JP2010269136A - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】スキャン中に生じる発熱の大きさに応じて発熱源の温度変化を抑える。
【解決手段】各種ユニットに冷却水を流通させるメイン冷却装置210と、メイン冷却装置210と傾斜磁場コイル20との間に設けられた冷却水の流通経路を介して傾斜磁場コイル20に冷却水を流通させる傾斜磁場コイル用冷却装置220と、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度を検出する温度モニター230とを備えた磁気共鳴イメージング装置において、傾斜磁場コイル用冷却装置220が有する冷却制御部が、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に流通する冷却水の状態を制御することで、温度モニター230によって検出される温度がほぼ一定に保たれるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を変化させる。
【選択図】図4

Description

本発明は、磁気共鳴現象を利用して被検体を画像化する磁気共鳴イメージング装置に関し、特に、スキャン中に傾斜磁場コイルなどの発熱源を冷却するための技術に関する。
磁気共鳴イメージング装置は、磁気共鳴現象を利用して被検体内を画像化する装置である。かかる磁気共鳴イメージング装置は、撮像領域に静磁場を発生させる静磁場磁石や、静磁場内に置かれた被検体に傾斜磁場を印加する傾斜磁場コイル、傾斜磁場が印加された被検体から磁気共鳴信号を受信する高周波コイルなど、撮像に必要な各種ユニットを備える。このような各種ユニットの中には、スキャン中に熱を発生するものが存在する。
例えば、傾斜磁場コイルは、パルスシーケンスに応じてパルス電流が繰り返して供給されるため、スキャン中に顕著に発熱する。かかる傾斜磁場コイルには、撮像領域内の静磁場不均一を補正するための鉄シムが設けられるが、この鉄シムは、傾斜磁場コイルの温度が変動するとその影響で透磁率が変化する。
そして、鉄シムの透磁率が変化すると、撮像領域内の静磁場均一性に変化が生じ、特に、中心周波数が顕著に変化する。この中心周波数の変動は、脂肪抑止の妨げや画像にアーティファクトを生じさせる原因となる。したがって、安定した画質の画像を得るためには、傾斜磁場コイルの温度の変動を抑えることが重要となる。特に近年では、強力な傾斜磁場が用いられるようになっており、傾斜磁場コイルの発熱をいかにして制御するかがさらに重要な課題となっている。
通常、このような課題を解決するため、MRI装置には、傾斜磁場コイルなどの発熱源を冷却するために冷却装置が装備される。この冷却装置は、例えば熱交換器や循環ポンプなどを有し、発熱源の周辺に設けられた冷却管に水などの冷媒を循環させることで、発熱源を冷却する(例えば、特許文献1参照)。
特開2006−311957号公報
しかしながら、上述した従来の技術では、以下に説明するように、スキャン中に生じる発熱の大きさに応じて発熱源の温度変化を抑えることができないという課題があった。
例えば、上述した従来の技術では、スキャン中に発熱源による発熱が大きくなった場合には、その温度を下げるために冷媒の流量を増やす必要がある。しかし、例えば傾斜磁場コイルでは、構造上の制限によって冷却管の太さが制限されるため、所定量以上に冷媒の流量を増やすことができなかった。そのため、流量の限界を超えた場合には、傾斜磁場コイルの温度上昇を抑えることができなかった。
一方、例えば、冷媒の温度を低くした場合、スキャン開始前は傾斜磁場コイルの温度は低く抑えられるが、冷媒の温度が一定であれば、スキャン開始後には傾斜磁場コイルの温度は上昇する。したがって、冷媒の温度を低くしても、スキャン中に傾斜磁場コイルの温度変化を抑えることはできなかった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、スキャン中に生じる発熱の大きさに応じて発熱源の温度変化を抑えることができる磁気共鳴イメージング装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様にかかる磁気共鳴イメージング装置は、被検体が置かれる静磁場内に傾斜磁場を印加する傾斜磁場コイルと、前記傾斜磁場コイルに設けられ、前記静磁場の空間的な不均一を補正する金属シムと、撮像シーケンスを実行する実行部と、前記撮像シーケンスの実行が開始される前に、前記金属シムの温度を当該撮像シーケンスの実行中に到達する所定の温度まで上昇させる制御部と、を備える。
本発明によれば、スキャン中に生じる発熱の大きさに応じて発熱源の温度変化を抑えることができるという効果を奏する。
図1は、本実施例1に係るMRI装置の構成を示す構成図である。 図2は、図1に示した傾斜磁場コイルの構造を示す斜視図である。 図3は、図2に示した傾斜磁場コイルの内部構造を示す構造図である。 図4は、本実施例1に係る冷却システムの構成を示すブロック図である。 図5は、本実施例1に係る傾斜磁場コイル用冷却装置の構成を示すブロック図である。 図6は、図5に示した冷却制御部による冷却水の温度制御の一例を示す図である。 図7は、本実施例1に係る傾斜磁場コイル用冷却装置による温度制御の処理手順を説明するためのフローチャートである。 図8は、本実施例2に係る傾斜磁場コイル用冷却装置の構成を示すブロック図である。 図9は、本実施例3に係る冷却システムの構成を示すブロック図である。 図10は、本実施例3に係る傾斜磁場コイル用冷却装置の構成を示すブロック図である。 図11は、本実施例3に係る傾斜磁場コイル用冷却装置による温度制御の処理手順を説明するためのフローチャートである。 図12は、傾斜磁場コイルにおける飽和温度を説明するための図である。 図13は、スキャン開始前に鉄シムの温度を飽和温度まで上昇させる場合を説明するための図である。 図14は、撮像シーケンスが実行された場合の傾斜磁場コイル20の温度変化を示す図である。 図15は、複数の撮像シーケンスが実行される場合の傾斜磁場コイルの温度制御を説明するための図(1)である。 図16は、複数の撮像シーケンスが実行される場合の傾斜磁場コイルの温度制御を説明するための図(2)である。 図17は、複数の撮像シーケンスが実行される場合の傾斜磁場コイルの温度制御を説明するための図(3)である。
以下に、本発明に係る磁気共鳴イメージング装置(以下、「MRI(Magnetic Resonance Imaging)装置」と呼ぶ)の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に示す実施例では、発熱源の一例として傾斜磁場コイルを冷却し、冷却用の冷媒として水(以下、「冷却水」と呼ぶ)を用いた場合について説明するが、この実施例により本発明が限定されるものではない。
まず、本実施例1に係るMRI装置100の構成について説明する。図1は、本実施例1に係るMRI装置100の構成を示す構成図である。図1に示すように、このMRI装置100は、静磁場磁石10と、傾斜磁場コイル20と、RFコイル30と、天板40と、傾斜磁場電源50と、送信部60と、受信部70と、シーケンス制御装置80と、計算機システム90と、冷却システム200とを有する。
静磁場磁石10は、概略円筒形状の真空容器11と、真空容器11の中で冷却液に浸漬された超伝導コイル12とを有し、撮像領域であるボア(静磁場磁石10の円筒内部の空間)内に静磁場を発生させる。
傾斜磁場コイル20は、概略円筒形状をなし、静磁場磁石10の内側に固定されている。この傾斜磁場コイル20は、傾斜磁場電源50から供給される電流によりX軸,Y軸,Z軸の方向に傾斜磁場を印加するメインコイル21と、メインコイル21の漏洩磁場をキャンセルするシールドコイル22とを有している。
ここで、メインコイル21とシールドコイル22との間には、シムトレイ挿入ガイド23が形成されている。このシムトレイ挿入ガイド23には、ボア内の磁場不均一を補正するための鉄シム25を収納したシムトレイ24が挿入される。かかる傾斜磁場コイル20の構造については、後に詳細に説明する。
RFコイル30は、傾斜磁場コイル20の内側に、被検体Pを挟んで対向するように固定されている。このRFコイル30は、送信部60から送信されるRFパルスを被検体Pに照射し、また、水素原子核の励起によって被検体Pから放出される磁気共鳴信号を受信する。
天板40は、図示していない寝台に水平方向へ移動可能に設けられており、撮影時には被検体Pが載置されてボア内へ移動される。傾斜磁場電源50は、シーケンス制御装置80からの指示に基づいて、傾斜磁場コイル20に電流を供給する。
送信部60は、シーケンス制御装置80からの指示に基づいて、RFコイル30にRFパルスを送信する。受信部70は、RFコイル30によって受信された磁気共鳴信号を検出し、検出した磁気共鳴信号をデジタル化して得られる生データをシーケンス制御装置80に対して送信する。
シーケンス制御装置80は、計算機システム90による制御のもと、傾斜磁場電源50、送信部60および受信部70をそれぞれ駆動することによって被検体Pのスキャンを行う。そして、シーケンス制御装置80は、スキャンを行った結果、受信部70から生データが送信されると、その生データを計算機システム90に送信する。
計算機システム90は、MRI装置100全体を制御する。具体的には、この計算機システム90は、操作者から各種入力を受け付ける入力部や、操作者から入力される撮像条件に基づいてシーケンス制御装置80にスキャンを実行させるシーケンス制御部、シーケンス制御装置80から送信された生データに基づいて画像を再構成する画像再構成部、再構成された画像などを記憶する記憶部、再構成された画像など各種情報を表示する表示部、操作者からの指示に基づいて各機能部の動作を制御する主制御部などを有する。
なお、かかる計算機システム90は、操作者からスキャンの開始指示を受け付けた場合には、上記で説明した各部を適宜に制御するとともに、冷却システム200に対してスキャン開始通知を送信する。
冷却システム200は、MRI装置100が有する各種ユニットに冷却水を循環させることによって、各ユニットを冷却する。かかる冷却システム200の詳細については、後に詳細に説明する。
次に、図1に示した傾斜磁場コイル20の構造について説明する。図2は、図1に示した傾斜磁場コイル20の構造を示す斜視図である。図2に示すように、傾斜磁場コイル20は、概略円筒形状をなすメインコイル21と、シールドコイル22とを有している。そして、これら二つのコイルの間には、シムトレイ挿入ガイド23が形成されている。
シムトレイ挿入ガイド23は、それぞれ、傾斜磁場コイル20の両端面に開口を形成する貫通穴であり、傾斜磁場コイル20の長手方向に全長にわたって形成されている。各シムトレイ挿入ガイド23は、メインコイル21およびシールドコイル22に挟まれた領域に、互いに平行となるように円周方向に等間隔に形成されている。そして、これらシムトレイ挿入ガイド23には、それぞれ、シムトレイ24が挿入されている。
シムトレイ24は、それぞれ、非磁性かつ非電導性材料である樹脂にて作製され、概略棒状をなしている。これらシムトレイ24には、それぞれ、所定の数の鉄シム25が収納されている。そして、各シムトレイ24は、シムトレイ挿入ガイド23に挿入されて、それぞれ傾斜磁場コイル20の中央部に固定されている。
また、図2では図示を省略しているが、傾斜磁場コイル20には、円筒形状に沿って、螺旋状に冷却管が埋設されている。図3は、図2に示した傾斜磁場コイル20の内部構造を示す構造図である。なお、図3は、傾斜磁場コイル20の一部分を示しており、同図における上側が円筒形状の外側を示しており、下側が円筒形状の内側を示している。
図3に示すように、傾斜磁場コイル20には、シムトレイ挿入ガイド23の内側および外側、すなわち、シムトレイ挿入ガイド23とメインコイル21との間、および、シムトレイ挿入ガイド23とシールドコイル22との間に、螺旋状に冷却管26が埋設されている。この冷却管26には、冷却システム200から送られる冷却水が流入し、流入した冷却水は、冷却管26を通って傾斜磁場コイル20の内部を循環したうえで傾斜磁場コイル20の外へ流出する。こうして、冷却水が冷却管26を通って傾斜磁場コイル20の内部を循環することによって、傾斜磁場コイル20が冷却される。
次に、本実施例1に係る冷却システム200の構成について説明する。図4は、本実施例1に係る冷却システム200の構成を示すブロック図である。図4に示すように、冷却システム200は、メイン冷却装置210と、傾斜磁場コイル用冷却装置220と、温度モニター230と、弁240および250とを有する。
温度モニター230は、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度Tを検出する。この温度モニター230によって検出された温度Tは、傾斜磁場コイル用冷却装置220に通知される。
弁240および250は、傾斜磁場コイル用冷却装置220による制御のもと、メイン冷却装置210および傾斜磁場コイル用冷却装置220から傾斜磁場コイル20に供給される冷却水の流れを制御する。
これら弁240および250は、メイン冷却装置210によって供給される冷却水または傾斜磁場コイル用冷却装置220によって供給される冷却水のいずれか一方のみを傾斜磁場コイル20に流通させることができる。また、弁240および250は、各冷却装置から供給される冷却水を混合して傾斜磁場コイル20に流通させることもでき、混合する冷却水の比率を適宜に調整することも可能である。
メイン冷却装置210は、傾斜磁場コイル20の冷却管に冷却水を流通させる。具体的には、このメイン冷却装置210は、弁240を経由する流通経路を介して、一定の温度の冷却水を傾斜磁場コイル20に流入させる。また、メイン冷却装置210は、弁250を経由する流通経路を介して、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水を取り込む。なお、図4では図示を省略しているが、メイン冷却装置210は、傾斜磁場コイル20以外の各種ユニットにも冷却水を流通させる。
傾斜磁場コイル用冷却装置220は、メイン冷却装置210と傾斜磁場コイル20との間に設けられた冷却水の流通経路を介して、傾斜磁場コイル20に冷却水を流通させる。この傾斜磁場コイル用冷却装置220は、計算機システム90、温度モニター230、弁240および250それぞれと通信可能に接続されている。
具体的には、傾斜磁場コイル用冷却装置220は、弁240を介して、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に通じる流通経路に、メイン冷却装置210によって供給される冷却水よりも温度が高い冷却水を供給する。また、傾斜磁場コイル用冷却装置220は、弁250を介して、傾斜磁場コイル20から流出した冷却水の一部を取り込む。
そして、本実施例1では、この傾斜磁場コイル用冷却装置220が、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に流通する冷却水の状態を制御することで、温度モニター230によって検出される温度が一定の温度となるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を変化させる。これにより、本実施例1では、スキャン中に生じる発熱の大きさに応じて傾斜磁場コイル20の温度変化が抑えられるようにしている。以下、かかる傾斜磁場コイル用冷却装置220について詳細に説明する。
まず、本実施例1に係る傾斜磁場コイル用冷却装置220の構成について説明する。図5は、本実施例1に係る傾斜磁場コイル用冷却装置220の構成を示すブロック図である。図5に示すように、傾斜磁場コイル用冷却装置220は、ヒータ221と、冷却制御部222とを有する。
ヒータ221は、傾斜磁場コイル用冷却装置220によって供給される冷却水を加熱する。具体的には、このヒータ221は、冷却制御部222による制御のもと、冷却水を加熱する加熱温度を変えることによって、傾斜磁場コイル用冷却装置220から供給される冷却水の温度を適宜に調整する。
冷却制御部222は、温度モニター230によって検出される温度に基づいて、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を変化させる。具体的には、冷却制御部222は、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に流通する冷却水の状態を制御することで、温度モニター230によって検出される温度が一定の温度に保たれるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を変化させる。なお、ここでいう「一定の温度」には、あらかじめ決められた許容範囲内の誤差が含まれることとする。
例えば、冷却制御部222は、スキャン開始前には、常温より高い温度の冷却水を傾斜磁場コイル20に流通させることによって、傾斜磁場コイル20の温度を所定の温度まで上昇させる。このように、スキャン開始前に傾斜磁場コイル20の温度を所定の温度まで上昇させることを、以下では「プレヒート」と呼ぶ。
具体的には、冷却制御部222は、ヒータ221を制御することによって、常温より高い所定の温度(例えば、40℃)に達するまで冷却水を加熱する。その後、冷却制御部222は、弁制御信号を送信することによって、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に流れる冷却水を遮断し、かつ、ヒータ221によって所定の温度まで加熱された冷却水のみが傾斜磁場コイル20に流れるように弁240および250を制御する。これにより、傾斜磁場コイル20の温度をスキャンに適した所定の温度まで上昇させることができる。
その後、スキャンが開始されると、パルス信号によって傾斜磁場コイル20の温度が上昇することになる。そこで、スキャン開始後には、冷却制御部222は、温度モニター230によって検出される温度がプレヒートによって達した温度(例えば、40℃)の付近でほぼ一定に保たれるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を低下させる。
具体的には、冷却制御部222は、計算機システム90からスキャン開始通知を受信した場合に、弁制御信号を送信することによって、メイン冷却装置210および傾斜磁場コイル用冷却装置220から供給される冷却水を混合して傾斜磁場コイル20に流入させるように弁240および250を制御する。このとき、冷却制御部222は、温度モニター230によって検出される温度の変化量に応じて傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度が低下するように、各冷却装置から供給される冷却水の混合比率を変化させる。
図6は、図5に示した冷却制御部222による冷却水の温度制御の一例を示す図である。図6において、「IN」は、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度の変化を示しており、「OUT」は、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度の変化を示している。なお、ここでは、傾斜磁場コイル20の常温が20℃であり、メイン冷却装置210によって供給される冷却水の温度が10℃であり、プレヒートによって設定される傾斜磁場コイル20の温度が40℃であったとする。
その場合、図6に示すように、スキャン開始前は、傾斜磁場コイル用冷却装置220によって、40℃まで加熱された冷却水が傾斜磁場コイル20に流入する。そして、これにともなって、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度は40℃まで上昇する。
一方、スキャン開始後は、温度モニター230によって検出される温度Tの変化量に応じて、メイン冷却装置210および傾斜磁場コイル用冷却装置220から供給される冷却水の混合比率が調整される。その結果、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度が徐々に低下し、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度が40℃付近でほぼ一定に保たれる。
次に、本実施例1に係る傾斜磁場コイル用冷却装置220による温度制御の処理手順について説明する。図7は、本実施例1に係る傾斜磁場コイル用冷却装置220による温度制御の処理手順を説明するためのフローチャートである。なお、ここでは、メイン冷却装置210によって供給される冷却水の温度が10℃であり、プレヒートによって設定される傾斜磁場コイル20の温度が40℃である場合について説明する。
図7に示すように、傾斜磁場コイル用冷却装置220では、冷却制御部222が、例えば、図示していない入力部を介して操作者からプレヒートの開始指示を受け付けると(ステップS101,Yes)、冷却制御部222が、ヒータ221を制御することによって、冷却水を40℃まで加熱する(ステップS102)。
続いて、冷却制御部222は、弁240および250を制御することによって、加熱された冷却水を傾斜磁場コイル20に流入させる(ステップS103)。また、温度モニター230が、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度を検出する(ステップS104)。
その後、傾斜磁場コイル20の温度が40℃に達した後に(ステップS105,Yes)、計算機システム90からスキャン開始通知が送信されると(ステップS106,Yes)、温度モニター230が、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度を検出する(ステップS107)。
そして、冷却制御部222が、温度モニター230によって検出される温度が40℃付近でほぼ一定に保たれるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を変化させる(ステップS108)。その後、スキャンが終了するまでの間は、ステップS107およびS108の処理が繰り返し実行される(ステップS109)。
上述してきたように、本実施例1では、傾斜磁場コイル用冷却装置220が有する冷却制御部222が、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に流通する冷却水の状態を制御することで、温度モニター230によって検出される温度がほぼ一定に保たれるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を変化させる。したがって、スキャン中に生じる発熱の大きさに応じて傾斜磁場コイル20の温度変化を抑えることができる。
また、本実施例1では、冷却制御部222が、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に流通する冷却水よりも温度が高い冷却水を傾斜磁場コイル20に流通させることで、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を上昇させる。したがって、傾斜磁場コイル20を冷却するだけでなく、必要に応じて傾斜磁場コイル20の温度を上昇させることもできる。
また、本実施例1では、傾斜磁場コイル用冷却装置220が、冷却水を加熱するヒータ221を有し、冷却制御部222が、ヒータ221を制御することによって、傾斜磁場コイル20に流通させる冷却水の温度を上昇させる。したがって、冷却水の温度を任意の温度に調整することができ、発熱に応じてより柔軟に傾斜磁場コイル20を冷却することができる。
また、本実施例1では、冷却制御部222が、スキャン開始前には、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を所定温度まで上昇させ、スキャン開始後には、温度モニター230によって検出される温度が所定温度の付近でほぼ一定に保たれるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を低下させる。したがって、スキャン中に傾斜磁場コイル20が常にスキャンに適した温度となるよう自動的に制御することができる。
ところで、上記実施例1では、ヒータを用いて冷却水の温度を変化させる場合について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、温度が異なる冷却水を貯蓄する複数の冷媒貯蓄層を用いて冷却水の温度を変化させるようにしてもよい。
そこで、以下では実施例2として、傾斜磁場コイル用冷却装置が複数の冷媒貯蓄層を用いて冷却水の温度を変化させる場合について説明する。なお、本実施例2に係るMRI装置および冷却システムの構成は、基本的には図1〜4に示したものと同様であり、傾斜磁場コイル用冷却装置の機能が異なるのみである。したがって、ここでは、本実施例2に係る傾斜磁場コイル用冷却装置の構成について説明する。
図8は、本実施例2に係る傾斜磁場コイル用冷却装置320の構成を示すブロック図である。図8に示すように、傾斜磁場コイル用冷却装置320は、冷媒貯蓄部321と、冷却制御部322とを有する。
冷媒貯蓄部321は、温度が異なる冷却水を貯蓄する第1冷媒貯蓄層および第2冷媒貯蓄層を有する。ここで、第1の冷媒貯蓄層は、第2の冷媒貯蓄層よりも高い温度の冷却水を貯蓄することとする。また、第1冷媒貯蓄層および第2冷媒貯蓄層によって貯蓄される冷却水は、いずれも、メイン冷却装置210によって供給される冷却水よりも温度が高いこととする。
冷却制御部322は、実施例1における冷却制御部222と同様に、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に流通する冷却水の状態を制御することで、温度モニター230によって検出される温度が一定の温度に保たれるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を変化させる。なお、ここでいう「一定の温度」には、あらかじめ決められた許容範囲内の誤差が含まれることとする。
具体的には、冷却制御部322は、傾斜磁場コイル20に流通させる冷却水の温度を上昇させる場合には、第1の冷媒貯蓄層に貯蓄されている冷却水を、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に通じる流通経路に供給する。一方、冷却制御部322は、傾斜磁場コイル20に流通させる冷却水の温度を低下させる場合には、第2の冷媒貯蓄層に貯蓄されている冷却水を、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に通じる流通経路に供給する。
このように、本実施例2では、傾斜磁場コイル用冷却装置320が、温度が異なる冷却水を貯蓄する第1の冷媒貯蓄層および第2の冷媒貯蓄層を有し、冷却制御部322が、各冷媒貯蓄層に貯蓄されている冷却水を用いて、傾斜磁場コイル20に流通させる冷却水の温度を変化させる。したがって、本実施例2によれば、ヒータなどを用いて冷却水の温度を変化させる場合と比べて、冷却水の温度を迅速に変化させることが可能である。
なお、本実施例2では、2つの冷媒貯蓄層を用いた場合について説明したが、さらに多くの冷却貯蓄層を用いるようにしてもよい。それにより、冷却水の温度をより厳密に変化させることが可能になる。
また、本実施例2では、傾斜磁場コイル用冷却装置320が複数の冷媒貯蓄層を有する場合について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。たとえば、メイン冷却装置210が、傾斜磁場コイル20に流通させる冷却水を所定の温度で貯蓄する第1冷媒貯蓄層を有し、傾斜磁場コイル用冷却装置320が、メイン冷却装置210の第1冷媒貯蓄層よりも高い温度の冷却水を貯蓄する第2冷媒貯蓄層を有するようにしてもよい。この場合、冷却制御部322は、第2冷媒貯蓄層に貯蓄されている冷却水を用いて、傾斜磁場コイル20に流通させる冷却水の温度を変化させる。
ところで、上記実施例1および2では、傾斜磁場コイル用冷却装置が、傾斜磁場コイル20の温度をほぼ一定に保つために、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の温度を変化させる場合について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、同様の目的で、傾斜磁場コイル用冷却装置が、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の流量を変化させるようにしてもよい。
そこで、以下では実施例3として、傾斜磁場コイル用冷却装置が、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の流量を変化させる場合について説明する。なお、本実施例3に係るMRI装置の構成は、基本的には図1〜3に示したものと同様であり、冷却システムの構成および傾斜磁場コイル用冷却装置の機能が異なるのみである。したがって、ここでは、本実施例3に係る冷却システムの構成および傾斜磁場コイル用冷却装置の構成について説明する。
まず、本実施例3に係る冷却システムの構成について説明する。図9は、本実施例3に係る冷却システム400の構成を示すブロック図である。なお、ここでは説明の便宜上、図4に示した各部と同様の役割を果たす機能部については、同一符号を付すこととしてその詳細な説明を省略する。
図9に示すように、冷却システム400は、メイン冷却装置210と、傾斜磁場コイル用冷却装置420と、温度モニター230と、弁440および450とを有する。
弁440および450は、傾斜磁場コイル用冷却装置420による制御のもと、メイン冷却装置210および傾斜磁場コイル用冷却装置420から傾斜磁場コイル20に供給される冷却水の流れを制御する。
これら弁440および450は、メイン冷却装置210によって供給される冷却水または傾斜磁場コイル用冷却装置420によって供給される冷却水のいずれか一方のみを傾斜磁場コイル20に流通させることができる。また、各冷却装置から供給される冷却水を混合して傾斜磁場コイル20に流通させることもでき、混合される冷却水の比率を適宜に調整することも可能である。さらに、メイン冷却装置210から流出する冷却水の一部を傾斜磁場コイル用冷却装置420に流入させることもできる。
傾斜磁場コイル用冷却装置420は、メイン冷却装置210と傾斜磁場コイル20との間に設けられた冷却水の流通経路を介して、傾斜磁場コイル20に冷却水を流通させる。この傾斜磁場コイル用冷却装置420は、計算機システム90、温度モニター230、弁440および450それぞれと通信可能に接続されている。
具体的には、傾斜磁場コイル用冷却装置420は、弁440を介して、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に通じる流通経路に冷却水を供給したり、メイン冷却装置210から流出する冷却水の一部を取り込んだりする。また、傾斜磁場コイル用冷却装置420は、弁450を介して、傾斜磁場コイル20から流出した冷却水の一部を取り込んだり、弁440を介して取り込んだ冷却水を傾斜磁場コイル20からメイン冷却装置210に通じる流通経路に流出したりする。
そして、本実施例3では、この傾斜磁場コイル用冷却装置420が、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に流通する冷却水の状態を制御することで、温度モニター230によって検出される温度が一定の温度となるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の流量を変化させる。これにより、本実施例3では、スキャン中に生じる発熱の大きさに応じて傾斜磁場コイル20の温度変化が抑えられるようにしている。以下、かかる傾斜磁場コイル用冷却装置420について詳細に説明する。
まず、本実施例3に係る傾斜磁場コイル用冷却装置420の構成について説明する。図10は、本実施例3に係る傾斜磁場コイル用冷却装置420の構成を示すブロック図である。図10に示すように、傾斜磁場コイル用冷却装置420は、冷却制御部422を有する。
冷却制御部422は、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に流通する冷却水の状態を制御することで、温度モニター230によって検出される温度が一定の温度に保たれるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の流量を変化させる。なお、ここでいう「一定の温度」には、あらかじめ決められた許容範囲内の誤差が含まれることとする。
具体的には、冷却制御部422は、スキャンが開始された後に、温度モニター230によって検出される温度が所定の温度よりも下がった場合には、その変化量に応じて、メイン冷却装置210から流出する冷却水の一部が傾斜磁場コイル用冷却装置420に流れるように弁440および450を制御する。これにより、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の流量が減少し、傾斜磁場コイル20の温度が上昇する。
一方、冷却制御部422は、スキャンが開始された後に、温度モニター230によって検出される温度が所定の温度よりも上がった場合には、その変化量に応じて、メイン冷却装置210から流出する冷却水と傾斜磁場コイル用冷却装置420から流出する冷却水とが合流するように弁440および450を制御する。これにより、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の流量が増加し、傾斜磁場コイル20の温度が低下する。
次に、本実施例3に係る傾斜磁場コイル用冷却装置420による温度制御の処理手順について説明する。図11は、本実施例3に係る傾斜磁場コイル用冷却装置420による温度制御の処理手順を説明するためのフローチャートである。
図11に示すように、計算機システム90からスキャン開始通知が送信されると(ステップS201,Yes)、温度モニター230が、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度を検出する(ステップS202)。
そして、冷却制御部422が、温度モニター230によって検出される温度が所定温度付近でほぼ一定(例えば、40℃)に保たれるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の流量を変化させる(ステップS203)。その後、スキャンが終了するまでの間は、ステップS202およびS203の処理が繰り返し実行される(ステップS204)。
上述してきたように、本実施例3では、傾斜磁場コイル用冷却装置420が有する冷却制御部422が、メイン冷却装置210から傾斜磁場コイル20に流通する冷却水の状態を制御することで、温度モニター230によって検出される温度がほぼ一定に保たれるように、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の流量を変化させる。したがって、スキャン中に生じる発熱の大きさに応じて傾斜磁場コイル20の温度変化を抑えることができる。
また、本実施例3では、冷却制御部422が、メイン冷却装置210から流出する冷却水の一部が傾斜磁場コイル用冷却装置420に流れるように制御することで、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の流量を減少させる。この結果、傾斜磁場コイル20の温度は上昇する。また、本実施例3では、冷却制御部422が、メイン冷却装置210から流出する冷却水と傾斜磁場コイル用冷却装置420から流出する冷却水とが合流するように制御することで、傾斜磁場コイル20に流入する冷却水の流量を増加させる。この結果、傾斜磁場コイル20の温度は低下する。本実施例3によれば、ヒータや冷媒貯蓄層など、冷媒の温度を変化させるための特別な装備を用いることなく、傾斜磁場コイル20の温度を調整することができる。
また、これまでに説明した各実施例によれば、いずれの場合でも、スキャン中に生じる発熱の大きさに応じて傾斜磁場コイル20の温度変化を抑えられるので、アーティファクトが少ない安定した画質の画像を得ることができる。
なお、上記実施例では、スキャン開始前に、傾斜磁場コイル20の温度を所定の温度(例えば、40℃)まで上昇させる場合について説明した。ここで、例えば、常温の冷却水を傾斜磁場コイル20に循環させた場合には、スキャンが開始した後に、冷却水による熱の吸収と傾斜磁場コイル20による発熱とが均衡状態となった時点で、傾斜磁場コイル20の温度上昇が停止する。このように、熱の吸収と発熱とが均衡状態となった時点の温度を「飽和温度」と呼ぶ。この飽和温度は、傾斜磁場コイル20内の各所で異なる。以下では、かかる飽和温度を所定の温度として用いる場合について説明する。
図12は、傾斜磁場コイル20における飽和温度を説明するための図である。図12の左側の図は、傾斜磁場コイル20の一部分の断面を示しており、同図における上側は円筒形状の外側を示しており、下側は円筒形状の内側を示している。同図に示すように、傾斜磁場コイル20において、メインコイル21とシールドコイル22との間には、鉄シム25を収納したシムトレイ24が挿入されている。そして、メインコイル21とシムトレイ24との間、および、シールドコイル22とシムトレイ24との間には、それぞれ、冷却管26が埋設されている。
また、図12の右側の図は、左側に示した断面における上下方向の温度分布を示している。同図において、t0は、スキャン開始時の時刻t0における傾斜磁場コイル20内の温度分布を示している。また、t1〜t4は、それぞれ、時刻t1〜t4における傾斜磁場コイル20内の温度分布を示している。ここで、各時刻の関係はt0<t1<t2<t3<t4であったとする。
例えば、傾斜磁場コイル20に供給される冷却水の温度が常温T0であったとする。そして、図12に示すように、スキャン開始時の時刻t0において、傾斜磁場コイル20内の各所における温度が冷却水と同じくT0であったとする。この状態からスキャンが開始されると、傾斜磁場コイル20内の各所における温度は徐々に上昇する。その後、例えば、時刻t4において、傾斜磁場コイル20内の各所が飽和温度に達したとする。ここで、時刻t4における鉄シム25の温度、すなわち、鉄シム25の飽和温度はTsであったとする。この鉄シム25の飽和温度Tsは、冷却管26を流れる冷却水によって、傾斜磁場コイル20内の他の部分よりも低く抑えられる。
しかし、図12に示すように、鉄シム25の温度は、冷却水によって他の部分よりも低く抑えられるものの、スキャン中にT0からTsまで変化する。このように、スキャン中に鉄シム25の温度が変化すると、それにともなって鉄シム25の磁化率も変化する。そして、この鉄シムの磁化率の変化にともなって、静磁場の均一性が崩れて中心周波数f0が変動する。この中心周波数f0の変動は、脂肪抑止の妨げや画像にアーティファクトを生じさせる原因となってしまう。
そこで、例えば、スキャンが開始される前に、冷却制御部が、鉄シム25の温度をあらかじめ飽和温度まで上昇させておくようにしてもよい。図13は、スキャン開始前に鉄シム25の温度を飽和温度まで上昇させる場合を説明するための図である。この場合には、例えば、冷却制御部は、スキャンが開始する前に、冷却水の温度または流量を調整することで、傾斜磁場コイル20内の各所における温度を鉄シム25の温度であるTSまで上昇させる。この結果、図13に示すように、時刻t0では、傾斜磁場コイル20内の各所における温度はTSとなる。
そして、スキャンが開始した後に、傾斜磁場コイル20内の各所における温度は徐々に上昇し、時刻t4で飽和温度に達する。ここで、鉄シム25については、スキャンが開始する時点ですでに飽和温度TSに達しているため、スキャン中に温度が変化しないことになる。したがって、中心周波数f0の変動を防ぐことが可能になり、脂肪が抑止された画像やアーティファクトがない高画質の画像を得ることができる。
なお、MRI装置において、被検体のスキャンは撮像シーケンスの単位で行われる。ここでいう撮像シーケンスとは、所定の撮像法を実施するための一連の処理手順である。この撮像シーケンスの種類としては、例えば、T1強調画像を撮像するためのシーケンスや、T2強調画像を撮像するためのシーケンス、拡散強調画像(Diffusion Weighted Image:DWI)を撮像するためのシーケンス、FLAIR(Fluid Attenuated Inversion Recovery)のシーケンス、fMRI(functional MRI)のシーケンスなどがある。一般的に、各撮像シーケンスは、頭部や腹部、心臓などの撮像部位ごとに用意される。
そこで、例えば、冷却制御部は、撮像シーケンスの実行が開始される前に、鉄シム25の温度をその撮像シーケンスの実行中に到達する飽和温度まで上昇させる。具体的には、冷却制御部は、シーケンス制御装置80によって撮像シーケンスの実行が開始される前に、冷却管26に流入する冷却水の温度または流量を調整することで、鉄シム25の温度を飽和温度まで上昇させる。さらに、冷却制御部は、撮像シーケンスの実行中には、温度モニター230により検出される温度がその撮像シーケンスの実行が開始された時点の温度と同じに保たれるように、冷却管26に流入する冷却水の温度または流量を調整する。
なお、ここでは、冷却制御部が、冷却管26に流入する冷却水の温度または流量を調整することで鉄シム25の温度を上昇させる場合について説明したが、鉄シム25の温度を上昇させる方法はこれに限られない。例えば、冷却制御部は、傾斜磁場コイル20に電流を流すことで傾斜磁場コイル20を発熱させ、その傾斜磁場コイル20の発熱によって、鉄シム25の温度を飽和温度まで上昇させてもよい。なお、この場合に、傾斜磁場コイル20に供給される電流は直流電流であってもよいし、交流電流であってもよい。
また、冷却制御部は、冷却水の温度または流量を調整する方法と、傾斜磁場コイル25に電流を流す方法を併用してもよい。これにより、例えば、冷却水を供給する冷却装置の性能が低く、温度調整や流量調整に時間がかかるような場合でも、傾斜磁場コイル25の発熱によって鉄シム25の温度を短時間で効率よく上昇させることができる。
なお、MRI装置を用いた検査では、1回の検査で複数種類の画像が撮像される場合もある。この場合には、シーケンス制御装置80は、各画像を得るための複数の撮像シーケンスを連続して実行する。そこで、例えば、冷却制御部が、複数の撮像シーケンスのうち少なくとも1つの撮像シーケンスの実行が開始される前に、鉄シム25の温度をその撮像シーケンスの実行中に到達する飽和温度まで上昇させるようにしてもよい。
図14は、撮像シーケンスが実行された場合の傾斜磁場コイル20の温度変化を示す図である。図14において、横軸はスキャンが開始されてからの時間tを示し、縦軸は傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度TOUTを示している。例えば、常温の冷却水を傾斜磁場コイル20に循環させた場合には、図14に示すように、温度TOUTは、スキャンが開始された後に傾斜磁場コイル20内の温度上昇にともなって徐々に上昇し、所定の時間が経過した時点で飽和温度TSOに達する。このように、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度TOUTが飽和温度TSOに達した場合には、傾斜磁場コイル20内にある鉄シム25も飽和温度に達したことになる。
ここで、一般的に、傾斜磁場コイル20に供給される電流の大きさは撮像シーケンスごとに異なる。そのため、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度TOUTの飽和温度も撮像シーケンスごとに異なる。図15〜17は、複数の撮像シーケンスが実行される場合の傾斜磁場コイル20の温度制御を説明するための図である。
図15〜17は、位置決め用の画像を撮像するためのシーケンス(Locator)、T2強調画像を撮像するためのシーケンス(T2W)、T1強調画像を撮像するためのシーケンス(T1W)、拡散強調画像を撮像するためのシーケンス(DWI)、FLAIRのシーケンス、fMRIのシーケンスが連続して実行される場合を示している。
図15〜17において、横軸は経過時間tを示し、縦軸は傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度TOUTを示している。また、図15〜17において、一点鎖線の曲線は、常温の冷却水を傾斜磁場コイル20に循環させた場合の温度TOUTの変化を示している。各図に示すように、常温の冷却水を傾斜磁場コイル20に循環させた場合には、温度TOUTは、撮像シーケンスごとに、撮像シーケンスが開始されると徐々に上昇して飽和温度に達し、撮像シーケンスが終わると徐々に降下する。
ここで、例えば、Locatorのシーケンスが実行された場合の飽和温度がTS1であり、T2Wのシーケンスが実行された場合の飽和温度がTS2であったとする。また、T1Wのシーケンスが実行された場合の飽和温度がTS3であり、DWIのシーケンスが実行された場合の飽和温度がTS4であったとする。また、FLAIRのシーケンスが実行された場合の飽和温度がTS5であり、fMRIのシーケンスが実行された場合の飽和温度がTS6であったとする。また、各飽和温度の関係はTS1<TS2<TS3<TS5<TS6<TS4であったとする。
このような場合に、例えば、内部メモリなどの記憶部が、あらかじめ複数の撮像シーケンスそれぞれについて、撮像シーケンスが実行された場合の飽和温度を記憶しておく。そして、例えば、冷却制御部は、図15に示す実線の曲線のように、複数の撮像シーケンスそれぞれの実行が開始される前に、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度TOUTを各撮像シーケンスに対応する飽和温度まで上昇させる。なお、この場合には、各撮像シーケンスの実行が開始される前に、鉄シム25の温度も各撮像シーケンスの実行中に到達する飽和温度まで上昇することになる。
例えば、図15に示す例では、冷却制御部は、Locatorのシーケンスが実行される前に、温度TOUTをTS1まで上昇させる。また、冷却制御部は、T2Wのシーケンスが実行される前に、温度TOUTをTS2まで上昇させる。また、冷却制御部は、T1Wのシーケンスが実行される前に、温度TOUTをTS3まで上昇させる。また冷却制御部は、DWIのシーケンスが実行される前に、温度TOUTをTS4まで上昇させる。また、冷却制御部は、FLAIRのシーケンスが実行される前に、温度TOUTをTS5まで上昇させる。また、冷却制御部は、fMRIのシーケンスが実行される前に温度TOUTをTS6まで上昇させる。
これにより、各撮像シーケンスにおいて、撮像シーケンスの実行中に鉄シム25の温度が変化しないようになる。なお、ここでは、全ての撮像シーケンスについて冷却水の温度を変化させる場合について説明した。しかし、例えば、複数の撮像シーケンスのうち飽和温度が最も高くなる撮像シーケンスについてのみ、撮像シーケンスが開始する前に冷却水の温度を上昇させるようにしてもよい。
また、例えば、冷却制御部は、図16に示す実線の曲線のように、1つの撮像シーケンスの実行が終わった後に、次に実行される撮像シーケンスにおける飽和温度まで、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度TOUTを上昇または降下させるようにしてもよい。なお、この場合には、温度TOUTの変動とともに、鉄シム25の温度も上昇または降下することになる。
例えば、図16に示す例では、冷却制御部は、Locatorのシーケンスが実行された後に、温度TOUTをTS1からTS2まで上昇させる。また、冷却制御部は、T2Wのシーケンスが実行された後に、温度TOUTをTS2からTS3まで上昇させる。また、冷却制御部は、T1Wのシーケンスが実行された後に、温度TOUTをTS3からTS4まで上昇させる。また、冷却制御部は、DWIのシーケンスが実行された後に、温度TOUTをTS4からTS5まで降下させる。また、冷却制御部は、FLAIRのシーケンスが実行された後に、温度TOUTをTS5からTS6まで上昇させる。この場合には、図15に示した例と比べて、各撮像シーケンス間で変化させる冷却水の温度差が小さくなるので、1つの撮像シーケンスの実行が終わってから次の撮像シーケンスを開始するまでの時間を短縮することができる。
また、例えば、冷却制御部は、図17に示す実線の曲線のように、最初の撮像シーケンスの実行が開始される前に、各撮像シーケンスのうち飽和温度が最も高くなる撮像シーケンスの飽和温度まで、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度TOUTを上昇させるようにしてもよい。この場合には、例えば、冷却制御部は、操作者によって撮像条件が設定された後に、設定された撮像条件に含まれる複数の撮像シーケンスそれぞれについて、傾斜磁場コイル20に供給される電流のパワーデューティを算出する。そして、冷却制御部は、算出したパワーデューティに基づいて、飽和温度が最も高くなる撮像シーケンスを判定する。なお、この場合には、各撮像シーケンスのうち最初の撮像シーケンスの実行が開始される前に、各撮像シーケンスのうち鉄シム25の温度が最も高くなる撮像シーケンスが実行された場合の飽和温度まで鉄シム25の温度も上昇することになる。
例えば、図17に示す例では、冷却制御部は、Locatorのシーケンスが実行される前に、各撮像シーケンスのうち飽和温度が最も高いDWIのシーケンスにおける飽和温度TS4まで、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度TOUTを上昇させる。この場合には、各撮像シーケンス間で冷却水の温度を調整する必要がなくなるので、より容易に冷却水の温度制御を行うことができるようになる。
なお、上記実施例では、傾斜磁場コイル20から流出する冷却水の温度に基づいて、傾斜磁場コイル20のプレヒート、および、スキャン開始後に傾斜磁場コイル20に流入させる冷却水の温度または流量を制御する場合について説明した。この他にも、例えば、鉄シム25自体あるいは鉄シム25の周辺に温度モニターを設置し、その温度モニターによって検出される温度に基づいて、傾斜磁場コイル20のプレヒート、および、スキャン開始後に傾斜磁場コイル20に流入させる冷却水の温度または流量を制御するようにしてもよい。または、例えば、撮像領域内における磁場の中心周波数f0の変化に応じて、傾斜磁場コイル20に流入させる冷却水の温度または流量を変動させるようにしてもよい。
以上のように、本発明に係る磁気共鳴イメージング装置は、冷却装置を用いて各種ユニットを冷却する場合に有用であり、特に、スキャン中に傾斜磁場コイルの温度を一定に保つことが求められる場合に適している。
100 MRI装置(磁気共鳴イメージング装置)
10 静磁場磁石
11 真空容器
12 超伝導コイル
20 傾斜磁場コイル
21 メインコイル
22 シールドコイル
23 シムトレイ挿入ガイド
24 シムトレイ
25 鉄シム
26 冷却管
30 RFコイル
40 天板
50 傾斜磁場電源
60 送信部
70 受信部
80 シーケンス制御装置
90 計算機システム
200,400 冷却システム
210 メイン冷却装置
220,320,420 傾斜磁場コイル用冷却装置
221 ヒータ
222,322,422 冷却制御部
230 温度モニター
240,250,440,450 弁
321 冷媒貯蓄部

Claims (20)

  1. 被検体が置かれる静磁場内に傾斜磁場を印加する傾斜磁場コイルと、
    前記傾斜磁場コイルに設けられ、前記静磁場の空間的な不均一を補正する金属シムと、
    撮像シーケンスを実行する実行部と、
    前記撮像シーケンスの実行が開始される前に、前記金属シムの温度を当該撮像シーケンスの実行中に到達する所定の温度まで上昇させる制御部と、
    を備える、磁気共鳴イメージング装置。
  2. 前記シーケンス実行部は、複数の撮像シーケンスを連続して実行し、
    前記制御部は、前記複数の撮像シーケンスのうち少なくとも1つの撮像シーケンスの実行が開始される前に、前記金属シムの温度を当該撮像シーケンスの実行中に到達する飽和温度まで上昇させる、
    請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  3. 前記制御部は、前記複数の撮像シーケンスそれぞれの実行が開始される前に、前記金属シムの温度を各撮像シーケンスの実行中に到達する飽和温度まで上昇させる、
    請求項2に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  4. 前記制御部は、前記複数の撮像シーケンスのうち最初の撮像シーケンスの実行が開始される前に、各撮像シーケンスのうち前記金属シムの温度が最も高くなる撮像シーケンスが実行された場合の飽和温度まで前記金属シムの温度を上昇させる、
    請求項2に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  5. 前記金属シムの周辺に設けられた冷却管と、
    前記冷却管に冷媒を流通させる冷却装置と、
    をさらに備え、
    前記制御部は、前記冷却管に流入する冷媒の温度または流量を調整することで、前記金属シムの温度を前記飽和温度まで上昇させる、
    請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  6. 前記金属シムの周辺に設けられた冷却管と、
    前記冷却管に冷媒を流通させる冷却装置と、
    をさらに備え、
    前記制御部は、前記冷却管に流入する冷媒の温度または流量を調整することで、前記金属シムの温度を前記飽和温度まで上昇させる、
    請求項2に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  7. 前記冷却管から流出する冷媒の温度を検出する温度検出部をさらに備え、
    前記制御部は、前記撮像シーケンスの実行中に、前記温度検出部により検出される温度が当該撮像シーケンスの実行が開始された時点の温度と同じに保たれるように、前記冷却管に流入する冷媒の温度または流量を調整する、
    請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  8. 前記冷却管から流出する冷媒の温度を検出する温度検出部をさらに備え、
    前記制御部は、前記撮像シーケンスの実行中に、前記温度検出部により検出される温度が当該撮像シーケンスの実行が開始された時点の温度と同じに保たれるように、前記冷却管に流入する冷媒の温度または流量を調整する、
    請求項2に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  9. 前記冷却管から流出する冷媒の温度を検出する温度検出部をさらに備え、
    前記制御部は、前記撮像シーケンスの実行中に、前記温度検出部により検出される温度が当該撮像シーケンスの実行が開始された時点の温度と同じに保たれるように、前記冷却管に流入する冷媒の温度または流量を調整する、
    請求項5に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  10. 前記冷却管から流出する冷媒の温度を検出する温度検出部をさらに備え、
    前記制御部は、前記撮像シーケンスの実行中に、前記温度検出部により検出される温度が当該撮像シーケンスの実行が開始された時点の温度と同じに保たれるように、前記冷却管に流入する冷媒の温度または流量を調整する、
    請求項6に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  11. 前記制御部は、前記傾斜磁場コイルに電流を流すことで、前記金属シムの温度を前記飽和温度まで上昇させる、
    請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  12. 前記制御部は、前記傾斜磁場コイルに電流を流すことで、前記金属シムの温度を前記飽和温度まで上昇させる、
    請求項2に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  13. 前記制御部は、前記傾斜磁場コイルに電流を流すことで、前記金属シムの温度を前記飽和温度まで上昇させる、
    請求項5に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  14. 前記制御部は、前記傾斜磁場コイルに電流を流すことで、前記金属シムの温度を前記飽和温度まで上昇させる、
    請求項6に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  15. 前記金属シムの周辺に設けられた冷却管と、
    前記冷却管に冷媒を流通させる冷却装置と、
    前記冷却管から流出する冷媒の温度を検出する温度検出部と、
    をさらに備え、
    前記制御部は、前記撮像シーケンスの実行中に、前記温度検出部により検出される温度が当該撮像シーケンスの実行が開始された時点の温度と同じに保たれるように、前記冷却管に流入する冷媒の温度または流量を調整する、
    請求項11に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  16. 前記金属シムの周辺に設けられた冷却管と、
    前記冷却管に冷媒を流通させる冷却装置と、
    前記冷却管から流出する冷媒の温度を検出する温度検出部と、
    をさらに備え、
    前記制御部は、前記撮像シーケンスの実行中に、前記温度検出部により検出される温度が当該撮像シーケンスの実行が開始された時点の温度と同じに保たれるように、前記冷却管に流入する冷媒の温度または流量を調整する、
    請求項12に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  17. 前記冷却装置は、前記冷却管に流通させる冷媒を加熱する加熱部を有し、
    前記制御部は、前記加熱部を制御することで、前記冷却管に流入する冷媒の温度を調整する、
    請求項5に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  18. 前記冷却装置は、前記冷却管に流通させる冷媒を加熱する加熱部を有し、
    前記制御部は、前記加熱部を制御することで、前記冷却管に流入する冷媒の温度を調整する、
    請求項6に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  19. 前記冷却装置は、それぞれ温度が異なる冷媒を貯蓄する複数の冷媒貯蓄層を有し、
    前記制御部は、前記複数の冷媒貯蓄層に貯蓄されている冷媒を用いて、前記冷却管に流入する冷媒の温度を調整する、
    請求項15に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  20. 前記冷却装置は、それぞれ温度が異なる冷媒を貯蓄する複数の冷媒貯蓄層を有し、
    前記制御部は、前記複数の冷媒貯蓄層に貯蓄されている冷媒を用いて、前記冷却管に流入する冷媒の温度を調整する、
    請求項16に記載の磁気共鳴イメージング装置。
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