JP2010538143A5 - - Google Patents

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  1. (1)下記の化学式1で示される化合物;(2)下記の化学式2で示される化合物;並びに(3)下記の化学式3で示される化合物及び下記の化学式4で示される化合物からなる群より選択される一つ以上の化合物から生成される加水分解物の縮合重合体を含む、半導体微細ギャップ充填用重合体:
    Figure 2010538143
    式中、nは0〜2であり、各Rは炭素数1〜6のアルキル基である;
    Figure 2010538143
    式中、Xは炭素数6〜12のアリール基であり、nは0〜2であり、Rは炭素数1〜6のアルキル基である;
    Figure 2010538143
    式中、R及びR’は、それぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基である;
    Figure 2010538143
    式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基である。
  2. 前記縮合重合体が、下記の化学式5で示される化合物である、請求項1に記載の半導体微細ギャップ充填用重合体:
    Figure 2010538143
    式中、s、t、u及びvは、s+t+u+v=1、0.05≦s≦0.9、0≦t≦0.9、0.05≦u≦0.9、及び0.05≦v≦0.9を満たし、Xは炭素数6〜12のアリール基であり、R’は炭素数1〜6のアルキル基であり、l及びmは、それぞれ独立して、0〜2であり、nは12〜2,000である。
  3. 前記縮合重合体が、全化合物の合計100重量部を基準として、前記化学式1で示される化合物5〜90重量部、前記化学式2で示される化合物5〜90重量部、及び前記化学式3で示される化合物5〜90重量部を、5〜900重量部の溶媒下で反応させて生成された加水分解物の縮合重合体である、請求項1または2に記載の半導体微細ギャップ充填用重合体。
  4. 前記縮合重合体が、全化合物の合計100重量部を基準として、前記化学式1で示される化合物5〜85重量部、前記化学式2で示される化合物5〜85重量部、前記化学式3で示される化合物5〜85重量部、及び前記化学式4で示される化合物5〜85重量部を、5〜900重量部の溶媒下で反応させて生成された加水分解物の縮合重合体である、請求項1または2に記載の半導体微細ギャップ充填用重合体。
  5. 前記縮合重合体が、1,000〜100,000の重量平均分子量を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体微細ギャップ充填用重合体。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体微細ギャップ充填用重合体及び有機溶媒を含む、半導体微細ギャップ充填用組成物。
  7. 前記縮合重合体が、前記半導体微細ギャップ充填用組成物100重量部を基準として、1〜50重量部含まれる、請求項6に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
  8. 架橋剤及び酸触媒をさらに含む、請求項6または7に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
  9. 前記架橋剤が、メラミン系架橋剤、置換尿素系架橋剤、エポキシ基を含む重合体、これらの誘導体、及びこれらの混合物からなる群より選択される一つ以上である、請求項8に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
  10. 前記架橋剤を、前記半導体微細ギャップ充填用重合体100重量部を基準として、0.1〜30重量部含む、請求項8または9に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
  11. 前記酸触媒が、鉱酸、スルホン酸、シュウ酸、マレイン酸、ヘキサミックシクロヘキシルスルホン酸、フタル酸、及びこれらの混合物からなる群より選択されることを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
  12. 前記酸触媒を、前記半導体微細ギャップ充填用重合体100重量部を基準として、0.01〜10重量部含む、請求項8〜11のいずれか1項に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
  13. 有機または無機無水物から選択される少なくとも一つ以上の安定化剤をさらに含む、請求項6〜12のいずれか1項に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
  14. 前記安定剤を、前記半導体微細ギャップ充填用重合体100重量部を基準として、0.01〜10重量部含む、請求項13に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
  15. 前記有機溶媒が、アルコール、エステル、エーテル、環状ケトン、及びこれらの混合物からなる群より選択される一つ以上である、請求項6〜14のいずれか1項に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
  16. 前記有機溶媒を、前記半導体微細ギャップ充填用重合体100重量部を基準として、100〜3,000重量部含む、請求項6〜15のいずれか1項に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
  17. 界面活性剤をさらに含む、請求項6〜16のいずれか1項に記載の半導体微細ギャップ充填用組成物。
JP2010523924A 2007-09-06 2007-12-31 ギャップ充填特性が改善された半導体微細ギャップ充填用有機シラン系重合体及びこれを利用した半導体微細ギャップ充填用コーティング組成物 Active JP5345624B2 (ja)

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