CN101909229A - 立体声传声器装置 - Google Patents

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Abstract

一种立体声传声器装置，包括安装基板和安装在安装基板上的至少两个MEMS拾音元件，在安装基板上设置有位于至少两个MEMS拾音元件各自的正下方的音孔。

Description

立体声传声器装置
技术领域
本发明公开的技术涉及传声器装置，特别是涉及能够进行指向性拾音(包括立体声拾音)的传声器装置。
背景技术
公知有下述技术，将多个传声器配置在规定位置而构成的阵列传声器的灵敏度，利用从声源到各传声器的声音通道的不同，对各传声器的输出施加适当的延迟和加减运算，由此带有指向性。
例如，假定由第一及第二拾音元件接收从规定方向传来的声音，在第二拾音元件接收声音后延迟Δt，再由第一拾音元件接收声音。此时，如果在使来自第一拾音元件的输出信号延迟Δt后，加到从第二拾音元件获得的信号上，则相同的信号彼此叠加，但对来自其它方向的声音无法获得叠加效果。因此，对于上述来自规定方向的声音，接收声音的灵敏度提高，能够进行指向性拾音。
也就是说，从声源到构成阵列传声器的各拾音元件的声音通道的不同是用于形成指向性的前提。但是，在从一个声源到一个拾音元件的声音通道存在多个时，无法恰当地设定用于形成指向性的延迟量或系数等，难以形成良好的指向性。
为此，提出了防止这种声音通道的复数化、能够进行稳定的指向性拾音的安装有一对MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)拾音元件的第一现有例(例如特开2007-104556号公报，参照图1(a))及第二现有例(例如特开2007-104582号公报，参照图1)。
以下，参照图6(a)及(b)，对第一现有例及第二现有例的传声器装置的结构进行简单说明。
图6(a)表示第一现有例的传声器装置的截面结构，图6(b)表示第二现有例的传声器装置的截面结构。
如图6(a)所示，在第一现有例的传声器装置中，并列配置的一对MEMS拾音元件111a、111b安装在公共的安装基板165上，并收纳在盒164内。在盒164的中央设有隔壁169，由隔壁169划分的每一个空间设有一个音孔167a、167b。由此，来到一拾音元件用的音孔的声音不会衍射到达另一拾音元件，声音通道(P1、P2)被单条化，通过适当的运算处理能够进行指向性拾音。此外，图6(a)中示出硅半导体基板112、背面板113、垫片114、空气逸出用的贯通孔115、空隙部116、振动板133、信号处理部162及接合线163a～163d、声源168。
如图6(b)所示，在第二现有例的传声器装置中，与上述第一现有例同样，并列配置的一对MEMS拾音元件211a、211b安装在公共的安装基板265上，并收纳在盒290内。通过使盒290形成声音透过性的网眼结构，防止衍射声音的致淆。由此，声音通道(P1，P2)被单条化，通过适当的运算处理能够进行指向性拾音。此外，图6(b)中示出硅半导体基板212、背面板213、垫片214、振动板233、信号处理部262及接合线263a～263d、声源268。
但是，在上述第一及第二现有例中，为了实现独立的声音通道，需要设置隔断各个MEMS拾音元件周围空间的隔壁或设置声音透过性的网眼结构。其结果是，虽然能够进行稳定的指向性拾音，但部件数目增加而导致组装性及成本性方面欠缺，存在基板的设计自由度差的问题。
另外，为了实现传声器模块的进一步小型化，需要使MEMS拾音元件自身更加小型化。但是，此时，MEMS拾音元件的背气室容量(详细后述)也变小。其结果是，带来传声器的灵敏度降低或S/N比降低的问题。
一般来说，多用于摄像机等的立体声传声器与用于移动电话等的无指向性传声器相比，要求更高灵敏度的性能。因此，想要以规定的规格值得到传声器的灵敏度及S/N比时，MEMS拾音元件的上述小型化存在限度。
发明内容
鉴于上述情况，本发明的目的在于提供组装性及成本性优异的指向性传声器装置。另外，本发明的目的还在于提供小型且灵敏度高的指向性传声器装置。
为了达到上述目的，以下示出本发明的例示性方式的传声器装置的结构。
本发明一方式的传声器装置包括安装基板和安装在安装基板上的至少两个MEMS拾音元件，在安装基板上设置有位于至少两个MEMS拾音元件各自的正下方的音孔。
根据本发明一方式的传声器装置，由于在MEMS拾音元件正下方设有音孔，所以MEMS拾音元件自身能够相互阻断来自相邻侧的声音。因此，无需像现有例那样设置隔壁，能够确保独立的声音通道。其结果是，能够以相比现有立体声传声器少的部件数构成该装置，提高了设计的自由度。
在本发明一方式的传声器装置中，在安装基板上还设有覆盖至少两个MEMS拾音元件而形成的罩，至少两个MEMS拾音元件可以配置在由安装基板和罩划定的一个空间内。
此时，至少两个MEMS拾音元件可以共有一个背气室，该背气室由通过该至少两个MEMS拾音元件、安装基板以及罩划定的空间构成。
这样一来，由于各MEMS拾音元件可以共有背气室，所以与现有例相比，实质上背气室容量增加，能够同时实现灵敏度的提高及MEMS拾音元件的小型化。
此时，罩可以由导电性材料构成。
另外，罩可以通过导电性粘接剂固定在安装基板上。
本发明一方式的传声器装置中，至少两个MEMS拾音元件包括二组相互对置地配置的一对MEMS拾音元件，在安装基板上设有位于二组一对MEMS拾音元件各自的正下方的音孔，连接二组中的一组一对MEMS拾音元件的音孔彼此的线可以与连接二组中的另一组一对MEMS拾音元件的音孔彼此的线正交。
这样一来，各MEMS拾音元件成为上下左右配置的结构，所以能够在上下方向和左右方向分别独立地拾音，结果，能够面向临场感传声器或指向性传声器的应用。
本发明一方式的传声器装置中，MEMS拾音元件的每一个可以包括半导体基板、形成在半导体基板上的振动膜以及与振动膜对置地形成的固定膜。
此时，振动膜的一部分可以由驻极体材料形成。
这样一来，不再需要向MEMS拾音元件供给电荷，因此能够使传声器装置整体小型化。
另外，振动膜可以由多晶硅构成，固定膜可以由绝缘膜和多晶硅构成。
本发明一方式的传声器装置中，各MEMS拾音元件的周围可以通过接合材料固定在安装基板上。
此时，接合材料可以设置在各MEMS拾音元件的整个周围。
这样一来，能够防止向MEMS拾音元件的上部方向漏音，能够更可靠地获得MEMS拾音元件自身相互阻断相邻侧的声音的功能。
本发明一方式的传声器装置中，可以进一步包括安装在安装基板上的信号处理部，该信号处理部根据MEMS拾音元件各自的输出信号进行规定的运算处理。
通过将MEMS拾音元件和信号处理部安装在共用的安装基板上，能够由1个模块具有包含立体声拾音的指向性拾音功能，从而能够减少例如安装在组件商品上时的安装模块个数。
此时，信号处理部和各MEMS拾音元件可以集成在1个芯片上。
通过集成在1个芯片上，能够削减多个MEMS拾音元件的每一个或信号处理部所需要的半导体晶片面积，获得成本优势。另外，不再需要连接多个MEMS拾音元件和信号处理部的布线(例如引线接合)，能够削减材料成本和组装成本。
另外，信号处理部和安装基板可以通过贯通电极电连接。
这样一来，不再需要连接多个MEMS拾音元件和信号处理部的布线(例如引线接合)，能够削减材料成本和组装成本。另外，组装所需的时间也缩短。
另外，信号处理部可以倒装连接在安装基板上。
本发明一方式的传声器装置中，从单一声源到达各MEMS拾音元件的各声音通道是只经由设置在各该MEMS拾音元件的正下方的各音孔的单一通道。
以上，根据本发明的一方式，能够提供无需像现有例那样设置隔壁即可确保独立的声音通道的传声器装置。其结果是，能够由比现有的指向性传声器少的部件数构成该装置，所以提高了设计的自由度。
附图说明
图1(a)是表示本发明第一实施方式的MEMS传声器装置的结构的俯视图，图1(b)表示本发明第一实施方式的MEMS传声器装置的结构，是与图1(a)的Ib-Ib线对应的截面图。
图2(a)是表示本发明第二实施方式的MEMS传声器装置的结构的俯视图，图2(b)是表示本发明第二实施方式的MEMS传声器装置的变形例的结构的立体图。
图3(a)是表示本发明第三实施方式的MEMS传声器装置的结构的俯视图，图3(b)表示本发明第三实施方式的MEMS传声器装置的结构，是与图3(a)的IIIb-IIIb线对应的截面图。
图4(a)是表示本发明第四实施方式的MEMS传声器装置的结构的俯视图，图4(b)表示本发明第四实施方式的MEMS传声器装置的结构，是与图4(a)的IVb-IVb线对应的截面图，图4(c)表示本发明第四实施方式的MEMS传声器装置的结构，是与图4(c)的IVc-IVc线对应的截面图。
图5(a)是表示本发明第五实施方式的MEMS传声器装置的结构的俯视图，图5(b)表示本发明第五实施方式的MEMS传声器装置的结构，是与图5(a)的Vb-Vb线对应的截面图。
图6(a)是表示第一现有例的MEMS传声器装置的结构的截面图，图6(b)是表示第二现有例的MEMS传声器装置的结构的截面图。
具体实施方式
参照附图对本发明的各实施方式进行说明。以下，基于附图及详细说明来明确说明本发明的技术思想，只要是本领域技术人员，在理解了本发明的优选实施例后，能够根据本发明公开的技术进行变更及追加特征，这不超出本发明的技术思想及范围。
(第一实施方式)
以下，参照附图说明本发明第一实施方式的MEMS传声器装置。图1(a)是表示本发明第一实施方式的MEMS传声器装置的结构的俯视图，图1(b)表示本发明第一实施方式的MEMS传声器装置的结构，是与图1(a)的Ib-Ib线对应的截面图。
<基本结构>
如图1(a)及(b)所示，在安装基板41P上形成有音孔42L(第一音孔)、42R(第二音孔)，在各音孔42L、42R之上安装有拾音元件10L(第一拾音元件)和拾音元件10R(第二拾音元件)。拾音元件10L、10R是通过半导体工艺的MEMS(微机电系统)技术制作的MEMS芯片。MEMS芯片的基材使用了硅基板。在对该硅基板进行贯通蚀刻处理而制作成的基座部11上，形成有未图示的绝缘体，在该绝缘体上形成有由导电性的多晶硅构成的振动膜12。
在振动膜12上，经由BPSG(Borophospho silicate glass，硼磷硅玻璃)等绝缘件15与振动膜12对置地形成有固定膜13，该固定膜13由导电性的多晶硅和硅氧化膜或硅氮化膜层叠而成，且具有背面孔(孔)14。形成在固定膜13上的背面孔14设置成使振动膜12容易振动。在振动膜12和固定膜13之间形成有间隙。通过振动膜12、固定膜13以及间隙起到电容器的功能。此外，在图1(a)的俯视图中，为了方便起见，省略了设置在固定膜13上的背面孔(14)的图示。
此外，振动膜12既可以是绝缘膜和导电性的多晶硅的层叠膜，也可以是由导电性的多晶硅构成的单层膜。另外，如果是作为振动电极发挥作用的导体膜，可以使用导电性的多晶硅以外的导体膜。另外，固定膜13既可以是绝缘膜和导电性的多晶硅的层叠膜，也可以是导电性的多晶硅单层。另外，如果是作为固定电极发挥作用的导体膜，也可以是导电性的多晶硅以外的导体膜。
另外，由于振动膜12和固定膜13是通过隔着间隙对置来作为一对电容器发挥作用，所以也可以构成为在固定膜13上隔着间隙形成振动膜12的结构。另外，可以穿过在固定膜13上形成的背面孔(孔)14蚀刻原本在振动膜12和固定膜13之间形成的牺牲膜来形成间隙，该蚀刻时未被除去而剩余的牺牲膜的残留部分也可以用作支承固定膜13的绝缘件15。
在此，简单说明形成上述MEMS芯片的工序的一个例子。
首先，在硅基板上形成振动膜12。接着，在振动膜12上形成牺牲膜。然后，在牺牲膜上形成固定膜13。之后，在固定膜13上形成背面孔(孔)14。接着，通过对硅基板进行贯通蚀刻处理，形成具有露出振动膜12的贯通孔的基座部11。然后，穿过背面孔(孔)14蚀刻除去牺牲膜，由此在振动膜12和固定膜13之间形成间隙，牺牲膜的残留部分作为绝缘件15。采用以上的半导体微细加工技术形成MEMS芯片。
在拾音元件10L和10R之间配置有信号处理部21。信号处理部21具有放大器的功能，例如由CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor，互补型金属氧化物半导体)或LSI等构成。
在设置于振动膜12和固定膜13之间的间隙恒定时，电容器的电容值不会变化。但是，来自声源51的声音经过音孔42L、42R到达振动膜12时，振动膜12振动，间隙发生变化，由此电容器的电容值发生变化。该电容值的变化被信号处理部21放大，作为电信号输出，由此读出声音信号。
罩41C覆盖拾音元件10L、10R及信号处理部21而安装在安装基板41P上。罩41C是例如铜镍锌合金(由铜、锌、镍构成的合金)、科瓦铁镍钴合金、或42合金等具有电屏蔽功能的导电性材料，通过焊锡或导电性粘接剂等接合材料40C固定在安装基板41P上。另外，也可以代替罩41C，通过粘贴基板材料来形成盒。此外，在图1(a)的俯视图中，为了便于说明，用双点划线表示罩41C，并示出了由罩41C覆盖的内部结构。
音孔42L、42R的形状可适当采用各种形状。例如，可以如图1(a)及(b)所示用一个音孔构成，也可以在规定的区域内配置多个小音孔来构成。
<安装及布线>
在本实施方式中，在安装基板41P上安装信号处理部21后，进行拾音元件10L、10R的安装。接着，进行电源布线45、GND布线32L、32R、46、输出布线31L、31R、43、44的布线。然后，进行罩41C的安装。
对于信号处理部21及拾音元件10L、10R而言，是在安装基板41P上的安装图案上分别涂敷或转印例如环氧系的热硬化性粘接剂的接合材料40J及40M后进行安装，接着，通过施加硬化所需的热量，分别固定信号处理部21及拾音元件10L、10R。
拾音元件10L、10R分别具有输出端子和GND端子。输出端子分别通过第一、第二输出布线(31L、31R)与信号处理部21的输入端子线连接。GND端子分别通过第一、第二GND布线(32L、32R)与安装基板41P上的GND端子线连接。拾音元件10L、10R的输出端子通过引出布线与拾音元件10L、10R的振动膜12电连接，拾音元件10L、10R的GND端子通过引出布线与拾音元件10L、10R的固定膜13电连接。
从拾音元件10L、10R输出的信号通过第一、第二输出布线(31L、31R)输入到信号处理部21，进行了适当的运算处理后，通过输出布线43、44输出。在安装基板41P上连接有与拾音元件10L、10R分别对应的输出布线43、44。信号处理部21通过从安装基板41P上的电源端子经过电源布线45的电源供给而动作。信号处理部21的GND端子通过GND布线46与安装基板41P上的GND端子连接。本实施方式中的端子与线的接合例如通过使用超声波的线接合方法等来电连接。
将罩41C和安装基板41P接合的接合材料40C在罩41C的周围不中断地(沿着整个周围)接合、硬化及固定。另外，将上述的拾音元件10L、10R和安装基板41P接合的接合材料40M在拾音元件10L、10R的基座部11的周围不中断地(沿着整个周围)接合、硬化及固定。通过这种结构，能够防止漏音，并防止来自声源51的声音从音孔42L、42R以外的部位进入。这样，拾音元件10L、10R以分离后面详述的背气室16和音孔42L、42R的方式安装在安装基板41P上。来自单一声源51的声音分别到达拾音元件10L及10R的声音通道52L及52R是只经由音孔42L及42R各自的单一(独立的)通道。
另外，从音孔42L、42R进入拾音元件10L、10R的声音不会分别向彼此的另一方拾音元件10R、10L侧漏出，MEMS芯片自身起到相互阻断彼此相邻一侧(左侧或右侧)的声音的功能。这样，根据本实施方式，无需像第一现有例那样另行设置隔壁，就能够实现声音通道的单条化。
此外，信号处理部21也可以使用热硬化性的导电性粘接剂等，通过倒装芯片接合方法(上下翻转而安装)直接向安装基板布线。这样一来，能够削减布线等的组装工时，能够减少材料及组装成本。
<动作>
接着，对本实施方式的动作进行说明。
来自声源51的声音经过音孔42L、42R到达振动膜12时，振动膜12振动，间隙发生变化，由此电容器的电容值发生变化。这种传声器的结构中公知的是，影响传声器灵敏度的重要因素是由固定膜13和振动膜12构成的电容器的容量及由固定膜13和振动膜12构成的背气室的体积容量。
背气室16是相对于振动膜12在音孔42L、42R的相反侧的封闭空间。例如在图6(a)及(b)所示的第一及第二现有例中，由MEMS拾音元件111a、211a的半导体基板112、212、振动板133、233和安装基板165、265封闭的空间(振动板133、233正下方的空洞)相当于背气室，本实施方式中，由罩41C、安装基板41P和拾音元件10L、10R封闭的空间相当于背气室16。
传声器的灵敏度由下式表示。
VOUT＝Vm×G
Vm∝1/(Sb+So)
在此，VOUT为灵敏度，Vm为MEMS输出，G为增益，Sb为背气室刚度(Stiffness)，So为振动膜刚度。
在上述第一及第二现有例(图6(a)及(b))所示的结构中，若MEMS芯片小型化，则芯片的投影面积或包括高度方向的体积小型化，结果，作为背气室发挥作用的振动板133、233正下方的空洞内体积也变小。因此，基于背气室内的空气的弹性升高，上述式中的“Sb：背气室刚度”即“背气室刚性”升高，由此会阻碍振动板133、233的振动。其结果是，作为传声器输出的“VOUT：灵敏度”降低，从而造成S/N比降低。
然而，根据本实施方式，在两个拾音元件10L、10R的正下方设置音孔42L、42R，由此，由罩41C、安装基板41P及拾音元件10L、10R划定的(定义的)一个空间作为背气室16发挥作用。由此，拾音元件10L、10R可以共有背气室16。因此，实质上能够增大背气室容量，实现更高灵敏度的立体声传声器。在比较上音孔(现有例)的MEMS传声器和下音孔(本实施方式)的MEMS传声器的灵敏度时，在2.6mm见方的芯片中，传声器灵敏度平均提高了1.7dB，S/N比平均提高了1.0dB。进而，在小型的1mm见方的芯片中，传声器灵敏度平均提高了6.5dB，S/N比平均提高了5dB。由此可知，特别是采用小型的MEMS芯片时，本实施方式的结构更有效。
此外，也可以在振动膜12上形成作为介电膜的驻极体材料，通过带电工序使驻极体材料保持电荷。由此，不需要向MEMS芯片供给电源，就能够使信号处理部21的放大器小型化。另外，在本实施方式中，将信号处理部21配置在了拾音元件10L、10R之间，但并不限定于此，只要是在安装拾音元件的区域以外，可以适当配置在其它区域。
(第二实施方式)
以下，参照附图说明本发明的第二实施方式的MEMS传声器装置。图2(a)是表示本发明的第二实施方式的MEMS传声器装置的结构的俯视图，图2(b)是表示本发明的第二实施方式的MEMS传声器装置的变形例的结构的立体图。
本实施方式的MEMS传声器装置，通过采用安装3个以上的上述第一实施方式的拾音元件的结构，能够进行更有临场感的拾音。
如图2(a)所示，在安装基板41P上形成有音孔42L、42R、42T、42U，在各音孔42L、42R、42T、42U上分别安装有拾音元件10R(第一拾音元件)、拾音元件10L(第二拾音元件)、拾音元件10T(第三拾音元件)、拾音元件10U(第四拾音元件)。即，在安装基板41P上，设有位于拾音元件10R、10L、10T、10U正下方的各音孔42L、42R、42T、42U。信号处理部21配置在由配置了拾音元件10L、10R、10T、10U的区域所围绕的中央部的区域。
从拾音元件10L、10R、10T、10U输出的信号，通过各自的输出布线(31L、31R、31T、31U)输入到信号处理部21，进行了适当的运算处理后，从信号处理部21经过输出布线43、44、47、48输出。拾音元件10L、10R、10T、10U和信号处理部21的其它结构与上述第一实施方式同样。
本实施方式中，将音孔42L、42R、42T、42U及拾音元件10L、10R、10T、10U配置成：连接一组相互对置地配置的一对拾音元件10L、10R中的音孔42L的中心和音孔42R的中心的线，相对于连接一组相互对置地配置的一对拾音元件10T、10U中的音孔42T的中心和音孔42U的中心的线实质上正交(包括90°±10°左右的大致正交)。
通过这种配置，例如在左右方向的拾音由拾音元件10L和10R进行、上下方向的拾音由拾音元件10T和10U进行的情况下，能够在上下方向和左右方向分别独立地进行立体声拾音。在四个拾音元件10L、10R、10T、10U中，与第一实施方式同样，分别存在独立的声音通道，所以通过对它们的输出进行适当运算处理，能够在上下左右方向上进行更有临场感的拾音。另外，由于四个拾音元件10L、10R、10T、10U共用背气室(参照图1(b)的符号16)，所以能够在确保规定的灵敏度和S/N比的同时，实现拾音元件10L、10R、10T、10U及模块的小型化。
此外，音孔的形状与第一实施方式中的说明同样，可以采用各种形状。另外，在本实施方式中，“音孔的中心”是指各音孔(42L～42U)形状的几何学重心。另外，信号处理部21的配置部位不限定于图2(a)所示的配置场所，只要是安装了MEMS芯片的区域以外，可以适当配置在其它区域。
在此，如图2(b)所示，本实施方式的MEMS音响装置的结构的变形例，不限于图2(a)所示的平面结构，也可以在设置了音孔42F、42T、42R的安装基板41P上安装拾音元件，并将其固定在形成为立方体状的罩41C上，由此构成除上下左右方向之外，还能够同时接收前后方向的声音的传声器模块。根据该结构，6个拾音元件共用背气室(参照图1(b)的符号16)，所以，能够在确保规定的灵敏度和S/N比的同时，实现拾音元件及模块的小型化。此外，对于信号处理部21的配置部位而言，只要实施适当的布线，就可以安装在任一个安装基板41P上，也可以适当配置在其它场所。
(第三实施方式)
以下，参照附图说明本发明的第三实施方式的MEMS传声器装置。图3(a)是表示本发明第三实施方式的MEMS传声器装置的结构的俯视图，图3(b)表示本发明第三实施方式的MEMS传声器装置的结构，是与图3(a)的IIIb-IIIb线对应的截面图。
本实施方式的MEMS传声器装置具有将上述第一实施方式的第一拾音元件、第二拾音元件和信号处理部集成在1个芯片上的结构。
如图3(a)及(b)所示，在安装基板41P上形成有音孔42L、42R，在各音孔42L、42R之上分别安装有拾音元件10L、拾音元件10R。信号处理部21被绝缘部35夹着配置在拾音元件10L和拾音元件10R之间，拾音元件10L、10R和信号处理部21被单芯片化。也就是说，拾音元件10L、10R与信号处理部21被绝缘部35电阻断，形成只有必要的信号引入信号处理部21的电路的结构。
从拾音元件10L、10R输出的信号分别通过芯片内部形成的输出布线(31L、31R)输入到信号处理部21，进行适当的运算处理后，通过由金属线形成的输出布线43、44输出。拾音元件10L、10R的GND布线(32L、32R)也形成在芯片内部，与信号处理部21的GND端子连接。其它结构与上述第一实施方式同样。
在本实施方式的MEMS传声器装置的制造工序中，同时形成拾音元件(基座部11、振动膜12、固定膜13)、绝缘膜35及信号处理部21。
具体而言，在“蚀刻除去振动膜12和固定膜13之间的牺牲膜而形成间隙之前”及“通过对硅基板进行贯通蚀刻处理而形成硅贯通孔之前”，在拾音元件10L、10R之间形成绝缘膜35及信号处理部21。接着，通过对硅基板进行贯通蚀刻处理来形成硅贯通孔，然后，通过蚀刻除去振动膜12和固定膜13之间的牺牲膜来形成间隙。由此，形成拾音元件10L、10R、绝缘膜35及信号处理部21。
或者，在蚀刻除去振动膜12和固定膜13之间的牺牲膜来形成间隙之前，在拾音元件10L、10R之间形成绝缘膜35及信号处理部21。接着，通过蚀刻振动膜12和固定膜13之间的牺牲膜来形成间隙。由此，形成拾音元件、绝缘膜35、信号处理部21。
形成于芯片内部的输出布线(31L、31R)，可以在信号处理部21中的层间绝缘膜和振动膜12上通过溅射法沉积金属膜后，采用光刻法及蚀刻技术来形成。或者，也可以在信号处理部21中的层间绝缘膜和振动膜12上通过图案化来形成槽后，在包含该槽在内的层间绝缘膜及振动膜12上通过电镀覆盖布线金属膜，之后采用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)技术，只在该槽中保留金属膜来形成。这样，可以采用蚀刻法或金属镶嵌法(ダマシン)等半导体工艺来形成该输出布线(31L、31R)。
另外，形成于芯片内部的GND布线(32L、32R)，可以在信号处理部21中的层间绝缘膜和固定膜13上，通过溅射法沉积金属膜后，采用光刻法及蚀刻技术来形成。或者，也可以在信号处理部21中的层间绝缘膜和固定膜13上，通过图案化来形成槽后，在包含该槽在内的层间绝缘膜及固定膜13上，通过电镀覆盖布线金属膜，之后采用CMP技术，只在该槽保留金属膜来形成。这样，可以采用蚀刻法或金属镶嵌法等半导体工艺来形成该GND布线(32L、32R)。
本实施方式与上述第一实施方式相比，可以进一步减少部件数。另外，通过将输出布线(31L、31R)和GND布线(32L、32R)埋入单芯片化的元件内部，能够削减金属线布线。因此，能够抑制模块高度，减少金属线布线所引起的寄生电容。另外，通过单芯片化，使得多个拾音元件10L、10R共有基座部11，由此刚性得以提高，芯片的强度提高，所以能够减少安装时的应力等引起的元件的特性偏差。
此外，尽管本实施方式中将拾音元件10L、10R和信号处理部21单芯片化，但不限定于此，也可以根据需要只将拾音元件10L、10R单芯片化，将信号处理部21作为另一部件进行安装。
(第四实施方式)
以下，参照附图说明本发明第四实施方式的MEMS传声器装置。图4(a)是表示本发明第四实施方式的MEMS传声器装置的结构的俯视图，图4(b)表示本发明第四实施方式的MEMS传声器装置的结构，是与图4(a)的IVb-IVb线对应的截面图，图4(c)表示本发明第四实施方式的MEMS传声器装置的结构，是与图4(c)的IVc-IVc线对应的截面图。
本实施方式的MEMS传声器装置具有更换了上述第三实施方式中的单芯片化的拾音元件10L、10R和信号处理部21的配置的结构。
如图4(a)～(c)所示，在本实施方式的MEMS传声器装置中，将上述第三实施方式中单芯片化的拾音元件10L、10R的输出端子沿着拾音元件10L、10R的排列方向进行配置，信号处理部21也同样沿着排列方向配置。通过采用这种配置，能够使拾音元件10L、10R的基座部11的投影面积增加，并能够提高单芯片化的拾音元件10L、10R的强度。
(第五实施方式)
以下，参照附图说明本发明第五实施方式的MEMS传声器装置。图5(a)是表示本发明第五实施方式的MEMS传声器装置的结构的俯视图，图5(b)表示本发明第五实施方式的MEMS传声器装置的结构，是与图5(a)的Vb-Vb线对应的截面图。
本实施方式的MEMS传声器装置具有更换了上述第三实施方式中单芯片化的元件的输出端子的结构及配置的结构。
如图5(a)及(b)所示，在本实施方式的MEMS传声器装置中，将上述第三实施方式中单芯片化的元件的输出端子配置在形成有信号处理部21下部的基座部11的安装基板41P上。并且，输出布线43、44、电源布线45和GND布线46设置成采用硅贯通电极(TSV：Through-Silicon Via)技术而形成的贯通电极。
分别构成输出布线43、44、电源布线45和GND布线46的贯通电极，是在裸芯片上开设的通孔中埋入铜(Cu)等金属或多晶硅而形成的电极。本实施方式中，例如，通过干蚀刻形成从基座部11贯通到信号处理部21中的通孔后，采用CVD(Chemical Vapor Deposition)法在通孔内形成侧壁绝缘膜，进而，采用镀敷法在通孔内填充了作为贯通电极材料的铜(Cu)后，采用CMP法将表面平坦化。由此，形成贯通电极，经由该贯通电极使安装基板41P和信号处理部21电连接。
分别构成输出布线43、44、电源布线45和GND布线46的贯通电极，在安装到安装基板41P上时，通过ACP(Anisotropic Conductive Paste：导电性粘接剂)或SBB(Stud Bump Bonding，钉头凸点焊接)等方法与安装基板41P直接电连接。
根据本实施方式，不再需要连接多个MEMS芯片和信号处理部21的金属线布线，能够削减材料成本和组装成本。另外，还能够削减金属线布线所引起的寄生电容。
本发明各实施方式的结构有利于传声器装置中部件数的减少及小型化。

Claims (20)

1.一种立体声传声器装置，包括：
安装基板；
安装在所述安装基板上的至少两个MEMS拾音元件；以及
形成在所述安装基板上以覆盖所述MEMS拾音元件的罩，
其中，
在所述安装基板上设置有位于所述MEMS拾音元件各自的正下方的音孔，
所述MEMS拾音元件共有一个背气室，该背气室由所述安装基板和所述罩构成。
2.根据权利要求1所述的立体声传声器装置，还包括
第一输出布线和第二输出布线，其中
所述至少两个MEMS拾音元件包括第一MEMS拾音元件和第二MEMS拾音元件，
所述第一输出布线和所述第二输出布线分别与所述第一MEMS拾音元件和所述第二MEMS拾音元件相对应并与所述安装基板连接。
3.根据权利要求1所述的立体声传声器装置，其中，
所述背气室和所述音孔被安装在所述安装基板上的每一个所述MEMS拾音元件声学隔离。
4.根据权利要求1所述的立体声传声器装置，其中，
所述MEMS拾音元件的每一个的整个周围设有接合材料以使所述背气室和所述音孔被每一个所述MEMS拾音元件声学隔离。
5.根据权利要求1所述的立体声传声器装置，其中，
所述罩由导电性材料构成。
6.根据权利要求1所述的立体声传声器装置，其中，
所述罩通过导电性粘接剂固定在所述安装基板上。
7.根据权利要求1所述的立体声传声器装置，其中，
所述MEMS拾音元件被设置成两对，
其中一对的排列方向与另一对的排列方向正交。
8.根据权利要求2所述的立体声传声器装置，其中，
所述MEMS拾音元件被设置成两对，
其中一对的排列方向与另一对的排列方向正交。
9.根据权利要求4所述的立体声传声器装置，其中，
所述MEMS拾音元件被设置成两对，
其中一对的排列方向与另一对的排列方向正交。
10.根据权利要求1所述的立体声传声器装置，其中，
所述MEMS拾音元件的每一个包括半导体基板、形成在所述半导体基板上的振动膜以及与所述振动膜对置地形成的固定膜。
11.根据权利要求2所述的立体声传声器装置，其中，
所述MEMS拾音元件的每一个包括半导体基板、形成在所述半导体基板上的振动膜以及与所述振动膜对置地形成的固定膜。
12.根据权利要求4所述的立体声传声器装置，其中，
所述MEMS拾音元件的每一个包括半导体基板、形成在所述半导体基板上的振动膜以及与所述振动膜对置地形成的固定膜。
13.根据权利要求8所述的立体声传声器装置，其中，
所述振动膜的一部分由驻极体材料形成。
14.根据权利要求8所述的立体声传声器装置，其中，
所述振动膜由多晶硅构成，
所述固定膜由绝缘膜和多晶硅构成。
15.根据权利要求1所述的立体声传声器装置，其中，
所述立体声传声器装置还包括信号处理部，该信号处理部安装在所述安装基板上，基于所述MEMS拾音元件各自的输出信号进行规定的运算处理。
16.根据权利要求11所述的立体声传声器装置，其中，
所述信号处理部和所述MEMS拾音元件集成在1个芯片上。
17.根据权利要求11所述的立体声传声器装置，其中，
所述信号处理部和所述安装基板通过贯通电极相互电连接。
18.根据权利要求11所述的立体声传声器装置，其中，
所述信号处理部倒装安装在所述安装基板上。
19.根据权利要求1所述的立体声传声器装置，其中，
每一个所述MEMS拾音元件具有单一通道，所述单一通道分别通过设置在所述MEMS拾音元件的正下方的各所述音孔。
20.根据权利要求2所述的立体声传声器装置，其中，
每一个所述MEMS拾音元件具有单一通道，所述单一通道分别通过设置在所述MEMS拾音元件的正下方的各所述音孔。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105657628A (zh) * 2014-11-28 2016-06-08 现代自动车株式会社 传声器设备及其控制方法
CN111964154A (zh) * 2020-08-28 2020-11-20 邯郸美的制冷设备有限公司 空调器室内机、控制方法、运行控制装置及空调器

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9406561B2 (en) 2009-04-20 2016-08-02 International Business Machines Corporation Three dimensional integrated circuit integration using dielectric bonding first and through via formation last
US20100303274A1 (en) * 2009-05-18 2010-12-02 William Ryan Microphone Having Reduced Vibration Sensitivity
WO2011161738A1 (ja) * 2010-06-24 2011-12-29 パナソニック株式会社 センサー
US20120207335A1 (en) * 2011-02-14 2012-08-16 Nxp B.V. Ported mems microphone
CN103563399B (zh) * 2011-03-11 2017-06-09 歌尔股份有限公司 Cmos兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法
US20120288130A1 (en) * 2011-05-11 2012-11-15 Infineon Technologies Ag Microphone Arrangement
US9232302B2 (en) * 2011-05-31 2016-01-05 Apple Inc. Microphone assemblies with through-silicon vias
US8879767B2 (en) * 2011-08-19 2014-11-04 Knowles Electronics, Llc Acoustic apparatus and method of manufacturing
JP5741487B2 (ja) * 2012-02-29 2015-07-01 オムロン株式会社 マイクロフォン
WO2013156539A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-24 Stmicroelectronics S.R.L. Assembly of a semiconductor integrated device including a mems acoustic transducer
US8563403B1 (en) 2012-06-27 2013-10-22 International Business Machines Corporation Three dimensional integrated circuit integration using alignment via/dielectric bonding first and through via formation last
US8872288B2 (en) * 2012-08-09 2014-10-28 Infineon Technologies Ag Apparatus comprising and a method for manufacturing an embedded MEMS device
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof
US9167325B2 (en) * 2012-10-23 2015-10-20 Apple Inc. Electronic devices with environmental sensors
US9804003B2 (en) 2012-10-23 2017-10-31 Apple Inc. Electronic devices with environmental sensors
US8692340B1 (en) * 2013-03-13 2014-04-08 Invensense, Inc. MEMS acoustic sensor with integrated back cavity
US9809448B2 (en) 2013-03-13 2017-11-07 Invensense, Inc. Systems and apparatus having MEMS acoustic sensors and other MEMS sensors and methods of fabrication of the same
US20140270259A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Aliphcom Speech detection using low power microelectrical mechanical systems sensor
ITTO20130247A1 (it) * 2013-03-26 2014-09-27 St Microelectronics Srl Metodo di incapsulamento di un dispositivo trasduttore mems e dispositivo trasduttore mems incapsulato
US8958592B2 (en) * 2013-05-23 2015-02-17 Fortemedia, Inc. Microphone array housing with acoustic extending structure and electronic device utilizing the same
KR101480615B1 (ko) 2013-05-29 2015-01-08 현대자동차주식회사 지향성 마이크로폰 장치 및 그의 동작방법
US9018723B2 (en) * 2013-06-27 2015-04-28 Stmicroelectronics Pte Ltd Infrared camera sensor
US9432759B2 (en) 2013-07-22 2016-08-30 Infineon Technologies Ag Surface mountable microphone package, a microphone arrangement, a mobile phone and a method for recording microphone signals
JP6135387B2 (ja) * 2013-08-09 2017-05-31 オムロン株式会社 マイクロフォン、音響センサ及び音響センサの製造方法
KR20150058780A (ko) 2013-11-21 2015-05-29 삼성전기주식회사 마이크로폰 패키지 및 그 실장 구조
DE102014100464B4 (de) 2014-01-16 2022-02-17 Tdk Corporation Multi-MEMS-Modul
GB2526945B (en) * 2014-06-06 2017-04-05 Cirrus Logic Inc Noise cancellation microphones with shared back volume
US9532125B2 (en) * 2014-06-06 2016-12-27 Cirrus Logic, Inc. Noise cancellation microphones with shared back volume
US9866938B2 (en) * 2015-02-19 2018-01-09 Knowles Electronics, Llc Interface for microphone-to-microphone communications
KR101673347B1 (ko) 2015-07-07 2016-11-07 현대자동차 주식회사 마이크로폰
US9924253B2 (en) * 2015-07-07 2018-03-20 Hyundai Motor Company Microphone sensor
DE112016003649T5 (de) * 2015-08-10 2018-05-09 Knowles Electronics, Llc Vorrichtung mit mehreren MEMS-Motoren mit gemeinsamer Entlüftung
CN105493522B (zh) * 2015-10-30 2018-09-11 歌尔股份有限公司 带通声学滤波器及声学感测装置
TWI596950B (zh) * 2016-02-03 2017-08-21 美律實業股份有限公司 指向性錄音模組
US20170240418A1 (en) * 2016-02-18 2017-08-24 Knowles Electronics, Llc Low-cost miniature mems vibration sensor
ITUA20162959A1 (it) * 2016-04-28 2017-10-28 St Microelectronics Srl Modulo di trasduzione multi-camera, apparecchiatura includente il modulo di trasduzione multi-camera e metodo di fabbricazione del modulo di trasduzione multi-camera
KR101807071B1 (ko) * 2016-10-06 2017-12-08 현대자동차 주식회사 마이크로폰 및 그 제조 방법
CN106535072A (zh) * 2016-12-05 2017-03-22 歌尔股份有限公司 一种mems麦克风芯片以及mems麦克风
US10455321B2 (en) * 2017-04-28 2019-10-22 Qualcomm Incorporated Microphone configurations
CN111742562B (zh) * 2018-01-24 2022-02-08 舒尔获得控股公司 具有校正电路系统的方向性微机电系统麦克风
US11284187B1 (en) * 2020-10-26 2022-03-22 Fortemedia, Inc. Small-array MEMS microphone apparatus and noise suppression method thereof

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001086588A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Canon Inc 音声信号処理装置及び方法、並びに電子機器
JP3997283B2 (ja) * 2002-10-18 2007-10-24 株式会社ケンウッド コンデンサマイクロホン
DE102004011149B3 (de) * 2004-03-08 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Mikrophon und Verfahren zur Herstellung eines Mikrophons
US7936894B2 (en) * 2004-12-23 2011-05-03 Motorola Mobility, Inc. Multielement microphone
US7373835B2 (en) * 2005-01-31 2008-05-20 Sanyo Electric Industries, Ltd. Semiconductor sensor
JP2006211468A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体センサ
TW200706052A (en) * 2005-05-20 2007-02-01 Fortemedia Inc Multi-microphone capsule
SG130158A1 (en) * 2005-08-20 2007-03-20 Bse Co Ltd Silicon based condenser microphone and packaging method for the same
US8351632B2 (en) * 2005-08-23 2013-01-08 Analog Devices, Inc. Noise mitigating microphone system and method
JP2007081614A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Star Micronics Co Ltd コンデンサマイクロホン
JP4468280B2 (ja) 2005-10-07 2010-05-26 パナソニック株式会社 マイクロホン装置
JP4472613B2 (ja) * 2005-10-07 2010-06-02 パナソニック株式会社 マイクロホン装置
JP2007124449A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Sanyo Electric Co Ltd マイクロフォンおよびマイクロフォンモジュール
DE102005053765B4 (de) * 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
JP2008002953A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Yamaha Corp 半導体装置及びその製造方法
US20070158826A1 (en) * 2005-12-27 2007-07-12 Yamaha Corporation Semiconductor device
US20080192963A1 (en) * 2007-02-09 2008-08-14 Yamaha Corporation Condenser microphone
JP4850086B2 (ja) * 2007-02-14 2012-01-11 パナソニック株式会社 Ｍｅｍｓマイクロホン装置
US20080205668A1 (en) * 2007-02-26 2008-08-28 Yamaha Corporation Sensitive silicon microphone with wide dynamic range
JP2008271426A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Matsushita Electric Works Ltd 音響センサ
JP5114106B2 (ja) 2007-06-21 2013-01-09 株式会社船井電機新応用技術研究所 音声入出力装置及び通話装置
EP2007167A3 (en) * 2007-06-21 2013-01-23 Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute Inc. Voice input-output device and communication device
US20090175477A1 (en) * 2007-08-20 2009-07-09 Yamaha Corporation Vibration transducer
JP5051893B2 (ja) * 2007-10-29 2012-10-17 パナソニック株式会社 膜スチフネス測定装置
DE112009002542A5 (de) * 2008-10-14 2011-09-08 Knowles Electronics, Llc Mikrofon mit einer Mehrzahl von Wandlerelementen

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105657628A (zh) * 2014-11-28 2016-06-08 现代自动车株式会社 传声器设备及其控制方法
CN105657628B (zh) * 2014-11-28 2019-11-19 现代自动车株式会社 传声器设备及其控制方法
CN111964154A (zh) * 2020-08-28 2020-11-20 邯郸美的制冷设备有限公司 空调器室内机、控制方法、运行控制装置及空调器
CN111964154B (zh) * 2020-08-28 2021-09-21 邯郸美的制冷设备有限公司 空调器室内机、控制方法、运行控制装置及空调器

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