JP2010251311A - 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】十分な耐久性及び効率に優れた有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機層を、水の共沸溶媒を含む溶媒に浸漬処理する工程及び乾燥する工程を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法に関する。

有機材料を利用したデバイスとして、有機電界発光素子（以下、ＯＬＥＤともいう）、有機半導体を利用したトランジスタなどの研究が活発に行われている。特に、有機電界発光素子は、固体発光型の大面積フルカラー表示素子や安価な大面積な面光源としての照明用途としての発展が期待されている。一般に有機電界発光素子は発光層を含む有機層及び該有機層を挟んだ一対の対向電極から構成される。このような有機電界発光素子に電圧を印加すると、有機層に陰極から電子が注入され陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られる。

有機電界発光素子の製造において、一対の電極間に設けられる有機層である薄膜を形成する方法としては、蒸着法として真空蒸着、湿式法としてスピンコーティング法、印刷法、インクジェット法等が行われている。

中でも湿式法を用いると、蒸着等のドライプロセスでは成膜が困難な高分子の有機化合物も使用可能となり、フレキシブルなディスプレイ等に用いる場合は耐屈曲性や膜強度等の耐久性の点で適しており、特に大面積化した場合に好ましい。

しかし、湿式法により得られた有機電界発光素子には発光効率や素子耐久性に劣るという問題があった。発光効率や素子耐久性の劣化を招く原因としては、水分と酸素が考えられている。湿式法により形成した有機層は真空乾燥等の手段により乾燥されるが、有機層中の水分を完全に除くのは困難であり、残存する水分により有機ＥＬ層の凝集や結晶化が進行して素子が劣化すると考えられている。また、酸素による有機ＥＬ層の酸化もいわゆる黒点（ダークスポット）の発生、成長、経時輝度劣化の要因と考えられている。
そして、特許文献１には、湿式法で積層された有機ＥＬ素子内部の初期の水分と酸素を除去することを目的として、水分含有率が少なく、低酸素濃度の不活性ガス中で調製した塗布液を用いて有機薄膜層を得る有機ＥＬ素子の製造方法が記載されている。

特開２００４−５５２２５号公報

しかし、特許文献１の方法によっては素子の耐久性及び効率の点で満足し得る不十分であった。
本発明は、前記従来の問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、十分な耐久性及び効率に優れた有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子を提供することを目的とする。

上記状況を鑑み、本発明者は、鋭意研究を行なったところ、基板上に、有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、水の共沸溶媒を含む溶媒に、浸漬処理する工程及び乾燥する工程を含むことにより上記課題を解決し得るという知見を得て本発明を完成するに至った。

すなわち、前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
〔１〕
基板上に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機層を、水の共沸溶媒を含む溶媒に浸漬処理する工程及び乾燥する工程を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
〔２〕
前記水の共沸溶媒が、水との共沸温度が１００℃未満の溶媒から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子の製造方法。
〔３〕
前記水の共沸溶媒が、イソプロパノール、ｎ−プロパノール、エチルアルコール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、イソブチルアルコール、２―（２―エトキシエトキシ）エタノール、２‐（２‐メトキシエトキシ）エタノール、エチレングリコールジエチルエーテル、ブチルセロソルブ、メチルエチルケトンから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載の有機電界発光素子の製造方法。
〔４〕
前記水の共沸溶媒を含む溶媒が、浸漬処理する工程における溶媒の温度において、蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒を含むことを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれか１つに記載の有機電界発光素子の製造方法。
〔５〕
前記蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒が、ブチルセロソルブ、２―（２―エトキシエトキシ）エタノール、２‐（２‐メトキシエトキシ）エタノール、酢酸２‐（２‐エトキシエトキシ）エチル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする〔４〕に記載の有機電界発光素子の製造方法。
〔６〕
前記乾燥する工程を大気圧より低い気圧下で行うことを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の有機電界発光素子の製造方法。
〔７〕
前記乾燥する工程を１００℃以上で行うことを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれか１つに記載の有機電界発光素子の製造方法。
〔８〕
前記〔１〕〜〔７〕のいずれか１つに記載の有機電界発光素子の製造方法により形成されたことを特徴とする有機電界発光素子。

本発明によれば、前記従来の問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
本発明によれば、十分な耐久性及び効率に優れた有機電界発光素子を作製し得る有機電界発光素子の製造方法を提供することができる。
また、本発明は、十分な耐久性及び効率に優れた有機電界発光素子を提供することができる。

本発明の発光素子の一実施形態を示す概略断面図である。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」はその前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。

＜有機電界発光素子の製造方法＞
本発明の有機電界発光素子の製造方法に説明する。
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、基板上に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、有機層を形成した基板を、水の共沸溶媒を含む溶媒に、浸漬処理する工程及び乾燥する工程を含む。

〔水の共沸溶媒を含む溶媒〕
（水の共沸溶媒）
本発明に用いる溶媒は、水の共沸溶媒を含む。これにより、乾燥工程で基板に形成した有機層中の水分を充分に除去でき、有機電界発光素子の長寿命化を可能にすることができる。
水の共沸溶媒としては、水との共沸温度が１００℃未満の溶媒から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。水との共沸温度は９８〜５０℃であることが好ましく、８０〜５０℃であることがより好ましい。この温度範囲であれば、より効率よく有機層中の水分を除去することができる。
かかる水の共沸溶媒は、エチルアルコール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、イソブチルアルコール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、２−（２−ｎ−ブトキシエトキシ）エタノール、２‐（２‐メトキシエトキシ）エタノール、エチレングリコールジエチルエーテル、ブチルセロソルブ（２−ｎ−ブトキシエタノール）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、イソプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、アセトニトリル、ブチロニトリル、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、シクロヘキサン、ヘキサン、キシレン、トルエン、クメン、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピルから選ばれる少なくとも一種であることが好ましく、イソプロパノール、ｎ−プロパノール、エチルアルコール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ-ブタノール、イソブチルアルコール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、２−（２−ｎ−ブトキシエトキシ）エタノール、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール、エチレングリコールジエチルエーテル、ブチルセロソルブ、メチルエチルケトンから選ばれる少なくとも一種であることがより好ましい。あるいは、クロロホルム、ジクロロメタン、１、２−ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロゲン系炭化水素を用いてもよい。

水の共沸溶媒は２種以上混合したものであってもよい。２種以上混合する場合の好ましい組み合わせとしては、エチルアルコール、ｎ−プロパノール、イソプロピルアルコール、メチルエチルケトンから選ばれる少なくとも１種とブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートから選ばれる少なくとも１種との組み合わせを挙げることができる。より好ましくは、イソプロピルアルコールとブチルセロソルブとの組み合わせである。
水の共沸溶媒を含む溶媒における水の共沸溶媒の含有量は５０質量％〜１００質量％であることが好ましく８０質量％〜１００質量％であることがより好ましい。

（他の溶媒）
水の共沸溶媒を含む溶媒が水の共沸溶媒以外の溶媒を含む場合、他の溶媒としては、例えば多価アルコール系溶媒、非プロトン性極性系溶媒が挙げられる。
多価アルコール系溶媒としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン等を挙げることができる。
非プロトン性極性溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。

（蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒）
本発明においては、前記水の共沸溶媒を含む溶媒が、浸漬処理する工程における温度において、蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒を含むことが好ましい。
浸漬処理する工程における温度としては１５℃〜３０℃であることが好ましい。この温度範囲において、蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒であればよい。好ましくは０．８ｈＰａ以下であり、より好ましくは０．５ｈＰａ以下である。蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒を用いることで、溶媒の乾燥速度を遅くなり、乾燥ムラを抑制でき、平滑な膜形成の点で好ましい。

蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒としては、例えばエーテル系溶媒、多価アルコール系溶媒が挙げられる。
具体例としては、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、２−（２−ｎ―ブトキシエトキシ）エタノール、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール、酢酸２−（２−エトキシエトキシ）エチル、ブチルセロソルブ等を挙げることができる。
また、エーテル系溶媒としては、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル等を挙げることができる。
多価アルコール系溶媒としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン等を挙げることができる。
蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒は、ブチルセロソルブ、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、２−（２−ｎ−ブトキシエトキシ）エタノール、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール、酢酸２−（２−エトキシエトキシ）エチル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールから選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒は２種以上混合したものであってもよい。

水の共沸溶媒と蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒の好ましい組み合わせとしては、水の共沸溶媒として炭素数が２〜４のアルコール溶媒から選択される溶媒と、蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒として、エーテル系溶媒から選択される溶媒とを用いることが好ましい。

水の共沸溶媒を含む溶媒における蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒の含有量は９０質量％〜１０質量％であることが好ましく、８０質量％〜２０質量％であることがより好ましい。

なお、水の共沸溶媒、他の溶媒、及び蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒は、精製処理したものが好ましい。具体的には、（１）シリカゲル、アルミナ、カチオン性イオン交換樹脂、アニオン性イオン交換樹脂等のカラム精製処理、（２）無水硫酸ナトリウム、無水硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸ストロンチウム、硫酸バリウム、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、モレキュラーシーブス、ゼオライト等の脱水処理、（３）蒸留処理、（４）不活性ガス（窒素、アルゴン）等によるバブリング処理、（４）濾過、遠心沈降等による不純物の除去処理等、任意の方法を用いることができる。より好ましくは、カラム精製処理と脱水処理による精製方法である。

〔浸漬処理する工程〕
浸漬処理する工程とは、前記水の共沸溶媒を含む溶媒に有機層を浸漬し、該溶媒から有機層を離脱させることをいう。有機層を浸漬させる温度は１５℃〜３０℃であることが好ましく、２０℃〜３０℃であることがより好ましい。この温度範囲であればクリーンルームの空調で制御できるからである。また、浸漬させる時間は１０秒〜１０分であることが好ましく、３０秒〜３分であることがより好ましい。

水の共沸溶媒を含む溶媒に有機層を浸漬させる方法に特に制限はなく、前記水の共沸溶媒を含む溶媒の入った槽に有機層を形成した基板ごと漬けることで浸漬させ、引き上げることで水の共沸溶媒を含む溶媒より離脱してもよい。また、基板を入れた容器に前記水の共沸溶媒を含む溶媒を注入することで浸漬させ、容器より溶媒を抜くことで水の共沸溶媒を含む溶媒より離脱してもよい。

有機層を水の共沸溶媒を含む溶媒より離脱させた後は、窒素ブロー、若しくは窒素によるエアーナイフ法により有機層上の溶媒を除くことが好ましく、エアーナイフ法を用いることがより好ましい。これにより、過剰な溶媒を除去することで、乾燥時間を短くすることができる。
ここで用いる窒素は正孔注入層中の水分をより除去する観点から露点温度が低いことが好ましく、露点が−２０℃以下であることがより好ましい。

本発明の浸漬処理を適用しうる有機層としては、乾式製膜法又は湿式製膜法により製膜された層のいずれであってもよいが、湿式製膜法により製膜された層に適用することで、本発明の効果をより発揮することができる。
有機層として具体的には、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電荷輸送層、電荷注入層等が挙げられる。いずれか一層に浸漬処理を適用してもよいし、複数層に適用してもよい。好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層に適用され、より好ましくは、正孔注入層に適用される。

本発明の有機ＥＬ素子の製造方法では、有機層を、水の共沸溶媒を含む溶媒に浸漬処理する工程及び乾燥する工程を含むことにより、十分な耐久性及び発光効率に優れた有機電界発光素子を製造することができる。これは、形成した有機層の乾燥が十分に行われるため、素子中の水分除去が十分に行うことができるためと考えられる。

有機層が複数存在する場合は、少なくとも一層の有機層に上記の工程が適用されていればよい。
有機層は乾式製膜法又は湿式製膜法により製膜してよい。湿式製膜法を用いると有機層を容易に大面積化することができ、高輝度で発光効率に優れた発光素子が低コストで効率よく得られ、好ましい。乾式製膜法としては蒸着法、スパッタ法等が使用でき、湿式製膜法としては印刷法、塗布法を用いることができる。

第一の電極は後述の背面電極であってよく、第一の電極の形成工程については背面電極の形成方法についての記載を適用することができる。
第二の電極は後述の透明電極であってよく、第二の電極の形成工程については透明電極の形成方法についての記載を適用することができる。

第一の電極を形成した基板上に、有機層を形成する工程における塗布法としては、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、インクジェット法等が使用可能である。これらの製膜法は有機層の材料に応じて適宜選択できる。中でも好ましくは、塗布液の利用効率の高い（ロスの少ない）方法であるため、ディップコート法、スプレーコート法、インクジェット方法である。

〔乾燥する工程〕
乾燥は有機層が損傷しないように温度、圧力等の条件を選択して行う。また、乾燥時には、（１）有機層への酸素の付加に伴う、有機電界発光素子の発光効率の低下を防止するため、（２）有機層の吸湿に伴い、有機電界発光素子の耐久性が低下するのを防止するため、露点温度が低い、不活性ガス（窒素、アルゴン等）の雰囲気で行うことが好ましい。
前記乾燥する工程における温度は、８０℃〜２００℃が好ましく、１００℃以上がより好ましく、１００℃〜１５０℃が更に好ましい。
前記乾燥する工程を大気圧より低い気圧下で行うことが好ましい。例えば、１００ｋＰａ以下であることが好ましく、１０ｋＰａ〜０．１ｋＰａであることがより好ましい。

〔有機電界発光素子〕
有機電界発光素子は、基板上に有機層を有する。
有機層は発光層を含み、発光層は燐光発光性化合物を含有することが好ましい。必要に応じて発光層以外の有機層や保護層、封止層等を有していてもよい。
有機電界発光素子は本発明の製造方法により作製されることが好ましい。

素子中における酸素濃度は低いほど好ましく、１００ｐｐｍ以下であればよく、好ましくは５０ｐｐｍ以下である。酸素濃度が１００ｐｐｍ以下の雰囲気を得るための方法は特に限定されない。例えば、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の不活性ガス雰囲気下で封止工程を行えばよい。不活性ガスとしては、窒素、アルゴン等がコスト及び取り扱い易さの観点から好ましい。

図１は各々、本発明の発光素子の一実施形態を示す概略断面図である。図１に示す発光素子は、基材１の上に透明電極２、有機層３及び背面電極４を積層してなる発光積層体７、並びに有機層３を封止する封止部材９を有する。これらの実施形態においては、封止部材９を封止剤（接着剤）８によって基材１、透明電極リード５、背面電極リード６等に接着し、発光積層体７に設置される。空間１０には、水分吸収剤又は不活性液体を挿入してよい。水分吸収剤は特に限定されず、具体例としては酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化リン、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等が挙げられる。不活性液体としてはパラフィン類、流動パラフィン類、フッ素系溶剤（パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等）、塩素系溶剤、シリコーンオイル類等が使用可能である。

本発明の発光素子において、発光積層体の構成は、基材上に透明電極／発光層／背面電極、透明電極／発光層／電子輸送層／背面電極、透明電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／背面電極、透明電極／正孔輸送層／発光層／背面電極、透明電極／発光層／電子輸送層／電子注入層／背面電極、透明電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／背面電極等をこの順に積層した構成、これらを逆に積層した構成等であってよい。発光層は燐光発光性化合物を含有し、通常、透明電極から発光が取り出される。各層に用いる化合物の具体例については、例えば「月刊ディスプレイ」１９９８年１０月号別冊の「有機ＥＬディスプレイ」（テクノタイムズ社）等に記載されている。

有機層の形成位置は特に制限されず、発光素子の用途及び目的に応じて適宜選択することができるが、透明電極又は背面電極上に形成するのが好ましい。このとき有機層は透明電極又は背面電極の全面又は一部に形成してよい。有機層の形状、大きさ及び厚みも目的に応じて適宜選択することができる。

有機層は乾式製膜法又は湿式製膜法を適宜選択して製膜してよい。湿式製膜法を用いると有機層を容易に大面積化することができ、高輝度で発光効率に優れた発光素子が低コストで効率よく得られ、好ましい。乾式製膜法としては蒸着法、スパッタ法等が使用でき、湿式製膜法としてはディッピング法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、インクジェット法等が使用可能である。これらの製膜法は有機層の材料に応じて適宜選択できる。湿式製膜法により製膜した場合は製膜した後に乾燥してよい。乾燥は塗布層が損傷しないように温度、圧力等の条件を選択して行う。

上記湿式製膜法（塗布プロセス）で用いる塗布液は通常、有機層の材料と、それを溶解又は分散するための溶剤からなる。溶剤は特に限定されず、有機層に用いる材料に応じて選択すればよい。溶剤の具体例としては、ハロゲン系溶剤（クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン等）、ケトン系溶剤（アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、シクロヘキサノン等）、芳香族系溶剤（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、エステル系溶剤（酢酸エチル、酢酸 ｎ−プロピル、酢酸 ｎ−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸ジエチル等）、エーテル系溶剤（テトラヒドロフラン、ジオキサン等）、アミド系溶剤（ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等）、ジメチルスルホキシド、水等が挙げられる。なお、塗布液中の溶剤に対する固形分量は特に制限はなく、塗布液の粘度も製膜方法に応じて任意に選択することができる。

本発明の発光素子は通常、その透明電極と背面電極との間に２〜４０ボルト程度の直流電圧（交流成分を含んでもよい）又は直流電流を印加すると発光する。また、本発明の発光素子を駆動する際には、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号、日本特許第２７８４６１５号等に記載の駆動方法を利用することができる。以下、本発明で用いる発光積層体をなす各層について詳述するが、本発明はそれらにより限定されない。

（Ａ）基材
本発明で使用する基材は、水分を透過させない材料又は水分透過率が極めて低い材料からなるのが好ましい。該材料は、好ましくは有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルやポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料等が挙げられる。中でも、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性及び加工性に優れ、かつ低通気性及び低吸湿性である有機材料が特に好ましく使用できる。基材は単一材料で形成しても、２種以上の材料で形成してもよい。基材の材料は透明電極材料に応じて適宜選択してよく、例えば透明電極が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である場合には、ＩＴＯとの格子定数の差が小さい材料を用いるのが好ましい。

基材の形状、構造、大きさ等は発光素子の用途及び目的に応じて適宜選択することができる。形状は板状とするのが一般的である。構造は単層構造であっても積層構造であってもよい。基材は無色透明であっても有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光を散乱又は減衰させることがない点で無色透明であるのが好ましい。

基材の電極側の面、電極と反対側の面又はその両方に透湿防止層（ガスバリア層）を設けてもよい。透湿防止層を構成する材料としては窒化ケイ素、酸化ケイ素等の無機物を用いるのが好ましい。透湿防止層は高周波スパッタリング法等により成膜できる。また、基材には必要に応じてハードコート層やアンダーコート層を設けてもよい。

（Ｂ）透明電極
通常、透明電極は有機層に正孔を供給する陽極としての機能を有するが、陰極として機能させることもでき、この場合背面電極を陽極として機能させる。以下、透明電極を陽極とする場合について説明する。

透明電極の形状、構造、大きさ等は特に制限されず、発光素子の用途及び目的に応じて適宜選択することができる。透明電極を形成する材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等を用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料を用いる。具体例としては、アンチモンをドープした酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素をドープした酸化スズ（ＦＴＯ）、半導性金属酸化物（酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等）、金属（金、銀、クロム、ニッケル等）、これら金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、無機導電性物質（ヨウ化銅、硫化銅等）、有機導電性材料（ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等）及びこれとＩＴＯとの積層物等が挙げられる。

透明電極は印刷法、コーティング法等の湿式方法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方法、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方法等によって基材上に形成することができる。形成方法は透明電極材料との適性を考慮して適宜選択すればよい。例えば、透明電極の材料としてＩＴＯを用いる場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等を用いればよい。また透明電極の材料として有機導電性材料を用いる場合には、湿式製膜法を用いてよい。

透明電極のパターニングはフォトリソグラフィー等による化学的エッチング、レーザー等を用いた物理的エッチング等により行うことができる。また、マスクを用いた真空蒸着やスパッタリング、リフトオフ法、印刷法等によりパターニングしてもよい。

透明電極の形成位置は発光素子の用途及び目的に応じて適宜選択してよいが、基材上に形成するのが好ましい。このとき透明電極は基材の表面全体に形成しても一部のみに形成してもよい。

透明電極の厚みはその材料に応じて適宜選択すればよいが、通常１０ｎｍ〜５０μｍであり、好ましくは５０ｎｍ〜２０μｍである。透明電極の抵抗値は１０^２Ω／□以下とするのが好ましく、１０Ω／□以下とするのがより好ましい。透明電極は無色透明であっても有色透明であってもよい。透明電極側から発光を取り出すためには、その透過率は６０％以上とするのが好ましく、７０％以上とするのがより好ましい。透過率は分光光度計を用いた公知の方法に従って測定することができる。

また、「透明導電膜の新展開」（沢田豊監修、シーエムシー刊、１９９９年）等に詳細に記載されている電極も本発明に適用できる。特に耐熱性の低いプラスチック基材を用いる場合は、透明電極材料としてＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で製膜するのが好ましい。

（Ｃ）背面電極
通常、背面電極は有機層に電子を注入する陰極としての機能を有するが、陽極として機能させることもでき、この場合上記透明電極を陰極として機能させる。以下、背面電極を陰極とする場合について説明する。

背面電極の形状、構造、大きさ等は特に制限されず、発光素子の用途及び目的に応じて適宜選択することができる。背面電極を形成する材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等を用いることができ、好ましくは仕事関数が４．５ｅＶ以下の材料を用いる。具体例としては、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、希土類金属（イッテルビウム等）等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させるためには２種以上を併用するのが好ましい。これら材料の中で、電子注入性の観点からはアルカリ金属及びアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性の観点からはアルミニウムを主体とする材料が好ましい。ここでアルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金又は混合物（リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金等）を指す。背面電極の材料としては、特開平２−１５５９５号、特開平５−１２１１７２号等に詳述されているものも使用できる。

背面電極は印刷法、コーティング法等の湿式方法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方法、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方法等によって形成することができる。形成方法は背面電極材料との適性を考慮して適宜選択すればよい。例えば、背面電極の材料として２種以上の金属等を用いる場合には、その材料を同時又は順次にスパッタして形成できる。

背面電極のパターニングはフォトリソグラフィー等による化学的エッチング、レーザー等を用いた物理的エッチング等により行うことができる。また、マスクを用いた真空蒸着やスパッタリング、リフトオフ法、印刷法等によりパターニングしてもよい。

背面電極の形成位置は発光素子の用途及び目的に応じて適宜選択してよいが、有機層上に形成するのが好ましい。このとき背面電極は有機層の表面全体に形成しても一部のみに形成してもよい。また、背面電極と有機層との間にアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物等からなる誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで設置してもよい。誘電体層は真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。

背面電極の厚みはその材料に応じて適宜選択すればよいが、通常１０ｎｍ〜５μｍであり、好ましくは５０ｎｍ〜１μｍである。背面電極は透明であっても不透明であってもよい。透明背面電極は、上述した材料の層を１〜１０ｎｍの厚みに薄く製膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電性材料を積層して形成してよい。

（Ｄ）発光層
本発明の発光素子において、発光層は燐光発光性化合物を含有することが好ましい。本発明で用いる燐光発光性化合物は、三重項励起子から発光することができる化合物であれば特に限定されることはない。燐光発光性化合物としては、オルトメタル化錯体又はポルフィリン錯体を用いるのが好ましく、オルトメタル化錯体を用いるのがより好ましい。ポルフィリン錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好ましい。燐光発光性化合物は単独で使用しても２種以上を併用してもよい。

本発明でいうオルトメタル化錯体とは、山本明夫著「有機金属化学 基礎と応用」， １５０頁及び２３２頁， 裳華房社（１９８２年）、Ｈ． Ｙｅｒｓｉｎ著「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」，７１〜７７頁及び１３５〜１４６頁，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年）等に記載されている化合物群の総称である。オルトメタル化錯体を形成する配位子は特に限定されないが、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体又は２−フェニルキノリン誘導体であるのが好ましい。これら誘導体は置換基を有してもよい。また、これらのオルトメタル化錯体形成に必須の配位子以外に他の配位子を有していてもよい。オルトメタル化錯体を形成する中心金属としては、遷移金属であればいずれも使用可能であり、本発明ではロジウム、白金、金、イリジウム、ルテニウム、パラジウム等を好ましく用いることができる。中でもイリジウムが特に好ましい。このようなオルトメタル化錯体を含む有機層は、発光輝度及び発光効率に優れている。オルトメタル化錯体については、特願２０００−２５４１７１号の段落番号０１５２〜０１８０にもその具体例が記載されている。

本発明で用いるオルトメタル化錯体は、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３０，１６８５，１９９１、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２７，３４６４，１９８８、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３３，５４５，１９９４、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ，１８１，２４５，１９９１、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，３３５，２９３，１９８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０７，１４３１，１９８５ 等に記載の公知の手法で合成することができる。

発光層中の燐光発光性化合物の含有量は特に制限されないが、例えば０．１〜７０質量％であり、１〜２０質量％であるのが好ましい。燐光発光性化合物の含有量が０．１質量％以上、７０質量％以下であれば、その効果が十分に発揮できる。

本発明において、発光層は必要に応じてホスト化合物、正孔輸送材料、電子輸送材料、電気的に不活性なポリマーバインダー等を含有してもよい。

上記ホスト化合物とは、その励起状態から燐光発光性化合物へエネルギー移動が起こり、その結果、該燐光発光性化合物を発光させる化合物である。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール等を配位子とする金属錯体、ポリシラン化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。ホスト化合物は１種単独で使用しても２種以上を併用してもよい。

正孔注入材料、正孔輸送材料は陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、及び陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば特に限定されず、低分子材料であっても高分子材料であってもよい。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、ポリシラン化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。これらは単独で使用しても２種以上を混合して使用してもよい。本発明においては、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ溶液（ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸ドープ体）を用いることが好ましい。

電子輸送材料は陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、及び陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば特に限定されず、例えばトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタロフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール等を配位子とする金属錯体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が使用可能である。

ポリマーバインダーとしては、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール等が使用可能である。ポリマーバインダーを含有する発光層は、湿式製膜法によって、容易にかつ大面積に塗布形成することができる。

発光層の厚みは１０〜２００ｎｍとするのが好ましく、２０〜８０ｎｍとするのがより好ましい。厚みが２００ｎｍ以下であればと駆動電圧が上昇するのを抑制でき、１０ｎｍ以上であると発光素子が短絡するのを防止できる。

（Ｅ）電子輸送層
本発明の発光素子は、必要に応じて上述した電子輸送材料を含む電子輸送層を有してよい。電子輸送層は上述のポリマーバインダーを含有してもよい。電子輸送層の厚みは１０〜２００ｎｍとするのが好ましく、２０〜８０ｎｍとするのがより好ましい。厚みが２００ｎｍ以下であれば駆動電圧が上昇するのを抑制でき、１０ｎｍ以上であると発光素子が短絡するのを防止できる。

（Ｆ）正孔注入層、正孔輸送層
本発明の発光素子は、必要に応じて上述した正孔注入材料、又は正孔輸送材料を含む正孔注入層、又は正孔輸送層を有してよい。正孔注入層、及び正孔輸送層は上述のポリマーバインダーを含有してもよい。正孔注入層、及び正孔輸送層の厚みは１０〜２００ｎｍとするのが好ましく、２０〜８０ｎｍとするのがより好ましい。厚みが２００ｎｍ以下であれば駆動電圧が上昇するのを抑制でき、１０ｎｍ以上であると発光素子が短絡するのを防止できる。

（Ｇ）その他
本発明の発光素子は、特開平７−８５９７４号、同７−１９２８６６号、同８−２２８９１号、同１０−２７５６８２号、同１０−１０６７４６号等に記載の保護層を有していてもよい。保護層は発光素子の最上面に形成する。ここで最上面とは、基材、透明電極、有機層及び背面電極をこの順に積層する場合には背面電極の外側表面を指し、基材、背面電極、有機層及び透明電極をこの順に積層する場合には透明電極の外側表面を指す。保護層の形状、大きさ、厚み等は特に限定されない。保護層をなす材料は、水分や酸素等の発光素子を劣化させ得るものが素子内に侵入又は透過するのを抑制する機能を有しているものであれば特に限定されず、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ゲルマニウム、二酸化ゲルマニウム等が使用できる。

保護層の形成方法は特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子センエピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等が適用できる。

〔封止〕
また、発光素子には水分や酸素の侵入を防止するための封止層を設けるのが好ましい。封止層を形成する材料としては、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとの共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリユリア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン又はジクロロジフルオロエチレンと他のコモノマーとの共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質、金属（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｌ、Ｎｉ等）、金属酸化物（ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等）、金属フッ化物（ＭｇＦ_２、ＬｉＦ、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２等）、液状フッ素化炭素（パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等）、該液状フッ素化炭素に水分や酸素の吸着剤を分散させたもの等が使用可能である。

本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。

本発明の有機ＥＬ素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。

〔用途〕
本発明の無機材料は、電極として用いたときに、高い効率と素子寿命を与えることができるため、デバイスとして好適に利用することができる。特に、本発明の無機材料は、有機電界発光素子として用いたときに、高い効率と素子寿命を与えることができるため、フルカラーディスプレイ、バックライト、照明光源等の面光源、プリンター等の光源アレイ等に好適に用いられる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の主旨から逸脱しない限り適宜変更することができる従って本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。

（水の共沸溶媒を含む溶媒（溶媒Ａ）の調製）
イソプロパノール（沸点８２．５℃、共沸溶剤、水との共沸温度８０．１℃）とブチルセロソルブ（沸点１７０．２℃、共沸溶剤、水との共沸温度７９．２℃、蒸気圧：０．８ｈＰａ（２０℃））を質量比率８０／２０で混合し、溶媒Ａを調製した。

〔実施例１〕
（有機ＥＬ素子の作製）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚さで蒸着し製膜したものを透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチング、洗浄した。
このＩＴＯガラス基板上に、正孔注入層として、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ溶液（ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸ドープ体）／ＣＬＥＶＩＯＳ Ｐ ＡＩ ４０８３（Ｈ．Ｃ．Ｓｔｅｒｃｋ製）８９．９９質量％にイソプロピルアルコール１０質量％とＺｏｎｙｌ ＦＳＯ−３００（デュポン社製）０．０１質量％を添加した塗布液をスピンコートした後、１００℃のホットプレート上で１０分間乾燥し、正孔注入層（膜厚約６０ｎｍ）を製膜した。
（浸漬処理）
溶媒Ａに、正孔注入層を製膜したＩＴＯ基板を１分間浸漬し、基板を引き上げたのち、窒素ブロー（露点−３０℃）により、膜表面上の溶媒を除去した。
（乾燥）
１５０℃、１時間真空乾燥（１０ｋＰａ）することで、脱水された正孔注入層が得られた。
この上に、真空蒸着法によりＮＰＤを膜厚２０ｎｍに蒸着し、正孔輸送層とした。次いで、その上に、発光材料としてＩｒ（ｐｐｙ）_３、ホスト材料としてＣＢＰを用いて、発光材料：ホスト材料＝５：９５の質量比で厚み３０ｎｍに共蒸着した。
次いで、その上に、真空蒸着法にてＢＡｌｑを膜厚４０ｎｍに蒸着し電子注入層とした。
そして、この上にフッ化リチウムを１ｎｍ蒸着し、更に金属アルミニウムを７０ｎｍ蒸着し、陰極とした。
作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止した。

〔実施例２〕
（有機ＥＬ素子の作製）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚さで蒸着し製膜したものを透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチング、洗浄した。
このＩＴＯガラス基板上に、正孔注入層として、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ溶液（ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸ドープ体）/ＣＬＥＶＩＯＳ Ｐ ＡＩ ４０８３（Ｈ．Ｃ．Ｓｔｅｒｃｋ製）９０質量％にエタノール１０質量％を添加した塗布液をスピンコートした後、１００℃のホットプレート上で１０分間乾燥し、正孔注入層（膜厚約４０ｎｍ）を製膜した。

（浸漬処理）
ブチルセロソルブに、正孔注入層を製膜したＩＴＯ基板を１分間浸漬し、基板を引き上げたのち、窒素ブロー（露点−３０℃）により、膜表面上の溶媒を除去した。
実施例１と同様に基板の乾燥、積層体の作製、及びを行い有機ＥＬ素子を作製した。

〔実施例３〕
（水の共沸溶媒を含む溶媒（溶媒Ｂ）の調製）
メチルエチルケトン（沸点７９．５℃、共沸溶剤、水との共沸温度７３．６℃）、２−（２−ｎ―ブトキシエトキシ）エタノール（沸点２３０．４℃、共沸溶剤、水との共沸温度９９．８℃、蒸気圧：０．１ｈＰａ（２０℃））を質量比率２０／８０で混合し、溶媒Ｂを調製した。

ブチルセロソルブに代えて、溶媒Ｂを用いた以外には、実施例２と同様に有機ＥＬ素子を作製した。

〔比較例１〕
実施例１における浸漬処理を行わなかった以外は実施例１と同様にして、比較有機ＥＬ素子を作製した。

以下に実施例及び比較例の素子に使用した化合物等を示す。

（性能評価）
（１）駆動耐久性
初期の発光輝度５００ｃｄ／ｍ^２で、室温（２０℃）において、ＯＬＥＤ素子に定電流を印加して連続的に駆動を行い、発光輝度が１／２に低下するまでの時間（輝度半減時間（ｈ））を測定した。
（２）外部量子効率
駆動電流密度２．５ｍＡ／ｃｍ^２における発光輝度を測定した。測定方法としては、有機ＥＬ素子の正面における分光放射輝度を分光放射輝度計（コニカミノルタ（株）製ＣＳ−１０００）を用いて測定し、外部量子効率（％）を算出した。

（評価結果）
得られた結果を表１に示した。

評価の結果、本発明の有機ＥＬ素子は、輝度半減時間が極めて長く、耐久性の点で優れることがわかる。また、外部量子効率が高く、優れた効率を有することがわかった。

１・・・基材
２・・・透明電極
３・・・有機層
４・・・背面電極
５・・・透明電極リード
６・・・背面電極リード
７・・・発光積層体
８・・・封止剤（接着剤）
９・・・封止部材
１０・・・空間

Claims (8)

1. 基板上に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機層を、水の共沸溶媒を含む溶媒に浸漬処理する工程及び乾燥する工程を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
2. 前記水の共沸溶媒が、水との共沸温度が１００℃未満の溶媒から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
3. 前記水の共沸溶媒が、イソプロパノール、ｎ−プロパノール、エチルアルコール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ―ブタノール、イソブチルアルコール、２−（２−ｎ―ブトキシエトキシ）エタノール、２―（２―エトキシエトキシ）エタノール、２‐（２‐メトキシエトキシ）エタノール、エチレングリコールジエチルエーテル、ブチルセロソルブ、メチルエチルケトンから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
4. 前記水の共沸溶媒を含む溶媒が、浸漬処理する工程における溶媒の温度において、蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
5. 前記蒸気圧が１ｈＰａ以下である溶媒が、ブチルセロソルブ、２―（２―エトキシエトキシ）エタノール、２−（２−ｎ―ブトキシエトキシ）エタノール、２‐（２‐メトキシエトキシ）エタノール、酢酸２‐（２‐エトキシエトキシ）エチル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
6. 前記乾燥する工程を大気圧より低い気圧下で行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
7. 前記乾燥する工程を１００℃以上で行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
8. 前記請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法により形成されたことを特徴とする有機電界発光素子。

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