JP2011014891A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に積層された半導体層と、前記半導体層の表面に形成されたストライプ状のリッジと、前記リッジ上に形成された電極と、を備えてなる半導体素子であって、電極は、リッジの上面に対して平坦部と、該平坦部の両側に傾斜部とを有しており、リッジの側面から前記電極の傾斜部に至る領域に保護膜を被覆している。
【選択図】図1
Description
このような化合物半導体素子は、通常、基板の上に積層された化合物半導体層の表面に、ストライプ状のリッジが形成され、このストライプ状のリッジ上に電極を電気的接続させている。
しかし、GaN等の窒化物半導体からなる材料では、コンタクト抵抗がGaAsに比べて高いので、リッジ上面と電極との接触面積の変化により、電極とリッジ上面とのコンタクト抵抗を高め、その結果、レーザの動作電圧を上昇させる恐れがある。
その結果、電極でのレーザ光の光吸収による損失の増加に伴いスロープ効率が低下する恐れがある。
また、特許文献2には、GaN系半導体層3上にSiO2層4とZrO2層5の積層パターンを形成し、ZrO2層5をマスクとしてドライエッチングによりGaN系半導体層3にリッジ109aを形成する。次に、ZrO2膜を全面に堆積した後、リッジ109aの両側にZrO2膜7aを選択的に残すために上記積層パターンをリフトオフ用のマスクとして用いることが開示されている。
さらに、特許文献3には、ストライプ状のパターンを有した三層よりなる積層マスク部を設け、この積層マスク部をマスクとしてリッジ部位を形成する。次に、積層マスク部の二層目のマスクのみを側面からエッチングすることにより積層マスク部にネック部位を形成し、その状態で、上面全域に絶縁層を形成する。続いて、積層マスク部を溶解することによって、積層マスク部表面に形成された絶縁層をリフトオフし、リッジ部位の上面に絶縁層の開口部が形成されることが開示されている。
動作時に発振されるレーザ光をリッジ上の電極が吸収すると、スロープ効率の低下という課題が生じるため、リッジ上面での窒化物半導体と電極とのコンタクト抵抗を制御できるものであって、さらにリッジ上の電極での光吸収を抑制する半導体素子が要求されている。
(1)前記保護膜の先端部は、前記電極の上面よりも高い位置に形成されている。
(2)前記保護膜の先端部は、電極の上面より100nm以上高い。
(3)前記電極は、前記半導体層とリッジ上面のみで接合している。
(4)前記保護膜と前記電極との接合領域には凹部を有する。
(5)前記保護膜の先端部と前記電極の上面とで凹部を形成している。
(6)前記電極と前記保護膜の上にはパッド電極を有する。
(a)基板上に、半導体層を積層し、該半導体層上に所定形状の第1のマスク層を形成した後、前記第1のマスク層の開口部から前記半導体層の一部を除去してリッジを形成する工程と、
(b)少なくともリッジ底面領域からリッジ上面の前記第1のマスク層上に至る領域に第2のマスク層を形成する工程と、
(c)前記リッジ上面の第2のマスク層の一部を除去して、該第2のマスク層にリッジ幅よりも狭い幅の開口部を形成する工程と、
(d)前記リッジ上面の第1のマスク層を除去することによりリッジ上面を露出する工程と、
(e)前記リッジ上に、該リッジ上面に対して、平坦部と傾斜部とを有する電極を形成する工程と、
(f)前記第2のマスク層を除去する工程と、
(g)前記電極の平坦部上に第3のマスク層を形成する工程と、
(h)少なくともリッジ底面領域からリッジ上面の前記第3のマスク層上に至る領域に保護膜を形成する工程と、
(i)前記リッジ上面の第3のマスク層と保護膜を除去して、前記電極を露出する工程と、
(j)少なくとも前記電極上面および前記保護膜上にパッド電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
(1)工程(i)において、前記保護膜は、リッジ側面から連続して電極の傾斜部を被覆しており、前記電極の平坦部よりも高い位置に先端部を形成する。
(2)工程(j)において、前記電極上に、導電層を介してパッド電極を形成する。
また、本発明の半導体素子の製造方法によれば、エッチバック工程を省略することが可能となり、歩留まりも向上する。
また、保護膜や電極の材料の制約を受けることがなく、多種の材料を選定することができるため、高価な材料を選定する必要もなくなる。
このような半導体素子は、典型的には、図1に示すように、基板10上に、n側半導体層11、活性層12及びp側半導体層13が順に積層された半導体層20を有しており、その表面には、ストライプ状のリッジ14が形成されている。リッジ14上面には、電極15が形成されている。この電極15は、リッジ上面に対して平坦部15aと傾斜部15bとを有している。
また、リッジ底面領域14a(図3(a)参照)とリッジ側面14b(図3(a)参照)には保護膜16が形成されており、この保護膜16は、電極15の傾斜部15bを被覆している。
また、電極15の膜厚は100nm〜500nmが例示される。ここでの電極の膜厚とは、リッジ上面14cから電極の平坦部15aの表面までの高さである。
電極の傾斜部15bの膜厚は、リッジ上面14cからその電極の傾斜部15bの表面までの高さであるが、その高さは測定位置によって変動するものである。
リッジ上面14cにおける電極の幅は、リッジ幅と略等しいものであるが、リッジ幅が7μm以上である場合には、リッジ幅よりも電極の幅が狭くなってもよい。
これによって、電極によるレーザ光の光吸収を効率よく抑制することができる。
また、電極の傾斜部15bの長さによっては、保護膜の先端部16aが電極の傾斜部15bの表面を完全に被覆している必要はなく、少なくとも一方の保護膜の先端部がこの電極の傾斜部15bの表面の一部を(例えば、80%程度以上を)被覆していればよい。
この保護膜16の先端部16aは、電極15の平坦部15aより高い位置に形成されていることが好ましい。これにより、電極によるレーザ光の光吸収の抑制により有効となる。
半導体レーザ素子の用途がマルチモードのビーム光を使用することが可能な場合であれば、このマルチモードであること自体は特に問題にならないが、リッジ幅が広い場合には電極幅もそれに比例して広くなるため、電極でのレーザ光の光吸収がより顕著になる。上述した本発明の構成によれば、このようなワイドリッジの半導体レーザ素子においてもリッジ上の電極でのレーザ光の光吸収を効果的に抑制することができる。
一方、単にリッジ上の電極の幅を狭く調整するだけでは動作電圧の上昇を招くことがあり、これでは信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することはできない。
そこで、本発明の半導体素子では、上述した構成によってリッジ幅を最大限に利用可能なものとして、動作電圧の上昇を抑制し、さらに安定した横方向の光閉じ込めも実現することができる。
また、このような半導体素子は、半導体層20の側面に第2の保護膜が形成されていてもよい。
さらに、図示していないが、この半導体素子の共振器端面であるフロント側端面及び/又はリア側端面には、例えば、絶縁性の酸化膜、窒化膜からなる保護膜が形成されている。
保護膜16と第2の保護膜とは、絶縁体の材料からなるものであればよいが、さらに低屈折率の材料からなるものが好ましい。
パッド電極18は、電極15と保護膜16との接合界面に接している。
電極15と保護膜16との接合界面の断面形状は、凹部形状をしているため、パッド電極がこの凹部に形成されることで、パッド電極18と電極15との密着性が良好になる。
パッド電極18は、この凹部の他にも保護膜16の外側の表面も被覆している。
本発明の半導体素子の製造方法では、工程(a)において、まず、基板上に、活性層を含む半導体層を形成する。ここでの半導体層は、基板上に、n側半導体層、活性層及びp側半導体層がこの順に積層される。
窒化物基板は、MOVPE、MOCVD法(有機金属化学気相成長法)、HVPE法(ハライド気相成長法)等の気相成長法、超臨界流体中で結晶育成させる水熱合成法、高圧法、フラックス法、溶融法等により形成することができる。また、市販のものを用いてもよい。
この基板は、例えば、第1主面及び/又は第2主面に0.03〜10°程度のオフ角を有する窒化物基板であることがより好ましい。また、単位面積当たりの転位数が1×107/cm2以下であればよい。
基板とクラッド層との間に、下地層やクラック防止層を有する構成であってもよい。
p側半導体層は、クラッド層とコンタクト層を有しており、後述する活性層とクラッド層との間に、キャップ層や光ガイド層を有する構成であってもよい。
n側半導体層は、Si、Ge等のn型不純物がドープされており、p側半導体層は、Mg、Zn等のp型不純物がドーピングされることにより、それぞれの導電性を有する。ドーピング濃度は、例えば、1×1016〜5×1020cm-3程度が挙げられる。
活性層の発振波長の範囲は特に限定されるものではないが、窒化物半導体層を用いた場合、例えば350nm以上650nm以下である。
マスク層の形成方法の1つを以下に開示するが、マスク層の形成方法としてはこれに限定されるものではない。
まず、半導体層上に第1のマスク層21とレジスト層を順に形成する。このレジスト層を所定形状にパターニングし、さらにレジスト層をマスクとして用いてマスク層を同一形状にパターニングする。マスク層をパターニングした後、レジスト層を除去することにより所定形状のマスク層を形成することができる。ここで、マスク層の材料としては、SiO2、SiON、SiN等が挙げられる。マスク層は他の公知のマスク材料を代用することが可能である。マスク層の膜厚は特に限定されるものではなく、例えば、100nm〜1000nm程度とすることが適しており、200nm〜600nm程度が好ましい。マスク層は、CVD法、スパッタ法、蒸着法等の公知の方法により形成することができる。
リッジの大きさは、マスク層の大きさにほぼ対応するが、その底面側の幅が広く上面に近づくにつれてストライプ幅が小さくなる順メサ形状、積層面に垂直な側面を有する形状であってもよいし、これらが組み合わされた形状でもよい。リッジの幅は、特に限定されるものではないが、100μm以下とすることにより、歩留まりの低下を抑制することができる。具体的には、2.0μm〜30.0μm程度が適しており、5.0μm〜20.0μm程度が好ましい。リッジの高さは、p側半導体層の膜厚によって適宜調整することができ、例えば、0.1μm〜2μm程度、さらに0.2μm〜1μm程度が挙げられる。
リッジ底面領域14aとリッジ側面14bのみならず、リッジ上面14cの第1のマスク層21が形成された領域にも第2のマスク層22を形成する。ここで、第2のマスクの材質としては特に限定されるものではないが、レジスト層をパターン形成することが好ましい。第2のマスク層の膜厚は特に限定されるものではなく、例えば、0.1μm〜3.0μm程度とする。
開口部の幅は、リッジの幅により適宜調整することができ、例えば、リッジ幅が100μm以下であれば、この開口部の幅は99μm以下が適している。また、リッジ幅が30μm以下である場合には、この開口部の幅は、1.0μm〜29.0μmが適している。
これによりリッジ上面14cが露出する。
また、リッジ上面に接する電極の幅は、リッジの幅と略同一幅となる。但し、リッジ幅が7.0μm以上の場合には、リッジ幅よりも狭く電極を形成してもよい。
具体的には、半導体層側からNi(膜厚:5〜20nm程度)とAu(膜厚:50〜300nm程度)の2層構造、この2層構造を含んだNi−Au−Pt、Ni−Au−Rh、Ni−Au−RhO2、Ni−Au−Pd、Ni−Au−Ir、Ni−Au−Ru等が例示される。その他にはPd−Au、Pd−Pt、Ni−Pt等の2層構造や、Ni−ITO−Pt、Ni−ITO−Rh、Pd−Pt−Au、Pd−Pt−Rh、Pd−Pt−Ir、Rh−Ir−Pt等の3層構造等が例示される。
これら電極材料膜はCVD法、スパッタ法、蒸着法等の公知の方法により形成することができる。電極材料膜の膜厚は特に限定されるものではなく、例えば、50nm程度以上が適している。これにより、シート抵抗を低くすることができる。
第3のマスク層をパターン形成する方法としては、フォトリソグラフィーを用いることが好ましい。第3のマスク層23の膜厚は、特に限定されるものではなく、例えば、0.1μm〜4.0μm程度とする。この第3のマスク層23は、電極の平坦部15a上の全面のみを被覆しているもの又は電極の平坦部15a上の全面と電極の傾斜部15bの一部を被覆するもの、更には電極の平坦部15aよりも少し狭い範囲のみ被覆している場合でもよい。
また、本発明の半導体素子は、後工程で形成される保護膜の先端部16aを有することにより、リッジ両側の上部での光吸収を抑制することができる。
保護膜は、このような絶縁性等の機能を備えた材料であれば、特に材料は限定されない。例えば、Si、Mg、Al、Hf、Nb、Zr、Sc、Ta、Ga、Zn、Y、B、Ti及びこれらの酸化物、窒化物(例えば、AlN、AlGaN、BN等)、フッ化物等の化合物が挙げられる。また、この保護膜は単一膜であってもよいし、複数を組み合わせた多層膜であってもよい。なかでも、SiO2やAl2O3等からなる低屈折率であって、吸収の少ない材質からなる膜であることが好ましい。
この工程(i)では、保護膜の先端部16aが電極の傾斜部15bを完全に被覆した形状の他に、この保護膜の先端部16aが電極の傾斜部15bを被覆しているが、この傾斜部15bの一部が露出している形状であってもよい。また、保護膜の先端部16aが電極の上面、つまり電極の平坦部15aの表面よりも高い位置にあることにより、パッド電極での光吸収も効果的に抑制されるため好ましい。特に、保護膜の先端部16aが電極の上面である電極の平坦部15aの表面よりも100nm以上高い位置にあることが好ましい。これにより、パッド電極での光吸収をより効果的に抑制することができる。
保護膜と電極との接合領域には凹部が形成されるため、電極15とパッド電極18との密着性が向上する。この電極との接合領域が保護膜の先端部16aであれば、凹部の溝が形成されやすい。
また、浸漬、リンシング、超音波処理又はこれらの組み合わせ等、公知の方法を利用することができる。
パッド電極は、Ni、Ti、Au、Pt、Pd、W等の金属からなる積層膜とすることが好ましい。具体的には、p電極側からW−Pd−Au又はNi−Ti−Au、Ni−Pd−Auの順に形成した膜が挙げられる。パッド電極の膜厚は特に限定されないが、最終層のAuの膜厚を100nm程度以上とすることが好ましい。パッド電極の形状は、特に限定されない。
また、任意の段階に、得られた共振器面、つまり、共振器面の光反射側及び/又は光出射面に、誘電体膜を形成することが好ましい。誘電体膜はSiO2、ZrO2、TiO2、Al2O3、Nb2O5、AlN、AlGaN等からなる単層膜又は多層膜とすることが好ましい。
さらに、共振器方向に分割することにより、半導体素子のチップを得ることができる。この分割は、任意の段階で分割補助溝を形成し、それを用いてスクライブすることなどによって形成することができる。
また、本発明の製造方法により半導体素子の量産性を向上させることができる。
実施例1
この実施例の半導体レーザ素子は、図1に示したように、C面を成長面とするGaN基板10上に、n側半導体層11、活性層12及びp側半導体層13をこの順に積層した半導体層が形成されており、p側半導体層13の表面にはリッジ14が形成されている。リッジ14上には、p側の電極15がオーミック接触されている。この電極15には、平坦部15aと傾斜部15bがある。この電極の傾斜部15bには保護膜の先端部16aが被覆しており、電極15の平坦部15aにはパッド電極18が電気的に接続している。
(リッジの形成)
まず、GaN基板10を準備する。
次に、この基板10上に、n側半導体層11、活性層12及びp側半導体層13をこの順に積層した半導体層20を形成する。
p側半導体層13のほぼ全面に、CVD装置により、第1のマスク層21としてSiO2膜を500nmの膜厚で形成する。その後、RIE(反応性イオンエッチング)装置を用いたエッチングによりマスク層の幅を15.0μmにパターン形成する。ここでマスク層の幅を後述するリッジ幅とする。
次に、図4(e)に示したように、リッジ14上及び第2のマスク層22上に電極15を形成する。この電極15は、第2のマスク層の開口部からリッジ上に形成されるため、開口部の直下であるリッジの中央部上には平坦部15aが形成され、その両外側には傾斜部15bが形成される。この電極の材料としては、リッジ上面14cからNi−Au−Ptの順に形成する。ここで、電極15の平坦部15aの幅は13.0μmであり、この平坦部の両側に形成される傾斜部15bの幅は1.0μmである。電極の膜厚は平坦部15aの膜厚であり、Ni(10nm)−Au(100nm)−Pt(100nm)の順に形成して総膜厚は210nmである。
第2のマスク層の除去方法は、剥離液を用いたリフトオフ法であり、第2のマスク層と同時に、この第2のマスク層上の電極も除去される。
電極15は、リッジ上面14cでのみ半導体層と接触しているため、電流のリークは発生しない。
その後、図5(h)に示したように、リッジ底面領域14aからリッジ側面14b、電極の傾斜部15b、第3のマスク層23の上面を被覆する保護膜16を形成する。この保護膜16は、スパッタ装置を用いてSiO2膜を膜厚200nmで形成する。
図5(i)では電極の平坦部15aのみ露出しているが、傾斜部15bの一部を露出していてもよい。また、保護膜の先端部16aが電極の平坦部15aの一部を被覆していてもよい。
その後、図5(j)に示すように、電極15及び保護膜16上にp側パッド電極18を形成する。
また、基板10の裏面にn側電極19を形成する。
半導体層のフロント側共振器面には、Al2O3からなる誘電体膜を形成する。
半導体層のリア側共振器面には、ZrO2とSiO2からなる誘電体多層膜を形成する。
このような工程を経て、半導体素子を形成することができる。
また、電極に傾斜部を設けており、その傾斜部上には低屈折率の材料SiO2からなる保護膜が被覆されており、電極による光の吸収を回避することができ、レーザ光の取り出し効率を向上させることができる。
さらに、このような製造工程であれば、エッチバック工程が不要となるため、容易に、特性が安定した半導体素子を製造することができる。
この実施例の半導体レーザ素子は、上述した実施例1の製造方法において、第3のマスク層23を電極の平坦部と傾斜部の一部を被覆するように形成する。
具体的には、第3のマスク層23の幅を14.0μm程度とし、また第3のマスク層の膜厚は2.5μm程度とする。
それ以外は、実施例1の半導体レーザ素子と実質的に同様に半導体レーザ素子を製造する。
以上により、図2bに示すように、電極の傾斜部は保護膜の先端部16aに被覆されている領域とp側パッド電極と接続されている領域が形成される。
この実施例においても、実施例1と略同様の効果を得ることができる。
この実施例の半導体レーザ素子は、上述した実施例1の製造方法において、第3のマスク層23を電極の平坦部のみを被覆するように形成する。
第3のマスク層23の幅は12.0μm程度とし、また第3のマスク層の膜厚は2.5μm程度とする。
それ以外は、実施例1の半導体レーザ素子と実質的に同様に半導体レーザ素子を製造する。
以上により、図2cに示すように、保護膜の先端部16aは電極の傾斜部15bと電極の平坦部15aの一部を被覆している。
この実施例においても、実施例1と略同様の効果を得ることができる。
この実施例の半導体レーザ素子は、上述した実施例1の製造方法において、リッジ上面14cに形成される電極がリッジ上面の全面を被覆するのではなく、リッジ上面の一部を露出するように形成している。
具体的には、第2のマスク層22の開口部の幅を10.0μmとする。
また、第3のマスク層23の幅は12.0μm程度として、第3のマスク層23は電極の平坦部のみを被覆するように形成する。
それ以外は、実施例1の半導体レーザ素子と実質的に同様に半導体レーザ素子を製造する。
以上より、図2dに示すように、リッジ上面14cの端部を保護膜が被覆しており、さらに保護膜の先端部16aは電極の傾斜部15bを被覆している。
この実施例においても、実施例1と略同様の効果を得ることができる。
11 n側半導体層
12 活性層
13 p側半導体層
14 リッジ
14a リッジ底面領域
14b リッジ側面
14c リッジ上面
15 電極
15a 電極の平坦部
15b 電極の傾斜部
16 保護膜
16a 保護膜の先端部
18 p側パッド電極
19 n側電極
20 半導体層
21 第1のマスク層
22 第2のマスク層
23 第3のマスク層
Claims (9)
- 基板上に積層された半導体層と、
該半導体層の表面に形成されたストライプ状のリッジと、
該リッジ上に形成された電極とを備えてなる半導体素子であって、
前記電極は、前記リッジの上面に対して、平坦部と該平坦部の両側に配置された傾斜部とを有しており、
前記リッジの側面から前記電極の傾斜部に至る領域に保護膜が被覆されていることを特徴とする半導体素子。 - 前記保護膜の先端部は、前記電極の上面よりも高い位置に形成されている請求項1に記載の半導体素子。
- 前記電極は、前記半導体層とリッジ上面のみで接合している請求項1または2のいずれか1つに記載の半導体素子。
- 前記保護膜と前記電極との接合領域に凹部を有する請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体素子。
- 前記保護膜の先端部と前記電極の上面とで凹部を形成している請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体素子。
- (a)基板上に、半導体層を積層し、該半導体層上に所定形状の第1のマスク層を形成した後、前記第1のマスク層の開口部から前記半導体層の一部を除去してリッジを形成する工程と、
(b)少なくともリッジ底面領域からリッジ上面の前記第1のマスク層上に至る領域に第2のマスク層を形成する工程と、
(c)前記リッジ上面の第2のマスク層の一部を除去して、該第2のマスク層にリッジ幅よりも狭い幅の開口部を形成する工程と、
(d)前記リッジ上面の第1のマスク層を除去することによりリッジ上面を露出する工程と、
(e)前記リッジ上に、該リッジ上面に対して、平坦部と傾斜部とを有する電極を形成する工程と、
(f)前記第2のマスク層を除去する工程と、
(g)前記電極の平坦部上に第3のマスク層を形成する工程と、
(h)少なくともリッジ底面領域からリッジ上面の前記第3のマスク層上に至る領域に保護膜を形成する工程と、
(i)前記リッジ上面の第3のマスク層と保護膜を除去して、前記電極を露出する工程と、
(j)少なくとも前記電極上面および前記保護膜上にパッド電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 工程(i)において、前記保護膜は、リッジ側面から連続して電極の傾斜部を被覆しており、前記電極の平坦部よりも高い位置に先端部を形成する請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
- (a)基板上に、半導体層を積層し、該半導体層の一部を除去してリッジを形成する工程と、
(b)前記リッジ上に、該リッジ上面に対して平坦部と傾斜部とを有する電極を形成する工程と、
(c)少なくともリッジ側面から連続して電極の傾斜部に至る領域に保護膜を形成する工程と、
(d)少なくとも前記電極上面および前記保護膜上にパッド電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 工程(i)において、前記保護膜は、リッジ側面から連続して電極の傾斜部を被覆しており、前記電極の平坦部よりも高い位置に先端部を形成する請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
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