JP2010503996A - ハフニウム含有材料を乾式エッチングする方法およびシステム - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 基板上のハフニウム含有層をエッチングする方法であって、
プラズマ処理システム内に、前記ハフニウム含有層を有する前記基板を配置するステップであって、パターンを定形するマスク層が、前記ハフニウム含有層の上に配置されるステップと、
前記基板の温度を、約30℃以上に昇温するステップと、
前記プラズマ処理システムに、BCl3および添加剤ガスを含むプロセス組成物を導入するステップと、
前記プラズマ処理システムにおいて、前記プロセス組成物からプラズマを形成するステップと、
前記ハフニウム含有層に前記パターンをエッチングするため、前記プラズマに前記基板を暴露するステップと、
を有する方法。 - 前記プロセス組成物を導入するステップは、さらに、不活性ガスを導入するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記不活性ガスを導入するステップは、希ガスを導入するステップを有することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記添加剤ガスを導入するステップは、酸素含有ガス、窒素含有ガス、CxHyで表され、xおよびyは、1以上の整数である炭化水素ガス、またはこれらの2以上の組み合わせを導入するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記添加剤ガスを導入する前記ステップは、O2、NO、NO2、N2O、CO、CO2、またはこれらの2以上の組み合わせを含む酸素含有ガスを導入するステップを有することを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記添加剤ガスを導入する前記ステップは、N2、NH3、またはこれらの2以上の組み合わせを含む窒素含有ガスを導入するステップを有することを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記添加剤ガスを導入する前記ステップは、C2H4、CH4、C2H2、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、C4H6、C4H8、C4H10、C5H8、C5H10、C6H6、C6H10、C6H12、またはこれらの2もしくは3以上の組み合わせを含む炭化水素ガスを導入するステップを有することを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記添加剤ガスを導入する前記ステップは、CH4を導入するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記添加剤ガスを導入する前記ステップは、CH4およびN2を導入するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ハフニウム含有層を有する基板を配置するステップは、ハフニウム酸化物層またはケイ酸ハフニウム層を有する基板を配置するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ハフニウム含有層を有する基板を配置するステップは、HfO2層を有する基板を配置するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ハフニウム含有層を有する基板を配置するステップは、HfO2層、ポリ多結晶シリコン層、およびSiO2層を有する基板を配置するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板の温度を昇温するステップは、約50℃以上の温度に昇温するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記パターンをエッチングするため、前記プラズマに前記基板を暴露するステップは、前記ハフニウム含有層と前記ポリ多結晶シリコン層の間のエッチング選択性を、約10:1以上にし、前記ハフニウム含有層と前記SiO2層の間のエッチング選択性を、約10:1以上にするステップを有することを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記パターンをエッチングするため、前記プラズマに前記基板を暴露するステップは、前記ハフニウム含有層と前記ポリ多結晶シリコン層の間のエッチング選択性を、約10:1以上にし、前記ハフニウム含有層と前記SiO2層の間のエッチング選択性を、約30:1以上にするステップを有することを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記プラズマを形成するステップは、前記プラズマに電力を容量結合するステップ、前記プラズマに電力を誘導結合するステップ、またはこれらの2以上の組み合わせを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマを形成するステップは、上部に前記基板を保持する基板ホルダに、無線周波数(RF)電力を結合するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマを形成するステップは、上部に前記基板を保持する基板ホルダとは反対側の電極に、無線周波数(RF)電力を結合するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 基板上のハフニウム含有層をエッチングするプラズマ処理システムであって、
前記ハフニウム含有層をエッチングするため、プラズマの形成を容易にするよう構成されたプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバに結合され、処理レシピを実行するように構成された制御器と、
を有し、
前記処理レシピは、
前記プラズマ処理チャンバに、BCl3を導入するステップと、
酸素含有ガス、窒素含有ガス、炭化水素ガス、またはこれらの2以上の組み合わせを含む添加剤ガスを、前記プラズマ処理チャンバに導入するステップであって、前記制御器により、所定の流速で、BCl3および添加剤ガスが導入されるステップと、
を有するプラズマ処理システム。 - 前記プロセス組成物を導入するステップは、所定の流速で、前記BCl3および添加剤ガスを導入するステップを有し、これにより、HfO2とポリSiの間で、10以上のエッチング選択性が得られ、HfO2とSiO2の間で、10以上のエッチング選択性が得られることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板の温度を昇温する前記ステップは、約75℃以上の温度に昇温するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板の温度を昇温する前記ステップは、約100℃以上の温度に昇温するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板の温度を昇温する前記ステップは、約200℃の温度に昇温するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
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US8283258B2 (en) * | 2007-08-16 | 2012-10-09 | Micron Technology, Inc. | Selective wet etching of hafnium aluminum oxide films |
US8759228B2 (en) * | 2007-10-09 | 2014-06-24 | Micron Technology, Inc. | Chemistry and compositions for manufacturing integrated circuits |
US20100052077A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High-k metal gate structure including buffer layer |
JP5250476B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2013-07-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
CN102237269B (zh) * | 2010-04-21 | 2013-08-28 | 中国科学院微电子研究所 | 以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法 |
CN102237268B (zh) * | 2010-04-21 | 2013-08-28 | 中国科学院微电子研究所 | 一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法 |
CN102280375B (zh) | 2010-06-08 | 2013-10-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种先栅工艺中叠层金属栅结构的制备方法 |
CN102315115A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 中国科学院微电子研究所 | 一种HfSiAlON高K介质的干法刻蚀方法 |
JP5975418B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2016-08-23 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入方法 |
CN102427036A (zh) * | 2011-07-22 | 2012-04-25 | 上海华力微电子有限公司 | 对HfO2薄膜的高选择性干法刻蚀方法 |
US8735291B2 (en) | 2011-08-25 | 2014-05-27 | Tokyo Electron Limited | Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power |
US8704332B2 (en) * | 2012-06-13 | 2014-04-22 | International Business Machines Corporation | Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) gate termination |
US8871107B2 (en) * | 2013-03-15 | 2014-10-28 | International Business Machines Corporation | Subtractive plasma etching of a blanket layer of metal or metal alloy |
JP6163446B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2017-07-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
DE102014216195A1 (de) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats und Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats |
TW202322215A (zh) * | 2019-06-11 | 2023-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 使用氟及金屬鹵化物來蝕刻金屬氧化物 |
US11462414B2 (en) * | 2021-03-08 | 2022-10-04 | Tokyo Electron Limited | Atomic layer etching of metal oxides |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004336029A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-25 | Applied Materials Inc | 電界効果トランジスタのゲート構造の製造方法 |
JP2005045126A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2005086080A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2006179834A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Kyoto Univ | 半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法 |
JP2007073952A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-22 | Applied Materials Inc | 高誘電率材料をエッチングする方法 |
JP2007235136A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Applied Materials Inc | 高アスペクト比用途の異方性フィーチャを形成するためのエッチング方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5741396A (en) * | 1994-04-29 | 1998-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Isotropic nitride stripping |
EP1203869B1 (de) * | 2000-11-03 | 2002-08-21 | Ford Global Technologies, Inc., A subsidiary of Ford Motor Company | Regelungsanordnung und Verfahren zur Unterbrechung der Regeneration eines Partikelfilters eines Dieselmotors |
US6424906B1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-07-23 | Cummins, Inc. | Closed-loop actuator control system having bumpless gain and anti-windup logic |
US6408834B1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-06-25 | Cummins, Inc. | System for decoupling EGR flow and turbocharger swallowing capacity/efficiency control mechanisms |
US6670278B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-12-30 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching of silicon carbide |
US6511872B1 (en) * | 2001-07-10 | 2003-01-28 | Agere Systems Inc. | Device having a high dielectric constant material and a method of manufacture thereof |
US7082753B2 (en) * | 2001-12-03 | 2006-08-01 | Catalytica Energy Systems, Inc. | System and methods for improved emission control of internal combustion engines using pulsed fuel flow |
US20060252265A1 (en) * | 2002-03-06 | 2006-11-09 | Guangxiang Jin | Etching high-kappa dielectric materials with good high-kappa foot control and silicon recess control |
US6858514B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-02-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Low power flash memory cell and method |
US7094704B2 (en) * | 2002-05-09 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma etching of high-K dielectric materials |
US20040014327A1 (en) * | 2002-07-18 | 2004-01-22 | Bing Ji | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
US20060060565A9 (en) * | 2002-09-16 | 2006-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method of etching metals with high selectivity to hafnium-based dielectric materials |
US7332135B2 (en) * | 2002-10-22 | 2008-02-19 | Ford Global Technologies, Llc | Catalyst system for the reduction of NOx and NH3 emissions |
US6732507B1 (en) * | 2002-12-30 | 2004-05-11 | Southwest Research Institute | NOx aftertreatment system and method for internal combustion engines |
US20050176191A1 (en) * | 2003-02-04 | 2005-08-11 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating a notched gate structure of a field effect transistor |
US7037849B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-05-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process for patterning high-k dielectric material |
US20050081781A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Fully dry, Si recess free process for removing high k dielectric layer |
US7012027B2 (en) * | 2004-01-27 | 2006-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Zirconium oxide and hafnium oxide etching using halogen containing chemicals |
JP4671729B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-04-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
EP1780779A3 (en) * | 2005-10-28 | 2008-06-11 | Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) | A plasma for patterning advanced gate stacks |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004336029A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-25 | Applied Materials Inc | 電界効果トランジスタのゲート構造の製造方法 |
JP2005045126A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2005086080A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2006179834A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Kyoto Univ | 半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法 |
JP2007073952A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-22 | Applied Materials Inc | 高誘電率材料をエッチングする方法 |
JP2007235136A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Applied Materials Inc | 高アスペクト比用途の異方性フィーチャを形成するためのエッチング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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