JP2011003890A

JP2011003890A - 積層用半導体モジュール及び積層型半導体モジュール

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Publication number: JP2011003890A
Application number: JP2010115860A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Kawabata; 毅川端; Takashi Yui; 油井　　隆
Original assignee: Panasonic Corp
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2009-05-20
Filing date: 2010-05-20
Publication date: 2011-01-06
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Abstract

【課題】非破壊検査での接合部の良否判定を容易に、また確実に行うことができる積層型半導体モジュールを提供することを目的としている。
【解決手段】下層モジュールの第１の基板（１１）の上層モジュールとの接続面に、パッド（１５）を設け、この一部を絶縁膜（２０）で被覆してパッド（１５）が露出する開口部（３）が形成され、下層モジュールの第１の基板（１１）の下面に第１の接続端子（２）が形成され、開口部（３）の平面形状が第１の接続端子（２）の平面形状とは異なり、開口部（３）の外形が第１の接続端子（２）よりも大きく、上方向からの透過検査でも開口部（３）に広がった第２の接続端子（３０）の下端の形状が、他の端子に隠れないことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の半導体装置を積層して構成するときの最下層に配置する積層用半導体モジュールと、これを用いた積層型半導体モジュールに関する。

携帯電話装置やデジタルカメラ等の各種電子機器の小型化、高機能化の要請に伴い、電子部品、特に複数個の半導体装置及びチップを積層して一体化してなる積層型半導体モジュール（Package on Package）が開発されている。

この積層型半導体モジュールの実装においては、一層の高密度化による上下パッケージの接続の歩留まりや高機能化に伴う検査感度の向上が問題となってきており、それらに対して品質そのものの向上による検査の歩留まりの改善が求められている。

従来の積層型半導体モジュールとしては特許文献２などが知られている。図８（ａ）は従来の積層型半導体モジュールを示し、第１のパッケージＰＫ１の上に第２のパッケージＰＫ２が積層して実装されている。

第１のパッケージＰＫ１の下面には外部接続用端子２が配置され、第１のパッケージＰＫ１の上面には上下接続端子１が配置されている。正常な製品では、上下接続端子１は第１のパッケージＰＫ１の上面に形成されている上層モジュール接続用のパッド１５ａの上に接合されている。また、上下接続端子１の接続面の形状と外部接続用端子２の形状が、いずれも円形の類似形状である。また、上層モジュール接続用のパッド１５ａは、図８（ｂ）に示すように円形である。

特許文献２には、図９に示すように半導体装置の基板１１に設けたランド４自体を熱膨張方向に長くなるような長方形、楕円、長円などで形成して、プリント基板と半導体装置の接続信頼性を高めたものが記載されている。

特開２００４−３６３１２６号公報特開２０００−２０８５５７号公報

通常、上下の半導体装置間の接続判定には電気検査が用いられる。つまり、上下間の接続状態および電気保証を行うために上下接続された積層完成品状態で再検査を実施するのが一般的である。

その検査においては、積層型半導体モジュールを検査装置のソケットに挿入し、上部からの荷重をかけることによりに第１のパッケージＰＫ１の外部接続用端子２と前記ソケットの側のプローブとを接触させ、積層型半導体モジュールの内部配線を通じて第１のパッケージＰＫ１と第２のパッケージＰＫ２の接続部の導通の判定を行っている。

しかし、このような電気検査では第１のパッケージＰＫ１と第２のパッケージＰＫ２との間の接合状態が、確実な接合ではなくて、単に接触しているかどうかが微妙な場合に、上記検査時の荷重により第１のパッケージＰＫ１と第２のパッケージＰＫ２の接続部の導通の接触が一時的に取られる状態が発生して、「電気的にＯＫ」と判定されて検査をパスしてしまう場合がある。

そのため、上下の接続端子においては単に接触しているだけでなく、上下がきちんと物理的に接合して接続が維持されているかどうかの判定には、非接触の透過検査としてＸ線検査や超音波探傷法（ＳＡＴ Scanning Acoustic Tomograph ）が用いられている。

しかしながら、このような透過検査は、目視判定では非常に時間がかかり、自動判定でも閾値の設定が困難であったりして、接合有無の不良判定が非常に困難である。
具体的には、図８（ａ）（ｂ）に挙げた例では、パッド１５ａの形状が円形であり、外部接続用端子２もボール形状の円形状であるため、非接触の透過検査において積層型半導体モジュールを上部から透過させても共に円形状の同一になっている。しかも上下接合状態での接続面の円形状に対し、未接合状態や非接触状態でも上部の端子のボールの平面形状そのものが見られ、共に同形状になっている。その上、最下部の端子、上部の端子等同形状の接続端子がサイズに関係なく混在しているため、未接合の状態であっても、接合した状態と大きさや形状が一見して同じで、さらに他の接続端子とも形状が同一であるため、接合箇所や他の接続端子の区別が困難である。

特許文献２には、図９に示すようにランド４の形状を長方形にして半導体装置のプリント基板に対する接続強度の向上を目的としたものが開示されている。しかし、積層型半導体モジュールのように積層状態において上下に端子が存在する検査時の課題に対するものでないことは明白である。

具体的には、上下の接続端子に単に特許文献２に見られる長方形のランドを適用しただけでは、上下の接続端子に対するサイズの差異や各接続部位における形状の差異が明確でないために、Ｘ線等の透過検査においては、最下部の端子、上下間の端子などの同形状の接続端子が混在する可能性がある。

本発明は、非破壊検査での接合部の良否判定を容易に、また確実に行うことができ、それにより品質および信頼性を向上させることができる積層用半導体モジュール及び積層型半導体モジュールを提供することを目的とする。

本発明の積層用半導体モジュールは、一方の面に第１の半導体チップが実装され、他方の面に第１の接続端子が形成された第１の基板の前記一方の面に、前記第１の半導体チップの保持領域外に上層モジュールと電気的に接続可能なパッドを設け、前記パッドの一部を被覆するよう第１の基板の前記一方の面に形成された絶縁膜に、前記パッドが露出するように開口された開口部が形成され、前記開口部の平面形状が第１の接続端子の平面形状とは異なり、第１の接続端子と前記開口部との積層方向に透過検査した状態において前記開口部の外形が第１の接続端子からはみ出していることを特徴とする。

また、本発明の積層型半導体モジュールは、一方の面に第１の半導体チップが実装された第１の基板の前記一方の面に、第２の半導体チップが実装された第２の基板を積層して第１の基板と第２の基板の間を第２の接続端子で接続して実装した積層型半導体モジュールであって、第１の基板の前記一方の面の第１の半導体チップの保持領域外に第２の基板と電気的に接続可能なパッドを設け、前記パッドの一部を被覆するよう第１の基板の前記一方の面に形成された絶縁膜に、前記パッドが露出するように開口された開口部が形成され、前記開口部の平面形状が第２の接続端子の平面形状ならびに第１の基板の他方の面に形成された第１の接続端子の平面形状とは異なり、一端が第２の基板に接続された第２の接続端子の他端が溶融して凝固して前記開口部を満たして前記パッドに接合され、第１の接続端子と前記開口部との積層方向に透過検査した状態において前記開口部の外形が第２の接続端子ならびに第１の接続端子からはみ出していることを特徴とする。

この構成によれば、積層型半導体モジュールは、下層モジュールと上層モジュールとを接続する第２の接続端子の平面形状ならびに第１の基板の他方の面に形成された第１の接続端子の平面形状を、第２の接続端子による前記他端と第１の基板の側の前記パッドとの接続面の形状とが異ならせ、第１の接続端子と前記開口部との積層方向に透過検査した状態において前記開口部の外形が第１の接続端子からはみ出している、または前記開口部の外形が第２の接続端子ならびに第１の接続端子よりも大きいため、下層モジュールと上層モジュールとの未接合状態と接合状態で形状が明らかに異なる。なおかつ上方向からの透過検査において、前記開口部を満たして前記パッドに接合された第２の接続端子の平面形状が他端子に隠れないため、上部からの透過検査によって、その形状差異を容易に判別できる。よって、上層および下層モジュールの接合部の検査を確実にすることができ、品質、信頼性の高い半導体装置及びモジュールとして供給できる。

本発明の実施の形態における（ａ）積層型半導体モジュールの断面図、（ｂ）接続面Ａの断面図、（ｃ）接続面Ｂの断面図、（ｄ）接続面Ｃの断面図同実施の形態における積層型半導体モジュールの製造方法の説明図同実施の形態における積層用半導体装置の下層モジュールの断面図同実施の形態における第１の基板１１の投影状態の平面図同実施の形態における（ａ）積層型半導体モジュールの一部未接合の場合の断面図と（ｂ）上部方向からＸ線透過装置により透過観察した場合の画像同実施の形態における開口部の形状を示す拡大平面図課題の説明図従来例に記載された積層型半導体モジュールの断面図と下層モジュールの接合面の平面図別の従来例に記載されたランドの形状を示す平面図

以下、本発明の実施の形態を図１〜図７に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の積層型半導体モジュールを示す。なお、端子、電極及び配線等の個数および形状については省略又は図示しやすい個数および形状等としている。以下の全ての図において同様の省略などを行っている。

第１のパッケージＰＫ２１の上に第２のパッケージＰＫ２２が積層して実装されている。第１のパッケージＰＫ２１の上面には第１の半導体チップ１２が実装され、第２のパッケージＰＫ２２の第２の基板２５の上面には第２の半導体チップ２２が実装されている。

第２のパッケージＰＫ２２は、具体的には、汎用的な積層用メモリー装置等であって、メモリー等の第２の半導体チップ２２を基板に搭載、互いの電極同士をワイヤーボンドやフリップチップ工法を用いて電気接続し、場合によっては、半導体チップを被覆するように樹脂で封止や塗布されている。

図２は第１のパッケージＰＫ２１と第２のパッケージＰＫ２２の積層工程を示している。第２のパッケージＰＫ２２には、第１のパッケージＰＫ２１との接合用に第２の接続端子３０が形成されている。接続端子３０を構成する接合金属としては、ＳｎＰｂ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＣｕ、ＳｎＢｉなどの半田材料を用いた半田ボールが一般的である。

下層モジュールである積層用半導体モジュールの第１のパッケージＰＫ２１は、図３のように構成されている。
第１のパッケージＰＫ２１は、第１の基板１１と、第１の基板１１のチップ保持面に実装された第１の半導体チップ１２とにより構成されている。

第１の半導体チップ１２は、平面方形状のチップ基板の中央部に半導体素子が形成された集積回路形成領域（図示せず）が設けられ、その外側に複数の第１のチップ端子２３が配置されている。第１のチップ端子２３は、集積回路の配線の形成に使用される金属と同一の金属により一般的に形成されており、アルミニウム、銅、またはアルミニウムと銅との積層材料等で形成される。チップ基板の表面は、第１のチップ端子２３が形成されている領域を除き、ポリイミド等の絶縁膜（図示せず）で覆われている。第１のチップ端子２３は集積回路形成領域内に配置されていてもよい。第１のチップ端子２３には、突起電極２４がワイヤバンプ方式またはめっき（plating）方式等の公知の方法により形成されている。

第１のチップ端子２３に設けられている突起電極２４は、半田、金、銅、およびニッケル等のいずれかからなる単体又は２つ以上からなる積層体であればよく、形状は球状又は柱状のバンプであればよい。

第１の基板１１は、アラミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはセラミック等により形成された多層配線構造を有している。第１の基板１１のチップ保持面には、第１の半導体チップ１２に設けられた突起電極２４と対応する位置に第１のチップ接続端子１３が複数設けられている。

第１の半導体チップ１２は第１の基板１１にフリップチップ実装されており、第１の半導体チップ１２の突起電極２４が、導電性接着材１４により第１のチップ接続端子１３に電気的に接続されている。さらに、第１の半導体チップ１２と第１の基板１１の接続補強のため、アンダーフィル樹脂１６がその間を埋めている。アンダーフィル樹脂１６の代わりに非導電性樹脂フィルムの硬化収縮により接続する方法等を用いて第１の半導体チップ１２と第１の基板１１との接続を行ってもよい。

第１の基板１１のチップ保持面とは反対側の面（裏面）には、外部接続用の第１の接続端子２が等間隔の格子状に複数配置されている。第１の接続端子２はプリント基板である外部基板（図示せず）と電気的に接続できる。第１の接続端子２の材料として通常はＳｎＰｂ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＣｕ、ＳｎＢｉといった半田材料、または金、銅又はニッケル等からなるボール形状のものを搭載し、融点以上にリフロー加熱することで第１の基板１１に溶融接合できる。また、第１の接続端子２としては表面層に金属蒸着等を行って導電性を付与した樹脂ボールを用いることもできる。

第１の基板１１のチップ保持面における第１の半導体チップ１２の保持領域の外側部分には、積層型半導体モジュールの上層モジュールとしての第２のパッケージＰＫ２２と接続するための上層モジュール接続用のパッド１５が複数設けられている。さらにパッド１５の上をソルダーレジスト又はポリイミド等のような絶縁膜２０が一部を被覆して、かつ上層モジュール接続用の開口部３によってパッド１５の一部を露出させている。開口部３から露出している部分はニッケル、金めっき等のめっき（plating）による表面処理を施し、下層のパッドの酸化を防止している。第１の基板１１のチップ保持面とは反対面（裏面）も、第１の接続端子２が形成された部分等を除いて、ソルダーレジストまたはポリイミド等の絶縁膜２０が形成されている。

図４は第１のパッケージＰＫ２１の第１の基板１１の詳細を示す。
図４には図３の平面図に加え、第１の接続端子２の投影図を合わせて示している。
ここで開口部３は開口の形状が四角形状であるのに対し、第１の接続端子２が半田ボールであるためその形状は円形状をしていることで、両者が異なる平面形状をしている。しかも開口部３の外形は、外部接続用端子２よりも大きい。

この実施の形態では、第１のパッケージＰＫ２１の開口部３と第１の接続端子２の形状の違いと大きさに特徴があって、これによって、第１のパッケージＰＫ２１と第２のパッケージＰＫ２２の接続状態を、次に説明のように非接触の透過検査によって簡易に検出できる。

このように構成された第１のパッケージＰＫ２１に対して、第２のパッケージＰＫ２２を図２に示すように搭載させたままにして、接続端子３０の材料の融点以上のリフロー加熱によって溶融し凝固することによって、第１のパッケージＰＫ２１の側のパッド１５に接続端子３０の下端が半田接合され、接続端子３０を介して第１のパッケージＰＫ２１が第２のパッケージＰＫ２２に電気接続される。

溶融された接続端子３０は、開口部３の形状に沿った形で濡れ広がって凝固することで、底面が開口部３の開口形状とほぼ同一の形状となっている。図１（ｂ）はこのようにして形成された積層型半導体モジュールにおける第２のパッケージＰＫ２２と一つの接続端子３０との接続面Ａの断面図、図１（ｃ）は第１のパッケージＰＫ２１と一つの接続端子３０との接続面Ｂの断面図、図１（ｄ）は第１のパッケージＰＫ２１と一つの第１の接続端子２との接続面Ｃの断面図を示している。

このように接続端子３０の凝固した成分で満たされた正常な接合状態の場合の開口部３の四角形は、積層型半導体モジュールを上部方向からＸ線透過装置等により透過観察した場合には、接続端子３０の底面が開口部３の全体に広がっているため、しかも、開口部３の四角形状の外形は第１の接続端子２よりも大きく形成されているため、Ｘ線等での上部からの透過観察において、下層モジュールの第１の接続端子２に接続端子３０が重なる位置にあっても、接続端子３０の接続面の画像が隠れることなく、図４のように接続端子３０の底面すなわち開口部３の四角形状が、その下方に位置している第１の接続端子２の影からはみ出して観察できる。

これに対して、仮に濡れ不良が発生した未接合の場合や、図５（ａ）に示す接続端子３０の左側のＰのように接合不良が生じていると、接続端子３０の底面が開口部３の全体に広がらないため、元の接続端子３０の形状に近い円形状の底面を形成している。この接合不良の積層型半導体モジュールを上部方向からＸ線透過装置等により透過観察した場合には、開口部３やパッド自体は厚み自体も１０μｍ〜２０μｍと薄いために透過画像として鮮明には写らずに、それよりも相対的に厚い、例えば１００μｍ以上の厚さを持つ接続端子３０の未接合の端子画像だけが円形状として極めて鮮明に映し出される。図５（ｂ）のように接合不良個所Ｐの検出例を示す。

図５（ａ）と図５（ｂ）を比較して分かるように、正常な接合時には四角形状、未接合時には元の接続端子の形状としての円形状をそれぞれ確認できるため、第１のパッケージＰＫ２１が第２のパッケージＰＫ２２の接続状態を簡易に検出できる。よって、図３に示した構造の第１のパッケージＰＫ２１を下層モジュールとして使用して積層型半導体モジュールを組み立てることによって、簡単な検査工程だけで高信頼性の積層型半導体モジュールを実現できる。

なお、上記の実施の形態では、開口部３の形状が四角形の場合を例に挙げて説明したが、四角形よりも角部が多い多角形であってもよい。具体例を図６（ａ）〜（ｅ）に示す。
図６（ａ）は開口部３の形状が十字形の場合、図６（ｂ）は開口部３の形状が正方形でコーナにアールを付けた場合、図６（ｃ）は開口部３の形状が五角形の場合、図６（ｄ）は開口部３の形状が正方形でコーナ部分に内側に向かって突出したアールを付けた場合、図６（ｅ）は開口部３の形状は、一部が変形した変形楕円形の場合である。この何れの場合でも開口部３の多角形の外形は、第１の接続端子２の径よりも大きくする。このように、十字形、角部にアールを設けたもの、五角形、辺の一部に円弧を含むような多角形、全て曲線であるが角がある多角形等であってもよい。

なお、開口部３のコーナ部分にアールを付けることで、開口部３のコーナ部分にアールを付け無い場合に比べてレジスト残渣や異物残渣を少なくすることができ、有効である。
なお、開口部３の大きさは、第１の接続端子２の径全体を包む大きさであればよく、その形状全体を隠すような大きさにすればよい。例えば、実際には外部端子径のばらつきレベルとして０．０１ｍｍ以下程度、開口サイズのばらつきも０．０１ｍｍ程度あるため、２乗平均の０．０１５ｍｍ以上に、端子径よりも大きくするのが望ましい。それにより、ほぼ全部の外部接続用端子径に隠れることなく、開口部での接続面が確認できる。

具体的には、φ０．３ｍｍ程度のボール径に対しては□０．３１５ｍｍより大きい四角形のような多角形形状を設定すればよい。また、開口部３と第１の接続端子２を投影面上に見た場合に、開口部３の多角形形状の直線部や角部が見えていると、円形状との差異が明確でわかりやすい。

また、下層モジュールにおいて、上層モジュールの開口部３のピッチと第１の接続端子２のピッチとを等しくすることもできる。ピッチが等しいと、図７に示すように上層および下層モジュールの外部接続用端子は同じ円形状がほぼ同様のサイズで等間隔に並ぶために、上述したような上部からのＸ線やＳＡＴ等の検査で判別が困難であるが、この実施の形態では図４に示すように上層モジュールＰＫ２２が接続される下モジュールの開口部３０は多角形で、下層モジュールの第１の接続端子２の円形状とは異なる形状で、その外形は、下層モジュールの第１の接続端子２の径よりも大きいために容易に透過観察において判別できる。

さらに、上述のような下層モジュールに対して、汎用的なボール形状の接続端子３０を有した上層モジュールを接合、積層した場合には、積層型半導体モジュールの状態で上層モジュールの接続端子３０の底面が多角形の形状を呈し、未接合の部位は円形状のまま残る。このように形状が異なる上に、上層モジュールの接続端子３０の径よりも大きいものである。よって、Ｘ線等による上部からの透過検査において明らかに接合有無が判別できる。

接続端子３０の径よりも大きくない場合には上部から透過させて観察した際には、底面の多角形形状が接続端子３０自体に隠れ、透過画像としてその端子径の円形状が見られ、未接合の場合と判別できない場合がある。また、上記の接続端子の底面形状の変化は接続前後、つまり積層前後のみで上下のそれぞれの半導体モジュールの製造工程においては、特殊な加工は一切なく、パッドの形状を上述のような多角形にするのみであるため、既存工程、汎用的なモジュールを用いることも容易である。また、開口部と外部接続用端子を投影面上に見た場合に、開口部の多角形形状の直線部や角部が見えていると、円形状との差異が明確で分かり易い。つまりここでは開口部３の形状は多角形で、接続端子３０の底面も多角形である。そのサイズについては、上層モジュールの接続端子３０の径より大きい。もしくは下層モジュールの第１の接続端子２の径よりも大きい。加えて双方より大きくてもよい。

上記の各実施の形態では、開口部３の平面形状が第１の接続端子２の平面形状とは異なり、開口部３の外形が第１の接続端子２よりも大きいとしたが、開口部３の平面形状が第１の接続端子２の平面形状とは異なり、第１の接続端子２と開口部３との積層方向に透過検査した状態で開口部３の外形が第１の接続端子２からはみ出していても同様の効果を期待できる。

上記の各実施の形態では、開口部３の平面形状が接続端子３０の平面形状ならびに第１の基板１１の他方の面に形成された第１の接続端子２の平面形状とは異なり、一端が第２の基板２５に接続された接続端子３０の他端が溶融して凝固して開口部３を満たしてパッド１５に接合され、開口部３の外形が接続端子３０ならびに第１の接続端子２よりも大きいとしたが、開口部３の平面形状が接続端子３０の平面形状ならびに第１の基板１１の他方の面に形成された第１の接続端子２の平面形状とは異なり、一端が第２の基板２５に接続された接続端子３０の他端が溶融して凝固して開口部３を満たしてパッド１５に接合され、第１の接続端子２と開口部３との積層方向に透過検査した状態で開口部３の外形が接続端子３０ならびに第１の接続端子２からはみ出していても同様の効果を期待できる。

なお、上記の各実施の形態において、検査対象全てのモジュール間接続端子について、外部接続端子と上層モジュール接続用パッド開口部との積層方向に透過検査した状態で上層モジュール接続用パッド開口部の外形がモジュール間接続端子ならびに外部接続端子からはみ出しているとよい。この場合、簡易な透過検査により検査対象全ての不良の判別ができるので、オープンやショートの電気検査を全く不要にすることもできる。

また、上層モジュール接続用パッドの開口部が、円形状と異形状部分の組み合わせの場合には、透過状態におけるはみだし部分に、外部接続端子との異形状部分を含んでいる。そのことにより、設計制約上、局所的な異形状部分を設ける場合にも、限定された領域でありながら透過検査による判別できる。例えば、外部接続端子の円形状に対して、上記のはみだし部分には直線形状を形成するとよい。

さらに、上層モジュール接続パッド開口部の高さは、モジュール間接続端子高さの半分以下にするとよい。更に具体的には、モジュール間接続端子高さは３００μｍ〜４００μｍであり、パッド表面に対するパッド開口部の高さは５μｍ〜２０μｍである。このようにパッド開口部高さを十分低くすることで、以下の効果が得られる。

本積層型モジュールの特徴的な接続不良として、上層モジュール接続用パッド表面に端子が接触して、電気的導通を一時的にだけ維持している場合がある。この現象は、端子の半田が加熱され溶融した後、パッドにぬれ広がらずに、そのまま固まった状態になり、それがパッド表面に接触するかしないかの位置でほぼ元の端子形状を維持することで生じる。パッド開口部の高さが接続端子に近い高さの場合には、パッドにぬれ広がっていない状態でも、形状がパッド開口部の側面にならって接続端子が溶融するため、上面からの透過形状ではパッド開口部の形状を呈してしまい、この不良現象を透過検査では区分できない。これに対して本発明では、パッド開口部の高さが、接続端子の高さの半分以下と低いため、上記接触のみの異常時とぬれ広がって接続された正常時が、底面の形状の差異によって簡易な透過検査において確認できる。

本発明は、小型デバイス、携帯電話装置やデジタルスチールカメラ、ビデオカメラ等の各種の小型の電子機器の信頼性の向上に寄与する。

ＰＫ２１第１のパッケージ
ＰＫ２２第２のパッケージ
２外部接続端子
３開口部（上層モジュール接続用パッド開口部）
１１第１の基板
１２第１の半導体チップ
１３第１のチップ接続端子
１４導電性接着材
１５上層モジュール接続用パッド
１６アンダーフィル樹脂
２０絶縁膜
２２第２の半導体チップ
２３第１のチップ端子
２４突起電極
２５第２の基板
３０モジュール間接続端子

Claims

一方の面に第１の半導体チップが実装され、他方の面に第１の接続端子が形成された第１の基板の前記一方の面に、前記第１の半導体チップの保持領域外に上層モジュールと電気的に接続可能なパッドを設け、
前記パッドの一部を被覆するよう第１の基板の前記一方の面に形成された絶縁膜に、前記パッドが露出するように開口された開口部が形成され、
前記開口部の平面形状が第１の接続端子の平面形状とは異なり、第１の接続端子と前記開口部との積層方向に透過検査した状態において前記開口部の外形が第１の接続端子からはみ出している
積層用半導体モジュール。
前記開口部のピッチと第１の接続端子のピッチとは等しいことを特徴とする
請求項１に記載の積層用半導体モジュール。
前記開口部の外形が第１の接続端子よりも大きい
請求項１記載の積層用半導体モジュール。
前記開口部の外形が第１の接続端子よりも大きく、かつ前記開口部のピッチと第１の接続端子のピッチとは等しい
請求項１に記載の積層用半導体モジュール。
前記開口部の平面形状が多角形状または変形楕円形、第１の接続端子の平面形状が円形状であり、前記開口部の外形が第１の接続端子の径よりも大きい
請求項１記載の積層用半導体モジュール。
前記開口部の平面形状が多角形状または変形楕円形、第１の接続端子の平面形状が円形状であり、前記開口部の外形が第１の接続端子の径よりも大きく、かつ前記開口部のピッチと第１の接続端子のピッチとは等しい
請求項１に記載の積層用半導体モジュール。
前記開口部の平面形状が多角形状または変形楕円形、第１の接続端子の平面形状が円形状であり、前記開口部の外形が第１の接続端子の径よりも大きく、かつ第１の接続端子の径に対して、前記開口部の外形が１５μｍ以上大きい
請求項１に記載の積層用半導体モジュール。
一方の面に第１の半導体チップが実装された第１の基板の前記一方の面に、第２の半導体チップが実装された第２の基板を積層して第１の基板と第２の基板の間を第２の接続端子で接続して実装した積層型半導体モジュールであって、
第１の基板の前記一方の面の第１の半導体チップの保持領域外に第２の基板と電気的に接続可能なパッドを設け、
前記パッドの一部を被覆するよう第１の基板の前記一方の面に形成された絶縁膜に、前記パッドが露出するように開口された開口部が形成され、
前記開口部の平面形状が第２の接続端子の平面形状ならびに第１の基板の他方の面に形成された第１の接続端子の平面形状とは異なり、
一端が第２の基板に接続された第２の接続端子の他端が溶融して凝固して前記開口部を満たして前記パッドに接合され、第１の接続端子と前記開口部との積層方向に透過検査した状態において前記開口部の外形が第２の接続端子ならびに第１の接続端子からはみ出している
積層型半導体モジュール。
前記開口部の高さは、前記第２の接続端子の高さの半分以下である
請求項８記載の積層型半導体モジュール。
前記開口部の外形は、第２の接続端子の径よりも１５μｍ以上大きい
請求項８に記載の積層型半導体モジュール。
前記開口部の平面形状が第２の接続端子の平面形状ならびに第１の基板の他方の面に形成された第１の接続端子の平面形状とは異なり、
一端が第２の基板に接続された第２の接続端子の他端が溶融して凝固して前記開口部を満たして前記パッドに接合され、
前記開口部の外形が第２の接続端子ならびに第１の接続端子よりも大きい
請求項８記載の積層型半導体モジュール。
前記開口部の平面形状が第２の接続端子の平面形状ならびに第１の基板の他方の面に形成された第１の接続端子の平面形状とは異なり、
一端が第２の基板に接続された第２の接続端子の他端が溶融して凝固して前記開口部を満たして前記パッドに接合され、
前記開口部の外形が第２の接続端子ならびに第１の接続端子よりも大きく、かつ前記開口部の高さは、前記第２の接続端子の高さの半分以下である
請求項８記載の積層型半導体モジュール。
前記開口部の平面形状が多角形状または変形楕円形に形成され、
一端が第２の基板に接続された第２の接続端子の他端が溶融して凝固して前記開口部を満たして前記パッドに接合され、
第２の接続端子の平面形状ならびに第１の基板の他方の面に形成された第１の接続端子の平面形状が円形状であり、前記開口部の外形が第２の接続端子ならびに第１の接続端子の径よりも大きい
請求項８記載の積層型半導体モジュール。
前記開口部の平面形状が多角形状または変形楕円形に形成され、
一端が第２の基板に接続された第２の接続端子の他端が溶融して凝固して前記開口部を満たして前記パッドに接合され、
第２の接続端子の平面形状ならびに第１の基板の他方の面に形成された第１の接続端子の平面形状が円形状であり、前記開口部の外形が第２の接続端子ならびに第１の接続端子の径よりも大きく、かつ前記開口部の高さは、前記第２の接続端子の高さの半分以下である
請求項８記載の積層型半導体モジュール。