JP5842168B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態において製造する太陽電池の略図的断面図である。まず、図1を参照しながら本実施形態において製造する太陽電池の構成について説明する。
次に、太陽電池1の製造方法の一例について説明する。
まず、図2に示すように、複数の半導体基板10をトレイ20に固定する。トレイ20は、例えばSUS等からなる板状体により構成することができる。複数の半導体基板10の固定は、例えば、このトレイ20及び図示しないマスクを用いて半導体基板10の各周縁部を、半導体基板10の表面側及び裏面側のそれぞれから押さえることにより行うことができる。
次に、トレイ20に固定された複数の半導体基板10の上に、i型半導体層14、n型半導体層13を形成する。その後、複数の半導体基板10のn型半導体層13を形成した面の反対に、i型半導体層12、p型半導体層11を形成する。i型半導体層12,14並びにp型半導体層11及びn型半導体層13の形成は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法や、スパッタリング法等の蒸着法により行うことができる。
次に、半導体層11〜14が形成された複数の半導体基板10が固定された状態で、トレイ20に水素ラジカル及び水素イオンのうちの少なくとも一方を照射する。
次に、複数の半導体基板10をトレイ20から取り外す。
次に、TCO層15,16を形成する。TCO層15,16の形成は、例えば、スパッタリング法やCVD法等の蒸着法により行うことができる。
次に、電極17と電極18とを形成することにより太陽電池1を完成させることができる。なお、電極17,18の形成は、例えば導電性ペーストの塗布や、めっき法等により行うことができる。
取り外し工程の後に、取り外し工程において半導体基板10が取り外されたトレイ20に、半導体層11〜14が形成されていない新たな半導体基板10を固定する。
上記実施形態に係る太陽電池1と実質的に同様の構成を有する太陽電池を、上記実施形態において説明した方法により、下記の条件で複数作製した。具体的には、本実施例では、n型半導体層13を形成した後に、p型半導体層11を形成した。その後、照射工程を行った。
n型半導体層13を形成した後に照射工程を行い、p型半導体層11を形成し、その後照射工程を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして太陽電池を複数作製した。
照射工程を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして太陽電池を複数作製した。
10…半導体基板
10a…第1の主面
10b…第2の主面
11…p型半導体層
12,14…i型半導体層
13…n型半導体層
15,16…TCO層
17,18…電極
20…トレイ
Claims (4)
- 基板と、前記基板の上に配された実質的に真性なi型半導体層と、前記基板の上に配されたドーパントがドープされた半導体層とを備える太陽電池を複数製造する方法であって、
前記基板をトレイに固定する第1の固定工程と、
前記トレイに固定された前記基板の上に、前記i型半導体層を形成し、その後、前記ドーパントがドープされた半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層形成工程の後に、前記トレイに水素ラジカル及び水素イオンのうちの少なくとも一方を照射する照射工程と、
前記照射工程に先立って、または前記照射工程の後に前記基板を前記トレイから取り外す取り外し工程と、
前記取り外し工程において前記基板が取り外されたトレイに新たな前記基板を固定する第2の固定工程と、
を備え、
前記第2の固定工程、前記半導体層形成工程、前記照射工程及び前記取り外し工程を複数回繰り返して行う、太陽電池の製造方法。 - 前記取り外し工程を行う前に、前記照射工程を行う、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記照射工程の後に、前記ドーパントがドープされた半導体層の上に、透明導電層を形成する工程をさらに備える、請求項2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記太陽電池は、一の導電型を有し、前記基板を構成している半導体基板と、前記半導体基板の上に配されており、一の導電型を有し、前記ドーパントがドープされた半導体層を構成している第1の半導体層と、前記半導体基板の上に配されており、他の導電型を有し、前記ドーパントがドープされた半導体層を構成している第2の半導体層と、前記半導体基板と前記第1の半導体層との間に配された第1の実質的に真性なi型半導体層と、前記半導体基板と前記第2の半導体層との間に配された第2の実質的に真性なi型半導体層とを備える、請求項1〜3のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
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