JP2001008237A

JP2001008237A - Ｍｏｓ型固体撮像素子の検査方法およびこの検査方法を使用するｍｏｓ型固体撮像素子

Info

Publication number: JP2001008237A
Application number: JP11171736A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Nakase; 雅之中瀬; Junichi Hirase; 潤一平瀬
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-06-18
Filing date: 1999-06-18
Publication date: 2001-01-12

Abstract

(57)【要約】【課題】ＭＯＳ型固体撮像素子の検査方法において、
ＭＯＳ型固体撮像素子の良否を簡単に判別できることを
目的とする。【解決手段】各ＭＯＳ型固体撮像素子の光電変換素子
２のアノード側からディジタル信号を入力し、各ＭＯＳ
型固体撮像素子毎に順に、垂直走査器３と水平走査器４
により第１のＭＯＳトランジスタ１と第２のＭＯＳトラ
ンジスタ５をオンとし、各ＭＯＳ型固体撮像素子を通過
した信号を順番に検査することにより、ＭＯＳ型固体撮
像素子の良否（電気的故障の有無）を判別する。この検
査方法によれば、従来の如く、高い検査精度を必要とせ
ずに、電気的に不良な固体撮像素子（不良品）をスクリ
ーニングできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＯＳ型固体撮像
素子の電気的故障を検出する検査方法、およびその検査
方法を使用するＭＯＳ型固体撮像素子に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、従来のＣＣＤ型撮像素子にＣＭＯ
Ｓ回路を組み合わせたＭＯＳ型固体撮像素子が増加しつ
つある。このＭＯＳ型固体撮像素子についても画素数の
増加が著しく、ＭＯＳ型固体撮像素子の故障を簡単に精
度よく検出できる検査方法が望まれている。

【０００３】図４は、従来のＭＯＳ型固体撮像素子の回
路である。縦方向のスイッチ動作を行うための第１のｎ
ｃｈＭＯＳトランジスタ１と、光を電荷に変換する撮像
部である光電変換素子（ｐｎ接合フォトダイオード）２
により構成した画素を、２次元のマトリックス状に配置
しており、前記第１のｎｃｈＭＯＳトランジスタ１を制
御する垂直走査器３を備え、さらに横方向のスイッチ動
作を行う第２のｎｃｈＭＯＳトランジスタ５を制御する
水平走査器４を備えている。６は出力端子である。また
各光電変換素子２のアノード側は接地（ＧＮＤ）されて
いる。

【０００４】この構成によれば、照射された光は光電変
換素子２により電荷に変換され、光電変換素子２毎に、
垂直走査器３の制御信号により第１のｎｃｈＭＯＳトラ
ンジスタ１がＯＮされ、水平走査器４の制御信号により
第２のｎｃｈＭＯＳトランジスタ５がＯＮされると、光
電変換された電荷は順番に出力端子６へ移動して出力さ
れる。

【０００５】上記構成のＭＯＳ型固体撮像素子単体の従
来の検査方法を説明する。光源を用いて光電変換素子２
に光を照射し、まず垂直走査器３と水平走査器４によ
り、図４にある右端最下段の光電変換素子２を指定し、
すなわち垂直走査器３からの制御信号によりこの光電変
換素子２の第１のｎｃｈＭＯＳトランジスタ１をＯＮ
し、水平走査器４からの制御信号により第２のｎｃｈＭ
ＯＳトランジスタ５をＯＮし、右端最下段の光電変換素
子２の光電変換された電荷を出力端子６へ出力させる。
次に、垂直走査器３からの指定を変更し、一つ上の光電
変換素子２の電荷を出力させる。同様に最上段まで出力
させた後、水平走査器４の信号により指定列を左に一列
シフトさせ、垂直走査器３の指定を最下段とし、順次出
力させる。このとき、列で見た場合、光電変換素子２か
らの出力が一個所のみ期待値と異なる場合は、垂直走査
器３および水平走査器４の故障は考えにくく、前記期待
値と異なる光電変換素子２の故障であると推定される。
また列全体の光電変換素子２からの出力がない場合は、
垂直走査器３の故障あるいは配線の異常と推定され、全
ての光電変換素子２からの出力が無い場合は、水平走査
器４の故障あるいは配線の異常と推定される。このよう
に、各光電変換素子一個づつ順番に光電変換された電荷
を移動させ、出力端子６から電荷を出力させ検査を行っ
ている。

【０００６】この固体撮像素子の検査では、光電変換素
子２とｎｃｈＭＯＳトランジスタ１，５などの電気的故
障の有無を検査し、光電変換素子２が正常に光を電荷に
変換できることを検査している。この固体撮像素子の検
査により、画像検査品質を確保している。従来のウェハ
ー上に形成された複数のＭＯＳ型固体撮像素子（デバイ
ス）の検査工程を図５を参照しながら説明する。

【０００７】まず、ＭＯＳ型固体撮像素子をシリコン基
板上に作り込む拡散工程を終えた後、一部ロットを抜き
取りＰＣＭ測定と白黒プローブ検査を行う。このＰＣＭ
測定と白黒プローブ検査は、拡散工程が正常に行われて
いることを確認するものであり、全固体撮像素子の良
品、故障が有る不良品を判別するものではない。次にプ
ローブ検査工程において、プローブカードを用いてＤＣ
検査と画像検査を行う。プローブ検査は、拡散工程が正
常に行われていることを確認すること、および固体撮像
素子の製品スペックを保証することを目的として固体撮
像素子全数について実施する。プローブ検査工程でのＤ
Ｃ検査では、コンタクトテスト、入出力リークテスト、
ゲート間リークテストなどの電気的検査を行なってい
る。また、画像検査では、光源の光量を変化させ、飽和
信号出力や感度、キズ、シミ、ザラ、シェーディングな
どの検査を行ない、各固体撮像素子内部の電気的検査と
光電変換素子部の画像検査を行っている。

【０００８】次に、オンチップ工程を経た後、カラープ
ローブ検査を行う。カラープローブ検査でも、プローブ
検査と同様にプローブカードを用いて検査を実施してい
る。カラープローブ検査では、オンチップ工程でのガラ
ス面の検査を中心にＤＣ検査と画像検査を行い、オンチ
ップ工程後の不良品の判別（選別）と各固体撮像素子の
製品保証を行っている。

【０００９】次に、組み立て工程を経た後、最終検査
（ＦＩＮＡＬ検査）を行う。このＦＩＮＡＬ検査は、検
査の最終工程であり、カラープローブ検査後の不良品判
別および製品スペックの保証を行っている。ＦＩＮＡＬ
検査の内容は、各固体撮像素子の電気的保証や画像品質
の保証を行うＤＣ検査と実使用に近い状態で実際に信号
をモニターに出力し人間が選別する感応検査がある。

【００１０】以上が従来のＭＯＳ型固体撮像素子の検査
工程である。したがって、従来技術でもＭＯＳ型固体撮
像素子の良品、故障が有る不良品の判別は可能である。
また、従来ＭＯＳ型固体撮像素子内部の電気的不良箇所
を特定するには、プローブ検査、カラープローブ検査、
ＦＩＮＡＬ検査の３検査工程のＦＡＩＬデータを用いて
いる。プローブ検査工程で良品と判定された固体撮像素
子も次のカラープローブ検査工程やＦＩＮＡＬ検査工程
でＦＡＩＬすれば、各光電変換素子２の出力を順番に出
力することから故障している光電変換素子部を特定する
ことができる。このように、それぞれの工程のＦＡＩＬ
情報から、故障している光電変換素子部を特定すること
ができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】現在の高画素化に伴
い、固体撮像素子数も飛躍的に増えており、デザインル
ールの微細化でチップ面積は減少してはいるが画素数の
伸びが大きいためチップ面積は増えている。このチップ
面積の増大により、従来と比較して電気的な故障を有す
る固体撮像素子が増える傾向にあり、さらにプローブ検
査工程やカラープローブ検査工程やＦＩＮＡＬ検査工程
で、固体撮像素子内部の各光電変換素子に均一に光を照
射することも困難になりつつある。

【００１２】従来は、光電変換素子に光を照射し、光を
電荷に変換させ検査を行っており、電気的故障と光電変
換素子の故障をスクリーニングしていたが、この光を光
電変換素子に照射しての検査では、光電変換された電荷
が非常に微小であるため高い検査精度を必要とする。し
かし、強い光を照射することは現実的でないため、微少
信号でも検査できるよう検査精度を向上する必要があっ
た。また、プローブ検査工程では、ウェハー上でプロー
ブカードを用い検査を行っているため、光源の物理的位
置の制限や固体撮像素子への入力信号のドライバーを固
体撮像素子近傍に設置することが構造上困難である。こ
のため検査精度向上が困難であった。したがってプロー
ブ検査工程では、固体撮像素子の信号出力と検査装置の
ノイズとの差がはっきりせず、良品、不良品の判別を明
確に行うことが困難であり、プローブ検査工程で電気的
な不良を有するＭＯＳ型固体撮像素子を全て精度よくス
クリーニングするのが困難であるという問題があった。

【００１３】そのためプローブ検査工程では良品を確保
するために検査スペックを緩めており、このように検査
スペックを緩めることで電気的に不良な製品までも組み
立てるために組み立てロスが発生していた。この組立ロ
スも今までは無視できる程度であったが、チップ面積の
増加に伴い不良品も増加しているため、無視できないレ
ベルとなってきた。

【００１４】なお、最終的な検査品質は次のＦＩＮＡＬ
検査工程で保証している。このＦＩＮＡＬ検査は固体撮
像素子組立後であるため、プローブカードを用いる必要
もなく、固体撮像素子近傍に入力信号用ドライバーも設
置することができ、したがって検査精度も確保できるた
め検査品質としては問題ないレベルとなっている。ま
た、ＭＯＳ型固体撮像素子内の電気的不良箇所を特定す
るのに、従来はプローブ検査、カラープローブ検査、Ｆ
ＩＮＡＬ検査それぞれの検査工程で最初にＦＡＩＬした
工程のデータを使用していた。したがって、不良箇所を
特定する場合、ＦＡＩＬするまで工程を進める必要があ
り、故障箇所特定に必要なデータが多大になるという問
題があった。

【００１５】本発明は、このようなＭＯＳ型固体撮像素
子の検査方法において、ＭＯＳ型固体撮像素子の良否を
簡単に判別でき、かつ不良箇所を特定できることを目的
とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明のＭＯＳ型固体撮
像素子の検査方法は、ウェハー上に形成された複数のＭ
ＯＳ型固体撮像素子の検査方法であって、各ＭＯＳ型固
体撮像素子の光電変換素子のアノード側からディジタル
信号を入力し、各ＭＯＳ型固体撮像素子毎に順に、ＭＯ
Ｓ型固体撮像素子の垂直走査器と水平走査器により縦方
向のスイッチ動作を行う第１のＭＯＳトランジスタと横
方向のスイッチ動作を行う第２のＭＯＳトランジスタを
オンとし、各ＭＯＳ型固体撮像素子を通過した信号を順
番に検査することにより、各ＭＯＳ型固体撮像素子の良
否を判別することを特徴としたものである。

【００１７】この本発明によれば、ＭＯＳ型固体撮像素
子の良否を簡単に判別することができるＭＯＳ型固体撮
像素子の検査方法が得られる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ウェハー上に形成された複数のＭＯＳ型固体撮像素
子の検査方法であって、各ＭＯＳ型固体撮像素子の光電
変換素子のアノード側からディジタル信号を入力し、各
ＭＯＳ型固体撮像素子毎に順に、ＭＯＳ型固体撮像素子
の垂直走査器と水平走査器により縦方向のスイッチ動作
を行う第１のＭＯＳトランジスタと横方向のスイッチ動
作を行う第２のＭＯＳトランジスタをオンとし、各ＭＯ
Ｓ型固体撮像素子を通過した信号を順番に検査すること
により、各ＭＯＳ型固体撮像素子の良否を判別すること
を特徴としたものであり、従来の検査では、光電変換さ
れた電荷が非常に微小であるため固体撮像素子の電気的
な不良をスクリーニングするために高い検査精度を必要
としたが、この電気的検査により高精度な検査をせずと
も、ウェハー上の電気的に不良なＭＯＳ型固体撮像素子
（不良品）をスクリーニングできるという作用を有す
る。

【００１９】請求項２に記載の発明は、上記請求項１に
記載の発明であって、プローブ検査工程のＤＣ検査と画
像検査の間で実施することを特徴としたものであり、検
査工程をプローブ検査工程のＤＣ検査の後で実施するこ
とにより、検査工程を増やさずに不良品をスクリーニン
グでき、不良品を組み立てる組立てロスを削減すること
ができるという作用を有する。

【００２０】請求項３に記載の発明は、光を電荷に変換
する光電変換素子と縦方向のスイッチ動作を行う第１の
ＭＯＳトランジスタで構成した画素を、２次元のマトリ
ックス状に配置し、前記第１のＭＯＳトランジスタを制
御する垂直走査器と、横方向のスイッチ動作を行う第２
のＭＯＳトランジスタを制御する水平走査器を備えたＭ
ＯＳ型固体撮像素子の検査方法であって、各光電変換素
子のアノード側からデジタル信号を入力し、前記垂直走
査器と水平走査器により、各光電変換素子毎に、第１の
ＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタを順番
にオンとし、各光電変換素子を通過した信号を順番に検
査することにより、光電変換素子の電気的な不良箇所を
特定することを特徴としたものであり、ＭＯＳ型固体撮
像素子の光電変換素子部の電気的不良箇所が、この電気
的検査でのＦＡＩＬデータにより特定できるという作用
を有する。

【００２１】請求項４に記載の発明は、光を電荷に変換
する撮像部である光電変換素子と縦方向のスイッチ動作
を行うための第１のＭＯＳトランジスタで構成した画素
を、２次元のマトリックス状に配置し、前記第１のＭＯ
Ｓトランジスタを制御する垂直走査器と、横方向のスイ
ッチ動作を行う第２のＭＯＳトランジスタを制御する水
平走査器を備えたＭＯＳ型固体撮像素子であって、各光
電変換素子のアノード側を共通に接続し、この各光電変
換素子のアノード側にノーマルモードとテストモードの
切り替え回路を付加し、前記テストモード時に、光電変
換素子のアノード側から各光電変換素子へデジタル信号
を入力可能な構成としたことを特徴としたものであり、
各光電変換素子のアノード側をすべて共通にすることで
回路規模も大幅に増大することなく電気的な不良箇所を
特定できるという作用を有する。

【００２２】以下、本発明の実施の形態を図面に基づい
て説明する。なお、従来例の図４の構成と同一の構成に
は同一の符号を付して説明を省略する。図１は本発明の
実施の形態におけるＭＯＳ型固体撮像素子の検査方法を
使用するＭＯＳ型固体撮像素子とその検査装置の構成図
である。図１に示すように、本発明のＭＯＳ型固体撮像
素子は、各光電変換素子２のアノード側を共通に配線
（以下、アノード線と称す）２１により接続し、各光電
変換素子２のアノード側にノーマルモードとテストモー
ドの切り替え回路（テスト回路）２２を付加している。

【００２３】この切り替え回路２２は、ＭＯＳ型固体撮
像素子のノーマルモードとテストモードの切り替えを行
う電気信号を入力するＴＥＳＴ端子１０と、テストモー
ド時にテスト用ディジタル信号を入力するＴＥＳＴ０端
子１１と、ＴＥＳＴ端子１０に接続されたインバータ９
と、ドレインがＴＥＳＴ０端子１１に接続され、ゲート
がＴＥＳＴ端子１０に接続され、ソースが前記アノード
線に接続された第３のｎｃｈＭＯＳトランジスタ７と、
ドレインが第３のｎｃｈＭＯＳトランジスタ７のソース
に接続され、ゲートがインバータ９を介してＴＥＳＴ端
子１０に接続され、ソースが接地された第４のｎｃｈＭ
ＯＳトランジスタ８から形成されている。

【００２４】上記ＴＥＳＴ端子１０へ入力する電気信号
（モード切換信号）をＬＯＷにすればノーマルモード、
ＨＩＧＨにすればテストモードとなる。ノーマルモード
時は、光電変換素子２のアノード側が接地され、ＭＯＳ
型固体撮像素子は通常の動作状態となる。また上記ＭＯ
Ｓ型固体撮像素子を電気的に検査する装置として検査装
置２３が設けられており、この検査装置２３に、プロー
ブカード（図示せず）を介して、垂直走査器３と、水平
走査器４と、出力端子６と、切り替え回路２２のＴＥＳ
Ｔ端子１０およびＴＥＳＴ０端子１１が接続される。

【００２５】ＭＯＳ型固体撮像素子単体の良否の判別を
行う検査方法を、図２の検査装置２３によるＭＯＳ型固
体撮像素子の入出力信号のタイミングチャートを参照し
ながら説明する。なお、不良品の電気的故障として、第
１のｎｃｈＭＯＳトランジスタ１に故障（０縮退）が発
生していることとする。まず、ＴＥＳＴ端子１０へのモ
ード切換信号をハイ（ＨＩＧＨ）として、テストモード
とする。

【００２６】次に、垂直走査器３の制御信号をＨＩＧＨ
とし、全ての第１のｎｃｈＭＯＳトランジスタ１をオン
（ＯＮ）とし、同時に垂直走査器４の制御信号をＨＩＧ
Ｈとし、全ての第２のｎｃｈＭＯＳトランジスタ５をＯ
Ｎにする。次に、ＴＥＳＴ０端子１１からディジタル信
号として、まずＨＩＧＨの電気信号（テスト信号）を入
力する。すると、電気的故障のない良品ならば、出力端
子６にＨＩＧＨ信号が出力される。電気的故障が有る不
良品ならば、第１のｎｃｈＭＯＳトランジスタ１が０縮
退しているため、出力端子６にＬＯＷ信号が出力され
る。

【００２７】次に、垂直走査器４の制御信号はＨＩＧＨ
にしたままで、ＴＥＳＴ０端子１１のテスト信号をＬＯ
Ｗとする。すると、第３のｎｃｈＭＯＳトランジスタ７
はオフ（ＯＦＦ）し、光電変換素子２のアノード側はオ
ープンとなるため、徐々に電荷が放出され、良品ならば
出力端子６には徐々に電荷が放出された信号が出力され
る。不良品ならば、出力端子６はＬＯＷ状態であるため
変化はしない。

【００２８】次に、再度ＴＥＳＴ０端子１１のテスト信
号をＨＩＧＨとする。すると、良品ならば出力端子６に
ＨＩＧＨ信号が出力される。不良品ならば、第１のｎｃ
ｈＭＯＳトランジスタ１が０縮退しているため、出力端
子６にＬＯＷ信号が出力される。次に、垂直走査器３の
制御信号をＬＯＷにする。すると、良品ならば出力端子
６の信号は、ゆっくりとＬＯＷ状態へ変化する。不良品
ならば、出力信号はＬＯＷ状態のままである。

【００２９】このように出力信号が変化することによ
り、検査装置２３は、出力端子６の出力信号を検査する
ことによって、従来の検査の如く高精度な検査をせずと
も電気的な不良品をスクリーニングでき（ＭＯＳ型固体
撮像素子が良品か不良品かを判別でき）、さらにＭＯＳ
型固体撮像素子の光電変換素子２と、第１のｎｃｈＭＯ
Ｓトランジスタ１および垂直走査器３と、第２のｎｃｈ
トランジスタ５および水平走査器４の故障を検出でき
る。また、各光電変換素子２のアノード側をすべて共通
にすることで回路規模も大幅に増大することなく電気的
な不良品を特定できる。

【００３０】なお、上記不良品の動作は、第１のｎｃｈ
ＭＯＳトランジスタ１が０縮退しているときの動作であ
り、ＴＥＳＴ０端子１１から入力されるディジタル信号
（テスト信号）に応じた出力信号を検査することによ
り、第１のｎｃｈＭＯＳトランジスタ１以外でも光電変
換素子２の電気的不良および第２のｎｃｈＭＯＳトラン
ジスタ５、垂直走査器３、水平走査器４の故障を検出で
きる。

【００３１】図３にウェハー上に形成される各ＭＯＳ型
固体撮像素子の検査工程を示す。上記検査装置２３によ
る電気的検査を、プローブ検査工程におけるＤＣ測定と
画像検査の間で、行っている。この電気的検査を行う工
程であるが、ＤＣ検査ではプローブカードと固体撮像素
子とのコンタクトテストも実施していることもあり、Ｄ
Ｃ検査の後で行う必要がある。次の画像検査では測定精
度がでないことから、画像検査の前にこの電気的検査を
行う必要がある。光源を用いての画像検査の前に、ウェ
ハー上の各ＭＯＳ型固体撮像素子の電気的検査を行うこ
とで電気的な不良が発生した不良品をスクリーニングで
きる。また、ＤＣ測定では固体撮像素子に電気的な信号
を供給し検査を行っている。したがって、電気的な信号
の入力や出力信号の測定が可能である。前記電気的検査
は、電気的な信号の入力と出力信号の測定が可能なら実
施できるため、この検査工程に組み込むことができる。
これにより工程を増やすことなく電気的不良品をスクリ
ーニングできる。

【００３２】今、不良品が２０個あるとする。その不良
品を選別するのに従来の工程では、プローブ検査不良１
０個、カラープローブ検査不良５個、ＦＩＮＡＬ検査不
良５個であった。この不良の中に電気的な不良が、カラ
ープローブ検査不良のうち２個、ＦＩＮＡＬ検査不良の
うち２個、存在するとする。上記４個の電気的な不良
は、この電気的検査をプローブ検査工程で行うことでス
クリーニングできるため、プローブ検査不良品１４個、
カラープローブ検査不良３個、ＦＩＮＡＬ検査不良３個
となり、不良品を組み立てることで発生する組立ロス金
額を削減することができる。

【００３３】なお、この電気的検査はあくまでも予備検
査であり、この電気的検査だけでは、光電変換素子の特
性などは検査できない。光電変換素子２の本来の目的で
ある光を電荷に変換できることを検査するには、光源を
用いての画像検査をプローブ検査工程、カラープローブ
検査工程、ＦＩＮＡＬ検査工程で実施する必要がある。

【００３４】また、検査装置２３による電気的検査方法
を用いることにより、ＭＯＳ型固体撮像素子内部の光電
変換素子部の電気的不良箇所を簡単に特定できる。ま
ず、ＭＯＳ型固体撮像素子をテストモードとし、検査を
する対象の１個の光電変換素子２の信号が出力できるよ
うに垂直走査器３と水平走査器４の制御信号をＨＩＧＨ
とし、第１のｎｃｈＭＯＳトランジスタ１と第２のｎｃ
ｈＭＯＳトランジスタ５をＯＮにする。光電変換素子２
のアノード側から、すなわちＴＥＳＴ０端子１１から図
２に示すディジタル信号（テスト信号）を入力し、電気
的に故障でなければ出力端子６から正常な信号が出力さ
れる。この動作を各光電変換素子１個づつ全数検査する
ことで、光電変換素子部の電気的な故障箇所を正確に検
出することができる。

【００３５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ウェハー
上のＭＯＳ型固体撮像素子の良否を簡単に判別すること
ができるという有利な効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態におけるＭＯＳ型固体撮像
素子の検査方法を使用するＭＯＳ型固体撮像素子の回
路、および検査構成図である。

【図２】同ＭＯＳ型固体撮像素子のテストモード時の入
出力信号のタイミングチャートである。

【図３】同ＭＯＳ型固体撮像素子の検査工程である。

【図４】従来のＭＯＳ型固体撮像素子の回路図である。

【図５】従来のＭＯＳ型固体撮像素子の検査工程であ
る。

【符号の説明】

１第１のｎｃｈＭＯＳトランジスタ２光電変換素子３垂直走査器４水平走査器５第２のｎｃｈＭＯＳトランジスタ６出力端子７第３のｎｃｈＭＯＳトランジスタ８第４のｎｃｈＭＯＳトランジスタ９インバータ１０ＴＥＳＴ端子１１ＴＥＳＴ０端子２１光電変換素子のアノードを接続する配線（アノー
ド線）２２ノーマルモードとテストモードの切り替え回路２３検査装置

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ａ 31/10 ＺＨ０４Ｎ 5/335 31/10 ＥＦターム(参考） 4M106 AA01 AB01 AB07 AB09 AB20 AC10 BA14 CA02 CA17 DJ14 DJ18 DJ20 DJ38 4M118 AA09 AB01 BA14 CA02 FA06 FA50 5C024 AA01 BA00 CA31 FA01 FA11 GA01 GA31 JA04 5C061 BB01 BB05 5F049 MA15 NA18 NA20 NB05 RA02 RA08 SS02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェハー上に形成された複数のＭＯＳ型
固体撮像素子の検査方法であって、各ＭＯＳ型固体撮像素子の光電変換素子のアノード側か
らディジタル信号を入力し、各ＭＯＳ型固体撮像素子毎に順に、ＭＯＳ型固体撮像素
子の垂直走査器と水平走査器により縦方向のスイッチ動
作を行う第１のＭＯＳトランジスタと横方向のスイッチ
動作を行う第２のＭＯＳトランジスタをオンとし、各ＭＯＳ型固体撮像素子を通過した信号を順番に検査す
ることにより、各ＭＯＳ型固体撮像素子の良否を判別す
ることを特徴とするＭＯＳ型固体撮像素子の検査方法。
【請求項２】プローブ検査工程のＤＣ検査と画像検査
の間で実施することを特徴とする請求項１に記載のＭＯ
Ｓ型固体撮像素子の検査方法。
【請求項３】光を電荷に変換する光電変換素子と縦方
向のスイッチ動作を行う第１のＭＯＳトランジスタで構
成した画素を、２次元のマトリックス状に配置し、前記
第１のＭＯＳトランジスタを制御する垂直走査器と、横
方向のスイッチ動作を行う第２のＭＯＳトランジスタを
制御する水平走査器を備えたＭＯＳ型固体撮像素子の検
査方法であって、各光電変換素子のアノード側からデジタル信号を入力
し、前記垂直走査器と水平走査器により、各光電変換素子毎
に、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジ
スタを順番にオンとし、各光電変換素子を通過した信号を順番に検査することに
より、光電変換素子の電気的な不良箇所を特定すること
を特徴とするＭＯＳ型固体撮像素子の検査方法。
【請求項４】光を電荷に変換する撮像部である光電変
換素子と縦方向のスイッチ動作を行うための第１のＭＯ
Ｓトランジスタで構成した画素を、２次元のマトリック
ス状に配置し、前記第１のＭＯＳトランジスタを制御す
る垂直走査器と、横方向のスイッチ動作を行う第２のＭ
ＯＳトランジスタを制御する水平走査器を備えたＭＯＳ
型固体撮像素子であって、各光電変換素子のアノード側を共通に接続し、この各光電変換素子のアノード側にノーマルモードとテ
ストモードの切り替え回路を付加し、前記テストモード
時に、光電変換素子のアノード側から各光電変換素子へ
デジタル信号を入力可能な構成としたことを特徴とする
ＭＯＳ型固体撮像素子。