KR20010037026A

KR20010037026A - 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터 설정방법

Info

Publication number: KR20010037026A
Application number: KR1019990044304A
Authority: KR
Inventors: 강규병
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1999-10-13
Filing date: 1999-10-13
Publication date: 2001-05-07
Also published as: KR100335491B1

Abstract

본 발명은 소정의 공정을 마친 웨이퍼 표면의 결함이나 오염을 검사하는 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시에 필요한 검사장비의 공정 파라미터를 설정하는 방법에 관한 것으로, 본 발명은 웨이퍼 검사시에 필요한 검사장비의 공정 파라미터들을 미리 라이브러리에 저장하여 두고 동일한 단계의 공정을 거친 웨이퍼를 검사할 때 이를 이용함으로써, 공정 파라미터의 설정에 소요되는 시간을 단축할 수 있고, 작업자의 숙련도에 따른 편차를 없앨 수 있도록 한다.

Description

공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터 설정방법{Wafer inspection system having recipe parameter library and method of setting recipe prameters for wafer inspection}

본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 매 공정 수행후 웨이퍼 표면의 결함 등을 검사하는 장비 및 검사방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 다수의 물질층을 적층하고 패터닝하는 과정을 반복하여 형성된다. 이때, 각 물질층의 적층 또는 패터닝 공정에서 발생할 수 있는 결함(defect)이나 오염 입자가 소정의 허용 한도를 넘게 되면 완성된 반도체 소자는 작동하지 않거나 오동작할 수가 있다. 따라서, 현재 대부분의 반도체 소자의 제조공정은 각 공정 수행 후에 웨이퍼 표면을 검사하여 형성된 물질층의 표면 또는 내부에 결함이나 오염 입자의 정도를 파악하는 공정을 포함하고 있다.

현재, 이러한 웨이퍼 표면 검사 방식에는 크게 두 가지가 있는데, 하나는 레이저 산란(Laser scattering)을 이용한 검사 방식이고, 다른 하나는 CCD(Charge Coupled Device) 촬상소자를 이용한 검사 방식이다. 이중 레이저 산란을 이용한 검사 방식에 대해 첨부도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 예컨대, 소자분리막(12)이 형성된 반도체 기판(10) 상에 게이트 전극을 위한 다결정 실리콘막(14)을 전면 증착한 후에 이 다결정 실리콘막(14)에 결함이나 오염 입자 등이 있는지 표면 검사를 하는 과정을 도시한 단면도이다. 도 1에서 참조부호 20은 레이저 광원이고, 22는 레이저광, 24는 다결정 실리콘막(14)에서 반사된 레이저광(22)을 검출하는 검출기이다. 한편, 도시하지는 않았지만, 레이저 광원(20)과 검출기(24)의 선단에는 편광 필터가 부착되고, 검출기(24)에는 수광량을 조절하는 조리개와 검출한 광의 강도를 디지털화하는 아날로그-디지털 변환기 등이 있다.

이와 같은 구성의 레이저 산란을 이용한 웨이퍼 검사장비를 이용하여 웨이퍼의 표면을 검사하는 과정은 다음과 같다. 먼저, 두 대의 동일한 검사장비와, 검사대상 웨이퍼 및 기준 웨이퍼(검사대상 웨이퍼와 동일한 공정을 거친 결함이 없는 웨이퍼)를 준비하고 이를 각각의 검사장비에 장착·정렬한다. 그리고, 웨이퍼 또는 광원(20) 및 검출기(24)를 동일한 속도로 이동시켜 가면서 레이저광(22)을 조사하여 다결정 실리콘막(14) 표면에서 반사되어 검출기(24)로 들어오는 광의 강도를 비교하여 그 차이가 소정의 허용치를 초과하는 경우에 검사대상 웨이퍼의 현재 좌표에서 결함이나 오염 입자가 존재한다고 판단한다. 예컨대, 도 1에서 다결정 실리콘막(14) 내에 보이드(16)가 존재하면 표면에 미세한 높이차가 발생하고 그에 따라 레이저광(22)이 산란되어 기준 웨이퍼와 검사대상 웨이퍼의 검출기(24)의 검출광의 강도가 달라지게 된다. 다결정 실리콘막(14) 표면에 오염 입자(18)가 존재하는 경우에도 마찬가지이다.

그런데, 이와 같은 웨이퍼 표면 검사방법에서 문제가 되는 것은 검사장비의 공정 파라미터 설정이다. 즉, 검사장비는 실제로 광학 장비이고, 이 광학 장비는 검사대상 막질의 종류에 따른 반사율, 굴절율, 광량, 결함이라고 판단할 수 있는 기준이 되는 광 강도의 문턱값 등의 여러 파라미터를 정확히 설정하지 않으면 결함과 미세 패턴을 구분할 수 없고 정확한 결함 검사를 할 수 없다. 종래 이러한 파라미터의 설정은 작업자가 새로운 검사대상 웨이퍼에 대하여 일일이 광원을 비추어 보고 여러가지 파라미터들을 하나씩 결정해 나가는 시행착오를 반복하면서 수행해 왔다. 특히, 상기와 같은 검사 방식에서는 기준 웨이퍼가 존재하지 않으면 즉, 개발단계에서 처음으로 어떤 공정을 수행한 웨이퍼에 대해서는 이러한 검사장비의 공정 파라미터 설정에 매우 긴 시간이 소요된다. 또한, 작업자의 숙련도에 따라 공정 파라미터의 설정의 정확도가 좌우되고 그에 따라 검사의 정확도가 차이가 난다는 문제가 있다.

한편, 공개특허공보 95-12661호, 95-15687호 등에서는 상기한 두 대의 검사장비를 이용하여 기준 웨이퍼와 검사대상 웨이퍼를 동시에 표면 검사하는 방식과 달리, 검사대상 웨이퍼만에 대하여 표면 검사를 수행하고 그 결과를 설계 데이터와 비교하여 결함여부를 판정하는 방식에 대하여 개시하고 있다. 그러나, 이러한 방식에서도 검사대상 웨이퍼에 대한 검사장비의 공정 파라미터 설정에 대해서는 상술한 바와 같은 문제가 존재한다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼 검사장비의 공정 파라미터를 단시간 내에 그리고 자동적으로 설정할 수 있는 검사장비를 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기한 웨이퍼 검사장비의 공정 파라미터를 설정하는 방법을 제공하는 것이다.

도 1은 레이저 산란을 이용하여 웨이퍼 표면을 검사하는 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 검사방법에서 공정 파라미터를 설정하는 방법을 도시한 흐름도이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 검사장비의 공정 파라미터 설정에 필요한 사양의 입력화면과 그에 따른 공정 파라미터의 설정화면을 도시한 도면이다.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장비는, 소정 공정을 마친 웨이퍼 표면을 광학적 방법으로 검사하여 결함이나 오염을 검사하는 웨이퍼 검사장비로서, 검사대상 웨이퍼의 특성에 따라 달라지는 웨이퍼 검사시의 광학적 또는 전기적 공정 파라미터들을 라이브러리로 내장하여, 검사대상 웨이퍼의 특성을 입력하면 상기 라이브러리에서 해당하는 공정 파라미터들을 독출하여 자동적으로 설정할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.

또한, 상기의 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장비의 공정 파라미터를 설정하는 방법은, 먼저, 검사대상 웨이퍼의 특성에 따라 달라지는 웨이퍼 검사시의 광학적 또는 전기적 공정 파라미터들을 라이브러리에 저장해 둔다. 그리하여 웨이퍼 검사시에 검사대상 웨이퍼의 특성을 입력하고, 상기 라이브러리에서 입력된 검사대상 웨이퍼의 특성에 대응하는 공정 파라미터들을 독출하여 자동적으로 설정하도록 한다.

여기서, 상기 웨이퍼 검사장비는 레이저 광원과 검출기를 구비하는 레이저 산란 방식의 검사장비일 수 있고, CCD 카메라를 구비하여 촬상된 화상 데이터를 이용하여 웨이퍼를 검사하는 검사장비일 수 있다.

레이저 산란 방식의 검사장비일 경우, 상기 공정 파라미터들은 레이저광의 주사 방향, 검출기의 이득값, 레이저 광원과 검출기의 편광자의 종류 및 설치여부, 검출기의 개구율 및 웨이퍼의 소정 영역의 검출이나 결함의 검출을 위한 문턱값을 포함한다.

또한, CCD 카메라를 이용한 화상 데이터 처리 방식의 검사장비일 경우, 상기 공정 파라미터들은 CCD 카메라가 웨이퍼의 소정 영역을 촬상하는데 필요한 조명의 조도, CCD 카메라의 이득값, CCD 카메라의 개구율 및 웨이퍼의 소정 영역의 검출이나 결함의 검출을 위한 문턱값을 포함한다.

이와 같이 본 발명에 따르면, 종래 작업자가 일일이 시행착오를 반복하면서 설정해야 하는 공정 파라미터들을 공정 파라미터 라이브러리를 이용하여 간단히 그리고 자동적으로 설정할 수 있게 되어, 공정 시간이 단축되고 작업자의 숙련도에 따른 웨이퍼 검사의 정확도에서 개인간 편차가 없어진다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

먼저, 공정 파라미터 라이브러리를 구축하는 과정을 설명하기 전에, 동일한 단계의 공정을 거친 웨이퍼에 대한 검사공정의 공정 파라미터들은 유사한 경향을 가진다는 사실을 확인함으로써 본 발명의 공정 파라미터 라이브러리가 가능함을 설명한다.

본 실시예에서는 레이저 산란 방식의 Surfscan-7600 검사장비(KLA사 제품)를 이용하여, 서로 다른 규격을 가지는 제품간에 특정 공정을 거친 웨이퍼들의 검사시 공정 파라미터들을 비교한다. 하지만, 본 실시예에서 사용한 검사장비와 예로 든 공정은 본 발명의 이해를 돕기 위해 특정된 장비와 공정일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

Surfscan-7600 검사장비는 도 1을 참조하여 설명한 레이저 산란 방식으로 웨이퍼의 결함을 검사하는 장비로서 전술한 바와 같이 레이저 광원(20), 검출기(24), 편광자 등을 구비한다. 이 검사장비는 새로운 샘플(기준 웨이퍼)에 대하여 스스로 최적화된 공정 파라미터들을 설정하는 기능을 가지고 있다. 물론 이 장비가 스스로 설정한 공정 파라미터들은 완벽한 것은 아니어서 그대로 검사공정을 수행한 결과를 신뢰할 수 없고, 실제 검사공정 수행전에 작업자가 역시 수정을 하여야 한다. 이 검사장비에 요구되는 공정 파라미터에는 다음과 같은 것들이 있다.

먼저, 레이저광의 조사 방향(scan algorithm)으로서, 웨이퍼의 전면(F)과 후면(B)중 어느 쪽에서 레이저광을 조사할 것인지를 결정하는 파라미터이다.

검출기의 이득값(gain)으로서, 검출기에서 감지한 레이저광의 증폭율을 결정하는 파라미터이다.

정렬 이득값(alignment gain)으로서, 검사장비에 웨이퍼를 정렬할 때 정렬 편차값(offset)의 증폭율을 결정하는 파라미터이다.

레이저 광원과 검출기의 선단에 설치되는 편광자(polarizer)의 종류 및 설치여부에 관한 파라미터로서, S는 S 편광자가 설치되는 것을, P는 P 편광자가 설치되는 것을, N은 편광자가 설치되지 않음을 의미한다.

검출기의 개구율(variable aperture stop)로서, 조리개의 개구율을 나타내는 파라미터이다. 이 장비의 경우 20%, 40%, 100%의 세 가지 설정이 가능하다.

웨이퍼의 소정 영역들(예컨대, 메모리 셀 영역, 주변회로 영역 등)을 위한 검출기의 영역검출 문턱값 및 결함표시 문턱값으로서, 영역검출 문턱값은 검출기가 검출한 레이저 광의 강도가 이 값을 넘었을 때 현재 위치가 웨이퍼의 소정 영역이라는 것을 인식하고, 결함표시 문턱값은 이 값을 넘었을 때 결함이나 오염 입자로서 표시하게 되는 값이다.

이와 같은 공정 파라미터들을 설정해야 하는 상기 검사장비를 이용하여 서로 다른 규격을 가지는 반도체 소자의 동일한 공정 단계를 마친 웨이퍼에 대하여 검사를 하기 위하여, 상기 검사장비가 스스로 설정한 공정 파라미터들을 아래 표 1 및 표 2에 나타내었다. 표 1은 네 가지 제품의 반도체 소자를 위한 서로 다른 웨이퍼에 대하여 소자분리막이 형성된 기판 상에 비정질 실리콘막을 전면 증착한 후 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터들을 나타낸 것이고, 표 2는 역시 위의 네 가지 웨이퍼에 대하여 커패시터 하부전극용 패드 패턴인 다결정 실리콘 패턴 상에 USG(Undoped Silicate Glass)막을 전면 증착한 후의 검사시 공정 파라미터들을 나타낸 것이다.

공정 파라미터	웨이퍼 1	웨이퍼 2	웨이퍼 3	웨이퍼 4
레이저광의 조사방향	F	F	F	F
검출기 이득값	12	12	12	12
정렬 이득값	6	5	5	5
편광자(광원측/검출기측)	S/S	S/S	S/S	S/S
검출기 개구율	40%	100%	40%	40%
메모리 셀영역의 영역검출 문턱값/ 결함검출 문턱값	31/61	32/62	31/60	27/55
주변회로 영역의 영역검출 문턱값/ 결함검출 문턱값	32/62	43/77	41/74	37/69

공정 파라미터	웨이퍼 1	웨이퍼 2	웨이퍼 3	웨이퍼 4
레이저광의 조사방향	F	F	F	F
검출기 이득값	11	12	12	12
정렬 이득값	4	4	4	4
편광자(광원측/검출기측)	P/S	S/S	S/S	S/S
검출기 개구율	40%	40%	40%	40%
메모리 셀영역의 영역검출 문턱값/ 결함검출 문턱값	68/120	60/150	68/120	30/59
주변회로 영역의 영역검출 문턱값/ 결함검출 문턱값	88/134	120/171	88/134	36/68

표 1 및 표 2로부터, 제품(반도체 소자)의 차이에 불구하고 동일한 공정을 거친 웨이퍼의 공정 파라미터에 있어서는 몇몇 오차를 제외하고는 거의 유사한 값으로 설정됨을 알 수 있다. 특히, 가장 중요한 파라미터인 검출기 이득값, 편광자, 검출기 개구율에서 거의 동일한 값을 보였다. 더욱이 위 설정된 공정 파라미터들은 검사장비가 스스로 설정한 값으로서 작업자가 오차를 수정한 후의 값들은 더욱 유사하게 될 것이다.

이같은 결과는, 어떤 공정을 거친 웨이퍼에 대해서 그 공정 파라미터들을 라이브러리로 저장해 두고 이후 동일한 단계의 공정을 거친 동일한 또는 다른 제품의 웨이퍼를 검사할 때 거의 그대로 이용할 수 있음을 의미한다.

한편, 공정 파라미터들은 검사대상 막이 어떤 물질로 이루어졌는지 즉 검사대상 막질 뿐만 아니라 검사대상 막의 하부막질 및 하부막의 패턴 종류에 따라 크게 영향을 받는다. 따라서, 상기 라이브러리에는 검사대상 막질, 하부막질, 하부패턴 종류의 각 조합에 따라 달라지는 공정 파라미터들을 저장해 두는 것이 바람직하다.

이렇게 하여 위의 각 조합에 따른 공정 파라미터들을 수집하여 공정 파라미터 라이브러리를 구축한다. 이 라이브러리의 실제 구축과정은 검사공정을 수행하기 전에 수행하는 공정 파라미터 설정단계의 결과를 정리하여 데이터베이스화하는 과정이 될 것이다. 그리고 이 라이브러리의 실제적인 구현물은 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체가 될 수 있고, 이 기록매체를 기존의 검사장비에 장착하여 독출가능한 인터페이스를 구비함으로써 본 실시예의 웨이퍼 검사장비가 구축될 수 있다.

이어서, 도 2 및 도 3을 참조하여, 상술한 바와 같이 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비를 이용하여 본 실시예에 따른 웨이퍼 검사장비의 공정 파라미터들을 설정하는 방법을 설명한다.

먼저, 본 발명에 따른 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비를 켜면, 모니터에 도 3에 도시된 바와 같은 입력화면과 설정화면이 나타난다. 그러면, 순차적으로 실제 검사하고자 하는 막의 종류와 검사대상 막의 하부막의 종류 및 하부막의 패턴 종류를 입력한다(단계 100, 110, 120).

검사대상 막과 하부막의 종류는 예컨대, 다결정 실리콘(poly-Si), 실리콘 산화막(oxide), 실리콘 질화막(nitride), 금속(metal, 필요에 따라서는 더 세분될 수도 있다), 유리(glass) 등 반도체 소자의 제조에 사용되는 다양한 종류의 막을 포함한다. 또한, 하부패턴에는 활성영역과 소자분리영역을 구분하는 활성영역 패턴(active), 게이트 전극 패턴(gate), 비트라인 패턴(bit line), 컨택(contact), 커패시터 하부전극 패턴(storage node) 등이 있다.

예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이 소자분리막(12)이 형성된 실리콘 기판(10) 상에 게이트 전극을 형성하기 위하여 다결정 실리콘막(14)을 형성한 후 웨이퍼 검사를 하고자 하는 경우에, 검사대상 막질은 다결정 실리콘, 하부막질은 단결정 실리콘(도 1에서 다결정 실리콘막(14)의 하부막은 실리콘 산화막으로 이루어진 소자분리막(12)도 포함하나 가장 넓은 면적을 차지하는 막은 실리콘 기판(10)이므로 실리콘으로 입력한다), 하부패턴 종류는 활성영역 패턴을 입력하면 된다.

그러면, 검사장비는 입력된 막질 및 패턴 종류에 따른 공정 파라미터를 공정 파라미터 라이브러리로부터 독출하여 설정하고(단계 130) 도 3의 설정화면에 표시한다.

이어서, 설정된 공정 파라미터에 따라 실제 웨이퍼 검사를 수행하게 된다(단계 140).

한편, 지금까지 설명한 실시예에서는 레이저 산란 방식의 검사장비 및 그에 따른 공정 파라미터를 설정하는 방법을 설명하였지만, 본 발명의 검사장비 및 공정 파라미터 설정방법은 CCD 카메라를 이용한 검사장비 및 검사방법에도 적용가능하다.

즉, CCD 카메라를 이용하여 웨이퍼를 검사하는 경우에도 레이저 산란 방식과 마찬가지로 검사장비의 공정 파라미터를 설정하는 데에 따른 시간 소요 및 설정의 정확성 문제가 있다. 따라서, 본 발명의 원리는 CCD 카메라를 이용하는 방식의 검사장비 및 검사방법에도 그대로 적용할 수 있다. 다만, CCD 카메라를 이용하는 방식에서는 구체적인 공정 파라미터가 레이저 산란 방식과는 다를 수 있다. 예컨대, 레이저 산란 방식에서 레이저광의 조사 방향(scan algorithm)이나 편광자 종류 및 여부 등의 공정 파라미터는 CCD 카메라 방식에서는 필요하지 않고, 대신에 CCD 카메라로 웨이퍼 표면을 촬상할 때 필요한 조명의 조도 등과 같은 파라미터가 필요하다. 나머지 검출기의 이득값이나 문턱값 등의 파라미터들은 CCD 카메라 방식에서도 마찬가지로 필요하다.

이상 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 웨이퍼 검사시에 필요한 검사장비의 공정 파라미터들을 미리 라이브러리에 저장하여 두고, 동일한 단계의 공정을 거친 웨이퍼를 검사할 때 이를 이용함으로써, 공정 파라미터의 설정에 소요되는 시간을 단축할 수 있고, 작업자의 숙련도에 따른 정확성의 편차를 줄일 수 있다. 특히, 본 발명에 의하면 기준 웨이퍼가 없는 상태에서도 공정 파라미터의 설정을 단시간 내에 할 수 있다.

Claims

소정 공정을 마친 웨이퍼 표면을 광학적 방법으로 검사하여 결함이나 오염을 검사하는 웨이퍼 검사장비에 있어서,

검사대상 웨이퍼의 특성에 따라 달라지는 웨이퍼 검사시의 광학적 또는 전기적 공정 파라미터들을 라이브러리로 내장하여, 상기 검사대상 웨이퍼의 특성을 입력하면 상기 라이브러리에서 해당하는 공정 파라미터들을 독출하여 자동적으로 설정할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장비.
제1항에 있어서, 상기 검사대상 웨이퍼의 특성은 검사대상 막의 종류, 상기 검사대상 막의 하부막의 종류 및 상기 하부막의 패턴 종류를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장비.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 검사장비는 레이저 광원과, 상기 레이저 광원에서 조사되어 웨이퍼 표면에서 반사되는 레이저광을 검출하는 검출기를 구비함으로써, 레이저 산란을 이용하여 웨이퍼 표면을 검사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장비.
제3항에 있어서, 상기 공정 파라미터들은 레이저광의 주사 방향, 상기 검출기의 이득값, 상기 레이저 광원과 검출기의 편광자의 종류 및 설치여부, 상기 검출기의 개구율 및 웨이퍼의 소정 영역의 검출이나 결함의 검출을 위한 문턱값을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장비.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 검사장비는 CCD 카메라를 구비함으로써, 상기 웨이퍼의 표면을 소정의 분할된 영역별로 촬상하여 얻은 화상 데이터를 이용하여 웨이퍼 표면을 검사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장비.
제5항에 있어서, 상기 공정 파라미터들은 상기 CCD 카메라가 웨이퍼의 소정 영역을 촬상하는데 필요한 조명의 조도, 상기 CCD 카메라의 이득값, 상기 CCD 카메라의 개구율 및 웨이퍼의 소정 영역의 검출이나 결함의 검출을 위한 문턱값을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장비.
소정 공정을 마친 웨이퍼 표면을 광학적 방법으로 검사하여 결함이나 오염을 검사하는 웨이퍼 검사장비의 공정 파라미터를 설정하는 방법에 있어서,

검사대상 웨이퍼의 특성에 따라 달라지는 상기 웨이퍼 검사시의 광학적 또는 전기적 공정 파라미터들을 라이브러리에 저장하는 단계;

상기 검사대상 웨이퍼의 특성을 입력하는 단계; 및

상기 라이브러리에서 상기 입력된 검사대상 웨이퍼의 특성에 대응하는 공정 파라미터들을 독출하여 자동적으로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장비의 공정 파라미터 설정방법.
제7항에 있어서, 상기 검사대상 웨이퍼의 특성은 검사대상 막의 종류, 상기 검사대상 막의 하부막의 종류 및 상기 하부막의 패턴 종류를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장비의 공정 파라미터 설정방법.
제7항에 있어서, 상기 웨이퍼 검사장비는 레이저 광원과, 상기 레이저 광원에서 조사되어 웨이퍼 표면에서 반사되는 레이저광을 검출하는 검출기를 구비하는 레이저 산란 방식의 검사장비이고, 상기 공정 파라미터들은 레이저광의 주사 방향, 상기 검출기의 이득값, 상기 레이저 광원과 검출기의 편광자의 종류 및 설치여부, 상기 검출기의 개구율 및 웨이퍼의 소정 영역의 검출이나 결함의 검출을 위한 문턱값을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장비의 공정 파라미터 설정방법.
제7항에 있어서, 상기 웨이퍼 검사장비는 CCD 카메라를 구비하여 촬상된 화상 데이터를 이용하는 검사장비이고, 상기 공정 파라미터들은 상기 CCD 카메라가 웨이퍼의 소정 영역을 촬상하는데 필요한 조명의 조도, 상기 CCD 카메라의 이득값, 상기 CCD 카메라의 개구율 및 웨이퍼의 소정 영역의 검출이나 결함의 검출을 위한 문턱값을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장비의 공정 파라미터 설정방법.