JP2011009578A5 - 半導体装置 - Google Patents

Description

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
なお、本発明は、以下の態様を含む。
（付記１）
一面に第１導電型のソース領域およびドレイン領域、ならびに前記ソース領域および前記ドレイン領域の間に第２導電型のチャネル領域が形成された基板と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するように形成されたトレンチと、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、前記トレンチの内部を埋め込むように形成されたゲート電極と、
を有するトランジスタを含み、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、前記基板表面および前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記トレンチ側方における前記第２導電型の不純物濃度よりも高く、前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記基板表面の前記第２導電型の不純物濃度以上である半導体装置。
（付記２）
付記１に記載の半導体装置において、
前記ゲート幅方向に、複数の前記トレンチが形成された半導体装置。
（付記３）
基板の一面に、第２導電型の不純物イオンを注入してチャネル領域を形成する工程と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域に、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するようにトレンチを形成する工程と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域に、前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、前記トレンチの内部を埋め込むようにゲート電極を形成する工程と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域の両側方に第１導電型の不純物イオンを注入して、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、
によりトランジスタを形成する工程を含み、
前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程において、前記基板表面および前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記トレンチ側方における前記第２導電型の不純物濃度よりも高く、前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記基板表面の前記第２導電型の不純物濃度以上となるように前記第２導電型の不純物イオンを注入する半導体装置の製造方法。
（付記４）
付記３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程は、前記トレンチを形成した後に、前記基板の前記一面の前記チャネル領域に、前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入して、前記基板表面および前記トレンチ底部に前記第２導電型の不純物イオンを注入する工程を含む半導体装置の製造方法。
（付記５）
付記３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程は、前記トレンチを形成する前に、
前記基板表面をターゲットとして、前記基板の前記一面の前記チャネル領域に、前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程と、
前記トレンチの底部となる所定の深さをターゲットとして、前記基板の前記一面の前記チャネル領域に、前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（付記６）
付記４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程は、前記トレンチを形成する前に、前記トレンチの底部となる所定の深さをターゲットとして、前記基板の一面の前記チャネル領域に、前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程を含む半導体装置の製造方法。

Claims (1)

1. 一面に第１導電型のソース領域およびドレイン領域、ならびに前記ソース領域および前記ドレイン領域の間に第２導電型のチャネル領域が形成された基板と、
   前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するように形成されたトレンチと、
   前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、前記トレンチの内部を埋め込むように形成されたゲート電極と、
   を有するトランジスタを含み、
   前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、前記基板表面および前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記トレンチ側方における前記第２導電型の不純物濃度よりも高く、前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記基板表面の前記第２導電型の不純物濃度以上である半導体装置。