JP2011023526A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも一方の層に例えば酸素を含ませて真性型シリコン層と不純物ドープ層とを基板に形成する工程(工程P6)と、基板に形成されたこれらの酸素を含む真性型シリコン層および不純物ドープ層を介して低周波水素プラズマ処理を施す工程(工程P7)と、を含む。
【選択図】図2
Description
図1は、本実施の形態1の製造方法によって製造される太陽電池のセル構成を模式的に示す断面図である。この太陽電池1は、基板としてのp型多結晶シリコン基板11と、このp型多結晶シリコン基板11の受光面側に順次積層されたn型拡散層12、反射防止膜13、および表面電極14と、p型多結晶シリコン基板11の受光面側とは反対側の表面に順次積層された真性型シリコン層15、p型不純物ドープ層16、および裏面電極17とを備える。
図3は、本実施の形態2の製造方法によって製造される太陽電池のセル構成を模式的に示す断面図である。この太陽電池2は、基板としてのp型多結晶シリコン基板11と、このp型多結晶シリコン基板11の受光面側に順次積層された真性型シリコン層21、n型不純物ドープ層22、透明導電膜23、および表面電極14と、p型多結晶シリコン基板11の受光面側とは反対側の表面に順次積層された真性型シリコン層15、p型不純物ドープ層16、および裏面電極17とを備える。
11 多結晶シリコン基板
14 表面電極
15 真性型シリコン層
16 不純物ドープ層
17 裏面電極
21 真性型シリコン層
22 不純物ドープ層
23 透明導電膜
Claims (5)
- 一導電型の結晶シリコンを基板とし、該基板の受光面側に真性型シリコン層、前記基板と逆の導電型の不純物ドープ層、透明導電膜、および電極が順次積層された積層構造、或いは前記基板の受光面側とは反対側に真性型シリコン層、前記基板と同じ導電型の不純物ドープ層、および電極が順次積層された積層構造の少なくとも一方を備える光起電力装置の製造方法であって、
少なくとも一方の層に酸素、窒素或いは炭素のいずれかの元素を含ませて前記真性型シリコン層と前記不純物ドープ層とを前記基板に形成する工程と、
前記基板に形成されたこれらの前記真性型シリコン層および前記不純物ドープ層を介して低周波水素プラズマ処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする光起電力装置の製造方法。 - 前記低周波水素プラズマ処理の周波数が、100kHz〜1MHzであることを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置の製造方法。
- 前記真性型シリコン層と前記不純物ドープ層との合計膜厚が、10〜50nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の光起電力装置の製造方法。
- 前記真性型シリコン層または前記不純物ドープ層が、5〜20原子%の酸素を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の光起電力装置の製造方法。
- 低周波水素プラズマ処理を施した後に、水素を含む雰囲気下でアニール処理を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の光起電力装置の製造方法。
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