JP2010245623A - 固体撮像素子及びその製造方法、放射線撮像装置及びその製造方法、並びに固体撮像素子の検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像素子1が備える複数の信号出力部20のそれぞれは、リセット信号Rst、ホールド信号Hld、水平スタート信号Sph、及び水平クロック信号Ckhのそれぞれを入力する端子電極25a〜25dを含む入力端子電極群25と、出力信号Aoutを提供する出力端子電極26とを有する。また、固体撮像素子1は、リセット信号Rst、ホールド信号Hld、水平スタート信号Sph、及び水平クロック信号Ckhのそれぞれを受ける端子電極41a〜41dを含む入力端子電極群41と、スイッチ手段SW1〜SW6と、出力端子電極42とを更に備える。
【選択図】図4
Description
図1は、本実施形態に係る固体撮像素子1の概略構成図である。また、図2は、図1に示す固体撮像素子1のII−II線に沿った断面を示す側断面図である。本実施形態に係る固体撮像素子1は、受光部10、複数の信号出力部20、垂直シフトレジスタ30および検査用端子電極部40を備える。なお、図1では、受光部10の一部の領域Dを拡大して示している。
上述した第1実施形態に係る固体撮像素子1の変形例について説明する。図9は、複数の信号出力部20のそれぞれが有する水平シフトレジスタ23を簡略化して示すブロック図である。図9(a)は、上記第1実施形態のように、初段のシフトレジスタ24が左端に位置する場合、すなわち水平シフトレジスタ23の走査方向が検査用端子電極部40に近づく向きである場合を示している。また、これとは逆に、図9(b)は、初段のシフトレジスタ24が右端に位置する場合、すなわち水平シフトレジスタ23の走査方向が検査用端子電極部40から遠ざかる向きである場合を示している。水平シフトレジスタ23の走査方向は、図9(a)に示す向きと、図9(b)に示す向きとの間で変更可能であることが好ましい。以下、その理由を説明する。
図12は、本発明の第2実施形態に係る放射線撮像装置2の構成を示す平面図である。また、図13は、図12に示す放射線撮像装置2のXIII−XIII線に沿った断面を示す側断面図である。
ここで、本発明の第3実施形態として、第2実施形態に係る放射線撮像装置2を製造する方法について説明する。なお、この製造方法には、第1実施形態に係る固体撮像素子1の製造方法及び検査方法も含まれている。図14は、放射線撮像装置2を製造するための各工程を示す図である。
Claims (17)
- フォトダイオードを各々含むM×N個(M,Nは2以上の整数)の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、
2以上の列を各々含み前記N列が分割されて成る複数の列群のそれぞれに対応して設けられた複数の信号出力部と、
前記画素からの電荷出力を各行毎に制御する垂直シフトレジスタと
を備え、
前記複数の信号出力部のそれぞれが、
各列群に含まれる前記2以上の列のそれぞれに対応して設けられ、各列に含まれる前記画素から出力された電荷を蓄積して電圧信号に変換する2以上の積分回路と、
前記2以上の積分回路それぞれの出力端に接続された2以上の保持回路と、
前記2以上の保持回路から順に電圧信号を出力させる水平シフトレジスタと、
前記積分回路のリセットを行うリセット信号、前記保持回路への電圧信号の入力を制御するホールド信号、前記水平シフトレジスタの動作を開始する水平スタート信号、及び前記水平シフトレジスタのクロックを規定する水平クロック信号のそれぞれを入力する複数の端子電極を含む第1の入力端子電極群と、
前記保持回路からの出力信号を提供する第1の出力端子電極と
を有しており、
当該固体撮像素子は、
前記第1の入力端子電極群とは別に設けられた、前記リセット信号、前記ホールド信号、前記水平スタート信号、及び前記水平クロック信号のそれぞれを受ける複数の端子電極を含む第2の入力端子電極群と、
前記積分回路、前記保持回路、及び前記水平シフトレジスタとの接続を前記第1及び第2の入力端子電極群の間で切り替えるために各信号出力部に設けられた入力用スイッチ手段と、
前記第1の出力端子電極とは別に設けられた、前記出力信号を提供する第2の出力端子電極と、
各信号出力部の前記入力用スイッチ手段と前記第2の入力端子電極群(前記水平スタート信号用の端子電極を除く)とを接続するために前記複数の信号出力部にわたって設けられた入力信号配線、及び各信号出力部の前記保持回路と前記第2の出力端子電極とを接続するために前記複数の信号出力部にわたって設けられた出力信号配線と
を更に備えることを特徴とする、固体撮像素子。 - 前記複数の信号出力部のそれぞれが、前記受光部の行方向に沿った一辺に隣接して配置されており、前記垂直シフトレジスタが、前記受光部の列方向に沿った他の一辺に隣接して配置されており、
前記第2の入力端子電極群及び前記第2の出力端子電極が、前記複数の信号出力部のうち前記垂直シフトレジスタに最も近い前記信号出力部に隣接する領域に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の入力端子電極群に含まれる前記水平スタート信号用の端子電極が、前記複数の信号出力部のうち最も端に位置する前記信号出力部の前記水平シフトレジスタに接続されており、その端子電極に前記水平スタート信号が入力される際に、他の前記信号出力部の前記水平シフトレジスタが、隣接する前記信号出力部の前記水平シフトレジスタの最終段からの出力を前記水平スタート信号として受けることを特徴とする、請求項1または2に記載の固体撮像素子。
- 各信号出力部において、前記水平シフトレジスタの走査方向が変更可能であることを特徴とする、請求項3に記載の固体撮像素子。
- 前記複数の信号出力部のそれぞれが、電源電圧を入力する第1の電源用端子電極を更に有しており、
当該固体撮像素子は、前記複数の信号出力部における前記第1の電源用端子電極とは別に、前記電源電圧を受ける第2の電源用端子電極を更に備えており、
前記第1及び第2の電源用端子電極が、前記複数の信号出力部にわたって設けられた配線によって互いに接続されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の固体撮像素子。 - 前記保持回路と前記出力信号配線との接続/非接続を切り替えるために各信号出力部に設けられた出力用スイッチ手段を更に備えることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 前記出力用スイッチ手段が、前記水平シフトレジスタの動作開始の際に前記保持回路と前記出力信号配線とを接続状態とし、前記水平シフトレジスタの動作完了の際に前記保持回路と前記出力信号配線とを非接続状態とすることを特徴とする、請求項6に記載の固体撮像素子。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の固体撮像素子と、
前記受光部上に設けられ、入射した放射線に応じてシンチレーション光を発生して放射線像を光像へと変換し、該光像を前記受光部へ出力するシンチレータと
を備えることを特徴とする、放射線撮像装置。 - フォトダイオードを各々含むM×N個(M,Nは2以上の整数)の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、
2以上の列を各々含み前記N列が分割されて成る複数の列群のそれぞれに対応して設けられた複数の信号出力部と、
前記画素からの電荷出力を各行毎に制御する垂直シフトレジスタと
を備える固体撮像素子を製造する方法であって、
各列群に含まれる前記2以上の列のそれぞれに対応して設けられ、各列に含まれる前記画素から出力された電荷を蓄積して電圧信号に変換する2以上の積分回路と、前記2以上の積分回路それぞれの出力端に接続された2以上の保持回路と、前記2以上の保持回路から順に電圧信号を出力させる水平シフトレジスタと、前記積分回路のリセットを行うリセット信号、前記保持回路への電圧信号の入力を制御するホールド信号、前記水平シフトレジスタの動作を開始する水平スタート信号、及び前記水平シフトレジスタのクロックを規定する水平クロック信号のそれぞれを入力する複数の端子電極を含む第1の入力端子電極群と、前記保持回路からの出力信号を提供する第1の出力端子電極とを、半導体基板上において前記複数の信号出力部となる各領域に形成すると共に、前記受光部及び前記垂直シフトレジスタを該半導体基板上に形成する形成工程と、
前記受光部および前記複数の信号出力部の動作を検査し、正常に動作する前記半導体基板を選択する検査工程と、
前記検査工程において選択された前記半導体基板における各信号出力部の前記第1の入力端子電極群および前記第1の出力端子電極のそれぞれと、前記半導体基板の外部に用意された配線パターンとをワイヤボンディングにより接続するワイヤボンディング工程と
を含み、
前記形成工程の際、前記リセット信号、前記ホールド信号、前記水平スタート信号、及び前記水平クロック信号のそれぞれを受ける複数の端子電極を含む第2の入力端子電極群を前記第1の入力端子電極群とは別に形成し、また、前記積分回路、前記保持回路、及び前記水平シフトレジスタとの接続を前記第1及び第2の入力端子電極群の間で切り替える入力用スイッチ手段を各信号出力部に形成し、また、前記出力信号を提供する第2の出力端子電極を前記第1の出力端子電極とは別に形成し、また、各信号出力部の前記入力用スイッチ手段と前記第2の入力端子電極群(前記水平スタート信号用の端子電極を除く)とを接続する入力信号配線、及び各信号出力部の前記保持回路と前記第2の出力端子電極とを接続する出力信号配線を前記複数の信号出力部にわたって形成し、
前記検査工程の際、前記入力用スイッチ手段を前記第2の入力端子電極群側に切り替え、前記第2の入力端子電極群にプローブを接触させることにより、前記リセット信号、前記ホールド信号、前記水平スタート信号、及び前記水平クロック信号のそれぞれを前記第2の入力端子電極群に与え、前記第2の出力端子電極に別のプローブを接触させて電圧信号を取得することにより、前記受光部および前記複数の信号出力部の動作を検査することを特徴とする、固体撮像素子の製造方法。 - 前記形成工程の際、前記複数の信号出力部のそれぞれを前記受光部の行方向に沿った一辺に隣接して形成すると共に、前記垂直シフトレジスタを前記受光部の列方向に沿った他の一辺に隣接して形成し、前記第2の入力端子電極群及び前記第2の出力端子電極を、前記複数の信号出力部のうち前記垂直シフトレジスタに最も近い前記信号出力部に隣接する領域に形成することを特徴とする、請求項9に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記形成工程の際、前記第2の入力端子電極群のうち前記水平スタート信号用の端子電極を、前記複数の信号出力部のうち最も端に位置する前記信号出力部の前記水平シフトレジスタに接続し、
前記検査工程の際、他の前記信号出力部の前記水平シフトレジスタに、隣接する前記信号出力部の前記水平シフトレジスタの最終段からの出力を前記水平スタート信号として与えることを特徴とする、請求項9または10に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 各信号出力部において、前記検査工程の際の前記水平シフトレジスタの走査方向が、通常動作の際の前記水平シフトレジスタの走査方向と異なることを特徴とする、請求項11に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記形成工程の際、電源電圧を入力する第1の電源用端子電極を、前記半導体基板上において前記複数の信号出力部となる各領域に形成し、前記電源電圧を提供する第2の電源用端子電極を前記第1の電源用端子電極とは別に形成し、前記第1及び第2の電源用端子電極を互いに接続する配線を前記複数の信号出力部にわたって形成することを特徴とする、請求項9〜12のいずれか一項に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記形成工程の際、前記保持回路と前記出力信号配線との接続/非接続を切り替えるための出力用スイッチ手段を、前記半導体基板上において前記複数の信号出力部となる各領域に更に形成することを特徴とする、請求項9〜13のいずれか一項に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記検査工程の際、前記出力用スイッチ手段により、前記水平シフトレジスタの動作開始の際に前記保持回路と前記出力信号配線とを接続状態とし、前記水平シフトレジスタの動作完了の際に前記保持回路と前記出力信号配線とを非接続状態とすることを特徴とする、請求項14に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 請求項9〜15のいずれか一項に記載の固体撮像素子の製造方法に加え、
入射した放射線に応じてシンチレーション光を発生して放射線像を光像へと変換し、該光像を前記受光部へ出力するシンチレータを前記受光部上に設けるシンチレータ付加工程を前記検査工程の前または後に含むことを特徴とする、放射線撮像装置の製造方法。 - フォトダイオードを各々含むM×N個(M,Nは2以上の整数)の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、
2以上の列を各々含み前記N列が分割されて成る複数の列群のそれぞれに対応して設けられた複数の信号出力部と、
前記画素からの電荷出力を各行毎に制御する垂直シフトレジスタと
を備え、
前記複数の信号出力部のそれぞれが、
各列群に含まれる前記2以上の列のそれぞれに対応して設けられ、各列に含まれる前記画素から出力された電荷を蓄積して電圧信号に変換する2以上の積分回路と、
前記2以上の積分回路それぞれの出力端に接続された2以上の保持回路と、
前記2以上の保持回路から順に電圧信号を出力させる水平シフトレジスタと、
前記積分回路のリセットを行うリセット信号、前記保持回路への電圧信号の入力を制御するホールド信号、前記水平シフトレジスタの動作を開始する水平スタート信号、及び前記水平シフトレジスタのクロックを規定する水平クロック信号のそれぞれを入力する複数の端子電極を含む第1の入力端子電極群と、
前記保持回路からの出力信号を提供する第1の出力端子電極と
を有する固体撮像素子を検査する方法であって、
前記リセット信号、前記ホールド信号、前記水平スタート信号、及び前記水平クロック信号のそれぞれを受ける複数の端子電極を含む第2の入力端子電極群を前記第1の入力端子電極群とは別に形成し、また、前記積分回路、前記保持回路、及び前記水平シフトレジスタとの接続を前記第1及び第2の入力端子電極群の間で切り替える入力用スイッチ手段を各信号出力部に形成し、また、前記出力信号を提供する第2の出力端子電極を前記第1の出力端子電極とは別に形成し、また、各信号出力部の前記入力用スイッチ手段と前記第2の入力端子電極群(前記水平スタート信号用の端子電極を除く)とを接続する入力信号配線、及び各信号出力部の前記保持回路と前記第2の出力端子電極とを接続する出力信号配線を前記複数の信号出力部にわたって形成し、
前記入力用スイッチ手段を前記第2の入力端子電極群側に切り替え、前記第2の入力端子電極群にプローブを接触させることにより、前記リセット信号、前記ホールド信号、前記水平スタート信号、及び前記水平クロック信号のそれぞれを前記第2の入力端子電極群に与え、前記第2の出力端子電極に別のプローブを接触させて電圧信号を取得することにより、前記受光部および前記複数の信号出力部の動作を検査することを特徴とする、固体撮像素子の検査方法。
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JP2009089257A JP5248395B2 (ja) | 2009-04-01 | 2009-04-01 | 固体撮像素子及びその製造方法、放射線撮像装置及びその製造方法、並びに固体撮像素子の検査方法 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6055660A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラー固体撮像装置の製造方法 |
JPH04242974A (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-31 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | イメージセンサの製造方法 |
JP2003319270A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Canon Inc | 光感知又は放射線感知センサからなる撮像装置及びその検査方法 |
JP2008177251A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Sharp Corp | 受光手段を備える半導体装置、該半導体装置の検査方法及び半導体装置検査装置 |
JP2008270650A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイスおよびその製造方法。 |
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---|---|---|---|---|
US4965671A (en) * | 1987-06-26 | 1990-10-23 | U.S. Philips Corp. | Picture pick-up device including a solid-state sensor and an electronic shutter operating with a minimum and maximum number of reset pulses |
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Patent Citations (5)
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JPH04242974A (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-31 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | イメージセンサの製造方法 |
JP2003319270A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Canon Inc | 光感知又は放射線感知センサからなる撮像装置及びその検査方法 |
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