JP2008177251A - 受光手段を備える半導体装置、該半導体装置の検査方法及び半導体装置検査装置 - Google Patents

受光手段を備える半導体装置、該半導体装置の検査方法及び半導体装置検査装置 Download PDF

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Abstract

【課題】光を照射して検査を行う必要のあるデバイスを平面的に配置して一度に検査することができる受光手段を備える半導体装置、該半導体装置の検査方法及び半導体装置検査装置の提供。
【解決手段】半導体装置１１０の表面に、受光手段１１１ａと、受光手段１１１ａに電気的に接続され受光手段１１１ａの動作を検査する検査情報処理手段１１１ｃと、検査情報処理手段１１１ｃに電気的に接続されている複数の検査用電極パッド１１３とを備えており、検査用電極パッド１１３は、半導体装置１１０上の対向する一組の辺の外縁部であり、かつ上記一組の辺のそれぞれに一組ずつ設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、受光手段を備える半導体装置、該半導体装置の検査方法及び半導体装置検査装置に関するものであり、特に上記半導体装置の受光手段及びその機能を検査する場合に、光を照射して検査を行う必要のある複数の半導体装置を平面的に配置して一度に検査することのできる半導体装置、該半導体装置の検査方法及び半導体装置検査装置に関するものである。
近年、カメラ付き携帯電話やデジタルカメラ等の需要増加に伴い、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサといった画像撮像デバイスの需要が増加している。そのため、画像撮像デバイスの生産数量も増加しており、製造されたデバイスの生産現場での検査能力不足を解消する為に、製造されたデバイスを複数同時に検査する多数個同時測定手法が検査に取り入れられている。
例えばウエハ上に形成された半導体集積回路のデバイスを検査する場合、図１０のように一列に並んだ複数個のデバイス８１０を一度に検査する手法が取られている。
図１０は、ウエハ８００上に形成された半導体集積回路のデバイス８１０を複数同時に検査する従来の方法を示す平面図である。従来では、例えば図１０に示すように複数個のデバイス８１０を縦に一列に並べ、それぞれのデバイス８１０の電極パッド８１３に検査に用いるプローブカード９１０の探針（以降プローブ探針９２０と記載する）を接触させて接続し、検査する様子を示している。
図１０に示すような従来の方法では、検査に用いるプローブ探針９２０が容易に接続できるように、デバイス８１０に設けられる電極パッド８１３はあまり小さく形成することができない。また、プローブ探針９２０を容易に接続するために、これらの電極パッド８１３はデバイス８１０の周囲に沿って形成されることが多い。また、さらにプローブ探針９２０をデバイス８１０の電極パッド８１３に容易に接続するために、デバイス８１０が上下に並ぶ部分に電極パッド８１３を設けないようにする技術も開示されている。
図１１は、電極パッド８１３ａがデバイスの左右の２辺に設けられている場合について示している平面図である。
このデバイス８１０ａの検査工程では、図１１のような電極パッド８１３ａが設けられたデバイス８１０ａが、縦に一列になるように並べられる。そして、検査では、一列に並んだ電極パッド８１３ａに対してプローブ探針９２０を同時に接触させて検査装置と電気的に接続し、複数のデバイス８１０ａを同時に検査する。
このように構成すると、縦に一列に並んだデバイス８１０ａの左右の２辺に、プローブカード９１０の開口部９３０に沿って設けたプローブ探針９２０を接続することができる。そのため、デバイスの４辺にプローブ探針を接続する場合に比べて、容易にプローブ探針を接続することができる。
特許文献１は、さらにプローブ探針を容易に接続する方法として、デバイスの１辺のみに検査用の電極パッドを設ける技術について開示している。図１２は特許文献１に開示されているデバイス８１０ｂの平面図であり、図１３は特許文献１に開示されているデバイス８１０ｂを用いたプローブカード９１０によるプローブ探針９２０の接続の様子を示す平面図である。特許文献１に開示されているようなデバイス８１０ｂを用いると、それぞれのデバイス８１０ｂを検査するプローブ探針９２０は上記デバイス８１０ｂの１辺の電極パッド８１３ｂのみに接続すれば良いので、プローブカード９１０の開口部９３０の２辺に沿って設けたプローブ探針９２０によって同時に横に２個並んだデバイス８１０ｂを容易に検査することができる。
また、特許文献２では、チップに光を照射して検査を行うデバイスを複数同時に検査する技術について開示している。ウエハ上に形成された画像撮像デバイスを検査する場合には、特許文献２に開示するようにチップに光を照射して検査を行うことが不可欠である。特許文献２では、チップに光を照射して検査を行う工程と、チップに光を照射することなく検査を行う工程とを同時に検査する構成とし、デバイスを複数同時に検査している。
特開平５−４７８７４号公報（平成５年（１９９３年）２月２６日公開） 特開２００２−２１７２５３号公報（平成１４年（２００２年）８月２日公開）
しかしながら、上記従来の構成では、光を照射して検査を行う必要のあるデバイスを平面的に配置して一度に検査することができないという問題点を有している。
上記のように、チップに光を照射して検査を行う必要のあるデバイスでは、検査を行うときに（１）デバイスに検査のための光を照射する工程と、（２）デバイスにプローブ探針を接続して検査する工程と、を同時に行う必要がある。しかしながら複数のデバイスを平面的に並べてこのような検査を行う場合には、検査のためのプローブ探針がデスト対象のデバイスの上部を遮ってしまい、デバイスに光を照射することができないという問題が生じる。
特許文献２は、例えば図１４に示すような構成で検査を行なう技術を開示している。図１４は、チップ８１０ｃに光を照射して検査を行う工程（チップＡ）と、チップ８１０ｃに光を照射することなく検査を行う工程（チップＢ）とを同時に検査する様子を示す平面図である。
チップ８１０ｃに光を照射して検査を行う場合には、図１４のチップＡのように、光を照射する必要のあるデバイス８１０ｃの上部は光を遮らないように構成する必要がある。そのため、チップＡを検査するためのプローブ探針９２０もチップＡの上部を遮らないように形成する必要がある。
上述の理由から、図１４では、チップＡを検査するためのプローブ探針９２０についてもチップＢの上部を通ってチップＡに接続している。その結果、チップＢの上部はプローブ探針９２０によって遮られてしまい、チップＢに光を照射して検査を行うことはできなくなっている。
また、デバイスの左右の２辺に検査用の電極パッドを設ける構成や、特許文献１のようにデバイスの１辺のみに検査用の電極パッドを設ける構成の場合、図１３に示すように縦１列分のデバイスの上部を遮ることなくプローブ探針を接続することは可能であるが、隣の列のデバイスの上部はプローブ探針によって覆われてしまう。つまり、光を照射する必要のある検査を平面的に並べたデバイスについて同時に検査を行うことができなかった。
また、特許文献２に記載するように、チップ８１０ｃに光を照射して検査を行う工程と、チップ８１０ｃに光を照射することなく検査を行う工程とを同時に検査する構成では、光の照射を必要とする検査と、光の照射を必要としない検査とを順番に行うことになり、結局は別々の検査をそれぞれ順番に行っていることになる。そのため、同一の工程で同時に検査を行うことのできるデバイスの個数が増加することにはなっていない。
さらに、特許文献２に記載する方法では、チップ８１０ｃに光を照射して検査を行う工程と、チップ８１０ｃに光を照射することなく検査を行う工程とを同時に検査するため、このような検査を行うための検査装置９００（テスタ）は複数の検査工程を同時に行う必要がある。つまり、そのような複雑な検査を行うことのできる専用の検査装置が必要となり、テストそのものが大掛りになってしまう。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、光を照射して検査を行う必要のあるデバイスを平面的に配置して一度に検査することができる受光手段を備える半導体装置、該半導体装置の検査方法及び半導体装置検査装置を提供することにある。
基板の表面に、受光手段と、上記受光手段に電気的に接続され上記受光手段の動作を検査する検査手段と、上記検査手段に電気的に接続され上記検査手段が行った処理信号を上記基板から外部に伝達するための複数の処理信号電極部とを備えており、上記処理信号電極部は、上記基板上の対向する一対の辺の外縁部であり、かつ上記一対の辺のそれぞれに一組ずつ設けられていることを特徴としている。
上記半導体装置は、基板の表面に受光手段を備えているため、受光手段に光を照射して検査を行うためには、（１）半導体装置に検査のための光を照射する工程と、（２）半導体装置にプローブ探針を接続して検査する工程と、を同時に行う必要がある。これらの２個の工程を同時に行うためには、上記半導体装置に備えられている上記受光手段が検査のための光を遮られることなく受光できることが必要である。
上記の構成のよれば、半導体装置の基板の対向する一対の辺の外縁部のそれぞれに、処理信号電極部が備えられており、何れの辺に形成された処理信号電極部を用いても上記検査手段に処理信号を入出力することができる。そのため、上記半導体装置の動作を検査する場合に、上記半導体装置に電気的に接続する接続端子（プローブ探針）を上記半導体装置の何れかの辺に設けられた処理信号電極部に接続すればよい。
つまり、例えば上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように上記半導体装置を２列に配置した場合、並べられた上記半導体装置の最も外側に設けられている処理信号電極部に上記プローブ探針を接続するようにすれば、上記プローブ探針が上記半導体装置の上記受光手段の上部を通ることなく全ての半導体装置の検査を行うことができる。
また、上記基板上の辺の一方に設けられている一組の上記処理信号電極部のそれぞれが、他方の辺の一組の処理信号電極部とそれぞれ電気的に接続されている構成であってもよい。
上記の構成のよれば、上記基板の一方に設けられた処理信号電極部に作用している処理信号は、もう一方の処理信号電極でも同様に作用することになる。
また、さらに上記受光手段と電気的に接続され、上記受光手段の動作を制御する受光信号処理手段と、上記検査手段と上記処理信号電極部との間であり、かつ上記受光信号処理手段と上記処理信号電極部との間に電気的に接続される動作切換手段と、上記動作切換手段と電気的に接続されている複数の制御信号電極部とを備えており、上記制御信号電極部は、上記基板上の対向する一対の辺の外縁部であり、かつ上記一対の辺のそれぞれに一組ずつ設けられており、上記動作切換手段は、上記制御信号電極部に入力された制御信号によって上記処理信号電極部の接続先を上記検査手段と上記受光信号処理手段とから選択する構成であってもよい。さらに、上記基板上の辺の一方に設けられている一組の上記制御信号電極部のそれぞれが、他方の辺の一組の制御信号電極部とそれぞれ電気的に接続されている構成であってもよい。
上記の構成のよれば、上記受光手段が通常使用される場合に用いられる電極パッド（電極部）などを上記半導体装置の検査の場合に用いることができるようになる。このように構成することによって、基板上に設ける電極パッドの数を減らすことができ、基板の面積を削減することができる。
また、さらに上記動作切換手段と上記処理信号電極部との間に電気的に接続されている出力選択手段を備えており、上記出力選択手段は、上記制御信号電極部に入力された制御信号によって上記動作切換手段と上記処理信号電極部との接続を断続する構成であってもよい。
上記の構成のよれば、上記処理信号電極部と、上記動作切換手段とを接続すると、上記基板の対向するそれぞれの辺に設けられた処理信号電極部に上記動作切換手段を経由して上記受光信号処理手段または上記検査手段へ入出力する処理信号が伝えられる。また、上記接続を解除した場合、基板上のそれぞれの辺に設けられた処理信号電極部同士は電気的に接続されたままであるので、上記の一方の辺の処理信号電極部に入力された処理信号は他方の辺の処理信号電極部にそのまま出力されることになる。
即ち、上記出力選択手段が上記処理信号電極部と、上記動作切換手段との接続を解除する場合、上記半導体装置内に設けられた２組の処理信号電極部の間では当該半導体装置の動作に関係しない処理信号を伝達するように設定できる。
このため、例えば上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように上記半導体装置を配置し、それぞれの半導体装置間の隣り合う上記処理信号電極部を互いに電気的に接続するように構成すると、上記出力選択手段の断続によって平面的に配置された上記半導体装置の最も外側に設けられた処理信号電極部から任意の半導体装置の受光信号処理手段または検査手段に処理信号を入出力することができる。そのため、上記プローブ探針が上記半導体装置の上記受光手段の上部を通ることなく任意の半導体装置と電気的に接続することができる。
また、上記制御信号電極部が電気的に抵抗手段と接続しており、上記抵抗手段が当該半導体装置の接地電極部に接続している構成であってもよい。
上記の構成のよれば、上記半導体装置が通常使用される状態では制御信号電極部の電位を半導体装置の接地電極部の電位（接地電位）に設定することができる。そのため、制御信号電極部などに電気的なノイズが入り、誤動作によって半導体装置が検査のための動作状態になることを防ぐことができる。
本発明の半導体装置検査装置は、上記課題を解決するために、上記に記載の半導体装置を複数同時に検査する半導体装置検査装置であって、複数の上記半導体装置の上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように配置されるとともに上記半導体装置が平面的に配置されており、上記半導体装置検査装置は、上記半導体装置を電気的に接続するためのプローブ探針と、上記半導体装置の備えている上記受光手段に光を照射する光学系とを備え、上記の並べられた半導体装置の最も外側に設けられている上記処理信号電極部に上記プローブ探針を接触し、上記光学系から上記受光手段に光を照射して上記半導体装置の検査を行うことを特徴としている。
上記の構成のよれば、半導体装置が平面的であり、かつ上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように配置されている。
そして、並べられた半導体装置の最も外側に設けられている処理信号電極部とプローブ探針とを接続するので、プローブ探針が上記半導体装置の上記受光手段の上部を通ることなく半導体装置の検査を行うことができる。
また、上記半導体装置は、該半導体装置が設けられている基板上の対向する一対の辺の外縁部であり、かつ上記一対の辺のそれぞれに一組ずつ設けられている制御信号電極部と、上記制御信号電極部に入力された制御信号によって上記検査手段及び上記処理信号電極部の電気的な接続を断続する出力選択手段とをさらに備えており、上記検査装置は、上記の並べられた半導体装置の最も外側に設けられている上記制御信号電極部に上記プローブ探針を接触し、上記制御信号電極部に制御信号を入力して上記出力選択手段を制御する構成であってもよい。
上記の構成のよれば、平面的に配置された半導体装置の最も外側に設けられている制御信号電極部とプローブ探針とを接続するので、プローブ探針が上記半導体装置の上記受光手段の上部を通ることなく半導体装置の検査を行うことができる。
また、制御信号電極部は、半導体装置が設けられている基板上の対向する一対の辺の外縁部であり、かつ上記一対の辺のそれぞれに一組ずつ設けられている。このため、少なくとも半導体装置を２列に配置した場合では、プローブ探針がそれぞれの半導体装置に設けられている受光手段の上部を通ることなく接続することができる。
このため、半導体装置の内部での動作を上記制御信号電極部から入力する制御信号によって任意の半導体装置の検査手段及び処理信号電極部の電気的な接続を断続することができる。
たとえば、上記半導体装置が２列ずつ配置されている構成であってもよいし、上記半導体装置が８列ずつ配置されるとともに、上記列の外側からそれぞれ４列の間に配置されている半導体装置間の隣り合う一組の上記処理信号電極部及び上記制御信号電極部のそれぞれが互いに電気的に接続されている構成であってもよいし、さらに多くの半導体装置が平面状に配置されていても、任意の半導体装置の検査を行うことができる。
本発明の半導体装置の検査方法は、上記課題を解決するために、上記に記載の半導体装置を複数同時に検査する検査方法であって、複数の上記半導体装置の上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように配置するとともに上記半導体装置が平面的に配置する半導体装置配置工程と、上記の並べられた半導体装置の最も外側に設けられている処理信号電極部に上記半導体装置を検査するためのプローブ探針を電気的に接続するプローブ探針接続工程と、上記受光手段に光を照射する光照射工程とを有することを特徴としている。
上記の構成のよれば、まず半導体装置配置工程によって、半導体装置が平面的であり、かつ上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように配置される。
本発明の半導体装置の検査方法では、それぞれの半導体装置の処理信号電極部は、基板上の対向する一対の辺の外縁部にそれぞれ設けられている。そのため、上記の何れの辺に設けられた処理信号電極部を用いても半導体装置の検査を行うことができる。
またプローブ探針接続工程では、並べられた半導体装置の最も外側に設けられている処理信号電極部に上記半導体装置を検査するためのプローブ探針を電気的に接続するため、プローブ探針が上記半導体装置の上記受光手段の上部を通ることなく半導体装置の検査を行うことができる。特に、半導体装置を２列に配置した場合では、プローブ探針がそれぞれの半導体装置に設けられている受光手段の上部を通ることなく接続することができる。
また、上記半導体装置が、該半導体装置が設けられている基板上の対向する一対の辺の外縁部であり、かつ上記一対の辺のそれぞれに一組ずつ設けられている制御信号電極部と、上記制御信号電極部に入力された制御信号によって上記検査手段及び上記処理信号電極部の電気的な接続を断続する出力選択手段とをさらに備えており、上記プローブ探針接続工程では、さらに上記の並べられた半導体装置の最も外側に設けられている制御信号電極部に上記半導体装置を検査するためのプローブ探針を電気的に接続し、上記プローブ探針接続工程に引き続いてさらに上記制御信号電極部に制御信号を入力して上記出力選択手段を制御する半導体装置制御工程を行う構成であってもよい。
本発明の半導体装置の検査方法では、それぞれの半導体装置の制御信号電極部は、基板上の対向する一対の辺の外縁部にそれぞれ設けられている。そのため、上記の何れの辺に設けられた制御信号電極部を用いても任意の半導体装置の検査手段及び処理信号電極部の電気的な接続を断続することができる。
また、プローブ探針を並べられた半導体装置の最も外側に設けられている制御信号電極部に電気的に接続するため、プローブ探針が上記半導体装置の上記受光手段の上部を通ることなく半導体装置の検査を行うことができる。特に、半導体装置を２列に配置した場合では、プローブ探針がそれぞれの半導体装置に設けられている受光手段の上部を通ることなく接続することができる。
たとえば、上記半導体装置配置工程が、半導体装置が８列ずつ配置されるとともに、上記列の外側からそれぞれ４列の間に配置されている半導体装置間の隣り合う上記処理信号電極部及び上記制御信号電極部を互いに電気的に接続する工程である構成などを考えることができるが、横に並んだ４列の半導体装置のうち、１個の半導体装置についてのみ検査手段と処理信号電極部との電気的な接続を接続し、他は切断するように構成すると、並べられた半導体装置の最も外側に設けられている処理信号電極部を用いて任意の半導体装置の検査を行うことができる。
本発明の半導体装置は、以上のように、基板の表面に、受光手段と、上記受光手段に電気的に接続され上記受光手段の動作を検査する検査手段と、上記検査手段に電気的に接続され上記検査手段が行った処理信号を上記基板から外部に伝達するための複数の処理信号電極部とを備えており、上記処理信号電極部は、上記基板上の対向する一対の辺の外縁部であり、かつ上記一対の辺のそれぞれに一組ずつ設けられている構成である。
上記半導体装置は、基板の表面に受光手段を備えているため、受光手段に光を照射して検査を行うためには、（１）半導体装置に検査のための光を照射する工程と、（２）半導体装置にプローブ探針を接続して検査する工程と、を同時に行う必要がある。これらの２個の工程を同時に行うためには、上記半導体装置に備えられている上記受光手段が検査のための光を遮られることなく受光できることが必要である。
上記の構成のよれば、半導体装置の基板の対向する一組の辺の外縁部のそれぞれに、処理信号電極部が備えられており、何れの辺に形成された処理信号電極部を用いても上記検査手段に処理信号を入出力することができる。そのため、上記半導体装置の動作を検査する場合に、上記半導体装置に電気的に接続する接続端子（プローブ探針）を上記半導体装置の何れかの辺に設けられた処理信号電極部に接続すればよい。
つまり、上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように、少なくとも上記半導体装置を２列に配置した場合、並べられた上記半導体装置の最も外側に設けられている処理信号電極部に上記プローブ探針を接続するようにすれば、上記プローブ探針が上記半導体装置の上記受光手段の上部を通ることなく全ての半導体装置の検査を行うことができる。
また、本発明の半導体装置検査装置は、以上のように、複数の上記半導体装置の上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように配置されるとともに上記半導体装置が平面的に配置されており、上記半導体装置検査装置は、上記半導体装置を電気的に接続するためのプローブ探針と、上記半導体装置の備えている上記受光手段に光を照射する光学系とを備え、上記の並べられた半導体装置の最も外側に設けられている上記処理信号電極部に上記プローブ探針を接触し、上記光学系から上記受光手段に光を照射して上記半導体装置の検査を行う構成である。
上記の構成のよれば、半導体装置が平面的であり、かつ上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように配置されている。
そして、並べられた半導体装置の最も外側に設けられている処理信号電極部とプローブ探針とを接続するので、プローブ探針が上記半導体装置の上記受光手段の上部を通ることなく半導体装置の検査を行うことができる。
また、本発明の半導体装置の検査方法は、以上のように、複数の上記半導体装置の上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように配置するとともに上記半導体装置が平面的に配置する半導体装置配置工程と、上記の並べられた半導体装置の最も外側に設けられている処理信号電極部に上記半導体装置を検査するためのプローブ探針を電気的に接続するプローブ探針接続工程と、上記受光手段に光を照射する光照射工程とを有する構成である。
上記の構成のよれば、まず半導体装置配置工程によって、半導体装置が平面的であり、かつ上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように配置される。
そして、それぞれの半導体装置の処理信号電極部は、基板上の対向する一組の辺の外縁部にそれぞれ設けられているので、上記の何れの辺に設けられた処理信号電極部を用いても半導体装置の検査を行うことができる。
またプローブ探針接続工程では、並べられた半導体装置の最も外側に設けられている処理信号電極部に上記半導体装置を検査するためのプローブ探針を電気的に接続するため、プローブ探針が上記半導体装置の上記受光手段の上部を通ることなく半導体装置の検査を行うことができる。特に、半導体装置を２列に配置した場合では、プローブ探針がそれぞれの半導体装置に設けられている受光手段の上部を通ることなく接続することができる。
それゆえ、光を照射して検査を行う必要のあるデバイスを平面的に配置して一度に検査することができる受光手段を備える半導体装置、該半導体装置の検査方法及び半導体装置検査装置を提供することができるという効果を奏する。
〔実施の形態１〕
本発明の一実施形態について図１〜図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図１は、本実施の形態の半導体装置１１０の構成を示すブロック図である。
本実施の形態の半導体装置１１０では、集積回路１１１が受光手段１１１ａを備える半導体集積回路である。例えばＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサといった画像撮像デバイスなどであっても良い。また上記集積回路１１１は、通常使用される状態で受光手段１１１ａに入力した信号を処理して出力するための画像情報処理手段１１１ｂ（受光信号処理手段）と、上記集積回路１１１の機能を検査するための検査情報処理手段１１１ｃ（検査手段）とを備えている。
上記受光手段１１１ａと画像情報処理手段１１１ｂとは電気的に接続されている。また、上記受光手段１１１ａと検査情報処理手段１１１ｃとは電気的に接続されている。
また、本実施の形態の半導体装置１１０は、画像情報処理手段１１１ｂに入力、または出力される信号を上記半導体装置１１０から入出力するための画像信号用電極パッド１１２・・・を備えている。画像情報処理手段１１１ｂとこれらの画像信号用電極パッド１１２・・・とは、電気的に接続されており、画像処理信号１２１が伝達されている。
そして、上記画像信号用電極パッド１１２・・・は、半導体装置１１０の使用形態に応じて半導体装置１１０上の任意の位置に配置されていてもよい。
また、本実施の形態の半導体装置１１０は、検査情報処理手段１１１ｃに入力、または出力される信号を上記半導体装置１１０から入出力するための検査用電極パッド１１３（処理信号電極部）・・・を備えている。検査情報処理手段１１１ｃとこれらの検査用電極パッド１１３・・・とは、電気的に接続されており、検査処理信号１２２が伝達されている。
そして、上記検査用電極パッド１１３・・・は、本実施の形態では半導体装置１１０の左右の２辺に沿った位置に形成されている。
本実施の形態の半導体装置１１０では、上記のように限られた位置にのみ上記検査用電極パッド１１３が設けられている。そのため、上記検査情報処理手段１１１ｃは受光手段１１１ａに入出力される信号を上記検査用電極パッド１１３を経由して入出力できるように変換する機能を含んでいても良い。
また、これらの検査用電極パッド１１３・・・は、半導体装置１１０の一方の辺（図１のＬ側の辺）に沿って１１３Ｌ１，１１３Ｌ２，・・・，１１３Ｌｎが形成されている。また半導体装置１１０の他方の辺（図１のＲ側の辺）には、１１３Ｒ１，１１３Ｒ２，・・・，１１３Ｒｎが形成されている。本実施の形態では、１１３Ｌ１，１１３Ｌ２，・・・，１１３Ｌｎと１１３Ｒ１，１１３Ｒ２，・・・，１１３Ｒｎとは、半導体装置１１０の左右の辺の上に対向するように形成されているが、これらの端子はＬ側の辺とＲ側の辺とで一組ずつ形成されていれば良く、必ずしも対向していなくとも良い。また１１３Ｌ１及び１１３Ｒ１，１１３Ｌ２及び１１３Ｒ２，・・・，１１３Ｌｎ及び１１３Ｒｎがそれぞれ電気的に同じ信号を入出力できるように構成されている。
尚、例えば図２に示すように、１１３Ｌ１及び１１３Ｒ１，１１３Ｌ２及び１１３Ｒ２，・・・，１１３Ｌｎ及び１１３Ｒｎがそれぞれ電気的に接続されていても良い。
また、本実施の形態では、上記画像信号用電極パッド１１２と上記検査用電極パッド１１３とは異なる電極パッドとして記載しているが、後述するように上記画像信号用電極パッド１１２と上記検査用電極パッド１１３とを共通の電極パッドとして形成し、集積回路１１１から電極パッドへ入出力する信号を切換器などによって集積回路１１１の通常使用する入出力信号または検査用の入出力信号を選択する構成としても良い。
次に、図３を用いて本実施の形態の半導体装置１１０の検査装置５００について説明する。
図３は、本実施の形態の検査装置５００の構成を示すブロック図である。
本実施の形態の検査装置５００は、半導体装置１１０に探針５２０（プローブ探針）を電気的に接続するための検査用のプローブカード５１０と、半導体装置１１０の集積回路１１１に光を照射して検査を行うための光学系５４０と、半導体装置１１０の検査を行う手段である半導体装置検査手段５５０とを備えている。
プローブカード５１０は、半導体装置１１０の上方に備えられており、検査対象の半導体装置１１０に対して探針５２０を接続するための部材である。プローブカード５１０には開口部５３０が形成されており、上記開口部５３０の下に備えられている複数の半導体装置１１０に対して、探針５２０を接続する。探針５２０は、プローブカード５１０に設けられている電極の一種であり半導体装置１１０の検査用電極パッド１１３と検査装置５００に設けられる半導体装置検査手段５５０とを電気的に接続するための電極である。そのため、探針５２０と半導体装置検査手段５５０とは電気的に接続されている。
上述のように、上記探針５２０は半導体装置１１０の検査用電極パッド１１３に接続されている。探針５２０と検査用電極パッド１１３との接続方法は、電気的に接続されればよいので、探針５２０を検査用電極パッド１１３に押さえつけて接触させる方法などが用いられる。その他周知の方法で上記２種類の電極を電気的に接続しても良い。
また、本実施の形態の検査装置５００は、半導体装置１１０の集積回路１１１に光を照射して検査を行うための光学系５４０が設けられている。上記光学系５４０は、電球またはレーザなどの光源と、これらから照射される光の光路を変更したり、収束させたりするための光学部材とを含んでいても良い。
そして、半導体装置検査手段５５０は、半導体装置１１０に対して各種の検査を行う手段である。半導体装置検査手段５５０と探針５２０とは電気的に接続されているので、探針５２０を経由して半導体装置１１０を電気的に検査することができる。また、半導体装置検査手段５５０は光学系５４０にも接続されており、半導体装置１１０の受光手段１１１ａに光を照射して行う検査なども行うことができる。
半導体装置１１０に光を照射する検査では、例えば受光手段１１１ａの感度や光に対する感度の直線性、飽和状態などを検査する。この検査では、例えば光学系５４０から受光手段１１１ａに照射する光の強度、波長を変化させたり、光の照射強度を時間変化させたりすることによって、受光手段１１１ａの受光特性などの検査が行われる。
次に、図４を用いて本実施の形態の半導体装置１１０の検査方法について説明する。
図４（ａ）は、本実施の形態の半導体装置１１０を検査装置５００によって検査する様子を示す平面図である。また（ｂ）は、（ａ）に記載する検査装置５００のＡ−Ａ’断面図である。
また、図５は本実施の形態の半導体装置１１０がウエハ１００の上に形成されている様子を示す平面図である。
図４（ａ）は、ウエハ１００に本実施の形態の半導体装置１１０が横に２個、縦に複数個（図４（ａ）では５個）並んで形成されており、上記複数の半導体装置１１０が同時に検査されている様子を示している。また図４（ａ）では、半導体装置１１０の検査を行う検査装置５００の検査用のプローブカード５１０と、上記プローブカード５１０に設けられ、半導体装置１１０の検査を行うための探針５２０とが記載されている。本実施の形態では、上記プローブカード５１０の開口部５３０から見えている半導体装置１１０を同時に検査する。尚、紙面の上方（図４に示すｚ方向）には、半導体装置１１０の集積回路１１１に光を照射して検査を行う光学系５４０が設けられている。
検査装置５００は、図４（ｂ）のように、ウエハ１００の上に形成された半導体装置１１０の上方（図４（ｂ）のｚ方向）にプローブカード５１０が設けられている。上記ウエハ１００とプローブカード５１０とは対向するように設けられている。また、上記プローブカード５１０に形成されている探針５２０が、半導体装置１１０上に形成されている検査用電極パッド１１３に接触しており、検査装置５００と半導体装置１１０とが電気的に接続している。
また、プローブカード５１０のさらに上方には、半導体装置１１０の集積回路１１１に光を照射して検査を行うための光学系５４０が設けられている。
本実施の形態の半導体装置１１０は、検査用電極パッド１１３・・・が上記のように半導体装置１１０の対向する２個の辺に沿って形成されており、一方の辺（図２のＬ側の辺）に形成される検査用電極パッドである１１３Ｌ１，１１３Ｌ２，・・・，１１３Ｌｎと他方の辺（図２のＲ側の辺）に形成されている１１３Ｒ１，１１３Ｒ２，・・・，１１３Ｒｎとはそれぞれ対応する検査用電極パッドと電気的に接続されているとともに、集積回路１１１に電気的に接続されている。
そして、図５に示すように、それぞれの半導体装置１１０に設けられた検査用電極パッドである１１３Ｌ１，１１３Ｌ２，・・・，１１３Ｌｎがウエハ１００のＬ側の縦に並び、検査用電極パッドである１１３Ｒ１，１１３Ｒ２，・・・，１１３Ｒｎがウエハ１００のＲ側の縦に並ぶように設けられている。
そのため、図４（ａ）に示すように、横に２個並ぶ半導体装置１１０の左側の列ではそれぞれの半導体装置１１０の検査用電極パッド１１３のうち１１３Ｌ１，１１３Ｌ２，・・・，１１３Ｌｎと探針５２０・・・とを接触させて接続するようにすると、図４（ａ）のように配置する全ての半導体装置１１０の上部を探針５２０が遮ることなく検査装置５００と半導体装置１１０とを電気的に接続することができる。また、半導体装置１１０の右側の列では同様に、それぞれの半導体装置１１０の検査用電極パッド１１３のうち１１３Ｒ１，１１３Ｒ２，・・・，１１３Ｒｎと探針５２０・・・とを接触させて接続するようにすると、図４（ａ）のように配置する全ての半導体装置１１０の上部を探針５２０が遮ることなく検査装置５００と半導体装置１１０と電気的に接続することができる。つまり、それぞれの半導体装置１１０に設けられた受光手段１１１ａと光学系５４０との間を探針５２０によって遮ることがない。
本実施の形態の半導体装置１１０では、上記のように半導体装置１１０に設けられた検査情報処理手段１１１ｃと検査装置５００とを電気的に接続することによって半導体装置１１０の検査を行うことができる。行われる検査の方法は、半導体装置１１０の構成によって適宜設定すればよく、周知の検査方法を用いることができる。
即ち、本実施の形態の半導体装置１１０は、２列に並べて平面的に設けられたそれぞれの半導体装置１１０に同時に光を照射して検査を行うことができる。
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、上記実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、上記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図６は、本実施の形態の半導体装置２１０の構成を示すブロック図である。
本実施の形態の半導体装置２１０では、実施の形態１と同様に、集積回路１１１が受光手段１１１ａを備える半導体集積回路である。また、実施の形態１と同様に、画像情報処理手段１１１ｂと、検査情報処理手段１１１ｃとを備えている。
そして、本実施の形態の半導体装置２１０は、さらに画像情報処理手段１１１ｂと検査情報処理手段１１１ｃとに電気的に接続し、上記集積回路１１１が通常使用される状態で上記画像情報処理手段１１１ｂに入力、または出力される信号と、上記集積回路１１１の動作の検査のために検査情報処理手段１１１ｃに入力、または出力される信号とを切り替えて入出力用電極パッド２１２（処理信号電極部）に伝える動作切換手段２１４を備えている。
上記入出力用電極パッド２１２は、実施の形態１では別に設けられていた画像信号用電極パッド１１２と検査用電極パッド１１３とを共通の入出力用電極パッドとして設けたものであり、上記動作切換手段２１４と電気的に接続している。このように構成することによって、基板上に設ける電極パッドの数を減らすことができ、基板の面積を削減することができる。
そして、上記動作切換手段２１４は、切換信号用電極パッド２１５（制御信号電極部）を経由して外部から電気的に入力される信号（制御信号２２３）によって、接続先を切り替えるように構成されている。例えば制御信号２２３がない場合には、画像情報処理手段１１１ｂと入出力用電極パッド２１２とを接続し、制御信号２２３が入力された場合に検査情報処理手段１１１ｃと入出力用電極パッド２１２とを接続するように構成しても良い。
上記制御信号２２３は、半導体装置２１０を構成するときに適宜設定すれば良い信号である。例えば半導体装置２１０の接地電位に対して一定の高さの電圧が一定時間持続するような信号であっても良い。
このように構成する場合、例えば図６に示すように上記切換信号用電極パッド２１５が接続する信号線をプルダウン抵抗２１６（接地電極部）によって半導体装置２１０の接地端子２１８（接地電極部）に電気的に接続し、半導体装置２１０の接地電位となるようにしてもよい。このように構成すれば、半導体装置２１０が通常使用される状態では切換信号用電極パッド２１５の電位を半導体装置２１０の接地電位に設定することができる。そのため、上記切換信号用電極パッド２１５などに電気的なノイズが入り、誤動作によって半導体装置２１０が検査のための動作状態になることを防ぐことができる。
上記入出力用電極パッド２１２・・・は、実施の形態１に記載する検査用電極パッド１１３・・・のように、半導体装置２１０の左右の２辺に沿った位置に形成されている。半導体装置２１０の一方の辺（図６のＬ側の辺）に沿って２１２Ｌ１，２１２Ｌ２，・・・，２１２Ｌｎが形成されている。また半導体装置２１０の他方の辺（図６のＲ側の辺）には、２１２Ｒ１，２１２Ｒ２，・・・，２１２Ｒｎが形成されている。２１２Ｌ１，２１２Ｌ２，・・・，２１２Ｌｎと２１２Ｒ１，２１２Ｒ２，・・・，２１２Ｒｎとは、半導体装置２１０の左右の辺の上に対向するように形成されている。また２１２Ｌ１及び２１２Ｒ１，２１２Ｌ２及び２１２Ｒ２，・・・，２１２Ｌｎ及び２１２Ｒｎがそれぞれ電気的に接続されている。
また、本実施の形態の半導体装置２１０は、上記動作切換手段２１４の接続先と、検査情報処理手段１１１ｃとの動作を制御するための制御信号２２３を入力するための切換信号用電極パッド２１５を備えている。上記切換信号用電極パッド２１５は、上記入出力用電極パッド２１２と同様に半導体装置２１０の左右の２辺に沿った位置に形成されている。また半導体装置２１０の一方の辺（図６のＬ側の辺）に切換信号用電極パッド２１５Ｌが形成され、半導体装置２１０の他方の辺（図５のＲ側の辺）に切換信号用電極パッド２１５Ｒが形成されている。切換信号用電極パッド２１５Ｌと切換信号用電極パッド２１５Ｒとは半導体装置２１０の左右の辺の上に対向するように形成されており、それぞれ電気的に接続されている。上記切換信号用電極パッド２１５・・・は上記動作切換手段２１４と上記検査情報処理手段１１１ｃとに電気的に接続している。
そして、本実施の形態の半導体装置２１０は、図６に示す実施の形態１と同様にようにウエハ２００の上に２列に形成されている。
尚、実施の形態１の図１のように、半導体装置２１０の左右の辺の上に対向するように形成されている電極パッド２１２Ｌ１・・・，２１５Ｌと電極パッド２１２Ｒ１・・・，２１５Ｒとはそれぞれ電気的に同じ信号を入出力できるように構成されていればよい。
次に、本実施の形態の半導体装置２１０の検査方法について説明する。
まず、本実施の形態の半導体装置２１０を、実施の形態１の半導体装置１１０と同様に検査装置５００に接続する。
即ち、図４（ａ）に示す実施の形態１と同様に、横に２個並ぶ半導体装置２１０の左側の列では、それぞれの半導体装置２１０の入出力用電極パッド２１２のうち２１２Ｌ１，２１２Ｌ２，・・・，２１２Ｌｎ，及び切換信号用電極パッド２１５Ｌと探針５２０・・・とを接触させて接続する。また、半導体装置２１０の右側の列では、それぞれの半導体装置２１０の入出力用電極パッド２１２のうち２１２Ｒ１，２１２Ｒ２，・・・，２１２Ｒｎ，及び切換信号用電極パッド２１５Ｒと探針５２０・・・とを接触させて接続する。
本実施の形態の半導体装置２１０では、半導体装置２１０の左右の辺に形成されるそれぞれ対応する入出力用電極パッド２１２・・・及び切換信号用電極パッド２１５は電気的に接続されている。そのため、上記のように半導体装置２１０と検査装置５００とを電気的に接続すると、実施の形態１と同様に、半導体装置２１０の上部を探針５２０が遮ることなく電気的に接続することができる。つまり、それぞれの半導体装置２１０に設けられた受光手段１１１ａと光学系５４０との間を探針５２０によって遮ることがない。
つぎに、本実施の形態の半導体装置２１０の検査を行うために、切換信号用電極パッド２１５に集積回路１１１の機能を検査するために外部から電気的に入力される信号（制御信号２２３）を入力する。
上記のように検査装置５００に接続されたそれぞれの半導体装置２１０では、切換信号用電極パッド２１５Ｌまたは切換信号用電極パッド２１５Ｒのいずれかが探針５２０を経由して検査装置５００と電気的に接続している。そのため、検査装置５００に接続されたそれぞれの半導体装置２１０の切換信号用電極パッド２１５に上記制御信号２２３を入力することができる。
切換信号用電極パッド２１５に上記制御信号２２３が入力されると、この制御信号２２３が動作切換手段２１４と検査情報処理手段１１１ｃとに入力される。
制御信号２２３が動作切換手段２１４に入力されると、動作切換手段２１４は検査情報処理手段１１１ｃと入出力用電極パッド２１２とを電気的に接続するように回路を切り替える。
また、制御信号２２３が検査情報処理手段１１１ｃに入力されると、検査情報処理手段１１１ｃは検査のための動作状態となる。この状態では、検査情報処理手段１１１ｃは半導体装置２１０の検査を行うための信号を処理し、入出力用電極パッド２１２を通して外部に設けられた検査装置５００との間で半導体装置２１０の検査を行うための信号を入出力する。行われる検査の方法は、半導体装置２１０の構成によって適宜設定すればよく、周知の検査方法を用いることができる。
即ち、本実施の形態の半導体装置２１０は、切換信号用電極パッド２１５を経由して動作切換手段２１４及び検査情報処理手段１１１ｃに制御信号２２３を電気的に入力することによって、２列に並べて平面的に設けられたそれぞれの半導体装置２１０に同時に光を照射して検査を行うことができる。
〔実施の形態３〕
本発明の他の実施の形態について図７〜図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、上記実施の形態１または上記実施の形態２と同じである。また、説明の便宜上、上記の実施の形態１または上記実施の形態２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図７は、本実施の形態の半導体装置３１０の構成を示すブロック図である。
本実施の形態の半導体装置３１０では、実施の形態１と同様に、集積回路１１１が受光手段１１１ａを備える半導体集積回路である。また、実施の形態１と同様に、画像情報処理手段１１１ｂと、検査情報処理手段１１１ｃとを備えている。
また、本実施の形態の半導体装置３１０は、実施の形態２と同様に、動作切換手段２１４と、半導体装置３１０の左右の２辺に沿った位置に形成されている入出力用電極パッド２１２・・・とを備えている。
さらに、本実施の形態の半導体装置３１０では、上記動作切換手段２１４によって選択された信号を上記入出力用電極パッド２１２・・・に出力するか、出力しないかを選択する出力選択手段３１７を備えている。
上記出力選択手段３１７は、外部から電気的に入力される信号（制御信号２２３）によって、半導体装置３１０に設けられた集積回路１１１と入出力用電極パッド２１２・・・とを電気的に接続するか切断するかを選択する切換回路である。制御信号２２３の入力方法については後述する。
また、実施の形態２と同様に、制御信号２２３は半導体装置３１０の左右の２辺に沿った位置に形成されている切換信号用電極パッド３１５１，３１５２，３１５３から入力される。また、上記制御信号２２３は切換信号用電極パッド３１５１，３１５２，３１５３から入力される信号の組み合わせとして入力される。
本実施の形態では、半導体装置３１０の一方の辺（図７のＬ側の辺）に切換信号用電極パッド３１５Ｌ１，３１５Ｌ２，３１５Ｌ３が形成され、半導体装置３１０の他方の辺（図７のＲ側の辺）に切換信号用電極パッド３１５Ｒ１，３１５Ｒ２，３１５Ｒ３が形成されている。切換信号用電極パッド３１５Ｌ１，３１５Ｌ２，３１５Ｌ３と切換信号用電極パッド３１５Ｒ１，３１５Ｒ２，３１５Ｒ３とは半導体装置３１０の左右の辺の上に対向するように形成されており、それぞれ電気的に接続されている。上記切換信号用電極パッド３１５・・・は上記動作切換手段２１４、上記検査情報処理手段１１１ｃ、及び上記出力選択手段３１７に電気的に接続している。
尚、実施の形態１の図１のように、半導体装置３１０の左右の辺の上に対向するように形成されている電極パッド２１２Ｌ１・・・，３１５Ｌ１・・・と電極パッド２１２Ｒ１・・・，３１５Ｒ１・・・とはそれぞれ電気的に同じ信号を入出力できるように構成されていればよい。
上記制御信号２２３は半導体装置３１０を構成するときに適宜設定すれば良い信号であるが、例えば半導体装置３１０の接地電位に対して一定の高さの電圧が一定時間持続するような信号（ＨＩＧＨレベル信号＝１）と、半導体装置３１０の接地電位（ＬＯＷレベル信号＝０）との組み合わせとして表現しても良い。切換信号用電極パッド３１５・・・に入力する信号の組み合わせによる上記動作切換手段２１４、上記検査情報処理手段１１１ｃ、及び上記出力選択手段３１７の詳細な動作については後述する。
図８は、ウエハ３００の上に形成された本実施の形態の半導体装置３１０が検査装置６００によって検査される様子を示す平面図である。本実施の形態では、検査装置６００に設けられた検査用のプローブカード６１０の開口部６３０から見えている半導体装置３１０を同時に検査する。
本実施の形態の半導体装置３１０は、横に８個、縦に複数個（図８では５個）の半導体装置３１０が並んでウエハ３００上に形成されている。また、左側に形成される４列の半導体装置３１０は、隣り合う入出力用電極パッド２１２Ｌ１，２１２Ｌ２，・・・，２１２Ｌｎ及び切換信号用電極パッド３１５Ｌ１，３１５Ｌ２，３１５Ｌ３と、入出力用電極パッド２１２Ｒ１，２１２Ｒ２，・・・，２１２Ｒｎ及び切換信号用電極パッド３１５Ｒ１，３１５Ｒ２，３１５Ｒ３とが電気的に接続されている。これらの隣り合う入出力用電極パッド２１２・・・及び切換信号用電極パッド３１５・・・は、ウエハ３００上に周知の方法で半導体装置３１０を形成する場合に各パターンが接続されるように形成しても良いし、本実施の形態の検査工程を行う前に周知の方法で接続しても良い。
同様に右側に形成される４列の半導体装置３１０の入出力用電極パッド２１２Ｌ１・・・及び切換信号用電極パッド３１５Ｌ１・・・と、入出力用電極パッド２１２Ｒ１・・・及び切換信号用電極パッド３１５Ｒ１・・・とが電気的に接続されている。
そして左端の列に形成される半導体装置３１０の入出力用電極パッド２１２Ｌ１，２１２Ｌ２，・・・，２１２Ｌｎ及び切換信号用電極パッド３１５Ｌ１，３１５Ｌ２，３１５Ｌ３が、プローブカード６１０に設けられた開口部６３０の左側から伸びる探針６２０・・・と接触することにより左半分に形成されたそれぞれの半導体装置３１０と検査装置６００とが電気的に接続される。
同様に、右端の列に形成される半導体装置３１０の入出力用電極パッド２１２Ｒ１，２１２Ｒ２，・・・，２１２Ｒｎ及び切換信号用電極パッド３１５Ｒ１，３１５Ｒ２，３１５Ｒ３が、プローブカード６１０に設けられた開口部６３０の右側から伸びる探針６２０・・・と接触することにより右半分に形成されたそれぞれの半導体装置３１０と検査装置６００とが電気的に接続される。
本実施の形態では、上記左右に８列に形成した半導体装置３１０の列を、左から第１列、第２列・・・第８列と呼ぶことにする。
本実施の形態の半導体装置３１０は、上述するように切換信号用電極パッド３１５・・・に入力する制御信号２２３の組み合わせによってそれぞれの半導体装置３１０に設けられた集積回路１１１と入出力用電極パッド２１２・・・とを接続するか、接続しないかを選択する出力選択手段３１７を備えている。
本実施の形態の半導体装置３１０では、例えば上記切換信号用電極パッド３１５１，３１５２，３１５３に入力する信号の組合せ（１及び０の組み合わせ）によって、上記動作切換手段２１４、上記検査情報処理手段１１１ｃ、及び上記出力選択手段３１７の動作を次の表１のように設定しても良い。
Figure 2008177251
表１のような出力選択手段３１７の動作は、例えばウエハ３００上に周知の方法で半導体装置３１０を形成する場合に、半導体装置３１０を形成する列の位置毎に周知の方法で出力選択手段３１７に記録を行っていても良いし、本実施の形態の検査工程を行う前に周知の方法で記録するようにしてもよい。
尚、行われる検査の方法は、半導体装置３１０の構成によって適宜設定すればよく、周知の検査方法を用いることができる。
また、このように構成する場合、例えば図７に示すように上記切換信号用電極パッド３１５１，３１５２，３１５３が接続する信号線をプルダウン抵抗３１６１，３１６２，３１６３によって半導体装置３１０の接地端子２１８に電気的に接続し、半導体装置３１０の接地電位となるようにしてもよい。このように構成すれば、半導体装置３１０が通常使用される状態では切換信号用電極パッド３１５・・・の電位を半導体装置３１０の接地電位に設定することができる。そのため、上記切換信号用電極パッド３１５・・・などに電気的なノイズが入り、誤動作によって半導体装置３１０が検査のための動作状態になることを防ぐことができる。
このように上記動作切換手段２１４、上記検査情報処理手段１１１ｃ、及び上記出力選択手段３１７の動作を設定することにより、横方向に８列に並べて平面的に設けられたそれぞれの半導体装置３１０に同時に光を照射して検査を行うことができる。特に本実施の形態の方法では、横に８列分の半導体装置３１０を同時に検査することができるので、実施の形態１および実施の形態２の方法と比較して更に高速に検査を行うことができる。また同時に検査できる半導体装置の個数が増加したことにより、プローブカードを半導体装置に接触させる回数を減らすことができる。そのため、検査装置及びプローブカードの使用寿命を延ばすことができる。
尚、本実施の形態では、半導体装置に設けられる出力選択回路に入力する制御信号２２３が１と０とで表現される５通りのパターンである場合について記載したが、それぞれのパターンは例えば図９（ａ）に記載するように半導体装置の接地電位に対して一定の高さの電圧が一定時間持続するような信号であってもよく、また（ｂ）のように半導体装置の接地電位に対して一定の高さの電圧があるパターンとして出現する波形であっても良いし、これらのパターンによって検査装置６００に電気的に接続する半導体装置３１０を特定するように構成しても良い。これらの制御信号２２３のパターンは周知のものを用いることができる。
また、上記制御信号２２３を出力選択回路に入力する信号線の数は本実施の形態のように３本に限定されるものではなく、上記制御信号２２３によって検査装置６００と電気的に接続される半導体装置３１０を特定することができる信号線の本数であれば何れの本数であってもかまわない。例えば１本の電線であっても良いし、複数の電線によっても良い。これらの切換動作の制御により、同時に検査することのできる半導体装置の列の数は８列に限られるものではなく、上記出力選択回路によって区別することのできる列数の半導体装置を同時に検査することができる。
さらに上記の実施の形態では、半導体装置は横方向に２列または８列に配置されていたが、上記配列の方向は適宜変更することができ、配列した半導体装置を任意の方向へ複数列配置した平面状の半導体装置群に対して光を照射して行う必要のある検査を同時に行うことができる。
なお本発明は、以上説示した各構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
以上のように、本発明では、半導体装置の左右の２辺に沿った位置に電気的に互いに接続された電極を備えており、上記電極が半導体装置の機能を検査するための検査情報処理手段に電気的に接続しているため、複数の半導体装置を平面的に配置し、光を照射しながら上記半導体装置の機能を一度に検査することができる。そのため、本発明を用いることによってＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサに代表される各種画像撮像デバイスの製品検査を複数同時に検査することができるだけでなく、これらの各種画像撮像デバイスのデータの読み出しを行う分野に応用することが可能である。
本発明における半導体装置の実施の一形態を示すブロック図である。 本発明における半導体装置の別の実施の一形態を示すブロック図である。 本発明における検査装置の実施の一形態を示すブロック図である。 （ａ）は本発明における検査装置の実施の一形態を示す平面図であり、図１または図２の半導体装置を検査している様子を示す平面図である。（ｂ）は本発明における検査装置の実施の一形態を示す断面図であり、（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。 本発明における半導体装置の実施の一形態を示す平面図であり、図１または図２の半導体装置がウエハに形成されている様子を示す平面図である。 本発明における半導体装置の別の実施の一形態を示すブロック図であり、図２の半導体装置がさらに動作切換手段を備えているブロック図である。 本発明における半導体装置の別の実施の一形態を示すブロック図であり、図５の半導体装置がさらに出力選択手段を備えているブロック図である。 本発明における検査装置の別の実施の一形態を示す平面図であり、図６の半導体装置を検査している様子を示す平面図である。 本発明における半導体装置の別の実施の一形態を示すグラフであり、図６の半導体装置の切換信号用電極パッドに入力する制御信号の形状の例を示すグラフである。 従来の検査装置の検査の方法を示す平面図である。 従来の半導体装置を示す平面図である。 従来の半導体装置を示す平面図である。 従来の半導体装置の検査の方法を示す平面図である。 従来の半導体装置の検査の方法を示す平面図である。
符号の説明
１００，２００，３００ ウエハ
１１０，２１０，３１０ 半導体装置
１１１ 集積回路
１１１ａ 受光手段
１１１ｂ 画像情報処理手段（受光信号処理手段）
１１１ｃ 検査情報処理手段（検査手段）
１１２ 画像信号用電極パッド
１１３ 検査用電極パッド（処理信号電極部）
１２１ 画像処理信号
１２２ 検査処理信号
２１２ 入出力用電極パッド（処理信号電極部）
２１４ 動作切換手段
２１５，３１５ 切換信号用電極パッド（制御信号電極部）
２１６，３１６ プルダウン抵抗（抵抗手段）
２１８ 接地端子（接地電極部）
２２３ 制御信号
３１７ 出力選択手段
５００，６００ 検査装置
５１０，６１０ プローブカード
５２０，６２０ 探針（プローブ探針）
５３０，６３０ 開口部
５４０ 光学系

Claims (13)

  1. 基板の表面に、受光手段と、上記受光手段に電気的に接続され上記受光手段の動作を検査する検査手段と、上記検査手段に電気的に接続され上記検査手段が行った処理信号を上記基板から外部に伝達するための複数の処理信号電極部とを備えており、
    上記処理信号電極部は、上記基板上の対向する一対の辺の外縁部であり、かつ上記一対の辺のそれぞれに一組ずつ設けられていることを特徴とする半導体装置。
  2. 上記基板上の辺の一方に設けられている一組の上記処理信号電極部のそれぞれが、他方の辺の一組の処理信号電極部とそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. さらに上記受光手段と電気的に接続され、上記受光手段の動作を制御する受光信号処理手段と、上記検査手段と上記処理信号電極部との間であり、かつ上記受光信号処理手段と上記処理信号電極部との間に電気的に接続される動作切換手段と、上記動作切換手段と電気的に接続されている複数の制御信号電極部とを備えており、
    上記制御信号電極部は、上記基板上の対向する一対の辺の外縁部であり、かつ上記一対の辺のそれぞれに一組ずつ設けられており、
    上記動作切換手段は、上記制御信号電極部に入力された制御信号によって上記処理信号電極部の接続先を上記検査手段と上記受光信号処理手段とから選択することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  4. 上記基板上の辺の一方に設けられている一組の上記制御信号電極部のそれぞれが、他方の辺の一組の制御信号電極部とそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
  5. さらに上記動作切換手段と上記処理信号電極部との間に電気的に接続されている出力選択手段を備えており、
    上記出力選択手段は、上記制御信号電極部に入力された制御信号によって上記動作切換手段と上記処理信号電極部との接続を断続することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
  6. 上記制御信号電極部が電気的に抵抗手段と接続しており、上記抵抗手段が当該半導体装置の接地電極部に接続していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置を複数同時に検査する半導体装置検査装置であって、
    複数の上記半導体装置の上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように配置されるとともに上記半導体装置が平面的に配置されており、
    上記半導体装置検査装置は、
    上記半導体装置を電気的に接続するためのプローブ探針と、上記半導体装置の備えている上記受光手段に光を照射する光学系とを備え、
    上記の並べられた半導体装置の最も外側に設けられている上記処理信号電極部に上記プローブ探針を接触し、
    上記光学系から上記受光手段に光を照射して上記半導体装置の検査を行うことを特徴とする半導体装置検査装置。
  8. 上記半導体装置は、該半導体装置が設けられている基板上の対向する一対の辺の外縁部であり、かつ上記一対の辺のそれぞれに一組ずつ設けられている制御信号電極部と、上記制御信号電極部に入力された制御信号によって上記検査手段及び上記処理信号電極部の電気的な接続を断続する出力選択手段とをさらに備えており、
    上記検査装置は、
    上記の並べられた半導体装置の最も外側に設けられている上記制御信号電極部に上記プローブ探針を接触し、
    上記制御信号電極部に制御信号を入力して上記出力選択手段を制御することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置検査装置。
  9. 上記半導体装置が２列ずつ配置されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置検査装置。
  10. 上記半導体装置が８列ずつ配置されるとともに、上記列の外側からそれぞれ４列の間に配置されている半導体装置間の隣り合う一組の上記処理信号電極部及び上記制御信号電極部のそれぞれが互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置検査装置。
  11. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置を複数同時に検査する検査方法であって、
    複数の上記半導体装置の上記処理信号電極部がそれぞれ列を形成するように配置するとともに上記半導体装置が平面的に配置する半導体装置配置工程と、
    上記の並べられた半導体装置の最も外側に設けられている処理信号電極部に上記半導体装置を検査するためのプローブ探針を電気的に接続するプローブ探針接続工程と、
    上記受光手段に光を照射する光照射工程とを有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
  12. 上記半導体装置が、該半導体装置が設けられている基板上の対向する一対の辺の外縁部であり、かつ上記一対の辺のそれぞれに一組ずつ設けられている制御信号電極部と、上記制御信号電極部に入力された制御信号によって上記検査手段及び上記処理信号電極部の電気的な接続を断続する出力選択手段とをさらに備えており、
    上記プローブ探針接続工程では、さらに上記の並べられた半導体装置の最も外側に設けられている制御信号電極部に上記半導体装置を検査するためのプローブ探針を電気的に接続し、
    上記プローブ探針接続工程に引き続いてさらに上記制御信号電極部に制御信号を入力して上記出力選択手段を制御する半導体装置制御工程を行うことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の検査方法。
  13. 上記半導体装置配置工程が、半導体装置が８列ずつ配置されるとともに、上記列の外側からそれぞれ４列の間に配置されている半導体装置間の隣り合う上記処理信号電極部及び上記制御信号電極部を互いに電気的に接続する工程であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の検査方法。
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