JP2014072406A - 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】導電型結晶シリコン系基板と導電型シリコン系薄膜層との間に真性非晶質シリコン系薄膜層を有し、導電型結晶シリコン系基板の界面および真性非晶質シリコン系薄膜層中の欠陥が低減されて光電変換効率に優れた太陽電池を提供する。
【解決手段】導電型結晶シリコン系基板1の主面上に、真性非晶質シリコン系薄膜層21と導電型シリコン系薄膜層22と電極23とがこの順で積層された太陽電池であって、前記真性非晶質シリコン系薄膜層21は、膜厚方向の水素密度分布における複数の水素密度のピークとして、膜中に1つ以上の膜中ピークを有し、且つ前記導電型シリコン系薄膜層22との境界領域にさらに1つの表層ピークを有する。
【選択図】図1
【解決手段】導電型結晶シリコン系基板1の主面上に、真性非晶質シリコン系薄膜層21と導電型シリコン系薄膜層22と電極23とがこの順で積層された太陽電池であって、前記真性非晶質シリコン系薄膜層21は、膜厚方向の水素密度分布における複数の水素密度のピークとして、膜中に1つ以上の膜中ピークを有し、且つ前記導電型シリコン系薄膜層22との境界領域にさらに1つの表層ピークを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュールに関する。
現在、光起電力装置として単結晶シリコンや多結晶シリコン等の結晶系シリコンを用いた結晶シリコン系太陽電池が太陽電池市場において高いシェアを有している。特に単結晶シリコン太陽電池は、一般に普及している太陽電池の中では極めて高い光電変換効率を有し、今後も太陽電池市場の中では主流となっていくと考えられる。
代表的な高効率単結晶シリコン太陽電池の構造として、単結晶シリコン基板上に非晶質シリコン系薄膜を形成した単結晶ヘテロ接合シリコン太陽電池が挙げられる。その中でも単結晶シリコンと導電性非晶質シリコン層との間に真性の非晶質シリコン系薄膜を挿入した太陽電池は、最高レベルの光電変換効率を達成する手段の1つとして利用されている。この構造では、真性非晶質シリコン層の導入により、従来の結晶系シリコン太陽電池で効率を低下させる要因となっていた結晶基板表面でのキャリア再結合を抑制し、光電変換効率を向上させている。
ヘテロ接合太陽電池の高品質化の手段において効果的な手段とされているものに水素(H2)プラズマ処理が挙げられる。このH2プラズマ処理は、水素ガスを含む原料ガスが満たされた空間に水素プラズマを発生させ、シリコンを水素プラズマに曝露する処理である。例えば、通常、ヘテロ接合太陽電池では非晶質薄膜シリコンを積層することでその膜中に含まれる多量の水素により基板界面の欠陥準位が終端されることが特徴である。一方、予め基板にH2プラズマ処理を実施することにより、基板界面の欠陥をより低減することが可能である。
またH2プラズマ処理には、特許文献1に挙げられるように非晶質シリコン膜を形成後にH2プラズマ処理を実施し、非晶質シリコン膜中に水素を拡散させて該非晶質シリコン膜中の欠陥準位を終端して膜質を向上させる。というような利用方法も存在する。
一方で、H2プラズマ処理については高エネルギーの水素ラジカルを表面に衝突させることになる。このため、H2プラズマ処理に直接曝される領域ではダメージを受けてかえって欠陥を増加させる、との指摘もある。
特許文献2ではこのような問題を鑑み、シリコン基板上に予め非晶質シリコン膜を薄く形成した後にH2プラズマ処理を実施し、その後に残りの非晶質シリコン膜を成膜する工程を用いている。すなわち、特許文献2の方法では、真性非晶質シリコン層を2層に分けて形成し、途中でH2プラズマ処理を施している。これにより、非晶質シリコン膜越しに基板界面の水素終端を仕掛けるということが可能になっている。
しかしながら、特許文献2の方法を用いた場合には、真性非晶質シリコン層の初期層表面はH2プラズマに直接曝されるためダメージを受ける。このため、形成された太陽電池の真性非晶質シリコン層は、膜中(初期層と結晶基板との界面部)の欠陥が増大する、という問題があった。
一方、特許文献1のように非晶質シリコン膜の形成後にH2プラズマ処理を実施すれば非晶質シリコン膜中の欠陥が増大することを防ぐことができる。しかし、この場合は非晶質シリコン膜上から結晶基板界面までH2プラズマ処理の効果を及ぼすためには大量の水素注入が必要となり、i層全体の膜中水素密度を意図せず増大させてしまい非晶質シリコン膜中の水素密度の制御が困難になる、という問題があった。特に、非晶質シリコン膜中水素密度はバンドギャップに影響するため、非晶質シリコン膜と結晶基板との間でバンド不整合を起こす問題を考慮する必要がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、導電型結晶シリコン系基板と導電型シリコン系薄膜層との間に真性非晶質シリコン系薄膜層を有し、導電型結晶シリコン系基板の界面および真性非晶質シリコン系薄膜層中の欠陥が低減されて光電変換効率に優れた太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュールを得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池は、導電型結晶シリコン系基板の主面上に、真性非晶質シリコン系薄膜層と導電型シリコン系薄膜層と電極とがこの順で積層された太陽電池であって、前記真性非晶質シリコン系薄膜層は、膜厚方向の水素密度分布における複数の水素密度のピークとして、膜中に1つ以上の膜中ピークを有し、且つ前記導電型シリコン系薄膜層との境界領域にさらに1つの表層ピークを有すること、を特徴とする。
本発明によれば、導電型結晶シリコン系基板と導電型シリコン系薄膜層との間に真性非晶質シリコン系薄膜層を有し、導電型結晶シリコン系基板の界面および真性非晶質シリコン系薄膜層中の欠陥が低減された光電変換効率に優れた太陽電池が得られる、という効果を奏する。
以下に、本発明にかかる太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。
実施の形態
図1は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セルの概略構成を示す要部断面図である。実施の形態にかかる太陽電池セルは、導電型結晶シリコン系基板上に、真性(i型)非晶質シリコン系薄膜層と導電型シリコン系薄膜層とが形成されたへテロ接合太陽電池である。
図1は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セルの概略構成を示す要部断面図である。実施の形態にかかる太陽電池セルは、導電型結晶シリコン系基板上に、真性(i型)非晶質シリコン系薄膜層と導電型シリコン系薄膜層とが形成されたへテロ接合太陽電池である。
実施の形態にかかる太陽電池セルにおいて、n型単結晶シリコン基板1(以下、基板1と呼ぶ場合がある)の受光面側である第1主面側には、上部真性(i型)非晶質シリコン層21(以下、上部i型層21と呼ぶ場合がある)とp型非晶質シリコン層22(以下、p型層22と呼ぶ場合がある)と上部透明導電膜層23がこの順で形成されている。上部i型層21は、第1上部i型層21aと第2上部i型層21bとの2層構造とされている。上部透明導電膜層23上の一部には、櫛形の上部金属電極層24が形成されており、上部透明導電膜層23と上部金属電極層24とにより、上部電極が構成されている。なお、図1においては、上部金属電極層24を構成する上部金属グリッド電極と上部金属バス電極とのうち上部金属グリッド電極のみを示している。
また、この太陽電池セルにおいて、基板1の受光面と反対側(裏面側)である第2主面側には、下部真性(i型)非晶質シリコン層31(以下、下部i型層31と呼ぶ場合がある)とn型非晶質シリコン層32(以下、n型層32と呼ぶ場合がある)と下部透明導電膜層33がこの順で形成されている。基板1の第2主面側においては、裏面電界効果を得るためにn型にドープされたn型層32が用いられている。下部透明導電膜層33上の一部には、櫛形の下部金属電極層34が形成されており、下部透明導電膜層33と下部金属電極層34とにより下部電極が構成されている。なお、図1においては、下部金属電極層34を構成する下部金属グリッド電極と下部金属バス電極とのうち下部金属グリッド電極のみを示している。
なお、n型単結晶シリコン基板1の代わりに、p型単結晶シリコン基板や、単結晶シリコンへテロ接合太陽電池に通常用いられる結晶シリコン系基板を用いてもよい。また、p型層22も非晶質シリコンに限定されず、単結晶シリコンへテロ接合太陽電池に適用可能な導電型非晶質シリコン系材料を使用可能である。また、n型層32は非晶質シリコンに限定されず、単結晶シリコンへテロ接合太陽電池に適用可能な導電型非晶質シリコン系材料を使用可能である。
つぎに、実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法について図2および図3−1〜図3−8を参照して具体的な実施例に基づいて説明する。図2は、実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法のうち真性(i型)非晶質シリコン層の製造工程を示すフローチャートである。図3−1〜図3−8は、実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法を模式的に示す要部断面図である。
まず、基板1として、n型単結晶シリコン基板を用意する。ここで、基板1としてはn型の単結晶シリコン基板の他に、p型の単結晶シリコン基板を用いることも可能ではある。しかし、光吸収量が多くなる受光面付近での少数キャリア移動度を高めるためには、基板としてn型単結晶シリコン基板を用いて該基板の受光面側にp型層を形成させることにより逆接合(pn接合)を構成することが好ましい。これにより、生成したキャリアの収集効率を高めることができる。通常、少数キャリア移動度は、正孔よりも電子のほうが高い。このため、このように受光面側の少数キャリアが電子となる構造とすることで、少数キャリアの損失を抑制することができる。
基板1のn型単結晶シリコン基板には、基板表面の結晶面方位が(100)面のものを用いる。そして、基板1の表裏面に対してアルカリ溶液による異方性エッチングを行うことで(111)結晶面が露出したテクスチャ構造を基板1の表裏面に形成する。ここで、テクスチャ構造は、少なくとも基板1の受光面側の表面に形成される。基板1の表面にテクスチャ構造を形成することにより、光閉じ込め効果により入射光をより効率良く利用できる。なお、本実施の形態のように基板1の裏面側での光散乱効果を考慮して、基板1の裏面側の表面にもテクスチャ構造を形成させてもよい(図3−1)。
つぎに、たとえばPECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)装置を用いて、基板1の両面に薄膜シリコン層を形成する。まず、基板1の第1主面(受光面)に上部i型層21およびp型層22がこの順で積層される。上部i型層21は、2層の分割薄膜層に分割して積層形成され、各分割薄膜層の表面に対してH2プラズマ処理が実施される。
(1回目のi型層成膜)
まず、基板1の第1主面に、2層の分割薄膜層のうちの1層目として第1上部i型層21aを例えば2nmの膜厚で堆積する(図3−2、ステップS10)。
まず、基板1の第1主面に、2層の分割薄膜層のうちの1層目として第1上部i型層21aを例えば2nmの膜厚で堆積する(図3−2、ステップS10)。
(1回目のH2プラズマ処理)
つぎに、第1上部i型層21aの表面に対して1回目のH2プラズマ処理を実施する(図3−3、ステップS20)。
つぎに、第1上部i型層21aの表面に対して1回目のH2プラズマ処理を実施する(図3−3、ステップS20)。
(2回目のi型層成膜)
つぎに、第1上部i型層21a上に2層の分割薄膜層のうちの2層目として第2上部i型層21bを例えば3.5nmの膜厚で追加堆積する(図3−4、ステップS30)。
つぎに、第1上部i型層21a上に2層の分割薄膜層のうちの2層目として第2上部i型層21bを例えば3.5nmの膜厚で追加堆積する(図3−4、ステップS30)。
(2回目のH2プラズマ処理)
つぎに、第2上部i型層21bの表面に対して2回目のH2プラズマ処理を実施する(図3−5、ステップS40)。
つぎに、第2上部i型層21bの表面に対して2回目のH2プラズマ処理を実施する(図3−5、ステップS40)。
2回目のH2プラズマ処理後、第2上部i型層21b上にp型層22を例えば5nmの膜厚で堆積する(図3−6)。
ここで本実施の形態においては、追加形成した2層目の非晶質薄膜シリコン層(第2上部i型層21b)の上からもH2プラズマを実施していることが特徴である。これにより、1回目のH2プラズマ処理により第1上部i型層21aの表面に発生した欠陥を終端することができる。すなわち、第1上部i型層21aの表面に対して1回目のH2プラズマ処理を実施し、さらに第2上部i型層21bの表面に対して2回目のH2プラズマ処理を実施することにより、基板1の表面が1回目のH2プラズマ処理により水素終端される。そして、H2プラズマに曝された第1上部i型層21aの表層部は、さらに上層からの2回目のH2プラズマ処理によって第2上部i型層21b越しに水素原子が追加供給されることにより修復される。これにより、上部i型層21の膜中全体の膜質を向上させて上部i型層21中での再結合損失を低減するとともに基板1の界面を改質して再結合損失を低減することが可能となり、さらに2層化した第1上部i型層21a、第2上部i型層21b同士の接合界面での直列抵抗が低減され、太陽電池の性能が向上する。
また、上部i型層21は、膜中に1つ以上の急峻な水素密度のピークが形成され、また上部i型層21とp型層22との界面に最後の水素密度のピークが形成された構造となり、基板1とのバンド接合を悪化させることなく上部i型層21の平均的なバンドギャップを広げることができ、太陽電池の開放電圧を改善できる。水素密度のピークの詳細については後述する。
また、上部i型層21を第1上部i型層21aと第2上部i型層21bとの2層に分割して形成して各分割薄膜層に対してH2プラズマ処理を実施することにより、各分割薄膜層の膜厚は一括してi型層を形成する場合と比べて薄くなる。これにより、各分割薄膜層中の水素密度の制御が容易となり、上部i型層21中の水素密度の制御が容易となる。水素密度はバンドギャップに影響するが、上部i型層21中の水素密度を容易にせいぎょできるため、非晶質シリコン膜と結晶基板との間でバンド不整合を起こすことを防止できる。
ここで、成膜条件について説明する。1回目のi型層成膜条件、すなわち第1上部i型層21aの成膜条件は、たとえば材料ガスとしてシラン(SiH4)を50sccmでPECVD装置に導入する。また、成膜圧力は100Pa、成膜時のチャンバー内温度は120℃、RF電力密度は50mW/cm2とする。本条件において成膜を行うことにより、真性非晶質シリコン膜中では膜中水素密度が高くなり、かつ秩序性を持ちにくい膜となることがわかっている。
2回目のi型層成膜条件、すなわち第2上部i型層21bの成膜条件は、たとえば材料ガスとしてシラン(SiH4)を50sccm、水素(H2)を500sccm、でPECVD装置に導入する。また、成膜圧力は100Pa、成膜時のチャンバー内温度は170℃、RF電力密度は50mW/cm2とする。本条件により成膜温度を高温化し、水素希釈を行って成膜を行うことにより、真性非晶質シリコン膜が秩序性の高い膜になることがわかっている。
p型層22の成膜条件は、たとえばシラン(SiH4)を10sccm、水素(H2)を100sccm、p型ドーピングガスとしてのジボラン(B2H6)をドーピング量がガス体積比で5%となるようにPECVD装置に導入する。また、2回目のi型層成膜条件と同様に、成膜圧力は100Pa、成膜時のチャンバー内温度は170℃、RF電力密度は50mW/cm2とする。
本実施の形態においては、第1上部i型層21aおよび第2上部i型層21bの形成後に、共通の条件でH2プラズマ処理を実施する。H2プラズマ処理の条件は、たとえば水素(H2)流量を1000sccm、ガス圧力は800Pa、チャンバー内温度は170℃、RF電力密度は50mW/cm2としてそれぞれ20秒間のプラズマ処理を行う。
なお、上部i型層21の膜厚は、たとえば第1上部i型層21aの膜厚は2.0nm、第2上部i型層21bの膜厚は3.5nmで形成されるが、これらの上部i型層21はH2プラズマ処理によってエッチングされる。このため、最終的な上部i型層21の総膜厚は5nm弱となり、膜中の水素密度は基板界面側からおよそ1.5nm、4.5nm〜5nmの位置にそれぞれピークを有する。
ここで、H2プラズマ処理による非晶質シリコン膜のエッチング効果についての注意点について述べる。H2プラズマ処理では非晶質シリコン膜中の弱いSi−Si結合やSi−H2結合を切断し、より強固な結合であるSi−H結合を増加させる効果が得られる。しかしながら、H2プラズマに直接曝される非晶質シリコン膜の表面付近では、この水素結合の改質効果よりも、非晶質シリコン膜中の水素を引き抜く効果の方が大きく出る。このため、非晶質シリコン膜の表面の結合状態は悪化するとともに非晶質シリコン膜そのものがエッチングされるという現象が発生する。
このH2プラズマ処理による影響が強い、すなわちH2プラズマ処理による水素および非晶質シリコン膜中から引き抜かれた水素による過剰な水素供給により水素密度が急上昇する領域は、表面から厚さ1.5nmまでの領域であり、この領域では膜質が悪化する。したがって、本実施の形態にかかる太陽電池セルにおいては、i型層の膜厚を1.5nm以上に形成する必要がある。
また、発明者の検討の結果、H2プラズマ処理によるスパッタリングの影響により、処理時間を延ばしても水素の浸透深さが深くなることはなく、非晶質シリコン膜中の欠陥準位を終端して膜質を向上させる効果のある最大膜厚み、すなわち水素の最大浸透深さは3.5nmであることが分かった。また、プラズマのエネルギー密度を変化させても、水素の最大浸透深さが大きく変化することはないことがわかった。したがって、分割して形成される第1上部i型層21aと第2上部i型層21bとの膜厚は、それぞれ1.5nm以上、3.5nm以下の膜厚とすることが好ましい。これにより、水素の浸透により非晶質シリコン膜中の欠陥準位を終端して膜質を向上させる効果を確実に得ることができる。
つぎに、基板1の第2主面(裏面)側に成膜を行う。裏面側については下部i型層31を形成した後、そのままn型層32を形成する(図3−7)。裏面側の下部i型層31の成膜条件は、受光面側の第2上部i型層21bと同じであり、材料ガスとしてシラン(SiH4)を50sccm、水素(H2)を500sccm、でPECVD装置に導入する。また、成膜圧力は100Pa、成膜時のチャンバー内温度は170℃、RF電力密度は50mW/cm2とする。
また、n型層32の成膜条件は、シラン(SiH4)を10sccm、水素(H2)を100sccm、n型ドーピングガスとしてのホスフィン(PH3)をドーピング量がガス体積比で5%となるようにPECVD装置に導入する。また、下部i型層31の成膜条件と同様に、成膜圧力は100Pa、成膜時のチャンバー内温度は170℃、RF電力密度は50mW/cm2とする。
下部i型層31の膜厚はたとえば5nm、n型層32の膜厚はたとえば10nmとする。裏面側では、受光面側と異なり光吸収損失への影響が少ないためn型層32の膜厚はp型層22の膜厚よりも厚くすることができる。本実施の形態では工程簡略のため、太陽電池セルの光電変換効率への寄与分が少ない裏面側の下部i型層31についてはH2プラズマ処理を行っていないが、下部i型層31についても実施することが可能である。この場合は、下部i型層31を受光面と同様に多層化しつつH2プラズマ処理を実施することにより、下部i型層31の膜質が向上し、更に光電変換効率を向上させることが可能である。
なお、ここで述べている非晶質シリコンについては、適宜、非晶質酸化シリコンや炭化シリコンなどの非晶質シリコン系化合物や膜中に少量の微結晶を含む膜を用いることも可能である。
次に、スパッタリング法を用いて、基板1の第1主面側のp型層22上に酸化インジウム(In2O3)からなる上部透明導電膜層23を、基板1の第2主面側のn型層32上に下部透明導電膜層33を、たとえば膜厚100nmで形成する。なお、上部透明導電膜層23および下部透明導電膜層33としては、酸化インジウム膜以外にも、ITO膜や酸化亜鉛膜などを用いることもできる。
最後に、櫛形の上部金属電極層24を構成する上部グリッド電極と上部バス電極を第1主面側の上部透明導電膜層23上に、櫛形の下部金属電極層34を構成する上部グリッド電極と上部バス電極を第2主面側の下部透明導電膜層33上に印刷により形成する(図3−8)。以上の工程を実施することにより、図1−1に示される構成を有する太陽電池セルが得られる。
つぎに、本実施の形態にかかる太陽電池セルについて、具体的な実施例に基づいて説明する。上述した本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法に従って太陽電池セルを作製し、これを実施例にかかる太陽電池セルとした。また、比較のため、受光面側の上部i型層21の成膜時に2回目のH2プラズマ処理を行わない点以外は実施例の場合と同様にして太陽電池セルを作製し、これを比較例にかかる太陽電池セルとした。そして、実施例にかかる太陽電池セルと比較例にかかる太陽電池セルとの特性比較のため、短絡電流密度(Jsc)、開放電圧(Voc)、フィルファクター(FF)、光電変換効率(Eff.)を測定した。その結果を表1に示す。
表1より、実施例にかかる太陽電池セルは、比較例にかかる太陽電池セルと比べVocおよびFFが向上していることがわかる。これは、1回目のH2プラズマ処理によって生成された第1上部i型層21a中の欠陥が2回目のH2プラズマ処理によって修復されたことにより上部i型層21中での再結合損失が低減された他に、2層化した第1上部i型層21a、第2上部i型層21b同士の接合界面での直列抵抗が低減されたことによると考えられる。
図4は、実施例にかかる太陽電池セルの上部i型層21の膜厚方向における膜中水素密度分布を示す特性図である。一般的に良質な水素化非晶質シリコン中に含まれる水素原子数はシリコン原子数に比して8%〜15%程度とされている。シリコンの原子密度は5×1022/cm3である。したがって、通常、良質な非晶質シリコン膜に含まれる水素原子密度は7.5×1021/cm3以下の範囲となる。
ここで非晶質シリコン膜がH2プラズマ処理を受けた場合、非晶質シリコン膜の最表層ではシリコン同士の結合が破壊されて多数のダングリングボンドが形成されるとともに非晶質シリコン膜中の水素が引き抜かれて膜中に水素が供給され、過剰な水素供給によりこれらのダングリングボンドが終端されることにより膜中の水素原子密度が増大し、水素原子密度が1×1022/cm3を超える領域が形成される。すなわち、実施例にかかる太陽電池セルの上部i型層21は、大部分の領域が、水素密度7.5×1021/cm3以下の通常の非晶質シリコンと同じ水素密度分布を示す。その一方で、局所的には水素原子密度が1×1022/cm3を超える領域が複数出現することが特徴である。すなわち、実施例にかかる太陽電池セルでは、図4に示すようにp型層22、第2上部i型層21b、第1上部i型層21aの順に水素密度が高くなっている。ただし、どの層についてもH2プラズマ処理を直接受けていない領域では、ほぼ全域で水素密度が7.5×1021/cm3を下回っている。なお、非晶質シリコン膜中の水素原子密度については、二次イオン質量分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)によって測定することができる。
ここで、実施例にかかる太陽電池セルの特徴の1つとして、図4に示すようにH2プラズマ処理の影響が及ぶ領域では非晶質シリコン膜中の水素量が増加することによりバンドギャップが拡大しているということが挙げられる。特に、この処理の場合は特許文献1で示されているような成膜時のH2流量や温度等を変化させて非晶質シリコン膜中の水素密度のプロファイルを作成する場合よりも急峻な水素密度のピークを形成することができ、大きくバンドギャップが拡大している領域(急峻な水素密度のピークが形成された領域)と、バンドギャップがほぼ変化していない領域(急峻な水素密度のピークが形成されていない領域)とを交互に形成するとことが可能である。
すなわち、上部i型層21は、膜厚方向において急峻な水素密度のピークが出現している領域では、H2プラズマ処理などにより過剰な水素供給がなされており、この過剰な水素供給により基板界面の欠陥低減および上部i型層21の膜質向上が行われている。そして、上部i型層21におけるp型層22との境界領域(表層領域)に最後の水素密度のピークが存在することにより、上部i型層21では最表面以外、すなわち上部i型層21中に出現した水素密度のピークに伴う界面欠陥が全て修復、終端されており、膜質が向上している。
このような構造が作られた場合は、生成したキャリアは非晶質シリコン膜中の水素密度がほとんど変化していない領域を進み、水素密度のピーク領域はトンネリングして通過するため、ゆるやかにバンドギャップが変化する構造の場合と比べて、キャリアの輸送効率が低下しにくい。したがって、単にi型層のバンドギャップを拡大したときのようにi型層と結晶基板とのバンドギャップ差拡大によるキャリア輸送特性の悪化が起きることはない。本実施例にかかる太陽電池セルにおいてFFが低下せずにVocが向上した理由の1つとして、このようにキャリアの輸送効率を低下させることなく平均的なバンドギャップを向上させてVocを向上させる効果が挙げられる。
なお、本実施例にかかる太陽電池セルにおいては、上部i型層21の成膜途中に1回のH2プラズマ処理を行い、上部i型層21の成膜後にさらに1回のH2プラズマ処理を行ったが、平均的なバンドギャップを向上させるために、上部i型層21の成膜途中に複数回のH2プラズマ処理を行い、複数の水素密度のピークを形成してもよい。すなわち、上述した効果は、上部i型層21を3層以上の分割薄膜層により形成した場合も有効であり、最終的に上部i型層21とp型層22との界面を除く全てのH2プラズマ曝露面が修復される。
ただし、H2プラズマ処理を行う位置間隔が短すぎると水素密度が上昇しない領域が形成されなくなるため、上部i型層21の成膜途中に複数回のH2プラズマ処理を行う場合は、前回H2プラズマ処理を行った位置から膜厚方向で1.5nm以上の十分な間隔を取る必要がある。そして、基板1の表面へのダメージおよび下層の分割薄膜層へのダメージを防ぐためには、基板1の界面から1.5nm以内の範囲および下層の分割薄膜層から1.5nm以内の範囲に水素密度のピークが形成されないことが必要である。また、上述したように非晶質シリコン膜中の欠陥準位を終端して膜質を向上させる効果のある最大膜厚み、すなわち水素の最大浸透深さは3.5nmである。
このような条件を満たすことにより、H2プラズマ処理によるダメージを受けた領域は次回のH2プラズマ処理によって修復され、最終的に上部i型層21の成膜後のH2プラズマ処理によって上部i型層21中の全てのH2プラズマ処理領域が修復される。したがって、上部i型層21の各分割薄膜層を1.5nm以上、3.5nm以下の膜厚で成膜することにより、最終的にH2プラズマ処理によるダメージを受けた状態となるのは、上部i型層21におけるp型層22との界面のみとなり、上部i型層21の膜質を良好に保つことができる。
また、本実施の形態における上部i型層21の場合は、上部i型層21における分割薄膜層の積層数を増加させた場合でも膜質が悪化しにくいという利点がある。分割薄膜層の積層数の増加は、一層当たりの分割薄膜層の膜厚の減少を導く。ここで薄膜シリコン形成時においては初期段階では膜中にSi−H2結合が多く形成されて十分な膜質が得られないことがわかっている。このため、分割薄膜層の積層数の増加は、全体的な膜質の悪化に繋がる。また、プラズマCVD法などではプラズマ照射を止めた段階で膜表面が急激に冷却されて界面を形成する。したがって、薄膜シリコンは、多層化するほど界面欠陥を生じさせやすくなるという問題がある。しかしながら、本実施の形態の上部i型層21においては、最表層以外の欠陥はH2プラズマ処理により修復されるため膜質悪化が起こりにくいという利点がある。
上述したように、本実施の形態においては、第1上部i型層21aの表面に対して1回目のH2プラズマ処理を実施し、さらに第2上部i型層21bの表面に対して2回目のH2プラズマ処理を実施する。これにより、基板1の表面が1回目のH2プラズマ処理により水素終端される。そして、1回目のH2プラズマ処理に曝された第1上部i型層21aの表層部に発生した欠陥は、2回目のH2プラズマ処理によって修復される。これにより、基板1の界面を改質するとともに上部i型層21の膜中全体の膜質を向上させることが可能となり、上部i型層21および基板界面の欠陥に起因したキャリアの再結合損失を低減することができ、太陽電池の性能を向上させることができる。
また、上記の実施の形態で説明した構成を有する太陽電池セルを複数形成し、隣接する太陽電池セル同士を電気的に直列または並列に接続することにより、光電変換効率に優れた太陽電池モジュールが実現できる。この場合は、たとえば隣接する薄膜太陽電池セルの一方の上部金属電極層24と他方の下部金属電極層34とを電気的に接続すればよい。
以上のように、本発明にかかる太陽電池は、ヘテロ接合構造を有する太陽電池の光電変換効率の向上に有用である。
1 n型単結晶シリコン基板(基板)、21 上部真性(i型)非晶質シリコン層(上部i型層)、21a 第1上部i型層、21b 第2上部i型層、22 p型非晶質シリコン層(p型層)、23 上部透明導電膜層、24 上部金属電極層、31 下部真性(i型)非晶質シリコン層(下部i型層)、32 n型非晶質シリコン層(n型層)、33 下部透明導電膜層、 34 下部金属電極層。
Claims (12)
- 導電型結晶シリコン系基板の主面上に、真性非晶質シリコン系薄膜層と導電型シリコン系薄膜層と電極とがこの順で積層された太陽電池であって、
前記真性非晶質シリコン系薄膜層は、膜厚方向の水素密度分布における複数の水素密度のピークとして、膜中に1つ以上の膜中ピークを有し、且つ前記導電型シリコン系薄膜層との境界領域にさらに1つの表層ピークを有すること、
を特徴とする太陽電池。 - 前記真性非晶質シリコン系薄膜層は、
前記膜厚方向の水素密度分布において前記導電型結晶シリコン系基板との界面から1.5nm以上、3.5nm以下の範囲に1つの前記膜中ピークを有し、
前記膜中ピークおよび前記表層ピークは、膜厚方向において隣接する前記膜中ピークおよび前記表層ピークの位置からそれぞれ1.5nm以上、3.5nm以下の範囲に出現すること、
を特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記膜厚方向の水素密度分布において、
前記複数の水素密度のピークの水素密度が1×1022/cm3以上であり、
隣接する前記水素密度のピーク間に水素密度が7.5×1021/cm3以下の領域が存在すること、
を特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池。 - 前記導電型結晶シリコン系基板の第1主面上に、前記真性非晶質シリコン系薄膜層と前記導電型結晶シリコン系基板と逆の導電型の前記導電型シリコン系薄膜層とがこの順で積層されること、
を特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の太陽電池。 - 前記導電型結晶シリコン系基板の第2主面上に、前記真性非晶質シリコン系薄膜層と前記導電型結晶シリコン系基板と同じ導電型の前記導電型シリコン系薄膜層とがこの順で積層されること、
を特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の太陽電池。 - 前記導電型結晶シリコン系基板が、単結晶シリコン系基板であること、
を特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の太陽電池。 - 導電型結晶シリコン系基板の主面上に真性非晶質シリコン系薄膜層を形成する第1工程と、
前記真性非晶質シリコン系薄膜層上に導電型シリコン系薄膜層を形成する第2工程と、
前記導電型シリコン系薄膜層上に電極層を形成する第3工程と、
を含む太陽電池の製造方法であって、
前記第2工程では、前記真性非晶質シリコン系薄膜層を複数の分割薄膜層に分割して積層形成し、前記分割薄膜層の各層の形成後に前記分割薄膜層の表面に水素プラズマ処理を実施すること、
を特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記第2工程では、前記分割薄膜層を1.5nm以上、3.5nm以下の膜厚で形成すること、
を特徴とする請求項7に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記第1工程では、前記導電型結晶シリコン系基板の第1主面上に前記真性非晶質シリコン系薄膜層を形成し、
前記第2工程では、前記真性非晶質シリコン系薄膜層上に前記導電型結晶シリコン系基板と逆の導電型の前記導電型シリコン系薄膜層を形成すること、
を特徴とする請求項7または8に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記第1工程では、前記導電型結晶シリコン系基板の第2主面上に前記真性非晶質シリコン系薄膜層を形成し、
前記第2工程では、前記真性非晶質シリコン系薄膜層上に前記導電型結晶シリコン系基板と同じ導電型の前記導電型シリコン系薄膜層を形成すること、
を特徴とする請求項7〜9のいずれか1つに記載の太陽電池の製造方法。 - 前記導電型結晶シリコン系基板が、単結晶シリコン系基板であること、
を特徴とする請求項7〜10のいずれか1つに記載の太陽電池の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか1つに記載の太陽電池の少なくとも2つ以上が電気的に直列または並列に接続されてなること、
を特徴とする太陽電池モジュール。
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