けられている。

なお、本実施形態において、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する下アーム用駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎ，Ｄｒ２Ｗｎは、基板１５０の第１面の正面視において、第２の下アーム用接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎが並ぶ方向に一列にかつ、これら接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎと隣り合うように設けられている。ここで、第２のＷ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｗｎは、基板１５０の第１面の正面視において、第９のトランス９６及び第２のＷ相下アーム接続部Ｔ２Ｗｎの間の領域に設けられている。

低電圧バッテリ４２は、基板１５０の第１面の正面視において、第１，第２の上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐに対して、第１，第２の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎとは反対側の領域に設けられている。本実施形態では、特に、第１の電源制御部ＣＴ１及び第２の電源制御部ＣＴ２の間に低電圧バッテリ４２が設けられている。

ちなみに、本実施形態では、第１の電源ＩＣ５２の第１の検出端子Ｔｆｂ１と、第４のトランス６６の第３のトランス端子Ｔａ３とが第１の電気経路Ｌｆｂ１によって接続されている。第１の電気経路Ｌｆｂ１は、第１のフィードバック回路８２及び基板１５０に形成された配線パターンからなり、第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１を第１の電源ＩＣ５２に伝達する役割を果たす。具体的には、第１の電気経路Ｌｆｂ１は、第４のトランス６６の第３のトランス端子Ｔａ３から第１のフィードバック回路８２を介して第１の検出端子Ｔｆｂ１に至るまでの経路である。

また、本実施形態では、第２の電源ＩＣ５４の第２の検出端子Ｔｆｂ２と、第８のトランス９４の第３のトランス端子Ｔａ３とが第２の電気経路Ｌｆｂ２によって接続されている。第２の電気経路Ｌｆｂ２は、第２のフィードバック回路１１２及び基板１５０に形成された配線パターンからなり、第２のフィードバック電圧Ｖｆｂ２を第２の電源ＩＣ５４に伝達する役割を果たす。具体的には、第２の電気経路Ｌｆｂ２は、第８のトランス９４の第３のトランス端子Ｔａ３から第２のフィードバック回路１１２を介して第２の検出端子Ｔｆｂ２に至るまでの経路である。

第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８の第１のトランス端子Ｔａ１同士と、低電圧バッテリ４２とは、基板１５０に設けられた第１の配線パターンＬ１（図中一点鎖線にて記載）によって接続されている。詳しくは、第１の配線パターンＬ１は、基板１５０の第１面の正面視において、低電圧バッテリ４２から、第１の領域及び第２の領域を通って第５のトランス６８の第１のトランス端子Ｔａ１まで延びるように形成されている。ここで、第１の領域とは、基板１５０の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１と、一列に並ぶ第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６とに挟まれた領域のことである。また、第２の領域とは、基板１５０の第１面の正面視において、第１の上，下アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎのうち、これら接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向において基板１５０の一辺（図中、低電圧バッテリ４２の位置を基板１５０の上側とした場合における基板１５０の左側の一辺）に最も近い昇圧上，下アーム接続部Ｔｃｐ，Ｔｃｎと、上記一辺とで挟まれる領域のことである。第１の領域において、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６のそれぞれの第１のトランス端子Ｔａ１と低電圧バッテリ４２とが第１の配線パターンＬ１によって接続されている。

第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８の第２のトランス端子Ｔａ２同士は、基板１５０に設けられた第２の配線パターンＬ２（図中破線にて記載）によって接続されている。詳しくは、第２の配線パターンＬ２は、基板１５０の第１面の正面視において、第５のトランス６８の第２のトランス端子Ｔａ２から、第２の領域及び第１の領域を通って第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６の第２のトランス端子Ｔａ２のそれぞれまで延びるように形成されている。ちなみに、本実施形態において、第１の配線パターンＬ１及び第２の配線パターンＬ２が「第１の配線部」に相当する。

一方、第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６の第１のトランス端子Ｔａ１同士と、低電圧バッテリ４２とは、基板１５０に設けられた第３の配線パターンＬ３（図中一点鎖線にて記載）によって接続されている。詳しくは、第３の配線パターンＬ３は、基板１５０の第１面の正面視において、低電圧バッテリ４２から、第３の領域及び第４の領域を通って第９のトランス９６の第１のトランス端子Ｔａ１まで延びるように形成されている。ここで、第３の領域とは、基板１５０の第１面の正面視において、第２の電源制御部ＣＴ２と、一列に並ぶ第６〜第８のトランス９０，９２，９４とに挟まれた領域のことである。また、第４の領域とは、基板１５０の第１面の正面視において、第２の上，下アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎのうち、これら接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎが並ぶ方向において基板１５０の一辺（図中、基板１５０の右側の一辺）に最も近い第２のＷ相上，下アーム接続部Ｔ２Ｗｐ，Ｔ２Ｗｎと、上記一辺とで挟まれる領域のことである。第３の領域において、第６〜第８のトランス９０，９２，９４のそれぞれの第１のトランス端子Ｔａ１と低電圧バッテリ４２とが第３の配線パターンＬ３によって接続されている。

第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６の第２のトランス端子Ｔａ２同士は、基板１５０に設けられた第４の配線パターンＬ４（図中破線にて記載）によって接続されている。詳しくは、第４の配線パターンＬ４は、基板１５０の第１面の正面視において、第９のトランス９６の第２のトランス端子Ｔａ２から、第４の領域及び第３の領域を通って第６〜第８のトランス９０，９２，９４の第２のトランス端子Ｔａ２のそれぞれまで延びるように形成されている。ちなみに、本実施形態において、第３の配線パターンＬ３及び第４の配線パターンＬ４が「第２の配線部」に相当する。

なお、本実施形態において、第１の配線パターンＬ１、第２の配線パターンＬ２及び第１の電気経路Ｌｆｂ１のそれぞれは、基板１５０の互いに異なる内層に形成されている。このため、図１０において、第１の配線パターンＬ１や、第２の配線パターンＬ２、第１の電気経路Ｌｆｂ１の交差部分があるが、この交差部分においてこれら配線パターンＬ１，Ｌ２，Ｌｆｂ１が電気的に接続されているわけではない。このことは、第３の配線パターンＬ３、第４の配線パターンＬ４及び第２の電気経路Ｌｆｂ２についても同様である。

このように、本実施形態では、第１の電源制御部ＣＴ１（第２の電源制御部ＣＴ２）に対応する複数の下アーム用スイッチング素子Ｓｃｎ，Ｓ１Ｕｎ，Ｓ１Ｖｎ，Ｓ１Ｗｎ（Ｓ２Ｕｎ，Ｓ２Ｖｎ，Ｓ２Ｗｎ）のそれぞれについての共通の第５のトランス６８（第９のトランス９６）を備えるとともに、第１，第２の配線パターンＬ１，Ｌ２（第３，第４の配線パターンＬ３，Ｌ４）の基板１５０における配置手法を上述した手法とした。以下、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置を例にして、共通のトランスを備えること、及び上記配置手法のそれぞれの技術的意義について順に説明する。

まず、共通の第５のトランス６８を備えた技術的意義について説明する。

共通の第５のトランス６８を備えることで、絶縁電源装置を構成する下アーム用トランスの数を減らすことができる。このため、下アーム用トランスを構成する１次側コイルと低電圧バッテリ４２とを接続する配線パターンを短くしたり、配線パターンの数を減らしたりすることができる。これにより、低電圧バッテリ４２、第１の配線パターンＬ１、１次側コイル６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，６８ａ、第２の配線パターンＬ２、第１の電圧制御用スイッチング素子８０、及び低電圧システムの基準電位を有する部位（基板１５０のグラウンドパターン）を含むループを小さくしたり、ループの数を減らしたりすることが可能な第１，第２の配線パターンＬ１，Ｌ２を基板１５０に設けることができる。したがって、第１の電圧制御用スイッチング素子８０のスイッチングに起因した放射ノイズを好適に抑制することができる。

続いて、第１，第２の配線パターンＬ１，Ｌ２の配置手法を、図１０に示した配置手法とした技術的意義について、図１１に示す関連技術と比較しつつ説明する。

まず、図１１を用いて、関連技術について説明する。なお、図１１において、先の図１０に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。

図示されるように、関連技術では、第６〜第８のトランス９０，９２，９４のそれぞれの第１のトランス端子Ｔａ１は、第２の電源制御部ＣＴ２及び第６〜第８のトランス９０，９２，９４で挟まれる上記第３の領域を通る第５の配線パターンＬ５（図中一点鎖線にて記載）によって接続されている。また、第５のトランス６８の第１のトランス端子Ｔａ１と、第９のトランス９６の第１のトランス端子Ｔａ１とは、第５の領域を通る第６の配線パターンＬ６（図中一点鎖線にて記載）によって接続されている。ここで、第５の領域とは、基板１５０の第１面の正面視において、第１，第２の下アーム用駆動回路Ｄｒｃｎ，Ｄｒ１Ｕｎ，Ｄｒ１Ｖｎ，Ｄｒ１Ｗｎ，Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎ，Ｄｒ２Ｗｎに対して、第１，第２の下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎとは反対側の領域のことである。

さらに、第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６の第２のトランス端子Ｔａ２同士は、基板１５０に設けられた第７の配線パターンＬ７（図中二点鎖線にて記載）によって接続されている。詳しくは、第７の配線パターンＬ７は、基板１５０の第１面の正面視において、第９のトランス９６の第２のトランス端子Ｔａ２から、上記第５の領域、上記第２の領域、上記第１の領域及び上記第３の領域を通って第６〜第８のトランス９０，９２，９４の第２のトランス端子Ｔａ２のそれぞれまで延びるように形成されている。

こうした配線パターンの配置手法では、例えば第７の配線パターンＬ７が長くなり、ループが大きくなって放射ノイズが増大する。

これに対し、先の図１０に示した本実施形態にかかる配置手法によれば、配線パターンの長さを短くすることができる。これにより、放射ノイズの抑制効果を高めることができる。

以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。

（１）第１の電源ＩＣ５２（第２の電源ＩＣ５４）を制御主体とする絶縁電源装置において、図１０に示すように、下アーム用スイッチング素子Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎ（Ｓ２￥ｎ）の全てに対して駆動用電圧を供給可能な共通のトランスを設けた。こうした構成によれば、ループを小さくしたり、ループの数を減らすことができる。これにより、第１の電圧制御用スイッチング素子８０（第２の電圧制御用スイッチング素子１１０）のスイッチングに起因した放射ノイズを好適に抑制することができる。

特に、本実施形態では、下アーム用トランスを、複数の下アーム用スイッチング素子の全てに対して駆動用電圧を供給可能な共通のトランスとしたことが、配線パターンの長さの短縮効果及び配線パターンの数の減少効果をより高め、放射ノイズの抑制効果を増大させることに大きく寄与している。

（２）第１，第２の配線パターンＬ１，Ｌ２を第１，第２の領域に設けるとともに、第３，第４の配線パターンＬ３，Ｌ４を第１，第２の領域とは反対側の第３，第４の領域に設けた。このため、配線パターンを短くすることによってループを小さくでき、放射ノイズの抑制効果を高めることができる。

特に、本実施形態では、第５のトランス６８を昇圧下アーム接続部Ｔｃｎ付近に設けるとともに、第９のトランス９６を第２のＷ相下アーム接続部Ｔ２Ｗｎ付近に設けたことが、ループを小さくし、放射ノイズの抑制効果を高めることに大きく寄与している。

（３）第５のトランス６８（第９のトランス９６）の巻数比を、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６（第６〜第８のトランス９０，９２，９４）の巻数比よりも大きく設定した。これにより、第１〜第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，６８ｂ（第６〜第９の２次側コイル９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ，９６ｂ）の出力電圧のばらつきを小さくすることができる。

（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、基板１５０における第２の電源制御部ＣＴ２の配置位置を変更する。

図１２に、本実施形態にかかる基板１５０の平面図を示す。なお、図１２において、先の図１０に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。

図示されるように、第２の電源制御部ＣＴ２は、基板１５０の第１面の正面視において、第２の上，下アーム接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎのうち、これら接続部が並ぶ方向において基板１５０の一辺（図中、基板１５０の右端の一辺）に最も近い第２のＷ相上，下アーム接続部Ｔ２Ｗｐ，Ｔ２Ｗｎと、上記一辺とで挟まれる領域に設けられている。また、第２の電源制御部ＣＴ２は、第８のトランス９４及び第９のトランス９６と隣り合うように基板１５０に設けられている。

以上説明した本実施形態によっても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

（第３の実施形態）
以下、第３の実施形態について、先の第２の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、図１３に示すように、基板１５０における第８のトランス９４及び第９のトランス９６の配置位置を第２の電源制御部ＣＴ２に近づける。ここで、図１３は、本実施形態にかかる基板１５０の平面図である。なお、図１３において、先の図１２に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。

以上説明した本実施形態によっても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。

（その他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。

・「下アーム用トランス」としては、電力変換回路を構成する複数の下アーム用スイッチング素子のそれぞれについての共通のトランスに限らない。例えば、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する複数の下アーム用スイッチング素子Ｓｃｎ，Ｓ１Ｕｎ，Ｓ１Ｖｎ，Ｓ１Ｗｎを例にして説明すると、第１のＵ，Ｖ，Ｗ相下アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｎ，Ｓ１Ｖｎ，Ｓ１Ｗｎのそれぞれに対応する共通のトランスであってもよい。この場合、下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎに対応する下アーム用トランスは、個別に設けられることとなる。

・トランスの備える第１〜第８のトランス端子Ｔａ１〜Ｔａ８に対する１次側コイル、２次側コイル、及び基板１５０に形成された配線パターン等の接続手法としては、先の図１０、図１２及び図１３に示したものに限らない。例えば、第１のトランス端子Ｔａ１に第２の配線パターンＬ２を接続し、第２のトランス端子Ｔａ２に第１の配線パターンＬ１又は第３の配線パターンＬ３を接続してもよい。

・上記各実施形態において、上アーム用トランス及び下アーム用トランスのそれぞれを構成する１次側コイルが直列接続される構成を採用してもよい。

・第１の電源ＩＣ５２に２次側コイルの出力電圧をフィードバックするトランスとしては、第４のトランス６６に限らない。例えば、第１〜第３，第５のトランス６０，６２，６４，６８のいずれかであってもよい。なお、第２の電源ＩＣ５４についても同様である。

・基板１５０の第１面の正面視において、上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐや、下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎの並び順は、先の図１０に示したものに限らない。

・第２の電源制御部ＣＴ２を、先の図１２又は図１３に示した基板１５０の第１面の正面視において、第２のＷ相上アーム接続部Ｔ２Ｗｐ及び第２のＷ相下アーム接続部Ｔ２Ｗｎのうちいずれか一方と、基板１５０の図中右側の一辺とで挟まれる領域に設けてもよい。

・上記各実施形態において、先の図１に示したモータ制御システムから昇圧コンバータ３０を除去してもよい。

・モータ制御システムとしては、２モータ制御システムに限らず、１モータ制御システムであってもよい。この場合、第１のモータジェネレータ１０及び第１のインバータ１２の組、並びに第２のモータジェネレータ２０及び第２のインバータ２２の組のうちいずれか１組と、昇圧コンバータ３０とを先の図１に示したモータ制御システムから除去することとなる。

・「絶縁電源装置」としては、図４及び図５に示したフライバックコンバータに限らず、例えばフォワードコンバータであってもよい。また、「絶縁電源装置」としては、電圧制御用スイッチング素子を１つ備えるものに限らず、４つの電圧制御用スイッチング素子を備えるフルブリッジコンバータや、２つの電圧制御用スイッチング素子を備えるプッシュプルコンバータであってもよい。なお、上記フルブリッジコンバータや、プッシュプルコンバータは、例えば「馬場清太郎著、“電源回路設計成功のかぎ”、第４版、ＣＱ出版株式会社、２０１２年２月１日、ｐ１４１」に記載されている。

・「電力変換回路」としては、昇圧コンバータや３相インバータに限らない。例えば、ハーフブリッジ回路やフルブリッジ回路等、他の電力変換回路であってもよい。また、「電力変換回路」を構成する「上アーム用スイッチング素子」及び「下アーム用スイッチング素子」としては、ＩＧＢＴに限らず、例えばＭＯＳＦＥＴであってもよい。

１２…第１のインバータ、２２…第２のインバータ、３０…昇圧コンバータ、４２…低電圧バッテリ、５２…第１の電源ＩＣ、５４…第２の電源ＩＣ、６０，６２，６４，６６，６８…第１〜第５のトランス、９０，９２，９４…第６〜第９のトランス。

Claims (6)

1. 上アーム用スイッチング素子（Ｓｃｐ，Ｓ１￥ｐ，Ｓ２￥ｐ）及び下アーム用スイッチング素子（Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎ，Ｓ２￥ｎ）の直列接続体を備える電力変換回路（１２，２２，３０）に適用され、
   前記電力変換回路は、複数の前記直列接続体の並列接続体を備え、
   直流電源（４２）に接続可能な１次側コイル（６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，９０ａ，９２ａ，９４ａ）、及び前記上アーム用スイッチング素子の駆動用電圧を前記上アーム用スイッチング素子に対して供給可能な２次側コイル（６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ）を有し、基板（１５０）に設けられた上アーム用トランス（６０，６２，６４，６６，９０，９２，９４）と、
   前記直流電源に接続可能な１次側コイル（６８ａ，９６ａ）、及び前記下アーム用スイッチング素子の駆動用電圧を前記下アーム用スイッチング素子に対して供給可能な２次側コイル（６８ｂ，９６ｂ）を有し、前記基板に設けられた下アーム用トランス（６８，９６）と、
   前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルに前記直流電源の電圧を印加すべくオンオフ操作される電圧制御用スイッチング素子（８０，１１０）、並びに前記電圧制御用スイッチング素子をオンオフ操作する集積回路（５２，５４）を有し、前記基板に設けられた電源制御部（ＣＴ１，ＣＴ２）と、
   前記基板に設けられ、前記下アーム用トランスを構成する前記１次側コイル及び前記直流電源を接続する配線パターン（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４）と、
   複数の前記上アーム用スイッチング素子を前記基板に接続するための複数の上アーム用接続部（Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐ）であって、前記基板の板面の正面視において一列に並ぶように前記基板に設けられた複数の前記上アーム用接続部と、
   複数の前記下アーム用スイッチング素子を前記基板に接続するための複数の下アーム用接続部（Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎ）であって、前記基板の板面の正面視において、複数の前記上アーム用接続部が並ぶ方向に一列に並ぶように前記基板に設けられた複数の前記下アーム用接続部と、
   を備え、
   前記電圧制御用スイッチング素子は、自身がオン操作されることにより、前記直流電源、前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する複数の前記１次側コイル、前記配線パターン、並びに前記電圧制御用スイッチング素子を含む閉回路を形成可能なように設けられ、
   一列に並ぶ複数の前記上アーム用接続部と、一列に並ぶ複数の前記下アーム用接続部とは、前記基板の板面の正面視において、並列に設けられ、
   前記上アーム用トランス及び前記直流電源のそれぞれは、前記基板の板面の正面視において、複数の前記上アーム用接続部に対して複数の前記下アーム用接続部とは反対側の領域に設けられ、
   前記電源制御部は、前記基板の板面の正面視において、前記上アーム用トランスに対して複数の前記上アーム用接続部とは反対側の領域、並びに前記基板の板面の正面視において、複数の前記上アーム用接続部が並ぶ方向で前記基板の一辺に最も近い前記上アーム用接続部及び前記下アーム用接続部の少なくとも一方と前記一辺とで挟まれる領域のうち少なくとも一方の領域に設けられ、
   前記下アーム用トランスは、前記基板の板面の正面視において、複数の前記下アーム用接続部に対して複数の前記上アーム用接続部とは反対側の領域に設けられ、
   前記下アーム用トランスは、複数の前記下アーム用スイッチング素子のうち少なくとも２つについての共通のトランスであることを特徴とする絶縁電源装置。
2. 前記下アーム用トランスは、複数の前記下アーム用スイッチング素子の全てについての共通のトランスであることを特徴とする請求項１記載の絶縁電源装置。
3. 前記電力変換回路は、複数であり、
   前記電源制御部は、複数の前記電力変換回路を２つに分けた場合のそれぞれに対応して個別に設けられた第１の電源制御部（ＣＴ１）及び第２の電源制御部（ＣＴ２）であり、
   前記第１の電源制御部に対応する複数の前記上アーム用接続部と、前記第２の電源制御部に対応する複数の前記上アーム用接続部とは、前記基板の板面の正面視において、一列に並ぶように設けられ、
   前記第１の電源制御部に対応する前記下アーム用トランスは、前記第１の電源制御部に対応する複数の前記下アーム用スイッチング素子の全てについての共通のトランスであり、
   前記第２の電源制御部に対応する前記下アーム用トランスは、前記第２の電源制御部に対応する複数の前記下アーム用スイッチング素子の全てについての共通のトランスであり、
   前記配線パターンは、前記第１の電源制御部に対応する前記下アーム用トランスを構成する前記１次側コイル及び前記直流電源を接続する第１の配線部（Ｌ１，Ｌ２）と、前記第２の電源制御部に対応する前記下アーム用トランスを構成する前記１次側コイル及び前記直流電源を接続する第２の配線部（Ｌ３，Ｌ４）とを備え、
   前記第１の配線部は、前記基板の板面の正面視において、前記第１の電源制御部に対応する複数の前記上アーム用接続部のうち、複数の前記上アーム用接続部が並ぶ方向で前記基板の一辺に最も近い接続部と前記一辺とで挟まれる領域を通って前記直流電源及び前記下アーム用トランスを構成する前記１次側コイルを接続し、
   前記第２の配線部は、前記基板の板面の正面視において、前記第２の電源制御部に対応する複数の前記上アーム用接続部のうち、複数の前記上アーム用接続部が並ぶ方向で前記基板の一辺に最も近い接続部と前記一辺とで挟まれる領域を通って前記直流電源及び前記下アーム用トランスを構成する前記１次側コイルを接続することを特徴とする請求項２記載の絶縁電源装置。
4. 前記下アーム用トランスは、前記基板の板面の正面視において、複数の前記下アーム用接続部のうち、これら接続部が並ぶ方向で前記基板の一辺に最も近い接続部付近に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
5. 前記上アーム用トランスは、複数の前記上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられ、
   前記下アーム用トランスは、複数の前記下アーム用スイッチング素子のそれぞれについての共通のトランスであり、
   前記下アーム用トランスを構成する前記１次側コイル及び前記２次側コイルの巻数比は、前記上アーム用トランスを構成する前記１次側コイル及び前記２次側コイルの巻数比よりも大きく設定されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
6. 前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルは、互いに並列接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。

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