JP2010528578A - 常時オン状態のスイッチを採用するハーフブリッジ回路及びこの回路内における意図しない電流を防止する方法 - Google Patents
常時オン状態のスイッチを採用するハーフブリッジ回路及びこの回路内における意図しない電流を防止する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010528578A JP2010528578A JP2010509517A JP2010509517A JP2010528578A JP 2010528578 A JP2010528578 A JP 2010528578A JP 2010509517 A JP2010509517 A JP 2010509517A JP 2010509517 A JP2010509517 A JP 2010509517A JP 2010528578 A JP2010528578 A JP 2010528578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- circuit
- source
- gate
- normally
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 12
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 32
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 17
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethylsilyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound C[Si](C)(C)CCCS(O)(=O)=O TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/163—Soft switching
- H03K17/164—Soft switching using parallel switching arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08128—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K2017/6875—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors using self-conductive, depletion FETs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0036—Means reducing energy consumption
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Description
Issa Batarseh, Power Electronic Circuits. Wiley, ISBN 0-471-12662-4, 2004, pp. 224-225 Issa Batarseh, Power Electronic Circuits. Wiley, ISBN 0-471-12662-4, 2004, pp. 426-427 N. Mohan, T. M. Undeland, and W. P. Robbins, Power Electronics . Wiley, ISBN 0-471-58408-8, 1995, p. 225 S. Abedinpour and K. Shenai, "Insulated Gate Bipolar Transistor," Power Electronics Handbook, ed. M. Rashid. Academic Press, ISBN 0-12-581650-2, 2001, pp. 109-110 M. S. Mazzola, L. Cheng, J. Casady, D. Seale, V. Bondarenko, R. Kelley, and J. Casady, "Scalable SiC Power Switches for Applications in More Electric Vehicles," Proc. of 6th Int. All Electric Combat Vehicle Conf., AECV 2005, Bath, England 13-16 June, 2005 H. Akagi, T. Sawae, and A. Nabae, "130 kHz 7.5 kW current source inverters using static induction transistors for induction heating applications," IEEE Trans. Power Electronics, vol. 3, no. 3, pp. 303-309, 1988
Claims (25)
- 電源、ドレイン及びゲートを有する第1の常時オン状態のスイッチと、
電源、ドレイン及びゲートを有する第2の常時オン状態のスイッチと、
前記第1の常時オン状態のスイッチの前記ゲート及び前記ソースの間で電気的に接続された第1のゲートドライバと、
前記第2の常時オン状態のスイッチの前記ゲート及び前記ソースの間で電気的に接続された第2のゲートドライバと、
前記第1のスイッチの前記ドレイン及び前記ソースをはさんで電気的に並列接続される第1の振動電源と、
前記第2のスイッチの前記ドレイン及び前記ソースをはさんで電気的に並列接続される第2の振動電源を備える回路であって、
前記第1の常時オン状態のスイッチの前記ソースは負荷に電気的に接続され、前記第1の常時オン状態のスイッチの前記ドレインは供給電圧に電気的に接続され、
前記第2の常時オン状態のスイッチの前記ソースは共通電圧に電気的に接続され、前記第2の常時オン状態のスイッチの前記ドレインは前記負荷に電気的に接続され、
前記第1の電源は、前記第1のゲートドライバに電力を供給するよう構成されることにより、前記第1の電源への供給電力に付加された一定の電圧で、前記第1のゲートドライバによって前記第1のスイッチの前記ゲートへ供給されることが可能な出力電圧を生成し、
前記第2の電源は、前記第2のゲートドライバに電力を供給するよう構成されることにより、前記第2の電源への供給電力に付加された一定の電圧で、前記第2のゲートドライバによって前記第2のスイッチの前記ゲートへ供給されることが可能な出力電圧を生成することを特徴とする回路。 - 前記第1の電源の前記入力−出力特性が前記第1のスイッチの特性と調和することにより、前記第1のスイッチは、前記電源に付加された0から600Vの電圧範囲の少なくとも50%を上回る能動電流制限モードにあり、
また前記第2の電源の前記入力−出力特性が前記第2のスイッチの特性と調和することにより、前記第2のスイッチは、前記電源に付加された0から600Vの電圧範囲の少なくとも50%を上回る能動電流制限モードにあることを特徴とする請求項1記載の回路。 - 前記第1の電源の前記入力−出力特性が前記第1のスイッチの特性と調和することにより、前記第1のスイッチは、前記電源に付加された0から600Vの電圧範囲の少なくとも75%を上回る能動電流制限モードにあり、
また前記第2の電源の前記入力−出力特性が前記第2のスイッチの特性と調和することにより、前記第2のスイッチは、前記電源に付加された0から600Vの電圧範囲の少なくとも75%を上回る能動電流制限モードにあることを特徴とする請求項1記載の回路。 - 前記第1の振動電源の前記入力−出力特性が前記第1のスイッチの特性と調和することにより、前記第1のスイッチは受動電流制限モードにある場合オーバーヒートせず、
また前記第2の振動電源の前記入力−出力特性が前記第2のスイッチの特性と調和することにより、前記第2のスイッチは受動電流制限モードにある場合オーバーヒートしないことを特徴とする請求項1記載の回路。 - 前記第1のゲートドライバ及び前記第2のゲートドライバの夫々がトーテムポールドライバを備えることを特徴とする請求項1記載の回路。
- 前記第1の常時オン状態のスイッチ及び前記第2の常時オン状態のスイッチがJFET(junction field effect transistor:接合型電界効果トランジスタ)であることを特徴とする請求項1記載の回路。
- 前記第1の振動電源及び前記第2の振動電源の夫々が自励振動電源であることを特徴とする請求項1記載の回路。
- 前記第1の振動電源及び前記第2の振動電源の夫々が非絶縁であることを特徴とする請求項1記載の回路。
- 前記第1の常時オン状態のスイッチ及び前記第2の常時オン状態のスイッチの夫々がSiC JFETであることを特徴とする請求項6記載の回路。
- 前記第1の振動電源及び前記第2の振動電源が夫々Cukコンバータであることを特徴とする請求項8記載の回路。
- 請求項1に記載される少なくとも一つの回路を備えることを特徴とする電気装置。
- 請求項1に記載される並列に配された3つの回路を備える電気装置であって、前記装置は三相モータ駆動であることを特徴とする電気装置。
- ソース、ドレイン及びゲートを有する第1の常時オン状態のスイッチと、
ソース、ドレイン及びゲートを有する第2の常時オン状態のスイッチと、
前記第1の常時オン状態のスイッチの前記ゲート及び前記ソースの間で電気的に接続された第1のゲートドライバと、
前記第2の常時オン状態のスイッチの前記ゲート及び前記ソースの間で電気的に接続された第2のゲートドライバと、
電圧ソース及び共通電圧をはさんで電気的に接続された振動電源を備える回路であって、
前記第1の常時オン状態のスイッチの前記ソースは負荷に電気的に接続され、前記第1の常時オン状態のスイッチの前記ドレインは供給電圧に電気的に接続され、
前記第2の常時オン状態のスイッチの前記ソースは前記共通電圧に電気的に接続され、前記第2の常時オン状態のスイッチの前記ドレインは前記負荷に電気的に接続され、
前記電源は、前記第1及び前記第2のゲートドライバに電力を供給するよう構成されることにより、前記電源への供給電力に付加した一定の電圧で、前記第1のゲートドライバによって前記第1のスイッチの前記ゲートへ供給されることが可能な第1の出力電圧、及び前記第2のゲートドライバによって前記第2のスイッチの前記ゲートへ供給されることが可能な第2の出力電圧を生成することを特徴とする回路。 - 前記電源の前記入力−出力特性が前記第1及び第2のスイッチの特性と調和することにより、前記第1及び第2のスイッチは、前記電源に付加した0から600Vの電圧範囲の少なくとも50%を上回る能動電流制限モードにあることを特徴とする請求項13記載の回路。
- 前記電源の前記入力−出力特性が前記第1及び第2のスイッチの特性と調和することにより、前記第1及び第2のスイッチは、前記電源に付加した0から600Vの電圧範囲の少なくとも75%を上回る能動電流制限モードにあることを特徴とする請求項13記載の回路。
- 前記電源の前記入力−出力特性が前記第1及び第2のスイッチの特性と調和することにより、前記第1及び第2のスイッチは受動電流制限モードにある場合オーバーヒートしないことを特徴とする請求項13記載の回路。
- 前記第1のゲートドライバ及び前記第2のゲートドライバの夫々がトーテムポールドライバを備えることを特徴とする請求項13記載の回路。
- 前記第1の常時オン状態のスイッチがJFETであることを特徴とする請求項13記載の回路。
- 前記振動電源が自励振動電源であることを特徴とする請求項13記載の回路。
- 前記振動電源が非絶縁であることを特徴とする請求項19記載の回路。
- 前記第1の常時オン状態のスイッチ及び前記第2の常時オン状態のスイッチの夫々がSiC JFETであることを特徴とする請求項18記載の回路。
- 請求項13に記載される少なくとも一つの回路を備えることを特徴とする電気装置。
- 請求項13に記載される並列に配された3つの回路を備える電気装置であって、前記装置は三相モータ駆動であることを特徴とする電気装置。
- 前記外部制御装置が第1のゲートドライバを介して前記第1のスイッチを偏向し、オン抵抗を最小化するよう構成される外部制御装置をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の回路。
- 前記第1のゲートドライバが前記第1のスイッチ(VGS)の前記ゲートにバイアス電圧を付加するよう構成され、前記バイアス電圧は、前記外部制御装置がオン抵抗を最小化するよう前記第1のスイッチを偏向させない場合、前記第1の電源(−Vss)の出力に等しいことを特徴とする請求項24記載の回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/802,388 US7602228B2 (en) | 2007-05-22 | 2007-05-22 | Half-bridge circuits employing normally on switches and methods of preventing unintended current flow therein |
US11/802,388 | 2007-05-22 | ||
PCT/US2008/064339 WO2008147801A2 (en) | 2007-05-22 | 2008-05-21 | Half-bridge circuits employing normally on switches and methods of preventing unintended current flow therein |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010528578A true JP2010528578A (ja) | 2010-08-19 |
JP5563445B2 JP5563445B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=39810257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010509517A Expired - Fee Related JP5563445B2 (ja) | 2007-05-22 | 2008-05-21 | 常時オン状態のスイッチを採用するハーフブリッジ回路及びこの回路内における意図しない電流を防止する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7602228B2 (ja) |
EP (1) | EP2160824A2 (ja) |
JP (1) | JP5563445B2 (ja) |
KR (1) | KR101421770B1 (ja) |
CN (1) | CN101772881B (ja) |
CA (1) | CA2724431A1 (ja) |
WO (1) | WO2008147801A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018531577A (ja) * | 2015-09-21 | 2018-10-25 | シンプトート テクノロジーズ エルエルシー | 回路を保護するための単一トランジスタデバイスおよびそのための自己触媒電圧変換 |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4317825B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2009-08-19 | 三菱重工業株式会社 | インバータ装置 |
US7602228B2 (en) * | 2007-05-22 | 2009-10-13 | Semisouth Laboratories, Inc. | Half-bridge circuits employing normally on switches and methods of preventing unintended current flow therein |
FR2928058B1 (fr) * | 2008-02-21 | 2010-02-19 | Schneider Toshiba Inverter | Variateur de vitesse incluant un dispositif de protection contre les surintensites et les surtensions. |
DE102008034109B4 (de) * | 2008-07-21 | 2016-10-13 | Dspace Digital Signal Processing And Control Engineering Gmbh | Schaltung zur Nachbildung einer elektrischen Last |
JPWO2010100934A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2012-09-06 | 三菱電機株式会社 | 漏れ電流低減装置 |
NZ596253A (en) * | 2009-05-11 | 2014-02-28 | Power Integrations Inc | Gate driver for enhancement-mode and depletion-mode wide bandgap semiconductor jfets |
US8130023B2 (en) * | 2009-11-23 | 2012-03-06 | Northrop Grumman Systems Corporation | System and method for providing symmetric, efficient bi-directional power flow and power conditioning |
US8395873B2 (en) | 2010-06-09 | 2013-03-12 | Hamilton Sundstrand Corporation | SSPC with dual fault detectors |
US9018985B2 (en) * | 2010-08-04 | 2015-04-28 | Rohm Co., Ltd. | Power module and output circuit |
CN103280950B (zh) * | 2011-07-20 | 2015-12-09 | 日银Imp微电子有限公司 | 一种用于三相桥式驱动的智能功率模块 |
CN103280949B (zh) * | 2011-07-20 | 2015-04-29 | 日银Imp微电子有限公司 | 一种用于三相桥式驱动的智能功率模块 |
KR101874414B1 (ko) | 2012-04-05 | 2018-07-04 | 삼성전자주식회사 | 하이측 게이트 드라이버, 스위칭 칩, 및 전력 장치 |
KR102038119B1 (ko) | 2012-11-09 | 2019-10-29 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치, 전원 공급 장치 및 전원 공급 방법 |
US9143078B2 (en) * | 2012-11-29 | 2015-09-22 | Infineon Technologies Ag | Power inverter including SiC JFETs |
US9673692B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-06-06 | Nxp Usa, Inc. | Application of normally closed power semiconductor devices |
US9100010B2 (en) * | 2013-08-14 | 2015-08-04 | Texas Instruments Incorporated | Cascoded H-bridge pre-driver |
CN105556819B (zh) * | 2013-09-27 | 2018-05-25 | 通用电气航空系统有限责任公司 | 具有改进的击穿免疫性的逆变器 |
EP2966768A4 (en) * | 2013-10-02 | 2017-03-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Three-level inverter |
CN108988836B (zh) * | 2013-12-16 | 2023-02-28 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 控制方法及功率电路的封装结构 |
JP6425380B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-11-21 | ローム株式会社 | パワー回路およびパワーモジュール |
US9625281B2 (en) * | 2014-12-23 | 2017-04-18 | Infineon Technologies Ag | Fail-safe operation of an angle sensor with mixed bridges having separate power supplies |
CN106160480B (zh) | 2015-04-03 | 2019-07-05 | 台达电子工业股份有限公司 | 功率变换器装置 |
US10205313B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-02-12 | Symptote Technologies, LLC | Two-transistor devices for protecting circuits from sustained overcurrent |
CN105552828A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-05-04 | 南京航空航天大学 | 一种自供电双向直流固态断路器 |
CN105514929A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-04-20 | 南京航空航天大学 | 一种基于常通型SiC器件的自供电直流固态断路器 |
CN105634261B (zh) * | 2016-03-01 | 2018-05-18 | 南京航空航天大学 | 一种具有直通保护的常通型SiC JFET驱动电路 |
US9994110B2 (en) * | 2016-08-30 | 2018-06-12 | Ford Global Technologies, Llc | Dual gate solid state devices to reduce switching loss |
US10122294B2 (en) * | 2016-12-01 | 2018-11-06 | Ford Global Technologies, Llc | Active gate clamping for inverter switching devices with enhanced common source inductance |
US10972093B2 (en) | 2018-01-30 | 2021-04-06 | Delta Electronics, Inc. | Auxiliary circuit and power converter |
US11309887B2 (en) | 2018-02-09 | 2022-04-19 | Delta Electronics, Inc. | Conversion circuit |
US10784768B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-09-22 | Delta Electronics, Inc. | Conversion circuit and conversion circuitry |
US10784770B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-09-22 | Delta Electronics, Inc. | Conversion circuit |
US10734882B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-08-04 | Delta Electronics, Inc. | Conversion circuit |
CN108258799A (zh) * | 2018-03-26 | 2018-07-06 | 广东电网有限责任公司 | 一种基于高速碳化硅静态开关的控制系统 |
CN109768532A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-05-17 | 安徽工业大学 | 一种SiC大电流自供电直流固态断路器及直流电源系统 |
US11799371B2 (en) * | 2019-08-21 | 2023-10-24 | Ford Global Technologies, Llc | Automotive power converter with rail-powered clamping circuitry |
US10998843B2 (en) | 2019-09-23 | 2021-05-04 | Power Integrations, Inc. | External adjustment of a drive control of a switch |
CN112821725B (zh) * | 2020-12-21 | 2022-04-15 | 中国航天时代电子有限公司 | 一种常通型固态功率控制器 |
US11437911B2 (en) | 2020-12-22 | 2022-09-06 | Power Integrations, Inc. | Variable drive strength in response to a power converter operating condition |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0287965A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-03-28 | Thomson Csf | Cuk型直流/直流電圧変換器およびこのような電圧変換器で直流変換された電源供給システム |
JPH08126350A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Nissin Electric Co Ltd | インテリジェントパワーモジュールの電源回路 |
JP2003070234A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Toshiba Corp | 自己消弧型素子のゲート電源装置 |
JP2004201453A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Nissan Motor Co Ltd | 直流3相ブラシレスモータの駆動装置 |
JP2006314154A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電力変換器 |
JP2007006658A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Hitachi Ltd | 電界効果型パワー半導体素子とこれを用いた半導体回路 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4002931A (en) | 1975-06-27 | 1977-01-11 | Intel Corporation | Integrated circuit bipolar bootstrap driver |
US4191899A (en) | 1977-06-29 | 1980-03-04 | International Business Machines Corporation | Voltage variable integrated circuit capacitor and bootstrap driver circuit |
US4125814A (en) | 1977-08-31 | 1978-11-14 | Exxon Research & Engineering Co. | High-power switching amplifier |
JPS54126454A (en) | 1978-03-25 | 1979-10-01 | Sony Corp | Switching circuit |
US4703407A (en) * | 1986-11-26 | 1987-10-27 | The Babcock & Wilcox Company | Power supply for totem pole power switches |
JP2634306B2 (ja) | 1990-08-08 | 1997-07-23 | 三菱電機株式会社 | インバータ装置の駆動回路 |
US5229927A (en) | 1992-05-15 | 1993-07-20 | Vila Masot Oscar | Self-symmetrizing and self-oscillating half-bridge power inverter |
US5550436A (en) | 1994-09-01 | 1996-08-27 | International Rectifier Corporation | MOS gate driver integrated circuit for ballast circuits |
TW405295B (en) | 1995-10-10 | 2000-09-11 | Int Rectifier Corp | High voltage drivers which avoid -Vs fallure modes |
EP0821362B1 (en) | 1996-07-24 | 2004-05-26 | STMicroelectronics S.r.l. | Output stage for a memory device and for low voltage applications |
GB2324664B (en) | 1997-04-23 | 2001-06-27 | Int Rectifier Corp | Resistor in series with bootstrap diode for monolithic gate device |
JP3772516B2 (ja) * | 1998-02-26 | 2006-05-10 | 横河電機株式会社 | 電流制限回路 |
US6353345B1 (en) | 2000-04-04 | 2002-03-05 | Philips Electronics North America Corporation | Low cost half bridge driver integrated circuit with capability of using high threshold voltage DMOS |
FR2858493B1 (fr) | 2003-07-31 | 2005-10-21 | St Microelectronics Sa | Circuit d'attaque a autoelevation |
US7248093B2 (en) * | 2004-08-14 | 2007-07-24 | Distributed Power, Inc. | Bipolar bootstrap top switch gate drive for half-bridge semiconductor power topologies |
US7602228B2 (en) | 2007-05-22 | 2009-10-13 | Semisouth Laboratories, Inc. | Half-bridge circuits employing normally on switches and methods of preventing unintended current flow therein |
-
2007
- 2007-05-22 US US11/802,388 patent/US7602228B2/en active Active
-
2008
- 2008-05-21 CA CA2724431A patent/CA2724431A1/en not_active Abandoned
- 2008-05-21 WO PCT/US2008/064339 patent/WO2008147801A2/en active Application Filing
- 2008-05-21 KR KR1020097026580A patent/KR101421770B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-05-21 EP EP08756034A patent/EP2160824A2/en not_active Withdrawn
- 2008-05-21 JP JP2010509517A patent/JP5563445B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-21 CN CN2008800256773A patent/CN101772881B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-10 US US12/557,199 patent/US7907001B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-04 US US13/021,132 patent/US8456218B2/en active Active
-
2013
- 2013-06-03 US US13/908,956 patent/US8860494B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0287965A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-03-28 | Thomson Csf | Cuk型直流/直流電圧変換器およびこのような電圧変換器で直流変換された電源供給システム |
JPH08126350A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Nissin Electric Co Ltd | インテリジェントパワーモジュールの電源回路 |
JP2003070234A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Toshiba Corp | 自己消弧型素子のゲート電源装置 |
JP2004201453A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Nissan Motor Co Ltd | 直流3相ブラシレスモータの駆動装置 |
JP2006314154A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電力変換器 |
JP2007006658A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Hitachi Ltd | 電界効果型パワー半導体素子とこれを用いた半導体回路 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018531577A (ja) * | 2015-09-21 | 2018-10-25 | シンプトート テクノロジーズ エルエルシー | 回路を保護するための単一トランジスタデバイスおよびそのための自己触媒電圧変換 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101421770B1 (ko) | 2014-08-13 |
CN101772881A (zh) | 2010-07-07 |
US20110121884A1 (en) | 2011-05-26 |
US8860494B2 (en) | 2014-10-14 |
US20080290927A1 (en) | 2008-11-27 |
US7602228B2 (en) | 2009-10-13 |
US20130265095A1 (en) | 2013-10-10 |
WO2008147801A3 (en) | 2009-02-05 |
US8456218B2 (en) | 2013-06-04 |
US7907001B2 (en) | 2011-03-15 |
CN101772881B (zh) | 2013-11-06 |
WO2008147801A2 (en) | 2008-12-04 |
EP2160824A2 (en) | 2010-03-10 |
CA2724431A1 (en) | 2008-12-04 |
US20100026370A1 (en) | 2010-02-04 |
JP5563445B2 (ja) | 2014-07-30 |
KR20100023881A (ko) | 2010-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5563445B2 (ja) | 常時オン状態のスイッチを採用するハーフブリッジ回路及びこの回路内における意図しない電流を防止する方法 | |
JP6705936B2 (ja) | 回路を動作させる方法及び回路 | |
US10707776B2 (en) | 3-level power conversion circuit including serially-connected switching element and diode | |
EP2590212A1 (en) | Power semiconductor module, electricity transformer device, and railway car | |
EP3029821B1 (en) | Semiconductor device and power conversion device | |
JP6988670B2 (ja) | 駆動回路、パワーモジュール及び電力変換システム | |
CN104576718B (zh) | 具有续流SiC二极管的RC-IGBT | |
JP2008512081A (ja) | カスコード整流器 | |
EP2903160A1 (en) | Power supply device and control method of power supply device | |
JP2019193406A (ja) | ゲート駆動回路およびゲート駆動方法 | |
US11258444B2 (en) | Devices and methods for high-efficiency power switching with cascode GaN | |
JP5407349B2 (ja) | スイッチ回路 | |
EP3057232A1 (en) | Circuit breaker device | |
WO2016157813A1 (ja) | 負荷駆動装置 | |
CN108141129B (zh) | 配置为限制开关过电压的电力转换器 | |
JP2010088272A (ja) | 接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法 | |
KR100928549B1 (ko) | 스위치 클램프트 멀티-레벨 인버터 | |
JP7088041B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2019122116A (ja) | 電力変換装置 | |
KR102381873B1 (ko) | 전력 변환 장치 및 그 제어 방법 | |
JP6965192B2 (ja) | 降圧コンバータ | |
US20210058071A1 (en) | Gate drive circuit, drive device, semiconductor device, and gate drive method | |
US20230163697A1 (en) | Uninterruptible power supply having short circuit load capability | |
CN110383654B (zh) | 主转换电路、电力转换装置及移动体 | |
EP4275278A1 (en) | Switch driver system, switch leg, inverter, electric drive and vehicle |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110407 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20111108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130626 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130913 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130926 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131003 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131008 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131016 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20131118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131126 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140520 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5563445 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |