JP6011755B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
(太陽電池1の構成)
図1は、第1の実施形態において製造する太陽電池の略図的断面図である。まず、図1を参照しながら本実施形態において製造する太陽電池の構成について説明する。
次に、太陽電池1の製造方法の一例について説明する。
図2は、第2の実施形態において製造する太陽電池の略図的断面図である。
第1の実施形態に係る太陽電池1と実質的に同様の構成を有する太陽電池を、第1の実施形態において説明した方法により、下記の条件で作製した。
p型半導体層11及びn型半導体層13に対してイオンを用いない水素ラジカル処理を施さなかったこと以外は実施例1と同様にして実施例1で作製した太陽電池と実質的に同様の構成を有する太陽電池を作製した。
p型半導体層11及びn型半導体層13に対して、実施例1で行った処理と同様のイオンを用いない水素ラジカル処理を施したこと以外は実施例1と同様にして実施例1で作製した太陽電池と実質的に同様の構成を有する太陽電池を作製した。
10…半導体基板
10a…第1の主面
10b…第2の主面
11…p型半導体層
12,14…i型半導体層
13…n型半導体層
15,16…TCO層
17…p側電極
18…n側電極
Claims (4)
- 一の導電型を有する半導体基板の第1の主面上に、蒸着法により一の導電型のアモルファスシリコン層を含む第1の半導体層を形成する工程と、
前記半導体基板の第2の主面上に、蒸着法により他の導電型のアモルファスシリコン層を含む第2の半導体層を形成する工程と、
前記第1及び第2の半導体層の少なくとも一方に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す工程と、
前記水素ラジカル処理を施す工程の後に、前記第1及び第2の半導体層が形成された前記半導体基板を大気に曝す工程と、
前記第1及び第2の半導体層のうち、前記イオンを用いない水素ラジカル処理が施された半導体層の上に、透明導電性酸化物層を形成する工程と、
を備える、太陽電池の製造方法。 - 前記イオンを用いない水素ラジカル処理を、リモートプラズマ法、触媒化学気相成長法、及びホットワイヤー法の少なくともひとつにより行う、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1の半導体層を形成する工程は、
前記半導体基板の前記第1の主面上に、実質的に真性なi型アモルファスシリコン層を形成する工程と、
前記i型アモルファスシリコン層上に、前記一の導電型のアモルファスシリコン層を形成する工程と、
を有し、
前記イオンを用いない水素ラジカル処理を、前記一の導電型のアモルファスシリコン層の表面に施す、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記第2の半導体層を形成する工程は、
前記半導体基板の前記第2の主面上に、実質的に真性なi型アモルファスシリコン層を形成する工程と、
前記i型アモルファスシリコン層上に、前記他の導電型のアモルファスシリコン層を形成する工程と、
を有し、
前記イオンを用いない水素ラジカル処理を、前記他の導電型のアモルファスシリコン層の表面に施す、請求項1〜3のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
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