JP6651330B2 - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置に関する。
静磁場中に置かれた被検体の原子核スピンをラーモア周波数（Larmor frequency）のＲＦ（Radio Frequency）パルスで磁気的に励起し、この励起に伴って発生するＭＲ（Magnetic Resonance）信号から画像を再構成する磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ：Magnetic Resonance Imaging）装置がある。
かかる磁気共鳴イメージング装置は、例えば、金属シムが設けられた傾斜磁場コイルに冷却水を流入させ、傾斜磁場コイルから流出された冷却水の温度を計測し、計測した温度に基づいて、再び傾斜磁場コイルに流入させる冷却水の温度を調整して、金属シムの温度の変動を抑制する。他の例では、磁気共鳴イメージング装置は、例えば、傾斜磁場コイル内に設けられた金属シムの温度を、プロトコルが実行される前に上昇させて、金属シムの温度の変動を抑制する。これらにより、ＲＦパルスの中心周波数の変動が抑制され、画像の画質の劣化が抑制される。
特開２００８−１１４０５１号公報 特開２０１０−２６９１３６号公報 特開２０１１−１４３２３５号公報
本発明が解決しようとする課題は、傾斜磁場コイルの温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えるために有用な情報を予測することができる磁気共鳴イメージング装置を提供することである。
実施形態の磁気共鳴イメージング装置は、傾斜磁場コイルと、予測部と、温度制御部とを備える。傾斜磁場コイルは、被検体が置かれた撮像空間に傾斜磁場を印加する。予測部は、被検体の検査において実行される複数のプロトコルに亘って目標とする前記傾斜磁場コイルの第１の温度を予測する。温度制御部は、前記ＲＦパルスの中心周波数を設定するための情報を計測しているときに前記傾斜磁場コイルの温度が前記第１の温度に近づくように制御する。
図１は、実施形態に係るＭＲＩ装置の構成を示す機能ブロック図である。 図２は、傾斜磁場コイルの構造の一例を示す斜視図である。 図３は、図２に示した傾斜磁場コイルの内部構造の一例を示す構造図である。 図４は、実施形態に係る冷却システムの構成を示すブロック図である。 図５は、実施形態に係る傾斜磁場コイル用冷却装置の構成を示すブロック図である。 図６は、温度制御情報生成処理の流れを示すフローチャートである。 図７は、ステップＳ１０１において設定されたプロトコル群及び撮像時間の一例を示す図である。 図８は、プロトコルごとに予測した予測温度の一例を示す図である。 図９は、ステップＳ１０４において設定された傾斜磁場コイルの温度の一例を示す図である。 図１０は、ステップＳ１０４において算出された冷却水の温度の一例を示す図である。 図１１は、温度制御処理の流れを示すフローチャートである。 図１２は、実施形態に係るＭＲＩ装置による傾斜磁場コイルの温度制御の結果と、ＭＲＩ装置が、金属シムが設けられた傾斜磁場コイルに冷却水を流入させ、傾斜磁場コイルから流出された冷却水の温度を計測し、計測した温度に基づいて、再び傾斜磁場コイルに流入させる冷却水の温度を調整する場合の傾斜磁場コイルの温度制御の結果とを比較するための図である。 図１３は、第１の変形例に係る予測機能が実行する処理の一例を説明するための図である。 図１４は、第２の変形例に係る予測機能が実行する処理の一例を説明するための図である。 図１５は、第３の変形例に係る予測機能が実行する処理の一例を説明するための図である。 図１６は、ＲＦパルスの中心周波数を測定するためのプロトコル「shimming」の実行を操作者に促す画面の一例を示す図である。 図１７は、第５の変形例を説明するための図である。
以下、図面を参照しながら、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置（以下、適宜「ＭＲＩ装置」）を説明する。なお、実施形態は、以下の実施形態に限られるものではない。
図１は、実施形態に係るＭＲＩ装置１００の構成を示す機能ブロック図である。図１に示すように、ＭＲＩ装置１００は、静磁場磁石１と、傾斜磁場コイル２と、傾斜磁場電源３と、送信コイル４と、送信回路５と、受信コイル６と、受信回路７と、寝台８と、入力回路９と、ディスプレイ１０と、記憶回路１１と、処理回路１２〜１５と、冷却システム２００とを備える。なお、ＭＲＩ装置１００に、図１に示す被検体Ｓ（例えば、人体）は含まれない。また、図１に示す構成は一例に過ぎない。
また、ＭＲＩ装置１００の冷却システム２００には、メイン冷却装置３００が接続されている。
静磁場磁石１は、中空の略円筒形状（円筒の中心軸に直交する断面が楕円状となるものを含む）に形成され、内周側に形成される撮像空間に一様な静磁場を発生させる。例えば、静磁場磁石１は、永久磁石や超伝導磁石等によって実現される。
傾斜磁場コイル２は、中空の略円筒形状（円筒の中心軸に直交する断面が楕円状となるものを含む）に形成され、静磁場磁石１の内周側に配置される。傾斜磁場コイル２は、互いに直交するｘ軸、ｙ軸及びｚ軸それぞれに沿った傾斜磁場を発生させる３つのコイルを有する。ここで、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、ＭＲＩ装置１００に固有の装置座標系を構成する。例えば、ｘ軸の方向は、鉛直方向に設定され、ｙ軸の方向は、水平方向に設定される。また、ｚ軸の方向は、静磁場磁石１によって発生する静磁場の磁束の方向と同じに設定される。
傾斜磁場電源３は、傾斜磁場コイル２が有する３つのコイルそれぞれに個別に電流を供給することで、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸それぞれに沿った傾斜磁場を撮像空間に発生させる。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸それぞれに沿った傾斜磁場を適宜に発生させることによって、互いに直交するリードアウト方向、位相エンコード方向、及びスライス方向それぞれに沿った傾斜磁場を発生させることができる。ここで、リードアウト方向、位相エンコード方向、及びスライス方向それぞれに沿った軸は、撮像の対象となるスライス領域又はボリューム領域を規定するための論理座標系を構成する。なお、以下では、リードアウト方向に沿った傾斜磁場をリードアウト傾斜磁場と呼び、位相エンコード方向に沿った傾斜磁場を位相エンコード傾斜磁場と呼び、スライス方向に沿った傾斜磁場をスライス傾斜磁場と呼ぶ。
各傾斜磁場は、静磁場磁石１によって発生する静磁場に重畳され、磁気共鳴（Magnetic Resonance：ＭＲ）信号に空間的な位置情報を付与するために用いられる。具体的には、リードアウト傾斜磁場は、リードアウト方向の位置に応じてＭＲ信号の周波数を変化させることで、ＭＲ信号にリードアウト方向に沿った位置情報を付与する。また、位相エンコード傾斜磁場は、位相エンコード方向に沿ってＭＲ信号の位相を変化させることで、ＭＲ信号に位相エンコード方向の位置情報を付与する。また、スライス傾斜磁場は、撮像領域がスライス領域の場合には、スライス領域の方向、厚さ、枚数を決めるために用いられ、撮像領域がボリューム領域である場合には、スライス方向の位置に応じてＭＲ信号の位相を変化させることで、ＭＲ信号にスライス方向に沿った位置情報を付与する。
送信コイル４は、中空の略円筒形状（円筒の中心軸に直交する断面が楕円状となるものを含む）に形成され、傾斜磁場コイル２の内側に配置される。送信コイル４は、送信回路５から出力されるＲＦ（Radio Frequency）パルスを撮像空間に印加する。
送信回路５は、ラーモア周波数に対応するＲＦパルスを送信コイル４に出力する。例えば、送信回路５は、発振回路、位相選択回路、周波数変換回路、振幅変調回路、及び、ＲＦ増幅回路を有する。発振回路は、静磁場中に置かれた対象原子核に固有の共鳴周波数のＲＦパルスを発生する。位相選択回路は、発振回路から出力されるＲＦパルスの位相を選択する。周波数変換回路は、位相選択回路から出力されるＲＦパルスの周波数を変換する。振幅変調回路は、周波数変換回路から出力されるＲＦパルスの振幅を例えばｓｉｎｃ関数に従って変調する。ＲＦ増幅回路は、振幅変調回路から出力されるＲＦパルスを増幅して送信コイル４に出力する。
受信コイル６は、傾斜磁場コイル２の内側に配置され、ＲＦパルスの影響によって被検体Ｓから発せられるＭＲ信号を受信する。受信コイル６は、ＭＲ信号を受信すると、受信したＭＲ信号を受信回路７へ出力する。
受信回路７は、受信コイル６から出力されるＭＲ信号に基づいてＭＲ信号データを生成し、生成したＭＲ信号データを処理回路１３に出力する。例えば、受信回路７は、選択回路、前段増幅回路、位相検波回路、及び、アナログデジタル変換回路を有する。選択回路は、受信コイル６から出力されるＭＲ信号を選択的に入力する。前段増幅回路は、選択回路から出力されるＭＲ信号を増幅する。位相検波回路は、前段増幅器から出力されるＭＲ信号の位相を検波する。アナログデジタル変換回路は、位相検波器から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換することでＭＲ信号データを生成し、生成したＭＲ信号データを処理回路１３に出力する。
なお、ここでは、送信コイル４がＲＦパルスを印加し、受信コイル６がＭＲ信号を受信する場合の例を説明するが、送信コイル及び受信コイルの形態はこれに限られない。例えば、送信コイル４が、ＭＲ信号を受信する受信機能をさらに有してもよい。また、受信コイル６が、ＲＦ磁場を印加する送信機能をさらに有していてもよい。送信コイル４が受信機能を有している場合は、受信回路７は、送信コイル４によって受信されたＭＲ信号からもＭＲ信号データを生成する。また、受信コイル６が送信機能を有している場合は、送信回路５は、受信コイル６にもＲＦパルスを出力する。
寝台８は、被検体Ｓが載置される天板８ａを備え、被検体Ｓの撮像が行われる際に、静磁場磁石１及び傾斜磁場コイル２の内側に形成される撮像空間へ天板８ａを挿入する。例えば、寝台８は、長手方向が静磁場磁石１の中心軸と平行になるように設置される。
入力回路９は、操作者から各種指示及び各種情報の入力操作を受け付ける。例えば、入力回路９は、トラックボール、スイッチボタン、マウス、キーボード、タッチパネル等によって実現される。入力回路９は、処理回路１５に接続されており、操作者から受け付けた入力操作を電気信号に変換して処理回路１５へ出力する。
ディスプレイ１０は、各種情報及び各種画像を表示する。例えば、ディスプレイ１０は、液晶モニタやＣＲＴ（Cathode Ray Tube）モニタ、タッチパネル等によって実現される。ディスプレイ１０は、処理回路１５に接続されており、処理回路１５から送られる各種情報及び各種画像のデータを表示用の電気信号に変換して出力する。
記憶回路１１は、各種データを記憶する。例えば、記憶回路１１は、ＭＲ信号データや画像データを被検体Ｓごとに記憶する。例えば、記憶回路１１は、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子やハードディスク、光ディスク等によって実現される。
処理回路１２は、寝台制御機能１２ａを有する。例えば、処理回路１２は、プロセッサによって実現される。寝台制御機能１２ａは、寝台８に接続されており、制御用の電気信号を寝台８へ出力することで、寝台８の動作を制御する。例えば、寝台制御機能１２ａは、入力回路９を介して、天板８ａを長手方向、上下方向又は左右方向へ移動させる指示を操作者から受け付け、受け付けた指示に従って天板８ａを移動するように、寝台８が有する天板８ａの駆動機構を動作させる。
処理回路１３は、シーケンス制御機能１３ａを有する。例えば、処理回路１３は、プロセッサによって実現される。シーケンス制御機能１３ａは、各種のプロトコルを実行する。具体的には、シーケンス制御機能１３ａは、処理回路１５から出力されるシーケンス実行データに基づいて傾斜磁場電源３、送信回路５及び受信回路７を駆動することで、各種プロトコルを実行する。
ここで、シーケンス実行データは、ＭＲ信号データを収集するための手順を示すプロトコルを定義した情報である。具体的には、シーケンス実行データは、傾斜磁場電源３が傾斜磁場コイル２に電流を供給するタイミング及び供給される電流の強さ、送信回路５が送信コイル４に供給するＲＦパルス電流の強さや供給タイミング、受信回路７がＭＲ信号を検出する検出タイミング等を定義した情報である。
また、シーケンス制御機能１３ａは、各種パルスシーケンスを実行した結果として、受信回路７からＭＲ信号データを受信し、受信したＭＲ信号データを記憶回路１１に格納する。シーケンス制御機能１３ａは、特許請求の範囲に記載されたシーケンス制御部の一例である。なお、シーケンス制御機能１３ａによって受信されたＭＲ信号データの集合は、前述したリードアウト傾斜磁場、位相エンコード傾斜磁場、及びスライス傾斜磁場によって付与された位置情報に応じて２次元又は３次元に配列されることで、ｋ空間を構成するデータとして記憶回路１１に格納される。
処理回路１４は、画像生成機能１４ａを有する。例えば、処理回路１４は、プロセッサによって実現される。画像生成機能１４ａは、記憶回路１１に格納されたＭＲ信号データに基づいて画像を生成する。具体的には、画像生成機能１４ａは、シーケンス制御機能１３ａによって記憶回路１１に格納されたＭＲ信号データを読み出し、読み出したＭＲ信号データに後処理すなわちフーリエ変換等の再構成処理を施すことで画像を生成する。また、画像生成機能１４ａは、生成した画像の画像データを記憶回路１１に格納する。
処理回路１５は、ＭＲＩ装置１００が有する各構成要素を制御することで、ＭＲＩ装置１００の全体制御を行う。例えば、処理回路１５は、プロセッサによって実現される。例えば、処理回路１５は、設定機能１５ａと、予測機能１５ｂと、温度制御機能１５ｃとを有する。このうち、設定機能１５ａは、入力回路９を介して操作者から撮像条件である１つ以上のプロトコルの入力を受け付け、受け付けたプロトコルに基づいてシーケンス実行データを生成する。そして、設定機能１５ａは、生成したシーケンス実行データを処理回路１３に送信することで、各種のプロトコル実行するようにシーケンス制御機能１３ａを制御する。なお、例えば、処理回路１５は、操作者から要求された画像の画像データを記憶回路１１から読み出し、読み出した画像データが示す画像をディスプレイ１０に出力する。設定機能１５ａ、予測機能１５ｂ及び温度制御機能１５ｃの各種処理機能の詳細については後述する。なお、設定機能１５ａは、特許請求の範囲に記載された設定部の一例である。また、予測機能１５ｂは、特許請求の範囲に記載された予測部の一例である。また、温度制御機能１５ｃは、特許請求の範囲に記載された温度制御部の一例である。
ここで、例えば、処理回路１５の構成要素である設定機能１５ａ、予測機能１５ｂ及び温度制御機能１５ｃの各処理機能は、コンピュータによって実行可能なプログラムの形態で記憶回路１１に記憶されている。処理回路１５は、各プログラムを記憶回路１１から読み出し、読み出した各プログラムを実行することで、各プログラムに対応する機能を実現する。換言すると、各プログラムを読み出した状態の処理回路１５は、図１の処理回路１５内に示された各機能を有することとなる。なお、図１においては、単一の処理回路１５にて、設定機能１５ａ、予測機能１５ｂ及び温度制御機能１５ｃの各処理機能が実現されるものとして説明したが、複数の独立したプロセッサを組み合わせて処理回路１５を構成し、各プロセッサが各プログラムを実行することにより各処理機能を実現するものとしても構わない。
上記説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、ＣＰＵ（central processing unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、或いは、特定用途向け集積回路（Application Specific Integrated Circuit：ＡＳＩＣ）、プログラマブル論理デバイス（例えば、単純プログラマブル論理デバイス（Simple Programmable Logic Device：ＳＰＬＤ）、複合プログラマブル論理デバイス（Complex Programmable Logic Device：ＣＰＬＤ）、及びフィールドプログラマブルゲートアレイ（Field Programmable Gate Array：ＦＰＧＡ））等の回路を意味する。なお、記憶回路１１にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むように構成しても構わない。この場合、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。
なお、処理回路１２と処理回路１３と処理回路１４と処理回路１５とのうち、いくつか又は全ては、同一のプロセッサで実現してもよい。
冷却システム２００は、温度が調整された水を傾斜磁場コイル２の冷却管２ｆに流す。例えば、傾斜磁場コイル２の冷却管２ｆに、低温の水を流すことで、傾斜磁場コイルを冷却する。また、例えば、傾斜磁場コイル２の冷却管２ｆに温水を流すことで傾斜磁場コイル２を加熱する。冷却システム２００は、傾斜磁場コイル２の冷却管２ｆを流れて戻ってくる水の温度を調整し、再び冷却管２ｆに流す。このようにして、冷却システム２００は、傾斜磁場コイル２との間で水を循環させることで、傾斜磁場コイル２の温度を制御する。なお、傾斜磁場コイル２に設けられた後述する鉄シム２ｅの温度は、傾斜磁場コイル２の温度上昇に伴って上昇する。また、鉄シム２ｅの温度は、傾斜磁場コイル２の温度降下に伴って下降する。したがって、冷却システム２００は、傾斜磁場コイル２の温度を制御することで、鉄シム２ｅの温度を制御する。冷却システム２００の詳細については後述する。
なお、所定の温度に調整された水を傾斜磁場コイル２内に供給した場合であっても、傾斜磁場コイル２に電流が供給されて傾斜磁場コイル２が発熱しているときには、鉄シム２ｅの温度は、傾斜磁場コイル２の発熱の影響を受けて、水の温度以上になる。
以上、実施形態に係るＭＲＩ装置１００の全体構成について説明した。
ここで、実施形態に係るＭＲＩ装置１００とは異なる従来のＭＲＩ装置が、例えば、金属シムが設けられた傾斜磁場コイルに冷却水を流入させ、傾斜磁場コイルから流出された冷却水の温度を計測し、計測した温度に基づいて、再び傾斜磁場コイルに流入させる冷却水の温度を調整することにより、金属シムの温度の変動を抑制する場合について説明する。この場合には、計測した温度と実際の金属シムの温度とが時間的に乖離しているため、実際の金属シムの温度に対して時間的に遅れて、傾斜磁場コイル及び金属シムの温度を制御することとなる。このため、傾斜磁場コイルの温度の変動の抑制が不十分な結果、金属シムの温度の変動の抑制が不十分であるという問題がある。よって、このようなＭＲＩ装置によって再構成された画像には、アーティファクトが生ずるなどの問題がある。すなわち、得られる画像の画質という観点から、被検体の検査に影響が生じてしまう。
また、実施形態に係るＭＲＩ装置１００とは異なる従来のＭＲＩ装置が、傾斜磁場コイル内に設けられた金属シムの温度を、プロトコルが実行される前に上昇させて、金属シムの温度の変動を抑制する場合について説明する。この場合には、傾斜磁場コイルを介して金属シムの温度を上昇させるのに時間がかかるという問題がある。よって、被検体の検査時間が長くなってしまう。すなわち、検査時間の長さという観点から、被検体の検査に影響が生じてしまう。
そこで、上述した構成のもと、実施形態に係るＭＲＩ装置１００は、詳細を以下に説明するように、傾斜磁場コイルの温度の時間的な変化による被検体Ｓの検査への影響を抑えるために有用な情報を予測することができるように構成されている。
次に、図１に示す傾斜磁場コイル２の構造の一例について説明する。図２は、傾斜磁場コイル２の構造の一例を示す斜視図である。図２の例に示すように、傾斜磁場コイル２は、傾斜磁場電源３から供給される電流によりＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の方向に傾斜磁場を印加するメインコイル２ａと、メインコイル２ａの漏洩磁場をキャンセルするシールドコイル２ｂとを有する。
ここで、メインコイル２ａとシールドコイル２ｂとの間には、複数のシムトレイ挿入ガイド２ｃが形成されている。シムトレイ挿入ガイド２ｃには、ボア内の静磁場の空間的な不均一を補正する鉄シム２ｅを収納したシムトレイ２ｄが挿入される。なお、鉄シム２ｅは、特許請求の範囲に記載された金属シムの一例である。
各シムトレイ挿入ガイド２ｃは、傾斜磁場コイル２の両端面に開口を形成する貫通穴であり、傾斜磁場コイル２の長手方向に全長にわたって形成されている。各シムトレイ挿入ガイド２ｃは、メインコイル２ａおよびシールドコイル２ｂに挟まれた領域に、互いに平行となるように円周方向に等間隔に形成されている。そして、各シムトレイ挿入ガイド２ｃには、シムトレイ２ｄが挿入されている。
シムトレイ２ｄは、非磁性かつ非電導性材料である樹脂にて作製され、概略棒状をなしている。シムトレイ２ｄには、所定の数の鉄シム２ｅが収納されている。そして、シムトレイ２ｄは、シムトレイ挿入ガイド２ｃに挿入されて、傾斜磁場コイル２の中央部に固定されている。
また、図２では図示を省略しているが、傾斜磁場コイル２には、例えば、円筒形状に沿って、螺旋状に冷却管が埋設されている。図３は、図２に示した傾斜磁場コイル２の内部構造の一例を示す構造図である。なお、図３は、傾斜磁場コイル２の一部分を示しており、同図における上側が円筒形状の外側を示しており、下側が円筒形状の内側を示している。
図３の例に示すように、傾斜磁場コイル２には、シムトレイ挿入ガイド２ｃの内側および外側、すなわち、シムトレイ挿入ガイド２ｃとメインコイル２ａとの間、および、シムトレイ挿入ガイド２ｃとシールドコイル２ｂとの間に、螺旋状に冷却管２ｆが埋設されている。冷却管２ｆには、冷却システム２００から送られる冷却水が流入し、流入した冷却水は、冷却管２ｆを通って傾斜磁場コイル２の内部を循環したうえで傾斜磁場コイル２の外へ流出する。このようにして、冷却水が冷却管２ｆを通って傾斜磁場コイル２の内部を循環することによって、傾斜磁場コイル２及び傾斜磁場コイル２内に設けられた鉄シム２ｅが冷却される。ここで、メインコイル２ａは、Ｘ軸に対応するコイルと、Ｙ軸に対応するコイルと、Ｚ軸に対応するコイルとを有する。本実施形態では、Ｘ軸に対応するコイルの温度と、Ｙ軸に対応するコイルの温度と、Ｚ軸に対応するコイルの温度とが作用して得られる温度を傾斜磁場コイル２の温度として取り扱う。
次に、本実施形態に係る冷却システム２００の構成について説明する。図４は、実施形態に係る冷却システム２００の構成を示すブロック図である。図４に示すように、冷却システム２００は、傾斜磁場コイル用冷却装置２２０と、弁２４０と、弁２５０とを有する。
弁２４０および２５０は、傾斜磁場コイル用冷却装置２２０による制御のもと、メイン冷却装置３００および傾斜磁場コイル用冷却装置２２０から傾斜磁場コイル２に供給される冷却水の流れを制御する。
これら弁２４０および２５０は、メイン冷却装置３００によって供給される冷却水または傾斜磁場コイル用冷却装置２２０によって供給される冷却水のいずれか一方のみを傾斜磁場コイル２に流通させることができる。また、弁２４０および２５０は、各冷却装置から供給される冷却水を混合して傾斜磁場コイル２に流通させることもでき、混合する冷却水の比率を適宜に調整することも可能である。
メイン冷却装置３００は、傾斜磁場コイル２の冷却管に冷却水を流通させる。具体的には、このメイン冷却装置３００は、弁２４０を経由する流通経路を介して、一定の温度の冷却水を傾斜磁場コイル２に流入させる。また、メイン冷却装置３００は、弁２５０を経由する流通経路を介して、傾斜磁場コイル２から流出する冷却水を取り込む。なお、図４では図示を省略しているが、メイン冷却装置３００は、傾斜磁場コイル２以外の各種ユニットにも冷却水を流通させる。
傾斜磁場コイル用冷却装置２２０は、メイン冷却装置３００と傾斜磁場コイル２との間に設けられた冷却水の流通経路を介して、傾斜磁場コイル２に冷却水を流通させる。この傾斜磁場コイル用冷却装置２２０は、処理回路１５、弁２４０及び弁２５０それぞれと通信可能に接続されている。
具体的には、傾斜磁場コイル用冷却装置２２０は、弁２４０を介して、メイン冷却装置３００から傾斜磁場コイル２に通じる流通経路に、メイン冷却装置３００によって供給される冷却水よりも温度が高い冷却水を供給する。また、傾斜磁場コイル用冷却装置２２０は、弁２５０を介して、傾斜磁場コイル２から流出した冷却水の一部を取り込む。
そして、本実施形態では、この傾斜磁場コイル用冷却装置２２０が、メイン冷却装置３００から傾斜磁場コイル２に流通する冷却水の状態を制御することで、傾斜磁場コイル２に流入する冷却水の温度を変化させる。これにより、本実施形態では、スキャン中に生じる発熱の大きさに応じて傾斜磁場コイル２の温度変化が抑えられるようにしている。以下、かかる傾斜磁場コイル用冷却装置２２０について詳細に説明する。
まず、本実施形態に係る傾斜磁場コイル用冷却装置２２０の構成について説明する。図５は、実施形態に係る傾斜磁場コイル用冷却装置２２０の構成を示すブロック図である。図５に示すように、傾斜磁場コイル用冷却装置２２０は、ヒータ２２１と、冷却制御部２２２とを有する。
ヒータ２２１は、傾斜磁場コイル用冷却装置２２０によって供給される冷却水を加熱する。例えば、ヒータ２２１は、冷却制御部２２２による制御のもと、冷却水を加熱する加熱温度を変えることによって、傾斜磁場コイル用冷却装置２２０から供給される冷却水の温度を適宜に調整する。
冷却制御部２２２は、温度制御機能１５ｃから送信される後述する温度制御信号に基づいて、傾斜磁場コイル２に流入する冷却水の温度を変化させる。具体的には、冷却制御部２２２は、傾斜磁場コイル２に流入する冷却水の温度が、温度制御信号に含まれる冷却水の温度となるように、ヒータ２２１や弁２４０及び弁２５０を制御する。なお、ここでいう「温度制御信号に含まれる冷却水の温度」には、あらかじめ決められた許容範囲内の誤差が含まれることとする。
冷却制御部２２２は、弁制御信号を送信することによって、メイン冷却装置３００および傾斜磁場コイル用冷却装置２２０から供給される冷却水を混合して傾斜磁場コイル２に流入させるように弁２４０および２５０を制御する。
次に、図１に示す処理回路１５によって実行される設定機能１５ａ、予測機能１５ｂ及び温度制御機能１５ｃの各処理機能について説明する。本実施形態に係るＭＲＩ装置１００は、温度制御情報を生成する温度制御情報生成処理と、温度制御情報が生成された上でプロトコルの実行中（撮像中）に傾斜磁場コイル２の温度制御を行う温度制御処理とを実行する。
まず、温度制御情報生成処理について説明する。図６は、温度制御情報生成処理の流れを示すフローチャートである。温度制御情報生成処理は、例えば、入力回路９を介して操作者からの温度制御情報生成処理を実行する指示を処理回路１５が受け付けると、実行される。
図６に示すように、設定機能１５ａは、操作者から、被検体Ｓの検査において実行されるプロトコル群及びプロトコル群に含まれる各プロトコルのパラメータをプロトコルの撮像条件として受け付けて、受け付けたプロトコルの撮像条件を記憶回路１１に格納することによりプロトコルの撮像条件を設定する（ステップＳ１０１）。ここで、撮像条件とは、撮像に当たって設定される条件のことである。例えば、撮像条件には、撮像時間、ＴＲ（Repetition Time）、ＴＥ（Echo Time）、ＦＡ（Flip Angle）、スライス数（ＮＳ（Number Of Slice））、ＦＯＶ（Field Of View）、スライス厚（ＳＴ（Slice Thickness））等の設定情報が含まれる。また、本実施形態における検査とは、例えば、１つ以上のプロトコルの集合である。１つの検査は、１人の被検体Ｓに対して実施される。また、１つのプロトコルでは、例えば、１つのパルスシーケンスに応じた撮像等のデータ収集が行われる。
例えば、設定機能１５ａは、プロトコルの撮像条件を受け付けるための撮像条件設定画面をディスプレイ１０に表示させて、操作者によるプロトコルの撮像条件の入力を、入力回路９を介して受け付ける。そして、設定機能１５ａは、受け付けたプロトコルの撮像条件を記憶回路１１に格納するとともに、受け付けたプロトコルの撮像条件に従ってシーケンス実行データを生成する。例えば、設定機能１５ａは、記憶回路１１にプリセットされた複数のプロトコル群の中から操作者により選択されたプロトコル群を、被検体Ｓの検査にて実行予定のプロトコル群として設定する。また、設定機能１５ａは、操作者により設定された撮像時間などの各種のパラメータも撮像条件として設定する。
なお、設定されたプロトコル群のそれぞれのプロトコルは、順番に取り出されて、取り出されたプロトコルに従った各種の撮像等のデータ収集が行われる。
図７は、ステップＳ１０１において設定されたプロトコル群及び撮像時間の一例を示す図である。図７の例に示すプロトコル「locator」は、位置決め用画像の撮像を行うためのプロトコルである。また、図７の例に示すプロトコル「shimming」は、磁場（例えば静磁場）の均一性を調整するためのプロトコルである。なお、プロトコル「shimming」では、ＲＦパルスの中心周波数の計測も行われる。また、図７の例に示すプロトコル「DWI」は、拡散強調画像（diffusion weighted image）の撮像を行うためのプロトコルである。また、図７の例に示すプロトコル「TOF」は、ＴＯＦ（Time of Flight）法による撮像を行うためのプロトコルである。また、図７の例に示すプロトコル「T2WI」は、横緩和強調画像（T2 weighted image）の撮像を行うためのプロトコルである。また、図７の例に示すプロトコル「T1WI」は、縦緩和強調画像（T1 weighted image）の撮像を行うためのプロトコルである。また、図７の例に示すプロトコル「3D」は、３次元の画像の撮像を行うためのプロトコルである。また、図７の例に示すプロトコル「T2*WI」は、Ｔ２＊強調画像（T2 star weighted image）の撮像を行うためのプロトコルである。
すなわち、図７の例は、まず、位置決め用画像の撮像を２０秒間行うことを示す。そして、図７の例は、磁場の均一性等を調整するための撮像を１０秒間行い、ＲＦパルスの中心周波数の計測を行うことを示す。そして、図７の例は、拡散強調画像の撮像を４分間行うことを示す。そして、図７の例は、ＴＯＦ法による撮像を５分間行うことを示す。そして、図７の例は、横緩和強調画像の撮像を３分間行うことを示す。そして、図７の例は、縦緩和強調画像の撮像を３分間行うことを示す。そして、図７の例は、３次元の画像の撮像を５分間行うことを示す。そして、図７の例は、Ｔ２＊強調画像の撮像を３分間行うことを示す。
図６の説明に戻り、次に、予測機能１５ｂは、ステップＳ１０１において設定された複数のプロトコルの撮像条件に基づいて、複数のプロトコルのそれぞれの実行時の傾斜磁場コイル２の温度を予測する（ステップＳ１０２）。例えば、予測機能１５ｂは、プロトコルごとに、パルスシーケンスの波形などに基づいて、検査における傾斜磁場コイル２の温度の変化を予測する。そして、予測機能１５ｂは、各プロトコルについて、予測した温度の変化から温度の最大値を各プロトコルの実行時の傾斜磁場コイル２の温度として予測する。以下、かかる予測した温度のことを「予測温度」と表記する場合がある。
図８は、プロトコルごとに予測した予測温度の一例を示す図である。図８の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「locator」について予測温度「２０度」を予測する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「shimming」について予測温度「２０度」を予測する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「DWI」について予測温度「４２度」を予測する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「TOF」について予測温度「３２度」を予測する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2WI」について予測温度「２５度」を予測する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「T1WI」について予測温度「２５度」を予測する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「3D」について予測温度「３２度」を予測する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2*WI」について予測温度「２５度」を予測する。なお、図８の例には、プロトコル「locator」が実行される前、すなわち、検査における最初の撮像が開始される前の傾斜磁場コイル２の温度「２０度」も示されている。
図６の説明に戻り、次に、予測機能１５ｂは、予測した温度に基づいて、被検体Ｓの検査における傾斜磁場コイル２の平均温度を予測する（ステップＳ１０３）。例えば、予測機能１５ｂは、プロトコルごとに予測した傾斜磁場コイル２の温度の変化をプロトコル間でつなぎ合わせて、検査全体における傾斜磁場コイル２の温度の変化を算出する。そして、予測機能１５ｂは、検査全体における傾斜磁場コイル２の温度の変化から、検査全体における傾斜磁場コイル２の平均温度を算出する。例えば、先の図８の例に示すように予測温度を予測した場合には、予測機能１５ｂは、検査全体における傾斜磁場コイル２の平均温度「２４度」を算出する。
ここで、ステップＳ１０３で予測された平均温度は、後述のステップＳ１０４で算出される後述の冷却水の温度を算出される際に用いられる。そして、後述するが、この後述の冷却水の温度が用いられて、実際の傾斜磁場コイル２の温度に対して、時間的に遅れることなく、傾斜磁場コイル２の温度制御が行われる。したがって、本実施形態に係るＭＲＩ装置１００によれば、傾斜磁場コイル２の温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えるための有用な情報として平均温度を予測することができる。
そして、予測機能１５ｂは、ステップＳ１０２で予測した複数のプロトコルのそれぞれの実行時の傾斜磁場コイル２の温度と、ステップＳ１０３で予測した平均温度とに基づいて、複数のプロトコルのそれぞれの実行時の傾斜磁場コイル２の温度が、平均温度に近づくようになる場合の冷却水の温度をプロトコルごとに算出する（ステップＳ１０４）。
例えば、ステップＳ１０４において、予測機能１５ｂは、まず、プロトコルごとに、予測温度が平均温度よりも大きいほど傾斜磁場コイル２の温度が低くなるように、傾斜磁場コイル２の温度を設定する。
ここで、予測機能１５ｂは、設定された複数のプロトコルの中に、ＲＦパルスの中心周波数を計測するためのプロトコル「shimming」がある場合には、特に、プロトコル「shimming」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度が、平均温度に近づくように、傾斜磁場コイル２の温度を設定する。これにより、ＲＦパルスの中心周波数が計測された際の傾斜磁場コイル２の温度が、略平均温度となる。また、上述したように、プロトコル「shimming」以外のプロトコルの実行時の傾斜磁場コイル２の温度も、平均温度に近づくように設定される。このため、プロトコル「shimming」により計測されたＲＦパルスの中心周波数と、プロトコル「shimming」以外のプロトコルの実行時におけるＲＦパルスの中心周波数との差が大きくなることが抑制される。したがって、検査におけるＲＦパルスの中心周波数の変動を抑えることができる。
更に、予測機能１５ｂは、プロトコルごとに、プロトコルの実行が開始されてから、例えば、数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度と、プロトコルの実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度との両方の温度が、平均温度に近づくように、両方の温度を設定することもできる。
図９は、ステップＳ１０４において設定された傾斜磁場コイル２の温度の一例を示す図である。図９の例に示す「前半」の傾斜磁場コイル２の温度は、プロトコルの実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度である。また、図９の例に示す「後半」の傾斜磁場コイル２の温度は、プロトコルの実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度である。
図９の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「locator」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２２度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「locator」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２３度」を設定する。
図９の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「shimming」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に特に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２４度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「shimming」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２２度」を設定する。
また、図９の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「DWI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２８度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「DWI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２９度」を設定する。ここで、プロトコル「DWI」が、急激に傾斜磁場コイル２の温度を上げるプロトコルであるため、設定する傾斜磁場コイル２の温度は、比較的高くなる。
また、図９の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「TOF」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２７度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「TOF」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２８度」を設定する。
また、図９の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２５度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「T2WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２４度」を設定する。
また、図９の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T1WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２４度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「T1WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２３度」を設定する。
また、図９の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「3D」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２５度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「3D」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２６度」を設定する。
また、図９の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2*WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２５度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「T2*WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２５度」を設定する。
そして、ステップＳ１０４において、予測機能１５ｂは、各プロトコルが実行された場合に、傾斜磁場コイル２の温度が、設定した傾斜磁場コイル２の温度になるような冷却水の温度を算出する。ただし、１つ前に実行されるプロトコルよりも所定の閾値（例えば７度）以上、予測温度が高くなるプロトコル、すなわち、予測温度が急激に高くなるプロトコルについては、このプロトコルの実行開始と同時、特に予測温度が高いプロトコルは実行前に低温度の冷却水が傾斜磁場コイル２に流入するように、このプロトコルよりも１つ前に実行されるプロトコルの実行時における冷却水の温度として先の低温度を算出する。このように、予測機能１５ｂは、予測温度が急激に高くなるプロトコルの実行開始と略同時に、低温度の冷却水が傾斜磁場コイル２に流入するように、各プロトコルにおける冷却水の温度を算出する。これにより、予測温度が急激に高くなるプロトコルによる傾斜磁場コイル２の温度の上昇が抑えられ、予測温度が急激に高くなるプロトコルによる傾斜磁場コイル２の温度の変化を抑制することができる。
図１０は、ステップＳ１０４において算出された冷却水の温度の一例を示す図である。図１０の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「locator」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「２４度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「locator」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「２４度」を算出する。
また、図１０の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「shimming」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「２４度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「shimming」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「１０度」を算出する。このように、このタイミングで、低温度の「１０度」が算出されたのは、次に実行されるプロトコル「DWI」が、予測温度が急激に高くなるプロトコルであるからである。これにより、プロトコル「DWI」の実行開始と略同時に、低温度の冷却水が傾斜磁場コイル２に流入される。
また、図１０の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「DWI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「１０度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「DWI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「１２度」を算出する。
また、図１０の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「TOF」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「１２度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「TOF」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「１８度」を算出する。
また、図１０の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。
また、図１０の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T1WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「T1WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「１６度」を算出する。このように、このタイミングで低温度である「１６度」が算出されたのは、次に実行されるプロトコル「3D」が、予測温度が急激に高くなるプロトコルであるからである。これにより、プロトコル「3D」の実行開始と略同時に、低温度の冷却水が傾斜磁場コイル２に流入される。
また、図１０の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「3D」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「１６度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「3D」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。
また、図１０の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2*WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2*WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。
図６の説明に戻り、予測機能１５ｂは、温度制御情報を記憶回路１１に格納し（ステップＳ１０５）、温度制御情報生成処理を終了する。例えば、予測機能１５ｂは、ステップＳ１０２で予測した予測温度と、ステップＳ１０４で設定した傾斜磁場コイル２の温度と、ステップＳ１０４で算出した冷却水の温度とをプロトコルごとに対応付けた温度制御情報を生成する。そして、予測機能１５ｂは、生成した温度制御情報を記憶回路１１に格納する。例えば、予測機能１５ｂは、図１０の例に示すような温度制御情報を生成し、生成した温度制御情報を記憶回路１１に格納する。
ステップＳ１０１は、設定機能１５ａに対応するステップである。処理回路１５が記憶回路１１から設定機能１５ａに対応する所定のプログラムを読み出して実行することにより、設定機能１５ａが実現されるステップである。ステップＳ１０２〜１０５は、予測機能１５ｂに対応するステップである。処理回路１５が記憶回路１１から予測機能１５ｂに対応する所定のプログラムを読み出して実行することにより、予測機能１５ｂが実現されるステップである。
次に、温度制御処理について説明する。図１１は、温度制御処理の流れを示すフローチャートである。温度制御処理は、例えば、入力回路９を介して操作者からの温度制御処理を実行する指示を受け付けると、実行される。
図１１の例に示すように、設定機能１５ａは、まず、所定の実行順序で設定された複数のプロトコルのうち、先頭に近いほうから未実行のプロトコルを１つ選択する（ステップＳ２０１）。
そして、設定機能１５ａは、選択したプロトコルが実行されるタイミングになったら、選択したプロトコルに対応するシーケンス実行データを処理回路１３のシーケンス制御機能１３ａに送信し、温度制御機能１５ｃは、選択したプロトコルに対応する温度制御情報の部分を冷却システム２００に送信する（ステップＳ２０２）。
例えば、先の図８の例に示すような複数のプロトコルが設定され、ステップＳ２０１でプロトコル「locator」を選択した場合には、設定機能１５ａは、プロトコル「locator」が実行されるタイミングで、プロトコル「locator」に対応するシーケンス実行データをシーケンス制御機能１３ａに送信する。また、温度制御機能１５ｃは、温度制御情報を記憶回路１１から取得し、プロトコル「locator」が実行されるタイミングで、プロトコル「locator」に対応する冷却水の温度を含む温度制御信号を冷却システム２００に送信する。これにより、シーケンス制御機能１３ａがプロトコル「locator」を実行するとともに、冷却システム２００がプロトコル「locator」の実行に同期をとって、温度制御信号に含まれる冷却水の温度の冷却水を傾斜磁場コイル２に流入させる。すなわち、ＭＲＩ装置１００は、ステップＳ１０３で予測された平均温度を用いてステップＳ１０４で冷却水の温度を算出し、算出した冷却水の温度を用いて、実際の傾斜磁場コイル２の温度に対して、時間的に遅れることなく、傾斜磁場コイル２の温度制御を行う。このように、温度制御機能１５ｃは、シーケンス制御機能１３ａによる複数のプロトコルの実行中に鉄シム２ｅの温度として傾斜磁場コイル２の温度を制御する。したがって、本実施形態に係るＭＲＩ装置１００によれば、傾斜磁場コイル２の温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えることができる。
そして、設定機能１５ａは、設定された複数のプロトコルの中に、未実行のプロトコルがあるか否かを判定する（ステップＳ２０３）。未実行のプロトコルがあると判定した場合（ステップＳ２０３；Ｙｅｓ）には、設定機能１５ａは、ステップＳ２０１に戻る。これにより、設定された全てのプロトコルに対して、ステップＳ２０１及びステップＳ２０２の処理が実行される。
一方、未実行のプロトコルがないと判定した場合（ステップＳ２０３；Ｎｏ）には、設定機能１５ａは、温度制御処理を終了する。
ステップＳ２０１、２０３は、設定機能１５ａに対応するステップである。処理回路１５が記憶回路１１から設定機能１５ａに対応する所定のプログラムを読み出して実行することにより、設定機能１５ａが実現されるステップである。ステップＳ２０２は、設定機能１５ａ及び温度制御機能１５ｃに対応するステップである。処理回路１５が記憶回路１１から設定機能１５ａ及び温度制御機能１５ｃに対応する所定のプログラムを読み出して実行することにより、設定機能１５ａ及び温度制御機能１５ｃが実現されるステップである。
図１２は、実施形態に係るＭＲＩ装置１００による傾斜磁場コイル２の温度制御の結果と、ＭＲＩ装置が、金属シムが設けられた傾斜磁場コイルに冷却水を流入させ、傾斜磁場コイルから流出された冷却水の温度を計測し、計測した温度に基づいて、再び傾斜磁場コイルに流入させる冷却水の温度を調整する場合の傾斜磁場コイルの温度制御の結果とを比較するための図である。
図１２の例には、横軸を検査時間とし、縦軸を傾斜磁場コイルの温度とするグラフ４０１及びグラフ４０２が示されている。グラフ４０１は、実施形態に係るＭＲＩ装置１００による傾斜磁場コイル２の温度の変化を示す。グラフ４０２は、ＭＲＩ装置が、金属シムが設けられた傾斜磁場コイルに冷却水を流入させ、傾斜磁場コイルから流出された冷却水の温度を計測し、計測した温度に基づいて、再び傾斜磁場コイルに流入させる冷却水の温度を調整する場合の傾斜磁場コイルの温度の変化を示す。
また、図１２の例には、温度４０３及び温度４０４が示されている。温度４０３は、実施形態に係るＭＲＩ装置１００においてＲＦパルスの中心周波数が計測された際の傾斜磁場コイル２の温度（上述の平均温度）である。温度４０４は、金属シムが設けられた傾斜磁場コイルに冷却水を流入させ、傾斜磁場コイルから流出された冷却水の温度を計測し、計測した温度に基づいて、再び傾斜磁場コイルに流入させる冷却水の温度を調整するＭＲＩ装置においてＲＦパルスの中心周波数が計測された際の傾斜磁場コイルの温度である。
図１２が示すように、温度４０３に対するグラフ４０１が示す温度の変動は、温度４０４に対するグラフ４０２が示す温度の変動よりも小さい。このことからも、本実施形態に係るＭＲＩ装置１００によれば、傾斜磁場コイル２の温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えることができるといえる。
以上、実施形態に係るＭＲＩ装置１００について説明した。ＭＲＩ装置１００によれば、上述したように、傾斜磁場コイル２の温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えるための有用な情報を予測することができる。
（実施形態に係る第１の変形例）
ここで、上述したＭＲＩ装置１００は、検査の実施中に、プロトコルの撮像条件が変更された場合であっても、変更後のプロトコルの撮像条件に基づいて、当該プロトコルの実行時の傾斜磁場コイル２の温度を予測し、予測した温度などに基づいて、傾斜磁場コイル２の温度を制御することもできる。そこで、このような実施形態を実施形態に係る第１の変形例として説明する。
例えば、図８の例に示すプロトコル「TOF」の撮像条件が操作者により変更された場合について説明する。この場合には、第１の変形例に係る予測機能１５ｂは、上述したステップＳ１０２の処理と同様に、変更後のプロトコル「TOF」の撮像条件に基づいて、プロトコル「TOF」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度を予測する。
図１３は、第１の変形例に係る予測機能が実行する処理の一例を説明するための図である。図１３の例に示すように、第１の変形例に係る予測機能１５ｂは、変更後のプロトコル「TOF」の撮像条件に基づいて、プロトコル「TOF」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度「３５度」を予測する。
そして、予測機能１５ｂは、上述したステップＳ１０４の処理と同様に、予測したプロトコル「TOF」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度「３５度」と、既に予測済みの平均温度とに基づいて、プロトコル「TOF」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度が、平均温度に近づくようになる場合の冷却水の温度を算出する。例えば、図１３の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「TOF」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２７度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「TOF」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２８度」を設定する。そして、図１３の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「TOF」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「１０度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「TOF」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「１８度」を算出する。そして、予測機能１５ｂは、予測した傾斜磁場コイル２の温度、設定した傾斜磁場コイル２の温度、及び、算出した冷却水の温度を用いて温度制御情報のプロトコル「TOF」の部分を更新する。
そして、設定機能１５ａは、上述したステップＳ２０２の処理と同様に、プロトコル「TOF」が実行されるタイミングになったら、プロトコル「TOF」に対応するシーケンス実行データを処理回路１３のシーケンス制御機能１３ａに送信するとともに、温度制御機能１５ｃは、プロトコル「TOF」に対応する温度制御情報の部分を冷却システム２００に送信する。これにより、検査中にプロトコルの撮像条件が変更された場合であっても、変更後のプロトコルの撮像条件に基づいた傾斜磁場コイル２の温度制御を行うことができる。
また、第１の変形例によれば、第１の実施形態と同様に、傾斜磁場コイル２の温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えるための有用な情報を予測することができる。
（実施形態に係る第２の変形例）
ここで、上述したＭＲＩ装置１００は、検査の実施中に、複数のプロトコルの実行順序が変更された場合であっても、実行順序が変更された複数のプロトコルの撮像条件に基づいて、当該複数のプロトコルの実行時の傾斜磁場コイル２の温度を予測し、予測した温度などに基づいて、傾斜磁場コイル２の温度を制御することもできる。そこで、このような実施形態を実施形態に係る第２の変形例として説明する。
例えば、図８の例に示すプロトコル「T2WI」の後にプロトコル「T1WI」が実行されるような実行順序から、プロトコル「T1WI」の後にプロトコル「T2WI」が実行されるような実行順序に、操作者により変更された場合について説明する。この場合には、第２の変形例に係る予測機能１５ｂは、上述したステップＳ１０２の処理と同様に、実行順序が変更されたプロトコル「T1WI」及びプロトコル「T2WI」の撮像条件に基づいて、プロトコル「T1WI」及びプロトコル「T2WI」のそれぞれの実行時の傾斜磁場コイル２の温度を予測する。
図１４は、第２の変形例に係る予測機能が実行する処理の一例を説明するための図である。図１４の例に示すように、第２の変形例に係る予測機能１５ｂは、プロトコル「T1WI」の撮像条件に基づいて、プロトコル「T1WI」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度「２５度」を予測する。また、第２の変形例に係る予測機能１５ｂは、プロトコル「T2WI」の撮像条件に基づいて、プロトコル「T2WI」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度「２５度」を予測する。
そして、予測機能１５ｂは、上述したステップＳ１０４の処理と同様に、予測したプロトコル「T1WI」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度「２５度」と、既に予測済みの平均温度とに基づいて、プロトコル「T1WI」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度が、平均温度に近づくようになる場合の冷却水の温度を算出する。
また、予測機能１５ｂは、上述したステップＳ１０４の処理と同様に、予測したプロトコル「T2WI」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度「２５度」と、既に予測済みの平均温度とに基づいて、プロトコル「T2WI」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度が、平均温度に近づくようになる場合の冷却水の温度を算出する。
例えば、図１４の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T1WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２５度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「T1WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２４度」を設定する。
また、図１４の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２４度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「T2WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２３度」を設定する。
そして、図１４の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T1WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「T1WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。
また、図１４の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「１６度」を算出する。
そして、予測機能１５ｂは、予測した傾斜磁場コイル２の温度、設定した傾斜磁場コイル２の温度、及び、算出した冷却水の温度を用いて温度制御情報のプロトコル「T1WI」の部分及び「T2WI」の部分を更新する。
そして、設定機能１５ａは、上述したステップＳ２０２の処理と同様に、プロトコル「T1WI」が実行されるタイミングになったら、プロトコル「T1WI」に対応するシーケンス実行データを処理回路１３のシーケンス制御機能１３ａに送信するとともに、温度制御機能１５ｃは、プロトコル「T1WI」に対応する温度制御情報の部分を冷却システム２００に送信する。同様に、設定機能１５ａは、プロトコル「T2WI」が実行されるタイミングになったら、プロトコル「T2WI」に対応するシーケンス実行データを処理回路１３のシーケンス制御機能１３ａに送信するとともに、温度制御機能１５ｃは、プロトコル「T2WI」に対応する温度制御情報の部分を冷却システム２００に送信する。これにより、検査中にプロトコルの撮像条件が変更された場合であっても、変更後のプロトコルの撮像条件に基づいた傾斜磁場コイル２の温度制御を行うことができる。
また、第２の変形例によれば、第１の実施形態と同様に、傾斜磁場コイル２の温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えるための有用な情報を予測することができる。
（実施形態に係る第３の変形例）
また、上述したＭＲＩ装置１００は、検査の実施中に、プロトコルが削除された場合であっても、削除されたプロトコルよりも後に実行されるプロトコルの撮像条件に基づいて、削除されたプロトコルよりも後に実行されるプロトコルの実行時の傾斜磁場コイル２の温度を予測し、予測した温度などに基づいて、傾斜磁場コイル２の温度を制御することもできる。そこで、このような実施形態を実施形態に係る第３の変形例として説明する。
例えば、図８の例に示すプロトコル「3D」が操作者により削除された場合について説明する。この場合には、第３の変形例に係る予測機能１５ｂは、上述したステップＳ１０２の処理と同様に、削除されたプロトコル「3D」よりも後に実行されるプロトコル「T2*WI」の撮像条件に基づいて、プロトコル「T2*WI」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度を予測する。
図１５は、第３の変形例に係る予測機能が実行する処理の一例を説明するための図である。図１５の例に示すように、第３の変形例に係る予測機能１５ｂは、プロトコル「T2*WI」の撮像条件に基づいて、プロトコル「T2*WI」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度「２５度」を予測する。
そして、予測機能１５ｂは、上述したステップＳ１０４の処理と同様に、予測したプロトコル「T2*WI」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度「２５度」と、既に予測済みの平均温度とに基づいて、プロトコル「T2*WI」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度が、平均温度に近づくようになる場合の冷却水の温度を算出する。例えば、図１５の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2*WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度を平均温度「２４度」に近づけるために、このタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２５度」を設定する。また、予測機能１５ｂは、同様の理由で、プロトコル「T2*WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける傾斜磁場コイル２の温度として「２５度」を設定する。そして、図１５の例に示すように、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2*WI」の実行が開始されてから数秒〜数十秒の所定の時間経過したタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。また、予測機能１５ｂは、プロトコル「T2*WI」の実行が完了するタイミングから数秒〜数十秒の所定の時間分だけ前のタイミングにおける冷却水の温度として「２０度」を算出する。そして、予測機能１５ｂは、予測した傾斜磁場コイル２の温度、設定した傾斜磁場コイル２の温度、及び、算出した冷却水の温度を用いて温度制御情報のプロトコル「T2*WI」の部分を更新する。
そして、設定機能１５ａは、上述したステップＳ２０２の処理と同様に、プロトコル「T2*WI」が実行されるタイミングになったら、プロトコル「T2*WI」に対応するシーケンス実行データを処理回路１３のシーケンス制御機能１３ａに送信するとともに、温度制御機能１５ｃは、プロトコル「T2*WI」に対応する温度制御情報の部分を冷却システム２００に送信する。これにより、検査中にプロトコルの撮像条件が変更された場合であっても、変更後のプロトコルの撮像条件に基づいた傾斜磁場コイル２の温度制御を行うことができる。
また、第３の変形例によれば、第１の実施形態と同様に、傾斜磁場コイル２の温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えるための有用な情報を予測することができる。
なお、第１の変形例において、検査中にプロトコルの撮像条件が変更された場合に、設定された複数のプロトコルの中に、プロトコル「shimming」があり、かつ、このプロトコル「shimming」が未実行であるときには、予測機能１５ｂは、更に、上述のステップＳ１０３の処理と同様に、平均温度を予測してもよい。また、第２の変形例において、検査中にプロトコルの実行順序が変更された場合に、設定された複数のプロトコルの中に、プロトコル「shimming」があり、かつ、このプロトコル「shimming」が未実行であるときには、予測機能１５ｂは、更に、上述のステップＳ１０３の処理と同様に、平均温度を予測してもよい。また、第３の変形例において、検査中にプロトコルが削除された場合に、設定された複数のプロトコルの中に、プロトコル「shimming」があり、かつ、このプロトコル「shimming」が未実行であるときには、予測機能１５ｂは、更に、上述のステップＳ１０３の処理と同様に、平均温度を予測してもよい。なお、これらの場合には、予測機能１５ｂは、上述したステップＳ１０４の処理と同様に、プロトコル「shimming」の実行時の傾斜磁場コイル２の温度が、予測した平均温度に近づくように、傾斜磁場コイル２の温度を設定する。
（実施形態に係る第４の変形例）
また、上述したＭＲＩ装置１００は、検査の実施中に、プロトコルの撮像条件が変更された場合、複数のプロトコルの実行順序が変更された場合、又は、プロトコルが削除された場合であっても、ＲＦパルスの中心周波数を測定するためのプロトコル「shimming」の実行を操作者に促す画面をディスプレイ１０に表示し、プロトコル「shimming」の実行指示を受け付けた場合に、プロトコル「shimming」を実行することもできる。そこで、このような実施形態を実施形態に係る第４の変形例として説明する。
例えば、以下、検査の実施中にプロトコルの撮像条件が変更された場合を例に挙げて説明するが、検査の実施中に複数のプロトコルの実行順序が変更された場合、又は、プロトコルが削除された場合であっても同様の処理を行うことができる。検査の実施中にプロトコルの撮像条件が変更された場合には、第４の変形例に係る予測機能１５ｂは、上述したステップＳ１０２の処理と同様に、撮像条件が変更されたプロトコルを含む設定された全ての複数のプロトコルの撮像条件に基づいて、複数のプロトコルのそれぞれの実行時の傾斜磁場コイル２の温度を予測する。
そして、予測機能１５ｂは、上述したステップＳ１０３の処理と同様に、予測した温度に基づいて、被検体Ｓに実施する検査における傾斜磁場コイル２の平均温度を再び予測する。
そして、設定機能１５ａは、予測機能１５ｂにより再び予測された平均温度（今回予測された平均温度）と、前回予測された平均温度との差が所定の閾値以上であるか否かを判定する。所定の閾値以上である場合には、設定機能１５ａは、ＲＦパルスの中心周波数を測定するためのプロトコル「shimming」の実行を操作者に促す画面をディスプレイ１０に表示させる。
図１６は、ＲＦパルスの中心周波数を測定するためのプロトコル「shimming」の実行を操作者に促す画面の一例を示す図である。例えば、設定機能１５ａは、図１６の例に示すように、プロトコル「shimming」の実行を操作者に促す画面１１ａをディスプレイ１０に表示させる。画面１１ａには、プロトコル「shimming」の実行指示を受け付けるための「Ｙｅｓ」と表記されたボタンと、画面１１ａを閉じるための「Ｎｏ」と表記されたボタンとが含まれている。
設定機能１５ａは、「Ｙｅｓ」と表記されたボタンが入力回路９を介して操作者により押下されたと判定した場合には、プロトコル「shimming」に対応するシーケンス実行データをシーケンス制御機能１３ａに送信する。これにより、プロトコル「shimming」が実行される。また、設定機能１５ａは、「Ｎｏ」と表記されたボタンが入力回路９を介して操作者により押下されたと判定した場合には、画面１１ａを閉じる。
以上、第４の変形例について説明した。第４の変形例に係るＭＲＩ装置１００によれば、再び予測した平均温度と、前回予測した平均温度との差が所定の閾値以上であるような、平均温度が大きく変化するためＲＦパルスの中心周波数の再測定が必要な場合には、プロトコル「shimming」の実行を操作者に促す。このため、第４の変形例に係るＭＲＩ装置１００によれば、ＲＦパルスの中心周波数の再測定が必要な場合に、操作者に再測定を促すことができる。
また、第４の変形例によれば、第１の実施形態と同様に、傾斜磁場コイル２の温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えるための有用な情報を予測することができる。
（実施形態に係る第５の変形例）
また、上述した実施形態では、Ｘ軸に対応するコイルの温度と、Ｙ軸に対応するコイルの温度と、Ｚ軸に対応するコイルの温度と、必要に応じて他の部材の温度とを合わせた温度を傾斜磁場コイル２の温度として取り扱う場合について説明した。しかしながら、ＭＲＩ装置１００は、傾斜磁場コイル２が有するＸ軸に対応するコイル、Ｙ軸に対応するコイル、及び、Ｚ軸に対応するコイルの複数のコイルそれぞれの温度を個別に扱って、個別に温度制御することもできる。そこで、このような実施形態を実施形態に係る第５の変形例として説明する。
図１７は、第５の変形例を説明するための図である。図１７の例に示すように、第５の変形例に係るＭＲＩ装置１００は、Ｘ軸に対応するコイル２１、Ｙ軸に対応するコイル２２、及び、Ｚ軸に対応するコイル２３の各コイルに、個別に冷却水の供給ができるように、各コイルと冷却システム２００とが個別の流通経路で接続されている。
上述した実施形態では、Ｘ軸に対応するコイルの温度と、Ｙ軸に対応するコイルの温度と、Ｚ軸に対応するコイルの温度と、必要に応じて他の部材の温度とを合わせた温度を傾斜磁場コイル２の温度として取り扱って、温度制御情報生成処理及び温度制御処理が実行された場合について説明した。
第５の変形例に係るＭＲＩ装置１００は、コイル２１、コイル２２及びコイル２３のコイルごとに、上述した温度制御情報生成処理及び温度制御処理と同様の処理を行う。これにより、第５の変形例に係る予測機能１５ｂは、検査におけるコイルの平均温度をコイルごとに予測する。このため、第５の変形例に係るＭＲＩ装置１００によれば、各コイルの温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えるための有用な情報を予測することができる。
以上述べた少なくとも１つの実施形態又は変形例に係るＭＲＩ装置によれば、コイルの温度の時間的な変化による検査結果への影響を抑えるための有用な情報を予測することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１００ ＭＲＩ装置
１５ａ 設定機能
１５ｂ 予測機能
１５ｃ 温度制御機能

Claims (10)

  1. 被検体が置かれた撮像空間に傾斜磁場を印加する傾斜磁場コイルと、
    前記撮像空間にＲＦパルスを印加する送信コイルと、
    前記被検体の検査において実行される複数のプロトコルに亘って目標とする前記傾斜磁場コイルの第１の温度を予測する予測部と、
    前記ＲＦパルスの中心周波数を設定するための情報を計測しているときに前記傾斜磁場コイルの温度が前記第１の温度に近づくように制御する温度制御部と、
    を備える、磁気共鳴イメージング装置。
  2. 前記予測部は、前記複数のプロトコルそれぞれに対応する前記傾斜磁場コイルの第２の温度を予測し、前記第２の温度に応じて前記第１の温度を予測する、
    請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  3. 前記予測部は、前記第１の温度として、前記検査において実行される前記複数のプロトコルに対応する複数の前記第２の温度の平均値を求める、
    請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  4. 前記プロトコルに含まれる撮像条件が変更された場合と、前記複数のプロトコルの実行順序が変更された場合と、前記プロトコルが削除された場合と、のうち少なくとも１つの場合に、前記ＲＦパルスの中心周波数の計測を再度実行することを促す画面を表示部に表示させる設定部を更に備える、
    請求項１〜３の何れか１つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
  5. 前記予測部は、前記プロトコルに含まれる撮像条件が変更された場合に、変更後の撮像条件に基づいて、前記プロトコルを実行した場合の前記第２の温度を再び予測する、
    請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  6. 前記予測部は、前記複数のプロトコルの実行順序が変更された場合に、実行順序が変更された前記複数のプロトコルに含まれる撮像条件に基づいて、前記複数のプロトコルのそれぞれの実行時の前記第２の温度を再び予測する、
    請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  7. 前記予測部は、前記複数のプロトコルのうち少なくとも１つのプロトコルが削除された場合に、削除されたプロトコルよりも実行順序が後ろのプロトコルに含まれる撮像条件に基づいて、前記実行順序が後ろのプロトコルの実行した場合の前記第２の温度を再び予測する、
    請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  8. 前記撮像空間には、静磁場が発生され、
    前記温度制御部は、前記静磁場の均一性を調整するプロトコルの実行中の前記傾斜磁場コイルの温度が、前記第１の温度に近づくように制御する、
    請求項１〜４の何れか１つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
  9. 前記傾斜磁場コイルに設けられ、前記静磁場の空間的な不均一を補正する金属シムを更に備え、
    前記温度制御部は、前記金属シムの温度を制御する、
    請求項８に記載の磁気共鳴イメージング装置。
  10. 前記傾斜磁場コイルは、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸それぞれに対応する複数のコイルを有し、
    前記予測部は、前記第１の温度を前記コイルごとに予測する、
    請求項１〜９の何れか１つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
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