JP2011001262A - 単結晶シリコンインゴットの成長プロセスを制御する方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カメラは成長するシリコンインゴットとシリコン融液との界面リングの画像を取得する。画像プロセッサは取得された画像から局所強度最大点を抽出し、次いで局所強度最大点を形成する画素の属性を含む画像データへデジタル化される。アナライザは、画像データを統計的に分析して、界面リングを統計的に再現する式のパラメータを導く。確率フィルタは、それぞれの画素が重み係数により重み付けされた式に対して統計分析を実行する。重み係数は界面リングを表さない画素により引き起こされるノイズの効果を弱める働きをする。統計分析は、更新されたパラメータを使用して繰り返して、ノイズの効果を徐々に弱めてシリコンインゴットの満足に正確な直径を得ることができる。
【選択図】図5
Description
r2=(x−x0)2+(y−y0)2 (3)
ここで、rは界面リングの半径を表し、{x0,y0}は界面リングの中心の位置を表す。上記円の方程式は、以下の線形方程式に変換できる。
z=a+bx+cy (4)
ここで、
z=x2+y2 (5)
a=r2−x0 2−y0 2 (6)
b=2x0 (7)
c=2y0 (8)
式(4)は、次いで円回帰分析を受け、最小自乗法が実行される。
最小自乗法において、式(4)は、i番目の画素について、a,b及びcに関して以下の条件を満足しなければならない。
Claims (34)
- チョクラルスキプロセスによりシリコン融液から単結晶シリコンインゴットを成長させる方法であって、
前記シリコン融液から成長する前記シリコンインゴットの画像を取得するステップと、
前記取得画像を処理して、少なくとも前記成長するシリコンインゴットと前記シリコン融液との界面の輪郭を形成する画素の属性を含む画像データを得るステップであって、前記画素の属性が前記画素の位置及び強度の少なくとも1つである、ステップと、
前記画像データを分析して、前記界面の輪郭を統計的に再現する方程式のパラメータを導出するステップであって、前記パラメータの1つが前記シリコンインゴットの直径に関するものである、ステップと、
各画素が該各画素の属性の関数である重み係数により重み付けされた前記画像データに前記統計分析を実施して前記パラメータを更新するステップと、
を含む方法。 - 前記取得画像の処理は前記取得画像の拡大を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記取得された画像の処理は、以下の2つの副プロセス、
前記取得画像における局所強度最大点を表すためにハイパスフィルタリングを適用して前記取得画像から背景を除去するステップと、
前記取得画像から関心領域を抽出するためにROIマスキングを適用するステップと、
を含むことを特徴とする、請求項2に記載の方法。 - 前記取得画像の処理は、前記局所強度最大点を強調するように、前記拡大された取得画像と前記局所強度最大点を掛け合わせるステップを含むことを特徴とする、請求項3に記載の方法。
- 前記取得画像の処理は、
前記強調された局所強度最大点の内、該強調された局所強度最大点により表される最大強度の第1の分数値を超える局所最大点の強度を平均化するステップと、
第2の分数値を前記平均強度に掛け合わせるステップと、
により決定される動的閾値を使用して、前記強調された局所強度最大点の点を抽出するステップを含むことを特徴とする、請求項4に記載の方法。 - 前記第1の分数値は0.2であり、前記第2の分数値は0.7であることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記取得画像の処理は、カメラパースペクティブ投影法において前記抽出された点を、融液表面に平行で、カメラレンズまでの単位距離により正規化された仮想面にカメラパースペクティブ投影を使用して投影するステップを含むことを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記画像データを統計的に分析するステップは、前記仮想面における円パラメータを決定するために前記仮想面に投影された点に回帰分析を実行するステップを含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 前記回帰分析は、以下の方程式、
z=a+bx+cy
ここで
z=x2+y2
a=r2−x0 2−y0 2
b=2x0
c=2y0
に対して行われることを特徴とする、請求項8に記載の方法。 - 更新されたパラメータを使用して、前記統計分析を繰り返し実行するステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記重み係数は、前記各画素の強度である前記各画素の属性の関数であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記重み係数は前記各画素の前記方程式の解のグラフからの位置偏差の関数であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記各画素の位置偏差は以下の式、
で表されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。 - 前記重み係数は、更に前記各画素の位置偏差及び前記各画素の位置偏差の標準偏差の関数であることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 前記標準偏差は、以下の式、
で表されることを特徴とする、請求項14に記載の方法。 - 前記重み係数は、位置偏差が前記標準偏差よりも相対的に大きい画素は、前記統計分析においてより重要ではないように構成されることを特徴とする、請求項14に記載の方法。
- 前記重み係数は以下の式、
- チョクラルスキプロセスによりシリコン融液から単結晶シリコンインゴットを成長させる装置であって、
前記シリコン融液から成長するシリコンインゴットの画像を取得するように構成された画像センサと、
前記取得画像を処理して、少なくとも前記成長するシリコンインゴットと前記シリコン融液との間の界面の輪郭を形成する画素の属性を含む画像データを得るように構成された画像プロセッサであって、前記画素の属性が少なくとも前記画素の位置及び強度の1つである、画像プロセッサと、
前記画像データを統計的に分析して、前記界面の輪郭を統計的に再現する方程式のパラメータを導出するように構成されたアナライザであって、前記パラメータの1つが前記シリコンインゴットの直径に関するものである、アナライザと、
各画素が該各画素の属性の関数である重み係数により重み付けされた前記画像データに前記統計分析を実行して前記パラメータを更新するように構成されている確率フィルタと、
を具えることを特徴とする装置。 - 前記画像プロセッサは前記取得画像を拡大することを特徴とする、請求項18に記載の装置。
- 前記画像プロセッサは、次の2つの処理、
前記取得画像における局所強度最大点を表すためにハイパスフィルタリングを適用して前記取得画像から背景を除去するステップと、
前記取得画像から関心領域を抽出するためにROIマスキングを適用するステップと、を実施することを特徴とする、請求項19に記載の装置。 - 前記画像プロセッサは、前記局所強度最大点を強調するために前記拡大された取得画像と前記局所強度最大点とを掛け合わせることを特徴とする、請求項20に記載の装置。
- 前記画像プロセッサは、
前記強調された局所強度最大点の内、該強調された局所強度最大点により表される最大強度の第1の分数値を超える局所最大点の強度を平均化するステップと、
第2の分数比を前記平均強度に掛け合わせるステップと、
により決定される動的閾値を用いて、前記強調された局所強度最大点の点を抽出することを特徴とする、請求項21に記載の装置。 - 前記第1の分数値は0.2、前記第2の分数値は0.7であることを特徴とする、請求項22に記載の装置。
- 前記画像プロセッサは、カメラパースペクティブ投影における前記抽出された点を、融液表面に平行で、カメラレンズまでの単位距離により正規化された仮想面にカメラパースペクティブ投影を使用して投影することを特徴とする、請求項22に記載の装置。
- 前記アナライザは、前記仮想面における円パラメータを決定するように前記投影された点に回帰分析を実行することを特徴とする、請求項22に記載の装置。
- 前記回帰分析は、以下の方程式、
z=a+bx+cy
ここで
z=x2+y2
a=r2−x0 2−y0 2
b=2x0
c=2y0
に対して行われることを特徴とする、請求項25に記載の装置。 - 更新されたパラメータを使用して、前記統計分析を繰り返し実行することを特徴とする、請求項18に記載の装置。
- 前記重み係数は、前記各画素の強度である前記各画素の属性の関数であることを特徴とする、請求項18に記載の装置。
- 前記重み係数は前記各画素の前記方程式の解のグラフからの位置偏差の関数であることを特徴とする、請求項18に記載の装置。
- 前記各画素の位置偏差は以下の式、
で表されることを特徴とする、請求項29に記載の装置。 - 前記重み係数は、更に前記各画素の位置偏差及び前記各画素の位置偏差の標準偏差の関数であることを特徴とする、請求項29に記載の装置。
- 前記標準偏差は、以下の式、
で表されることを特徴とする、請求項31に記載の装置。 - 前記重み係数は、位置偏差が前記標準偏差よりも相対的に大きい画素は、前記統計分析においてより重要ではないように構成されることを特徴とする、請求項27に記載の装置。
- 前記重み係数は以下の式、
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013216505A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造装置、シリコン単結晶の製造方法 |
JP2013216556A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-24 | Sumco Corp | 単結晶引き上げ方法 |
JP2016121023A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法 |
KR101781463B1 (ko) | 2015-12-23 | 2017-10-23 | 에스케이실트론 주식회사 | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 성장 방법 |
CN107818559A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-03-20 | 太原理工大学 | 晶体接种状态检测方法和晶体接种状态图像的采集装置 |
CN111366113A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-03 | 陕西梵翌琨机电科技有限公司 | 单晶硅棒测量模块及其晶体生长系统 |
KR20210072073A (ko) * | 2018-10-12 | 2021-06-16 | 실트로닉 아게 | 용융물로부터 cz 법에 의해 반도체 재료의 단결정을 인상하기 위한 장치 및 장치를 사용하는 방법 |
WO2021215057A1 (ja) * | 2020-04-20 | 2021-10-28 | 株式会社Sumco | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101623641B1 (ko) * | 2014-08-04 | 2016-05-23 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳성장장치 |
CN106591944B (zh) * | 2015-10-15 | 2018-08-24 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 单晶硅锭及晶圆的形成方法 |
KR101800272B1 (ko) * | 2015-12-23 | 2017-12-20 | 에스케이실트론 주식회사 | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 성장 방법 |
KR101841550B1 (ko) * | 2015-12-23 | 2018-03-23 | 에스케이실트론 주식회사 | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 성장 방법 |
CN108344742B (zh) * | 2018-04-13 | 2020-06-05 | 太原理工大学 | 一种基于多帧图像运动信息的蓝宝石接种检测装置和方法 |
JP6935790B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2021-09-15 | 株式会社Sumco | 石英るつぼ内周面の評価方法及び石英るつぼ内周面の評価装置 |
US11414778B2 (en) * | 2019-07-29 | 2022-08-16 | Globalwafers Co., Ltd. | Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot |
CN111254484B (zh) * | 2020-01-17 | 2022-05-13 | 曲靖师范学院 | 一种高通量单晶生长装置 |
CN111429508B (zh) * | 2020-03-19 | 2021-08-31 | 亚洲硅业(青海)股份有限公司 | 硅芯炉控制系统及方法 |
JP7342822B2 (ja) * | 2020-09-03 | 2023-09-12 | 株式会社Sumco | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 |
CN114046755A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-02-15 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 获取直拉法拉制硅棒的实时长度的装置、方法及拉晶炉 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001518443A (ja) * | 1997-09-30 | 2001-10-16 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | シリコン結晶の成長を制御する方法及びシステム |
JP2003012396A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Mitsubishi Materials Corp | 結晶形状測定装置および結晶形状測定方法およびプログラムおよび記録媒体 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5653799A (en) * | 1995-06-02 | 1997-08-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
US5656078A (en) * | 1995-11-14 | 1997-08-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Non-distorting video camera for use with a system for controlling growth of a silicon crystal |
US6171391B1 (en) * | 1998-10-14 | 2001-01-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system for controlling growth of a silicon crystal |
-
2009
- 2009-06-18 US US12/456,552 patent/US8545623B2/en active Active
-
2010
- 2010-06-17 JP JP2010138559A patent/JP5485808B2/ja active Active
- 2010-06-18 TW TW099119923A patent/TWI447271B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001518443A (ja) * | 1997-09-30 | 2001-10-16 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | シリコン結晶の成長を制御する方法及びシステム |
JP2003012396A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Mitsubishi Materials Corp | 結晶形状測定装置および結晶形状測定方法およびプログラムおよび記録媒体 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10472733B2 (en) | 2012-04-04 | 2019-11-12 | Sumco Corporation | Silicon single crystal manufacturing method |
US9567692B2 (en) | 2012-04-04 | 2017-02-14 | Sumco Corporation | Silicon single crystal manufacturing apparatus and silicon single crystal manufacturing method |
JP2013216505A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造装置、シリコン単結晶の製造方法 |
JP2013216556A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-24 | Sumco Corp | 単結晶引き上げ方法 |
JP2016121023A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法 |
KR101781463B1 (ko) | 2015-12-23 | 2017-10-23 | 에스케이실트론 주식회사 | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 성장 방법 |
CN107818559A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-03-20 | 太原理工大学 | 晶体接种状态检测方法和晶体接种状态图像的采集装置 |
KR20210072073A (ko) * | 2018-10-12 | 2021-06-16 | 실트로닉 아게 | 용융물로부터 cz 법에 의해 반도체 재료의 단결정을 인상하기 위한 장치 및 장치를 사용하는 방법 |
KR102537117B1 (ko) * | 2018-10-12 | 2023-05-26 | 실트로닉 아게 | 용융물로부터 cz 법에 의해 반도체 재료의 단결정을 인상하기 위한 장치 및 장치를 사용하는 방법 |
CN111366113A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-03 | 陕西梵翌琨机电科技有限公司 | 单晶硅棒测量模块及其晶体生长系统 |
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