JP2010283418A - ステレオマイクロホン装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】従来の指向性MEMSマイクロホン装置においては、独立した音響パスを実現するために、MEMS収音素子ごとに空間を遮断する隔壁を設けていたため、部品点数が増加する、という課題がある。
【解決手段】各MEMS収音素子の直下の実装基板に音孔を設けることで、MEMS収音素子自体が第1側(L側)、第2側(R側)の音声を互いに遮断する。このため、隔壁を設けることなく独立した音響パスを確保することが可能となる。
【選択図】図1

Description

本発明は、マイクロホン装置に係り、特に指向性収音(ステレオ収音を含む)が可能なマイクロホン装置に関する。
複数のマイクロホンを所定の位置に配置することにより構成されたアレイマイクロホンの感度は、音源から個々のマイクロホンへの音響パスが異なることを利用して、個々のマイクロホンの出力に適当な遅延と加減算を施すことで、指向性を持つことが知られている。
例えば、所定方向から到来する音を、第1および第2の収音素子により受け、第2の収音素子が受音してからΔtだけ遅れて第1の収音素子が受音する場合を想定する。この場合、第1の収音素子からの出力信号をΔtだけ遅延させた後に、第2の収音素子から得られる信号に加算すると、同じ信号同士が重畳されるが、他の方向からの音については重畳効果が得られないため、上記の所定方向からの音に対して受音感度が向上し、指向性収音が可能となる。
つまり、音源からアレイマイクロホンを構成する各収音素子への音響パスが異なることが指向性形成のための前提であるが、一つの音源から一つの収音素子に至る音響パスが複数存在すると、指向性形成のための遅延量や係数等の適切な設定ができなくなり、良好な指向性の形成が困難となる。
このような音響パスの複数化を防止し、安定した指向性収音が可能な、一対のMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)収音素子を実装した従来例が、特許文献1および特許文献2に記載されている。
以下、特許文献1の図1(a)および特許文献2の図1に記載される従来例の構造について、図6を用いて簡単に説明する。
図6(a)は、特許文献1の図1(a)に記載される従来例の構造を示す断面図であり、図6(b)は、特許文献2の図1に記載される従来例の構造を示す断面図である。
特許文献1のマイクロホン装置は、一対のMEMS収音素子11a、11bを並列に配置して、共通の実装基板65上に実装し、カプセル64に収納している。カプセル64の中央には隔壁68が設けられ、隔壁68によって区切られる一つの空間につき一つの音孔67a、67bが設けられている。これにより、一方の収音素子用の音孔に到来した音響が回折して他方の収音素子に到達することがなく、音響パス(P1、P2)が一本化され、適切な演算処理によって指向性収音が可能となる。
特許文献2のマイクロホン装置は、特許文献1と同様、一対のMEMS収音素子11a、11bを並列に配置して、共通の実装基板65上に実装し、カプセル90に収納している。カプセル90を音響透過性のメッシュ構造とすることにより、回折音響の漏れ込みを防止している。これにより、音響パス(P1、P2)が一本化され、適切な演算処理によって指向性収音が可能となる。
特開2007−104556号公報 特開2007−104582号公報
しかしながら、上記従来例においては、独立した音響パスを実現する為に、それぞれのMEMS収音素子周囲の空間を遮断する隔壁もしくは音響透過性のメッシュ構造を設ける必要があるため、安定した指向性収音が可能となるものの、部品点数が増加し、組立性やコスト面で劣り、基板の設計自由度が少なくなるという問題があった。
また、マイクロホンモジュールのさらなる小型化のため、MEMS収音素子自体をより小型化していく必要があるが、このときMEMS収音素子の背気室容量(詳細は後述する)も小さくなり、マイクロホンの感度低下や、S/N比の低下につながる問題があった。一般的にビデオカメラなどに用いられることが多いステレオマイクは、携帯電話などに用いられる無指向性マイクよりも高感度の性能を要求されるため、感度とS/N比を所定の規格値で得ようとする場合に、MEMS収音素子の小型化に限界があった。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、組立性、コスト性に優れた、小型高感度の指向性マイクロホン装置を提供することを目的とする。
本発明に係るマイクロホン装置は、半導体製造プロセスを用いて製造される第1及び第2のMEMS収音素子と、前記第1及び第2のMEMS収音素子が実装される実装基板を有し、前記実装基板は、前記第1及び第2のMEMS収音素子の直下にそれぞれ第1の音孔、第2の音孔を有することを特徴とする。
MEMS収音素子の直下に音孔を設けることで、MEMS収音素子自体が第1側(L側)、第2側(R側)の音声を互いに遮断するため、隔壁を設けることなく独立した音響パスを確保することが可能となる。したがって、従来のステレオマイクよりも少ない部品で構成でき、設計自由度が大きくなる。
上記マイクロホン装置は、前記第1及び第2のMEMS収音素子を覆うカバーを有し、第1及び第2のMEMS収音素子は、前記カバーと実装基板により区切られる一つの空間内に配置されることが好ましい。
MEMS収音素子の直下に音孔を設けるとともに、第1及び第2のMEMS収音素子がカバーにより覆われる空間を共有することで、この共有空間が第1及び第2のMEMS収音素子の共通の背気室として機能する。その結果、従来例と比較して実質的に背気室容量が増加し、感度の向上とMEMS収音素子の小型化との両立を実現することができる。
上記マイクロホン装置は、前記実装基板に実装される第3および第4のMEMS収音素子をさらに有し、前記実装基板は、前記第3及び第4のMEMS収音素子の直下にそれぞれ第3の音孔、第4の音孔を有し、前記第1の音孔の中心と第2の音孔の中心を結ぶ線が、前記第3の音孔の中心と第4の音孔の中心を結ぶ線とが実質的に直交するように、前記第1〜第4の音孔が配置されることが好ましい。
複数個のMEMS収音素子を上下左右に配置することで、臨場感マイクロホンや、指向性マイクロホンに応用が可能となる。
上記マイクロホン装置は、MEMS収音素子が、実装基板に、接合材によって周囲を固定されていることが好ましい。
MEMS収音素子が接合材によって周囲を固定されることにより、収音素子の背面孔側への音漏れが防止でき、MEMS収音素子自体が第1側、第2側の音声を互いに遮断する機能をより確実に得ることが出来る。
上記マイクロホン装置は、MEMS収音素子の出力信号に基づいて所定の演算処理を行う信号処理部を有し、前記信号処理部が前記実装基板上に実装されていることが好ましい。
MEMS収音素子と信号処理部とが共通の基板上に実装されていることにより、1モジュールでステレオ収音を含む指向性収音機能を有することができ、例えばセット商品に実装される場合の実装モジュール個数を減らすことができる。
上記マイクロホン装置は、MEMS収音素子の振動膜の一部が、エレクトレット材により形成されていることが好ましい。
振動膜の一部を、エレクトレット材により形成することにより、MEMS収音素子に電荷を供給する必要が無くなるため、マイクロホン装置全体を小型化することができる。
上記マイクロホン装置は、前記MEMS収音素子と前記信号処理部とが半導体プロセスにより1チップに集積化されていることが好ましい。
1チップに集積化することにより、複数のMEMS収音素子や信号処理部に要する半導体ウエハ面積を削減することができ、コストメリットを得ることができる。また、複数のMEMS収音素子と信号処理部とを結ぶ配線(例えばワイヤボンド)が必要なくなり、材料コストと組み立てコストを削減できる。
上記1チップに集積化されたマイクロホン装置は、前記信号処理部と前記実装基板とは、貫通電極により電気的に接続していることが好ましい。前記信号処理部から前記実装基板上に、シリコン貫通電極を通して配線が形成されていることが好ましい。
この構成によれば、複数のMEMS収音素子と信号処理部とを結ぶ配線(例えばワイヤボンド)が必要なくなり、材料コストと組み立てコストを削減できる。また組み立てに要する時間も短縮することが出来る。
以上のような構成をとる本発明によって、隔壁を設けることなく、独立した音響パスを確保するマイクロホン装置を提供することができる。したがって、従来の指向性マイクよりも少ない部品で構成でき、設計自由度が大きくなる。
(a)本発明の実施の形態1に示すMEMSマイクロホン装置を上部から見た平面図(b)図1(a)のA−A断面による構造概略図 (a)本発明の実施の形態2に示すMEMSマイクロホン装置を上部から見た平面図(b)図2(a)の変形例を示す概略図 (a)本発明の実施の形態3に示すMEMSマイクロホン装置を上部から見た平面図(b)図3(a)のB−B断面による構造概略図 (a)本発明の実施の形態4に示すMEMSマイクロホン装置を上部から見た平面図(b)図4(a)のC−C断面による構造概略図(c)図4(a)のD−D断面による構造概略図 (a)本発明の実施の形態5に示すMEMSマイクロホン装置を上部から見た平面図(b)図5(a)のE−E断面による構造概略図 (a)特許文献1の図1(a)に示された従来例を示す図(b)特許文献2の図1に示された従来例を示す図
以下に、図を用いて本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明はこれら実施の形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施しうる。
(実施の形態1)
<基本構成>
図1において、実装基板41Pに音孔42L、42Rが形成されており、各音孔の上に収音素子10L、10Rが実装されている。収音素子10L、10Rは、半導体プロセスのMEMS(微小電気機械システム)技術によって作成されたMEMSチップである。MEMSチップの基材にはシリコン基板を用い、これに貫通エッチング処理することにより作成された台座部11の上に絶縁体が形成され、その上に導電性のポリシリコンで形成された振動膜12が形成されている。
振動膜12の上に、BPSG(Borophospho silicate glass)などの絶縁材15を介して、振動膜12と対向するように固定膜13が形成されている。固定膜13は、導電性のポリシリコンと、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜とを積層して形成され、振動膜12と固定膜13との間には、ギャップが形成されている。振動膜12と固定膜13とギャップによりコンデンサの機能を果たす。
なお、振動膜12は、絶縁膜と導電性のポリシリコンの積層膜でも構わないし、導電性のポリシリコン単層でも構わない。また、振動電極として機能するような導体膜であれば、導電性のポリシリコン以外の導体膜であってもよい。
また、固定膜13は、絶縁膜と導電性のポリシリコンの積層膜でも構わないし、導電性のポリシリコン単層でも構わない。また、固定電極として機能するような導体膜であれば、導電性のポリシリコン以外の導体膜であってもよい。
また、振動膜12と固定膜13はギャップを介して対向することで一対のコンデンサとして機能するため、固定膜13の上に、ギャップを介して振動膜12が形成されていてもよい。
また、ギャップは、振動膜12と固定膜13の間にもともと形成してあった犠牲膜を、固定膜13に形成された背面孔(孔)14を通してエッチングすることにより形成することが可能であり、犠牲膜の残存部分を、固定膜13を支持する絶縁材15とすることが可能である。
ここで、MEMSチップの形成工程の一例について、簡単に説明することにする。
まず、シリコン基板上に振動膜12を形成する。その後、振動膜12上に犠牲膜を形成する。その後、犠牲膜の上に固定膜13を形成する。その後、固定膜13に背面孔(孔)14を形成する。その後、シリコン基板に貫通エッチング処理を行うことで貫通孔を有する台座部11を形成する。その後、背面孔(孔)14を通して犠牲膜をエッチングすることにより振動膜12と固定膜13の間にギャップを形成し、犠牲膜の残存部分が絶縁材15となる。
以上のような半導体微細加工技術を用いて、MEMSチップは形成される。
収音素子10Lと10Rの間には、信号処理部21が配置されている。信号処理部21はアンプの機能を有しており、例えばCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)やLSIなどにより構成される。
ギャップが一定の場合は、コンデンサ容量値は変化しない。しかし、音源51からの音が音孔42L、42Rを介して、振動膜12に到達すると、振動膜12が振動し、ギャップが変化することによりコンデンサ容量値が変化する。この容量変化を信号処理部21により増幅し、電気信号として出力することにより、音の信号を取り出すことができる。
固定膜13には、振動膜12が動き易くなるように背面孔14が形成されている。カバー41Cは、収音素子10L、10Rおよび信号処理部21を覆うように実装基板41P上に実装されている。カバー41Cは、例えば洋白(銅、亜鉛、ニッケルから構成される合金)、コバール、42アロマなどの電気的シールド機能を有する導電性材料であり、ハンダあるいは導電性接着剤などの接合材40Cによって実装基板41P上に固定されている。また、基板材料を張り合わせてカプセルとすることも可能である。
なお、図1(a)の平面図では、便宜上カバー41Cを二点鎖線で示し、カバー41Cの下に実装される構成を示している。
音孔42L、42Rの形状は、適宜様々な形状を採用することが可能である。例えば、図1に示すように1つの音孔で構成してもよいし、複数の小さな音孔を所定の領域内に配置して構成してもよい。
<実装および配線>
本実施形態では、実装基板41P上に信号処理部21を実装した後、収音素子10L、10Rの実装を行い、次いで電源配線45、GND配線32L、32R、46、出力配線31L、31R、43、44のワイヤ配線を行い、カバー41Cの実装を行った。
信号処理部21と収音素子10L、10Rは、実装基板41P上の実装パターンに、エポキシ系の熱硬化性接着剤の接合材40Cが塗布もしくは転写された後に実装され、その後、硬化に必要な熱を加えることにより、それぞれのチップを固定している。
収音素子10L、10Rは、それぞれ出力端子とGND端子を有し、出力端子は信号処理部21の入力端子へ、第1、第2の出力配線(31L、31R)により接続され、GND端子は実装基板41P上のGND端子へ、第1、第2のGND配線(32L、32R)によりそれぞれワイヤ接続されている。収音素子の出力端子は、収音素子の振動膜12と引き出し配線により電気的に接続しており、収音素子のGND端子は、収音素子の固定膜13と引き出し配線により電気的に接続している。
収音素子10L、10Rから出力された信号は、第1、第2の出力配線(31L、31R)を通じて信号処理部21に入力され、適切な演算処理がなされた後、出力配線43、44を通して出力される。
信号処理部21は、実装基板上の電源端子から電源配線45を通じた電源供給により動作している。信号処理部21のGND端子は、実装基板上のGND端子へGND配線46により接続されている。本実施形態における端子とワイヤの接合は、超音波を用いたワイヤボンディング工法などを用いて電気的に接続している。
カバー41Cと実装基板41Pとを接合する接合材40C、および収音素子10L、10Rと実装基板41Pとを接合する接合材40Mは、それぞれカバー41Cの周囲および収音素子10L、10Rの台座部11の周囲に途切れなく接合され、硬化・固定されている。これにより音漏れを防止し、音源51からの音が音孔42L、42R以外の箇所から進入するのを防止するように構成されている。
また、音孔42L、42Rから進入した音は、他方の収音素子側に漏れることがなく、MEMSチップ自体が第1側(L側)、第2側(R側)の音声を互いに遮断する機能を有する。よって、隔壁を別途設けることなく音響パスの一本化を実現することができる。
なお、信号処理部21は、熱硬化性の導電性接着剤などを用いてフリップチップボンディング工法(上下反転させて実装)により直接、実装基板へ配線することも可能である。この工法によればワイヤ配線等の組み立て工数を削減することができ、材料、組み立てコストを削減することができる。
<動作>
次に、本実施形態の動作を説明する。音源51からの音が音孔42L、42Rを介して、振動膜12に到達すると、振動膜12が振動し、ギャップが変化することによりコンデンサ容量値が変化する。
このようなマイクロホンの構成上、マイクロホンの感度に影響する重要なファクターは、固定膜と振動膜、固定膜と振動膜で構成されるコンデンサ容量、そして背気室の体積容量であることが知られている。
背気室は、振動膜に対して音孔と反対側にある、閉じられた空間であり、例えば図6に示した従来例では、MEMS収音素子11aの半導体基板12と、振動板33と、実装基板65とにより封じられた空間(振動板33直下の空洞)が背気室に該当し、本実施形態では、カバー41Cと、実装基板41Pと、収音素子10L、10Rとにより封じられた空間(図1(b)の背気室16)が背気室に該当する。
マイクロホンの感度は、下記の式で表される。

OUT = V×G

∝ 1/(S+S

ここで、VOUTは感度、VはMEMS出力、Gはゲイン、Sは背気室スティフネス(stiffness)、Sは振動膜スティフネスである。
従来例(図6)の構成では、MEMSチップが小型化されていくと、チップの投影面積もしくは高さ方向を含む体積が小型化されることになり、結果として、背気室として機能する振動板12直下の空洞内体積も小さくなる。
すると背気室が小さくなった事により、背気室内の空気によるバネ弾性が高くなり、上述した式中の「S:背気室スティフネス」すなわち「背気室剛性」が高くなることにより振動板12の振動阻害が発生する。結果的に、マイク出力である「VOUT:感度」が低下し、それに伴いS/N比が低下してしまう。
しかしながら、本実施形態の構成によれば、2つの収音素子の直下に音孔を設けることにより、カバー41C、実装基板41Pと収音素子10L、10Rにより区切られる(定義される)一つの空間が背気室として機能することで、収音素子10L、10Rが背気室を共有することができる。
このため、実質的に背気室容量を増大させることができ、より高感度なステレオマイクの実現が可能となる。上音孔(従来例)のMEMSマイクと下音孔(本発明)のMEMSマイクでの感度を比較すると、□2.6mmのチップでは、平均でマイク感度1.7dBの向上、S/N比1.0dBの向上が得られた。
更に小型の□1mmのチップでは、平均でマイク感度6.5dBの向上、S/N比5dBの向上が得られた。したがって、特に小型のMEMSチップを採用する際に、本発明の構成が有効であることがわかる。
なお、振動膜12に誘電体膜であるエレクトレット材を形成させ、着電プロセスにより、エレクトレット材に電荷を保持させてもよい。これによりMEMSチップへの電源供給が不要となり、信号処理部21のアンプを小型化することができる。
また、本実施形態では、信号処理部21を収音素子10L、10Rの間に配置したが、これに限らず、収音素子が実装されているエリア以外であれば適切に配置してよい。
(実施の形態2)
図2(a)は、本発明の実施の形態2に示すMEMSマイクロホン装置を上部から見た平面図である。本実施形態のMEMSマイクロホン装置は、実施の形態1の収音素子を3個以上実装することにより、さらに臨場感のある収音を可能としたものである。
図2において、実装基板41Pに音孔42L、42R、42T、42Uが形成されており、各音孔の上にはそれぞれ第1の収音素子10L、第2の収音素子10R、第3の収音素子10T、第4の収音素子10Uが実装されている。信号処理部21は、第1〜第4の収音素子が配置された領域の中央部に配置されている。
収音素子10L、10R、10T、10Uから出力された信号は、それぞれの出力配線(31L、31R、31T、31U)を通じて信号処理部21に入力され、適切な演算処理がなされた後、信号処理部21から出力配線43、44、47、48を通して出力される。第1〜第4の各収音素子(10L〜10U)と信号処理部21のその他の構成は、実施の形態1と同様である。
本実施形態では、音孔42Lと音孔42Rの中心を結ぶ線が、音孔42Tと音孔42Uの中心を結ぶ線と実質的に直交(90°±10°程度の略直交を含む)するように音孔42L、42R、42T、42U および第1〜第4の収音素子を配置している。
このように配置することで、例えば左右方向の収音を収音素子10Lと10Rで行い、上下方向の収音を収音素子10Tと10Uで行うという具合に、上下方向と左右方向それぞれ独立してステレオ収音を行うことができ、4つの収音素子にはそれぞれ独立の音響パスが存在するため、それらの出力を適切に演算処理することで、上下左右方向にさらに臨場感のある収音を行うことができる。
また、4つの収音素子が背気室を共用することになるため、所定の感度とS/N比を確保しつつ、収音素子およびモジュールの小型化が可能となる。
なお、音孔の形状は、実施の形態1と同様に様々な形状が採用できる。また、本実施形態において、「音孔の中心」とは各音孔(42L〜42U)の形状の幾何学的重心である。
また、信号処理部21の配置箇所については図2の配置に限らず、MEMSチップが実装されているエリア以外であれば適切に配置してよい。
図2(b)に示したのは、本実施形態の変形例である。図2(a)のような平面的な構成に限らず、音孔42を設けた実装基板41Pに収音素子を実装し、これを立方体状に形成したカバー41Cに固定することにより、上下左右方向に加えて前後方向の音も同時に収音することが可能なマイクロホンモジュールを作成することができる。この構成によれば、6個の収音素子が背気室を共用することになるため、所定の感度とS/N比を確保しつつ、収音素子およびモジュールの小型化が可能となる。
信号処理部21の配置箇所については、適切な配線を施せば、いずれか一つの実装基板41P上に実装してもよいし、他の場所に適宜配置することも可能である。
(実施の形態3)
図3(a)は、本発明の実施の形態3に示すMEMSマイクロホン装置を上部から見た平面図であり、図3(b)は、図3(a)のB−B断面による構造概略図である。本実施形態のMEMSマイクロホン装置は、実施の形態1の第1の収音素子と第2の収音素子と信号処理部とを1チップ化したものである。
図3において、実装基板41Pに音孔42L、42Rが形成されており、各音孔の上にはそれぞれ第1の収音素子10L、第2の収音素子10Rが実装されている。信号処理部21は、第1、第2の収音素子の間に絶縁部35を挟んで配置され、第1および第2の収音素子10L、10Rと信号処理部21とが1チップ化されている。つまり、収音素子10L、10Rと信号処理部21は絶縁部35により電気的に遮断されており、必要な信号のみを信号処理部21の回路に引き込める構造としている。
収音素子10L、10Rから出力された信号は、それぞれチップ内部に形成された出力配線(31L、31R)を通じて信号処理部21に入力され、適切な演算処理がなされた後、ワイヤで形成された出力配線43、44を通して出力される。収音素子10L、10RのGND配線(32L、32R)もチップ内部に形成されており、信号処理部21のGND端子に接続されている。その他の構成は、実施の形態1と同様である。
本実施形態における半導体プロセスでは、収音素子(台座部11、振動膜12、固定膜13)、絶縁膜35、信号処理部21を同時に形成する。
具体的には、「振動膜12と固定膜13の間の犠牲膜をエッチング除去してギャップを形成する前」および、「シリコン基板に貫通エッチング処理することによりシリコン貫通孔を形成する前」に、収音素子間に絶縁膜35と信号処理部21までを形成し、その後、シリコン基板に貫通エッチング処理をすることによりシリコン貫通孔を形成し、その後、振動膜12と固定膜13の間の犠牲膜をエッチングすることでギャップを形成し、収音素子、絶縁膜35、信号処理部21を形成する。
もしくは、振動膜12と固定膜13の間の犠牲膜をエッチング除去してギャップを形成する前に、収音素子間に絶縁膜35と信号処理部21までを形成し、その後、振動膜12と固定膜13の間の犠牲膜をエッチングすることでギャップを形成し、収音素子、絶縁膜35、信号処理部21を形成してもよい。
チップ内部に形成される出力配線(31L、31R)は、信号処理部21中の層間絶縁膜と振動膜12上にスパッタリング法により金属膜を堆積させ、次にリソグラフィとエッチングで加工して配線を形成するエッチング法や、層間絶縁膜と振動膜12上にパターニングによって溝を形成し、その上に電解メッキによって配線金属を被膜した後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)技術を用いて、形成した溝の中だけに金属膜を残すダマシン法などの半導体プロセスによって形成することができる。
また、チップ内部に形成されるGND配線(32L、32R)は、信号処理部21中の層間絶縁膜と固定膜13上にスパッタリング法により金属膜を堆積させ、次にリソグラフィとエッチングで加工して配線を形成するエッチング法や、層間絶縁膜と固定膜13上にパターニングによって溝を形成し、その上に電解メッキによって配線金属を被膜した後、CMP技術を用いて、形成した溝の中だけに金属膜を残すダマシン法などの半導体プロセスによって形成することができる。
本実施形態によれば、実施の形態1よりもさらに部品点数を少なくすることができる。また、出力配線(31L、31R)とGND配線(32L、32R)を1チップ化された素子内部に埋めこむことにより、ワイヤ配線を削減することができる。
そのため、モジュール高さを抑えることができ、ワイヤ配線に起因する寄生容量を減少させることができる。
また、1チップ化することにより、複数の収音素子(10L、10R)が台座部11を共有することによって剛性が向上し、チップの強度を増すことができるため、実装時にかかる応力などに起因する、素子の特性バラツキを少なくすることができる。
なお、本実施形態では、第1および第2の収音素子(10L、10R)と信号処理部21とを1チップ化したが、これに限るものではなく、必要に応じて第1および第2の収音素子(10L、10R)のみを1チップ化し、信号処理部21を別部品として実装することも可能である。
(実施の形態4)
図4(a)は、本発明の実施の形態4に示すMEMSマイクロホン装置を上部から見た平面図であり、図4(b)、図4(c)は、それぞれ図4(a)のC−C断面、D−D断面による構造概略図である。
本実施形態は、実施の形態3における1チップ化された収音素子の出力端子を、収音素子の並列方向に合わせて配置し、信号処理部も同じ方向に配置した、配置換えの一例である。このような配置により、収音素子の台座部11の投影面積が増加し、1チップ化した収音素子の強度を増加させることができる。
(実施の形態5)
図5(a)は、本発明の実施の形態5に示すMEMSマイクロホン装置を上部から見た平面図であり、図5(b)は、図5(a)のE−E断面による構造概略図である。
本実施形態は、実施の形態3の1チップ化された素子の出力端子を、台座部の下の実装基板上に配置したものである。出力配線43、44と電源配線45とGND配線46はシリコン貫通電極(TSV:Through−Silicon Via)技術を用いて形成している。
シリコン貫通電極は、ベアチップに開けたスルーホールをCuなどの金属やポリシリコンで埋めて、電極として利用する技術である。本実施形態では、ドライエッチングで台座部11から信号処理部21に貫通するスルーホールを形成した後、CVD(Chemical Vapor Deposition)で側壁絶縁膜を形成し、その後、銅(Cu)をメッキ法で形成してスルーホールを貫通電極材で充填した後、CMPで表面を平坦化することにより貫通電極を形成した。
以上のように、実装基板と信号処理部は、貫通電極により電気的に接続することとなる。
このように貫通電極により形成された配線(43、44、45、46)は、基板に実装される際にACP(Anisotropic Conductive Paste:導電性接着剤)やSBB(Stud Bump Bonding)などの工法により、直接実装基板へ電気的に接続される。
本実施形態によれば、複数のMEMSチップと信号処理部とを結ぶワイヤ配線が必要なくなり、材料コストと組み立てコストを削減できる。また、ワイヤ配線に起因する寄生容量も削減することができる。
なお、以上の説明では、具体的な一例を示して説明したが、具体的な数値などは都度適切に設定可能である。
本発明によって、隔壁を設けることなく、独立した音響パスを確保するマイクロホン装置を提供することができる。したがって、従来の指向性マイクよりも少ない部品で構成でき、小型のマイクロホン装置として有用である。
10L 第1の収音素子(MEMSチップ)
10R 第2の収音素子(MEMSチップ)
11 台座部
12 振動膜
13 固定膜
14 背面孔
21 信号処理部(アンプ)
30 ワイヤ配線
31L 第1の出力配線
31R 第2の出力配線
31T 第3の出力配線
31U 第4の出力配線
32L 第1のGND配線
32R 第2のGND配線
32T 第3のGND配線
32U 第4のGND配線
35 絶縁部
40C 接合材(カバー用)
40M 接合材(MEMS用)
41C カバー
41P 実装基板
42L 第1側音孔
42R 第2側音孔
43 出力配線1
44 出力配線2
45 電源配線
46 GND配線
47 出力配線3
48 出力配線4
51 音源
52L 第1側 音経路
52R 第2側 音経路

Claims (8)

  1. 半導体製造プロセスを用いて製造される第1及び第2のMEMS収音素子と、
    前記第1及び第2のMEMS収音素子が実装される実装基板を有し、
    前記実装基板は、前記第1及び第2のMEMS収音素子の直下にそれぞれ第1の音孔、第2の音孔を有するマイクロホン装置。
  2. 前記第1及び第2のMEMS収音素子を覆うカバーを有し、前記第1及び第2のMEMS収音素子は、前記カバーと前記実装基板により区切られる一つの空間内に配置される請求項1記載のマイクロホン装置。
  3. 前記実装基板に実装される第3および第4のMEMS収音素子をさらに有し、前記実装基板は、前記第3及び第4のMEMS収音素子の直下にそれぞれ第3の音孔、第4の音孔を有し、前記第1の音孔の中心と第2の音孔の中心を結ぶ線が、前記第3の音孔の中心と第4の音孔の中心を結ぶ線と直交するように、前記第1〜第4の音孔が配置される請求項1または2記載のマイクロホン装置。
  4. 前記MEMS収音素子は、前記実装基板に、接合材によって周囲を固定されている請求項1〜3のいずれかに記載のマイクロホン装置。
  5. 前記MEMS収音素子の出力信号に基づいて所定の演算処理を行う信号処理部を有し、前記信号処理部が前記実装基板上に実装されている請求項1〜4のいずれかに記載のマイクロホン装置。
  6. 前記MEMS収音素子の振動膜の一部は、エレクトレット材により形成されている請求項1〜5のいずれかに記載のマイクロホン装置。
  7. 前記MEMS収音素子と前記信号処理部とが半導体プロセスにより1チップに集積化されている請求項1〜6のいずれかに記載のマイクロホン装置。
  8. 前記信号処理部と前記実装基板とは、貫通電極により電気的に接続していることを特徴とする請求項7に記載のマイクロホン装置。
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