JP2010245991A - 表面弾性波素子用基板とその製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 95
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 39
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 120
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 61
- -1 iron-substituted lithium Chemical class 0.000 claims description 32
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 10
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- SMBQBQBNOXIFSF-UHFFFAOYSA-N dilithium Chemical group [Li][Li] SMBQBQBNOXIFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-IGMARMGPSA-N lithium-7 atom Chemical compound [7Li] WHXSMMKQMYFTQS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】鉄置換タンタル酸リチウム結晶からなり、電気機械結合係数がコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶からなる表面弾性波素子用基板の1.1倍以上である表面弾性波素子用基板の形成。
【選択図】なし
Description
すなわち、大きな電気機械結合係数と小さな温度係数を兼ね備えた材料の表面弾性波素子用基板が好ましい。
各々の材料での温度係数と電気機械結合係数は、タンタル酸リチウムの36°Yカットで35ppm/℃、7%と電気機械結合係数がやや小さく、ニオブ酸リチウム結晶の41°Yカットで75ppm/℃、17%と温度係数が悪く、水晶のSTカットで0ppm/℃、0.17%と電気機械結合係数が小さすぎ、四ホウ酸リチウム結晶で0ppm/℃、1.0%と電気機械結合係数が小さく、BGO結晶のZカットで110ppm/℃、1.5%と温度係数が悪い。さらに、ニオブ酸カリウムは特性として良質の単結晶が作りにくいという欠点がある。
以上より、本発明の表面弾性波素子用基板であれば、大きな電気機械結合係数と小さな温度係数を有する、結晶育成が容易な鉄置換タンタル酸リチウム結晶からなるため、高品質で安価な表面弾性波素子用基板となる。
このような範囲内で鉄を含有することで、電気機械結合係数が十分に向上され、さらにクラックの発生を防止しながら、より確実に結晶育成することができる。
このような範囲の含有量になるように鉄を添加することで、電気機械結合係数を十分に向上させ、さらにクラックの発生を防止しながら、より確実に結晶育成することができる。
これに対して、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、タンタル酸リチウム結晶に鉄を添加することにより、その電気機械結合係数が向上することを見出した。ここで、鉄を添加する際に、母結晶となるタンタル酸リチウム結晶を構成するリチウム元素とタンタル元素の比率については、通常、化学量論比のLi/Ta=1.0、あるいはコングルーエント(congruent)組成での比率Li/Ta=0.94であった。しかし、この方法では、特許文献1の表1に記載されているように、鉄の添加含有割合が0.50wt%以上になると、クラックフリー率が低下してしまう。これは、タンタル酸リチウムは製造が容易なコングルーエント組成(Li/Ta=0.94)等で提供されるが、この組成比の融液に鉄源となるFe2O3を添加していくと、鉄の添加量が増加するにつれて結晶成長が難しくなるためと推察される。しかし、鉄の添加量が少ない場合には、タンタル酸リチウム結晶の電気機械結合係数の向上が限られてしまっていた。
つまり、鉄の添加量を増やすに従い、リチウム源となる炭酸リチウムの量を減らした融液組成とすることで、鉄イオンはリチウムイオンと一部置換しながら、無理なくタンタル酸リチウムの結晶格子に取り込まれるため、高い歩留まりで鉄置換タンタル酸リチウム結晶の育成ができることを見出した。
このように、タンタル酸リチウム結晶に、鉄をリチウムと置換させるように添加することで、電気機械結合係数が、従来のコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶のものに比べ1.1倍以上にまで向上され、さらに、鉄置換によってタンタル酸リチウム結晶の温度係数が劣化することも無い。また、鉄をタンタル酸リチウム結晶のリチウムと置換させながら添加させた鉄置換タンタル酸リチウム結晶であれば、結晶性良く成長させることが容易であるため歩留まりも良い。
このような範囲内で鉄を含有することで、電気機械結合係数が十分に向上され、さらにクラックの発生を防止しながら、より確実に結晶育成することができるものとなる。
なお、鉄の添加量とリチウムの減らす量の比率を、予め、多様な比率で混合、結晶育成を行い、結晶育成が容易である適切な比率を調べておくことが好ましい。
このような範囲の含有量になるように鉄を添加することで、電気機械結合係数を十分に向上させることができる。そして、鉄の含有量が1.1wt%以下であれば、鉄イオンの輻射熱の吸収効果によって固液界面の形状が凸となることを、より効果的に抑制でき、結晶の形状制御が容易になるため、クラックの発生を防止しながら、より確実に結晶育成することができる。
電気機械結合係数K2=2(Vf−Vs)/Vf
このように得られた本発明の表面弾性波素子用基板の電気機械結合係数は、鉄を含まないコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶からなる基板の電気機械結合係数と比較し、1.1倍以上にまで向上され、さらには鉄含有量が多くなるに従い、電気機械結合係数が増加する。
(実施例1−5、比較例1−5)
まず、五酸化タンタル(Ta2O5)の添加量は一定で、炭酸リチウム(Li2CO3)と酸化鉄(Fe2O3)との比率を下記の表1に従って変えて秤量し、混合して、電気炉で1000℃以上に加熱することで得られた鉄含有タンタル酸リチウムの多結晶を、イリジウムの貴金属製のルツボに入れ、加熱、溶融後に36°Y軸の種結晶を用いて回転引上げ(チョクラルスキー法)にて結晶の育成を試みた。表1に結晶育成結果を示す。また、同様の方法で、ただし鉄を含有しないコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶を比較例1として育成した。
電気機械結合係数K2=2(Vf−Vs)/Vf
電気機械結合係数の絶対値は測定系により異なる値をとることより、本実施例1−5、比較例1−5では、鉄を含有しないコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶の値(比較例1)に対する相対値として表1に示した。
Claims (4)
- 少なくとも、鉄置換タンタル酸リチウム結晶からなり、電気機械結合係数がコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶からなる表面弾性波素子用基板の1.1倍以上であることを特徴とする表面弾性波素子用基板。
- 前記鉄置換タンタル酸リチウム結晶の鉄の含有量が、0.44wt%〜1.1wt%の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波素子用基板。
- 鉄置換タンタル酸リチウム結晶からなる表面弾性波素子用基板の製造方法であって、少なくとも、鉄の添加量に従ってリチウムの量を減らした組成の融液に調整して、該調整した組成の融液から鉄置換タンタル酸リチウム結晶を成長させることを特徴とする表面弾性波素子用基板の製造方法。
- 前記鉄の添加量を、前記鉄置換タンタル酸リチウム結晶の鉄の含有量が0.44wt%〜1.1wt%の範囲内になるように添加することを特徴とする請求項3に記載の表面弾性波素子用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009094652A JP5507870B2 (ja) | 2009-04-09 | 2009-04-09 | 表面弾性波素子用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009094652A JP5507870B2 (ja) | 2009-04-09 | 2009-04-09 | 表面弾性波素子用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010245991A true JP2010245991A (ja) | 2010-10-28 |
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Family
ID=43098491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009094652A Active JP5507870B2 (ja) | 2009-04-09 | 2009-04-09 | 表面弾性波素子用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5507870B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013236276A (ja) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 弾性表面波素子用化学量論組成タンタル酸リチウム単結晶、その製造方法及び弾性表面波素子用複合圧電基板 |
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